专利名称：一种等离子体显示板的封接方法
技术领域：
本发明属于等离子体显示板领域，特别涉及一种新型等离子体显示板的封接方法。它适合于新型槽型交流等离子体显示板的制备。
常规的三电极交流表面放电型等离子体显示板主要包括前基板和后基板。后基板包括后衬底玻璃基板，在后衬底玻璃基板上形成的水平寻址电极，在设有寻址电极的后衬底玻璃基板上形成的介质层，在介质层上形成的用于保持放电距离并防止像素之间交扰由绝缘材料制成的垂直于寻址电极的障壁。前基板包括待装到后基板上的前衬底玻璃基板以及在前衬底玻璃基板的下表面上交替形成与寻址电极空间垂直的透明扫描电极和公共电极及在设有扫描电极和公共电极的前衬底玻璃基板的下表面上形成的介质层。在后基板和前基板之间的放电空间中填充预定的放电工作气体，譬如各种隋性气体，即形成了等离子体显示板。在常规的表面放电型交流等离子体显示器的制备中，常用的封接方法是在前基板上涂覆低熔点玻璃粉形成的封接框并预烧后，和带有障壁的后基板贴合高温烧结即可。基板间的距离靠等宽等高的障壁控制。通常障壁由低熔点玻璃粉制成，与介质层一样呈绝缘性，如果存在障壁高度上的不均匀性，不会影响到介质层绝缘性能，也就不会导致显示性能的劣化。
新型槽型等离子体显示板主要由后基板1、栅网板3和前基板2构成。后基板1包括后衬底玻璃基板4，在后衬底玻璃基板4上形成的第一电极5，在第一电极5和后衬底玻璃基板4的上表面形成的介质层6；前基板2包括前衬底玻璃基板7，在前衬底玻璃基板7下表面上形成与后基板1上的第一电极5空间垂直正交的第二电极8，在第二电极8和前衬底基板7的下表面上形成的介质层9；夹在前后基板2、1之间的栅网板3是一块包含网格孔阵列的导电板；一方面，栅网板3支撑前后基板2、1，其每一栅网孔的几何轴线垂直通过第一电极5和第二电极8形成基本放电单元，另一方面栅网能防止放电单元间的相互串扰。将前基板2、栅网板3、后基板1的四周用低熔点玻璃制成的封接框12经过高温烧结进行气密封接，栅网板3可通过引针10引出与外电路连接。在上述器件中充以一定气压的所需工作气体，这就形成了新型槽型等离子体显示板。在新型槽型等离子体显示板中，如果沿用前面常规的封接方法，当封接温度达到一定值时，基板上的介质层6或9在重压下开始软化变形，由于栅网板3通常由金属构成，当它代替障壁支撑前后基板时，会导致栅网板3嵌入介质层6或9使其与栅网板中的栅网孔壁接触处的介质层减薄，绝缘性能下降，严重时甚至使该处的介质层完全被挤压至旁边的孔内，导致栅网孔壁与介质层下的电极导通，整条电极击穿，这样使显示性能严重劣化，甚至不能显示。本发明公开了一种新的封接方法，来解决上述存在的困难。
本发明的目的是提供一种新型等离子体显示板的封接方法，用此方法封接可以克服上述技术封接所存在的困难，本发明技术方案如下述在这种封接方法中，①在前基板2或后基板3上用低熔点玻璃粉制成封接框12(见
图1、图2)；②选用热膨胀系数与介质层材料接近的材料，如合适的金属，陶瓷片等制成垫片11，垫片11的厚度选择略高于栅网板的厚度为宜，参考厚度为1.1-1.5h,h为栅网板厚度；③垫片作为支撑物置于上述槽型显示板的非显示区内，将前基板2、栅网板3、后基板1装配一体；④压块13置于玻璃基板上，其放置部位对准封接框12；⑤将上述各部件放入高温烧结炉，加热至封接框12的低熔点玻璃粉融化，在压块13和垫片11的共同作用下封接并得到所需的均匀基板间隙，同时使得导电的栅网板不嵌入介质层，以避免破坏介质层。
本发明具有以下优点由于在显示板的非显示区采用了垫片，解决了由于介质层高温软化带来的电绝缘性能的下降的问题；由于单元放电空间的尺寸由垫片控制，而垫片的厚度可以精确的控制，因此能有效的保证放电单元的一致性，从而保证整板显示的均匀性；采用了垫片大大降低了对介质层厚度、栅网板厚度均匀性的要求。
