一种单声孔的指向性mems麦克风的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及声电转换技术，具体涉及一种单声孔的指向性MEMS麦克风。
【背景技术】
[0002]MEMS麦克风是一种基于MEMS技术制作出来的声电转换器，其具有体积小、频响特性好、噪声低等特点。随着电子设备的小巧化、薄型化发展，MEMS麦克风被越来越广泛地运用到诸如手机、平板电脑、相机、助听器、智能玩具以及监听装置等电子设备上。
[0003]MEMS 麦克风通常包括 MEMS 芯片和 ASIC(Applicat1n Specific IntegratedCircuit，功能集成电路)芯片，两者之间通过导线电连接，声音从单一的声孔进入麦克风并且作用在MEMS芯片的振膜上，此类结构的MEMS麦克风只能做全指向性麦克风，无法实现声音的指向性。
【实用新型内容】
[0004]为了解决上述技术问题，以及实现一种单声孔的指向性MEMS麦克风，本实用新型采用如下技术方案:
[0005]一种单声孔的指向性MEMS麦克风，包括:基板；与所述基板密封相连围成第一空腔的外壳；均设置在所述基板上并且彼此电连接的MEMS芯片和ASIC芯片；设置于所述基板上的声孔，所述声孔位于所述MEMS芯片的下方；以及阻尼片，所述阻尼片位于所述声孔和所述MEMS芯片之间并且覆盖所述声孔；所述阻尼片的中间开设有贯通所述阻尼片的通道，所述通道与所述声孔连通；所述MEMS芯片、所述通道的侧壁、以及所述基板共同围成包括所述通道在内的第二空腔；所述通道的侧壁的上方开设有凹槽，以使所述通道与所述第一空腔通过所述凹槽连通。
[0006]进一步优选的技术方案，所述凹槽未达到所述阻尼片的底部。
[0007]进一步优选的技术方案，所述凹槽的开口部分位于所述MEMS芯片的内部，部分位于所述MEMS芯片的外部。
[0008]进一步优选的技术方案，所述凹槽延伸至所述阻尼片的边沿。
[0009]进一步优选的技术方案，所述凹槽未延伸至所述阻尼片的边沿，所述凹槽的开口至少部分位于所述MEMS芯片的外部。
[0010]进一步优选的技术方案，所述凹槽环绕所述通道。
[0011]进一步优选的技术方案，所述凹槽为一个或多个。
[0012]进一步优选的技术方案，所述凹槽为两个，分别位于所述阻尼片的两端。
[0013]进一步优选的技术方案，所述通道对准所述声孔的位置覆盖有网状结构。
[0014]进一步优选的技术方案，所述阻尼片的材料为下列任一:硅、陶瓷、线路板、金属片、注塑件。
[0015]本实用新型的MEMS麦克风在声孔和MEMS芯片之间设置阻尼片，阻尼片的中间开设有贯通阻尼片的通道，通道的侧壁开设有凹槽，声音进入声孔后大部分通过通道进入MEMS芯片的内部，从下侧作用于MEMS芯片的振膜，只有少量声音信号从凹槽泄露到第一空腔中，从上侧作用于MEMS芯片的振膜，MEMS芯片在两路声波的共同作用下产生电信号输出，实现了良好的指向性。
【附图说明】
[0016]图1为本实用新型MEMS麦克风第一实施例的结构示意图。
[0017]图2为图1中阻尼片的一个实施例的立体示意图。
[0018]图3为图1中阻尼片的另一个实施例的立体示意图。
[0019]图4为本实用新型MEMS麦克风第二实施例的结构示意图。
[0020]图5为图4中阻尼片的一个实施例的立体示意图。
[0021]图6为本实用新型MEMS麦克风阻尼片的一个实施例的平面示意图。
【具体实施方式】
[0022]下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能解释为对本实用新型的限制。
[0023]参考图1所示为MEMS麦克风的第一实施例，包括:
[0024]基板I和外壳2，两者密封相连围成第一空腔400，第一空腔400内部设有MEMS芯片3和ASIC芯片4，MEMS芯片3和ASIC芯片4均贴装在基板I上，两者通过导线5电连接。
[0025]声孔100开设在基板I上并且对准MEMS芯片3，阻尼片6位于声孔100和MEMS芯片3之间，阻尼片6对准MEMS芯片3并且覆盖声孔100。
[0026]阻尼片6的中间开设有贯通阻尼片6的通道61，通道61与声孔100连通；MEMS芯片3、通道61的侧壁、以及基板I共同围成包括通道61在内的第二空腔300。
[0027]通道61的侧壁的上方开设有凹槽62，以使通道61与第一空腔400通过凹槽62连通。凹槽62未达到阻尼片6的底部，其开口一部分位于MEMS芯片3的内部，另一部分位于MEMS芯片3的外部。
[0028]本实用新型的MEMS麦克风在声孔和MEMS芯片之间设置阻尼片，阻尼片的中间开设有贯通阻尼片的通道，通道的侧壁开设有凹槽，声音进入声孔后大部分通过通道进入第二空腔300 (前声腔)，从下侧作用于MEMS芯片的振膜，只有少量声音信号从凹槽泄露到第一空腔400 (后声腔)中，从上侧作用于MEMS芯片的振膜，MEMS芯片在两路声波的共同作用下产生电信号输出，实现了良好的指向性。
