Ccd多路输出结构的制作方法

文档序号:9618970阅读:473来源:国知局
Ccd多路输出结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种CCD结构,尤其涉及一种CCD多路输出结构。
【背景技术】
[0002]现有技术中,典型的CCD多路输出结构如图1所示,从图中可见,水平转移区和输出放大器(图中的复位晶体管漏极、复位晶体管栅极、输出二极管和输出晶体管栅极即构成输出放大器)位于同一直线上,这种设计的好处是节省了竖向空间,但在实际应用中,却存在如下问题:由于水平转移区和输出放大器位于同一直线上,因此相邻两个水平转移区之间就需要为输出放大器留出空间,反过来看,也即输出放大器挤占了水平转移区的空间,导致水平转移区内可供信号转移的长度大幅缩短,为了实现CCD功能,垂直转移区就不得不设计为倾斜结构,这不仅提高了设计复杂性,而且还使得垂直转移区上倾斜部分的有效面积大幅缩减,不利于信号传输,而且相邻垂直转移区的倾斜部分之间的沟阻有效面积也变小,容易发生信号串扰。

【发明内容】

[0003]针对【背景技术】中的问题,本发明提出了一种CCD多路输出结构,所述CCD多路输出结构包括多个输出单元,单个输出单元包括垂直转移区、水平转移区和输出放大器;其创新在于:所述水平转移区内的信号转移方向记为A向,单个输出单元内,垂直转移区位于水平转移区A向的一侧,输出放大器位于水平转移区A向的另一侧;多个输出单元对应的多个水平转移区按一维阵列形式分布,多个水平转移区对应的多个A向朝向相同且与一维阵列的轴向重合,多个水平转移区对应的输出放大器位于一维阵列的同侧。
[0004]本发明的原理是:从【背景技术】中的分析可以看出,现有技术的设计思路虽然节省了空间,但却引出了一系列新的问题,发明人认为这是得不偿失的,有鉴于此,本发明中将水平转移区和输出放大器错位设置,错位设置后,最明显的好处是,水平转移区的空间不再被挤占,水平转移区的长度可以设计为与垂直转移区所覆盖的区域相匹配,从而避免在垂直转移区上设置倾斜段,这不仅可以降低结构复杂度,更为有意义的是,垂直转移区的有效面积以及相邻垂直转移区之间的沟阻宽度都可以得到很好的保证,保证器件的工作稳定性。本发明的工作原理及控制方法均与现有技术完全相同。
[0005]本发明的有益技术效果是:能降低结构复杂度,保证器件性能。
【附图说明】
[0006]图1、典型(XD多路输出结构;
图2、本发明的结构示意图(图中隐去了各种栅极结构);
图3、图2中所示结构设置了各种栅极结构后的结构示意图;
图中各个标记所对应的名称分别为:垂直转移区1、水平转移区2、水平转移控制栅一
2-1、水平转移控制栅二 2-2、水平转移控制栅三2-3、水平转移控制栅四2-4、用于形成输出放大器的区域3、复位晶体管漏极4、复位晶体管栅极5、输出二极管6、输出晶体管栅极7、水平转移区内的信号转移方向A。
【具体实施方式】
[0007]—种CCD多路输出结构,所述CCD多路输出结构包括多个输出单元,单个输出单元包括垂直转移区1、水平转移区2和输出放大器;其创新在于:所述水平转移区2内的信号转移方向记为A向,单个输出单元内,垂直转移区1位于水平转移区2 A向的一侧,输出放大器位于水平转移区2 A向的另一侧;多个输出单元对应的多个水平转移区2按一维阵列形式分布,多个水平转移区2对应的多个A向朝向相同且与一维阵列的轴向重合,多个水平转移区2对应的输出放大器位于一维阵列的同侧。
[0008]本发明的方案可用于对面阵式(XD和线阵式(XD进行优化。
【主权项】
1.一种CCD多路输出结构,所述CCD多路输出结构包括多个输出单元,单个输出单元包括垂直转移区(1)、水平转移区(2)和输出放大器;其特征在于:所述水平转移区(2)内的信号转移方向记为A向,单个输出单元内,垂直转移区(1)位于水平转移区(2)A向的一侧,输出放大器位于水平转移区(2)A向的另一侧;多个输出单元对应的多个水平转移区(2)按一维阵列形式分布,多个水平转移区(2)对应的多个A向朝向相同且与一维阵列的轴向重合,多个水平转移区(2)对应的输出放大器位于一维阵列的同侧。
【专利摘要】一种CCD多路输出结构,所述CCD多路输出结构包括多个输出单元,单个输出单元包括垂直转移区、水平转移区和输出放大器;其创新在于:所述水平转移区内的信号转移方向记为A向,单个输出单元内,垂直转移区位于水平转移区A向的一侧,输出放大器位于水平转移区A向的另一侧;多个输出单元对应的多个水平转移区按一维阵列形式分布,多个水平转移区对应的多个A向朝向相同且与一维阵列的轴向重合,多个水平转移区对应的输出放大器位于一维阵列的同侧。本发明的有益技术效果是:能降低结构复杂度,保证器件性能。
【IPC分类】H04N5/372
【公开号】CN105376507
【申请号】CN201510645729
【发明人】李仁豪, 廖乃镘
【申请人】中国电子科技集团公司第四十四研究所
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2015年10月9日
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