图1为垫片支撑式封接结构剖视2为垫片支撑式封接结构俯视3为垫片组植入封接框结构剖视4为垫片组植入封接框结构俯视5为颗粒状垫片封接结构剖视6为颗粒状垫片封接结构俯视图在上述发明的基础上进一步考虑具体结构，提出以下各种实施例，并通过具体的实施例，进一步说明各实施例特有的优点。①本发明的第一种实施例，包括由后衬底玻璃基板4，在后衬底玻璃基板4上形成的第一电极组5，在第一电极组5和后衬底玻璃基板4的上表面形成的介质层6构成的后基板1；由前衬底玻璃基板7，在前衬底玻璃基板7下表面上形成与后基板1上的第一电极组5成空间垂直正交的第二电极组8，在第二电极组8和前衬底玻璃基板7的下表面上形成的介质层9构成的前基板2；夹在前后基板1、2之间栅网板3是一块包含网格孔阵列的导电板，栅网板3上每一栅网孔的几何轴线垂直通过第一电极5和第二电极8交叉点形成放电单元，即该等离子体显示板的发光像素。栅网板3可通过引针10引出与外电路连接，在前、后基板2、1的两端分别将第一电极组5、第二电极组8引出至外电路。①在前基板2或后基板1上用低熔点玻璃粉制成封接框12；②选用热膨胀系数与介质层材料接近的材料，如合适的金属，陶瓷片等制成垫片11，垫片11的厚度选择略高于栅网板的厚度为宜，参考厚度为1.1-1.5h,h为栅网板厚度；③垫片作为支撑物置于上述槽型显示板的非显示区内，将前基板2、栅网板3、后基板1装配一体；④压块13置于玻璃基板上，其放置部位对准封接框12；⑤将上述各部件放入高温烧结炉，加热至封接框12的低熔点玻璃粉融化，在压块13和垫片11的共同作用下封接并得到所需的均匀基板间隙，同时使得导电的栅网板不嵌入介质层，以避免破坏介质层。充以一定气压的所需工作气体，形成槽型等离子体显示板，便构成了本发明的第一种实施例。
②本发明的第一种实施例，包括由后衬底玻璃基板4，在后衬底玻璃基板4上形成的第一电极组5，在第一电极组5和后衬底玻璃基板4的上表面形成的介质层6构成的后基板1；由前衬底玻璃基板7，在前衬底玻璃基板7下表面上形成与后基板1上的第一电极组5成空间垂直正交的第二电极组8，在第二电极组8和前衬底玻璃基板7的下表面上形成的介质层9构成的前基板2；夹在前后基板1、2之间栅网板3是一块包含网格孔阵列的导电板，栅网板3上每一栅网孔的几何轴线垂直通过第一电极5和第二电极8交叉点形成放电单元，即该等离子体显示板的发光像素。栅网板3可通过引针10引出与外电路连接，在前、后基板2、1的两端分别将第一电极组5、第二电极组8引出至外电路。①选用热膨胀系数与介质层材料接近的材料，如合适的金属，陶瓷片等制成垫片11，垫片11的厚度选择略高于栅网板的厚度为宜，参考厚度为1.1-1.5h,h为栅网板厚度；②垫片组或垫片条11直接埋入在前基板2或后基板1上用低熔点玻璃粉制成封接框12(见图3、图4)；③将前基板2、栅网板3、后基板1装配一体；④压块13置于玻璃基板上，其放置部位对准封接框12；⑤将上述各部件放入高温烧结炉，加热至封接框12的低熔点玻璃粉融化，在压块13和垫片11的共同作用下封接并得到所需的均匀基板间隙，同时使得导电的栅网板不嵌入介质层，以避免破坏介质层。充以一定气压的所需工作气体，形成槽型等离子体显示板，便构成了本发明的第二种实施例。
③在上述第一、二实施例中，采用尺寸与上述垫片厚度相近的颗粒11作为支撑物(见图5、图6)，置于上述槽型显示板的非显示区内或埋入用低熔点玻璃制作的封接框12内，便构成了本发明的第三种实施例。
权利要求
1.一种等离子体显示板的封接方法，其特征在于按以下步骤进行①在前基板或后基板上用低熔点玻璃粉制成封接框；②选热膨胀系数与介质层材料接近的材料制成垫片作为支撑物置于槽型显示板的非显示区内；③将前基板、栅网板及后基板装配成一体；④玻璃基板上置一压块，并将其对准封接框；⑤将以上各部件放入高温烧结炉，加热至低熔点玻璃粉熔化。
2.如权利要求1所述的一种等离子体显示板的封接方法，其特征在于，所述垫片可以采用金属或陶瓷片。
3.如权利要求2所述的一种等离子体显示板的封接方法，其特征在于垫片厚度以略高于栅网板厚度为宜。
4.如权利要求3所述的一种等离子体显示板的封接方法，其特征在于垫片厚度为栅网板厚度的1.1～1.5倍。
全文摘要
本发明提供了一种等离子体显示板的封接方法,其具有以下优点:由于在显示板的非显示区采用了垫片,解决了由于介质层高温软化带来的电绝缘性能的下降的问题;由于单元放电空间的尺寸由垫片控制,而垫片的厚度可以精确的控制,因此能有效的保证放电单元的一致性,从而保证整板显示的均匀性;采用了垫片大大降低了对介质层厚度、栅网板厚度均匀性的要求。
文档编号H01J9/24GK1318860SQ01110650
公开日2001年10月24日 申请日期2001年4月13日 优先权日2001年4月13日
发明者李青, 张 雄 申请人:东南大学