多重等离子体发生装置的制作方法

文档序号:8120441阅读:349来源:国知局
专利名称:多重等离子体发生装置的制作方法
技术领域
本发明涉及等离子体发生装置方面的发明,更进一步说,是涉及一种改善了能够产生多重放电的放电电极结构的多重等离子体发生装置。
如上所述的等离子体发生装置如

图1所示,是由以下结构构成形成平板形或者是圆筒形,互相相对隔着一定间距设置有的一对接地电极1;位于接地电极1之间,属于线电极的放电电极2;向接地电极1和放电电极2引入高电压的电压发生器件3。
在传统的等离子体发生装置里,给接地电极1和放电电极2引入高电压,在接地电极1之间,以放电电极2为中心,形成有相互对称的电力线4的电场,根据高压电能,电极发射电子。
电极与气体分子发生冲突,因而把气体分子离子化,形成有由离子和电子构成的等离子体,并且,气体离子集中在接地电极1上。
但是,当烟或者是其他化学燃料燃烧时候,产生多量的NOx等有害气体,如果光是靠等离子体处理是很难的,那是因为它的处理能力是受有害气体浓度的限制的。
而且,为了提高等离子体产生装置的有害气体处理上限,在放电电极上涂布或者是粘光催化剂等的情况之下,光催化剂等离子体形成时,在放电电极的上面,出现粘液现象。
又,在接地电极上粘着光催化剂的话,会减少等离子体和催化剂之间的稀释剂的效果,减少净化处理量。
本发明所采用的技术方案是多重等离子体发生装置,其结构是形成平板形或者是圆筒形,并相互距离设置有的一对接地电极1;设置于接地电极1之间,属于线电极的内部电极21;包住内部电极的绝缘包皮层22;包住绝缘包皮层而粘有的催化剂层23或者是光电子发射材23;螺旋型围绕缠在上述催化剂层23或者是光电子发射材23上的外部电极24构成的放电电极20;给放电电极20和接地电极1施加电压的电压发生器件30。
如上所说明,本发明根据形成有多重电极,根据涂布有光电子发射材的放电电极,在内部,等离子体的密度增加,因而达到提高有害气体的除味性能的目的。
而且,在放电电极内形成有催化剂层,因而产生等离子体,提高了催化剂层的化学催化效果,提高除味效率。
图2是本发明的等离子体发生器件的生产力结构示意图。
图3是图2中放电电极的A-A端面图。其中1接地电极 2、20放电电极 3、30电压发生器件30a第1电压发生器件 30b第2电压发生器件 21内部电极22绝缘包皮层23催化剂层或者是光电子发射材24外部电极本发明的多重等离子体发生装置,如图2所提示,由形成平板形或者是圆筒形,互相相对设置有的一对接地电极1;插入在接地电极1之间,由多重电极构成的放电电极20;给放电电极20和接地电极1引入电压的电压发生器件30等结构构成。其中电压发生器件30包括有第1电压发生器件30a和第2电压发生器件30b。
在放电电极20上,如图2和图3所示,设置拥有一定端面积的属线电极的内部电极21,而且在内部电极21的表面涂布有为了绝缘的包皮层22。
在绝缘包皮层22上,涂布有光电子发射材或者是催化剂层23,在光电子发射材或者催化剂层23上面螺旋形缠绕设置有外部电极24。
放电电极-外部电极24和接地电极1同第1电压发生器件3a连接,从第1电压发生器件3a向外部电极24和接地电极1,引入交流或者是脉冲高的高电压。
在放电电极-内部电极21的两端同第2电压发生器件3b连接,从第2电压发生器件3b向内部电极21引入直流高电压。
这个时候,引入到放电电极20-外部电极中的电压应该大于引入到内部电极21中的电压,电压差至少要达到在位于内部电极21和外部电极22之间的催化剂层或者是光电子发射材23的表面上,能够进行连续放电(在绝缘物的表面上进行强烈发光的放电)的程度。
这种连续放电是在比电晕放电高的电压上引起的强烈放电,而且在电极整个表面上进行,因此在放电时,在外部电极24和内部电极21之间产生高能等离子体。
随着连续放电,高能等离子体直接接触于催化剂层或者是光电子发射材23上,因此能够更加容易地分解催化剂层。
这是因为跟高能等离子体直接接触的催化剂层23的外壳电子由于高能的引入向更高的能源水平移动进行分解,因此,一方面,在被分解的催化剂涂部层上气体离子可以作为原料物质使用,另一方面,从光电子发射材的表面上,有大量的电子发射出来。
由此结构构成的本发明等离子体发生装置,如在第一事实例当中,在放电电极内部形成催化剂层23的时候,从第2电压发生器件3b向内部电极21引入有直流电压的同时,从第1电压发生器件3a向放电电极20和接地电极1引入有高电压。
放电电极20根据内部电极21外部电极23的电压差,在催化剂层23上发生有连续放电现象。
而且,在放电电极20和接地电极1之间,因为高电压的引入,通过电晕放电产生能等离子体。
跟着,受放电电极20和接地电极1之间产生的等离子的影响,气体被离子化,这些被离子化的气体受引入到内部电极21里的直流电压的影响,集尘到平行的平板形电极-接地电极1之中。