[0029]参考图2为图1中阻尼片的一个实施例，从图2中可以看出，凹槽62未达到阻尼片6的底部，凹槽62延伸至阻尼片6的边沿，凹槽62的宽度未超出通道61的宽度。
[0030]参考图3为图1中阻尼片的另一个实施例，从图3中可以看出，凹槽62未达到阻尼片6的底部，凹槽62延伸至阻尼片6的边沿，凹槽62的两端与通道61的两端平齐。
[0031 ] 参考图4所示为MEMS麦克风的第二实施例，和第一实施例的原理相同，主要区别在于:凹槽62未延伸至阻尼片6的边沿，凹槽62的开口至少部分位于MEMS芯片3的外部，这样才能够使第一空腔400和通道61连通。
[0032]参考图5为图4中阻尼片的一个实施例，从图5中可以看出，凹槽62未延伸至阻尼片6的边沿，凹槽62未达到阻尼片6的底部，凹槽62的宽度未超出通道61的宽度。
[0033]图1-5中的阻尼片仅设有一个凹槽，在其它的实施例中，凹槽也可以为多个，例如分别位于阻尼片6的两端。在其它的实施例中，参考图6所示，凹槽62还可以设置为环形以环绕通道61 —周。
[0034]其中，通道62对准声孔100的位置还可以覆盖有网状结构，以防止外界灰尘进入麦克风内部影响麦克风产品声学性能。
[0035]其中，阻尼片6的材料为下列任一:硅、陶瓷、线路板、金属片、注塑件(耐高温材料)。
[0036]本实用新型的MEMS麦克风在声孔和MEMS芯片之间设置阻尼片，阻尼片的中间开设有贯通阻尼片的通道，通道的侧壁开设有凹槽，声音进入声孔后大部分通过通道进入MEMS芯片的内部，从下侧作用于MEMS芯片的振膜，只有少量声音信号从凹槽泄露到第一空腔中，从上侧作用于MEMS芯片的振膜，MEMS芯片在两路声波的共同作用下产生电信号输出，实现了良好的指向性。
[0037]以上依据图式所示的实施例详细说明了本实用新型的构造、特征及作用效果，以上仅为本实用新型的较佳实施例，但本实用新型不以图面所示限定实施范围，凡是依照本实用新型的构想所作的改变，或修改为等同变化的等效实施例，均应在本实用新型的保护范围内。
【主权项】
1.一种单声孔的指向性MEMS麦克风，其特征在于，包括: 基板； 与所述基板密封相连围成第一空腔的外壳； 均设置在所述基板上并且彼此电连接的MEMS芯片和ASIC芯片； 设置于所述基板上的声孔，所述声孔位于所述MEMS芯片的下方； 以及阻尼片，所述阻尼片位于所述声孔和所述MEMS芯片之间并且覆盖所述声孔；所述阻尼片的中间开设有贯通所述阻尼片的通道，所述通道与所述声孔连通；所述MEMS芯片、所述通道的侧壁、以及所述基板共同围成包括所述通道在内的第二空腔；所述通道的侧壁的上方开设有凹槽，以使所述通道与所述第一空腔通过所述凹槽连通。
2.如权利要求1所述的麦克风，其特征在于:所述凹槽未达到所述阻尼片的底部。
3.如权利要求1所述的麦克风，其特征在于:所述凹槽的开口部分位于所述MEMS芯片的内部，部分位于所述MEMS芯片的外部。
4.如权利要求1所述的麦克风，其特征在于:所述凹槽延伸至所述阻尼片的边沿。
5.如权利要求1所述的麦克风，其特征在于:所述凹槽未延伸至所述阻尼片的边沿，所述凹槽的开口至少部分位于所述MEMS芯片的外部。
6.如权利要求1所述的麦克风，其特征在于:所述凹槽环绕所述通道。
7.如权利要求1所述的麦克风，其特征在于:所述凹槽为一个或多个。
8.如权利要求1所述的麦克风，其特征在于:所述凹槽为两个，分别位于所述阻尼片的两端。
9.如权利要求1-8任一项所述的麦克风，其特征在于:所述通道对准所述声孔的位置覆盖有网状结构。
10.如权利要求1-8任一项所述的麦克风，其特征在于:所述阻尼片的材料为下列任一:娃、陶瓷、线路板、金属片、注塑件。
【专利摘要】本实用新型提出了一种单声孔的指向性MEMS麦克风,包括：基板；与基板密封相连围成第一空腔的外壳；设置在基板上的MEMS芯片和ASIC芯片；设置于基板上的声孔，位于MEMS芯片的下方；以及位于声孔和MEMS芯片之间并且覆盖声孔的阻尼片，其中间开设有贯通阻尼片的通道，通道与声孔连通；MEMS芯片、通道的侧壁、以及基板共同围成第二空腔；通道的侧壁的上方开设有凹槽，以使通道与第一空腔通过凹槽连通。本实用新型的MEMS麦克风在声孔和MEMS芯片之间设置阻尼片，声音进入声孔后大部分通过通道进入MEMS芯片的内部，只有少量声音信号从凹槽泄露到第一空腔中，MEMS芯片在两路声波的共同作用下产生电信号输出，实现了良好的指向性。
【IPC分类】H04R19-04
【公开号】CN204291392
【申请号】CN201520015619
【发明人】张庆斌, 冯坤, 窦建强
【申请人】歌尔声学股份有限公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2015年1月9日