而且,放电电极20和外部电极24受到引入在内部电极21之间的高电压的影响和受到在催化剂层23表面发生的连续放电影响,从阴极放出的电子受到两电极之间存在的气体分子的冲突,产生离子化气体分子的高能等离子体。
上述高能等离子体受催化剂层23的化学吸附力的影响,对被吸附的气体分子再次进行分解,因此,电晕放电形成的等离子体或者是催化剂不能够单独处理的结合能可以容易地分解大分子。
换句话说,根据等离子体,被吸附在催化剂层上的结合能大的分子轻易地变成离子。就是说等于向催化剂层提供原料物质。
在第2实施例当中,在放电电极20内部涂布有光电子发射材的情况之下,从第2电压发生器件3b向内部电极21有直流电流被引入的同时,从电压发生器件3a向放电电极20和接地电极1有高电压被引入。
放电电极20由于内部电极21和外部电极23之间的电压差,在光电子发射材23的表面上引起连续放电,随之,更多的光电子从光电子发射材23的表面发射出来,以此来增加由离子和电子构成的等离子体的密度。
而且,在放电电极20和接地电极1之间也因高电压的引入,产生根据电晕放电引起的等离子体。
根据等离子体的电子密度的变大,电子运动越发活跃起来,因此,这些都加速了有害气体的离子化,被离子化的有害气体受引入于内部电极21中的直流电压的影响,集中在平行的平板形电极-接地电极1中。
换句话说,增加的光电子和气体分子发生冲突,更多的气体分子被离子化,增大了等离子体的密度,集尘在接地电极中的气体量增加,因而提高了除味性能。
一方面,根据放电电极20和接地电极1之间的电晕放电(部分放电)产生的等离子体的密度跟上述放电电极和接地电极之间的隔离距离合,引入于两电极的电压大小有关系。而且,因放电电极的外部电极24和内部电极21的连续放电产生的等离子体的密度也是随放电电极20表面光华度越小越变大。
权利要求
1.一种多重等离子体发生装置,包括有相互距离设置的一对接地电极1,其特征在于一对接地电极1的结构是成平板形或圆筒形中的一种;在接地电极1之间设置有由属于线电极的内部电极21、涂布内部电极的绝缘包皮物22、为了包住绝缘包皮物22而涂布有的催化剂层23、螺旋型缠绕在催化剂层23的外部电极24构成的放电电极20;给放电电极20和接地电极1引入电压的电压发生器件30。
2.根据权利要求1所述的多重等离子体发生装置,其特征在于所述的电压发生器件30包括有第1电压发生器件30a和第2电压发生器件30b。
3.根据权利要求1所述的多重等离子体发生装置,其特征在于从第1电压发生器件30a向放电电极20的外部电极24和接地电极1引入高电压,从第2电压发生器件30b向内部电极21引入直流电压。
4.根据权利要求1所述的多重等离子体发生装置,其特征在于引入到放电电极20的外部电极24上的电压比引入到内部电极21上的电压高,而且,其电压差的范围在于位于内部电极21和外部电极24之间的催化剂层23表面能够进行连续放电程度范围内即可。
5.一种多重等离子体发生装置,包括有相互距离设置的一对接地电极1,其特征在于一对接地电极1的结构是成平板形和圆筒形中的一种;在接地电极1之间设置有由属于线电极的内部电极21、涂布内部电极的绝缘包皮物22、为了包住绝缘包皮物22而涂布有光电子发射材23、螺旋型缠绕在催化剂层23的外部电极24构成的放电电极20;给放电电极20和接地电极1引入电压的电压发生器件30。
6.根据权利要求5所述的多重等离子体发生装置,其特征在于所述的电压发生器件30包括有第1电压发生器件30a和第2电压发生器件30b。
7.根据权利要求5所述的多重等离子体发生装置,其特征在于从第1电压发生器件30a向放电电极20的外部电极24和接地电极1引入高电压,从第2电压发生器件30b向内部电极21引入直流电压。
8.根据权利要求5所述的多重等离子体发生装置,其特征在于引入到放电电极20的外部电极24上的电压比引入到内部电极21上的电压高,而且,其电压差的范围在于位于内部电极21和外部电极24之间的光电子发射材23表面能够进行连续放电程度范围内即可。
全文摘要
本发明公开一种多重等离子体发生装置,其结构是形成平板形或者是圆筒形,并相互距离设置有的一对接地电极;设置于接地电极之间,属于线电极的内部电极;包住内部电极的绝缘包皮层;包住绝缘包皮层而粘有的催化剂层或者是光电子发射材;螺旋型围绕缠在上述催化剂层或者是光电子发射材上的外部电极构成的放电电极;给放电电极和接地电极施加电压的电压发生器件。本发明根据形成有多重电极,根据涂布有光电子发射材的放电电极,在内部,等离子体的密度增加,因而达到提高有害气体的除味性能的目的。而且,在放电电极内形成有催化剂层,因而产生等离子体,提高了催化剂层的化学催化效果,提高除味效率。
文档编号H05H1/42GK1452448SQ02116648
公开日2003年10月29日 申请日期2002年4月15日 优先权日2002年4月15日
发明者安秉厦, 李长祐, 河宗勳 申请人:乐金电子(天津)电器有限公司
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