专利名称：厚膜配线的形成方法和层压电子零件的制造方法
背景技术：
发明领域本发明涉及形成厚膜配线的方法，尤其涉及在基片上形成厚膜配线的方法，其线宽很精细且薄膜厚度相对较大，即至少10微米。
相关技术描述近些年，随着电子装置尺寸的降低，促进了电子装置中的电子部分的尺寸降低。在这些情况中，需要厚膜配线，其中构成图案的配线尺寸精细，且降低了配线的配线电阻。
为了满足上述需求，如日本特许公开No.3039265中提出的，导电涂胶填充于挠性树脂制成的凹版印板的雕刻部分中。使涂胶变干。随后另外的导电涂胶填充于挠性树脂凹版印板的雕刻部分中来补偿由于变干导致的导电涂胶量的减少，此后导电涂胶变干。将填充另外的导电涂胶并随后变干的过程重复几次。在基片上形成粘合层。凹版印板和基片彼此结合，从而将导电涂胶转移到基片上。烧制导电涂胶来产生厚膜配线。
但是，根据该方法，必须重复将导电涂胶填充并变干几次。因此，问题在于，所述过程的次数大且过程时间长。
另一方面，日本未审查的特许公开No.11154782提出在基片上形成厚膜配线的方法。即，包含金属粉末的导电涂胶填充于透明凹版印板的凹槽中，其中的导电涂胶是光敏硬化(light-sensitive-hardening)类型的涂胶。在涂胶和基片接触时，UV射线从凹版印板侧照射到填充于凹槽内的导电涂胶。因此，引起涂胶的光敏硬化反应，从而导电涂胶变硬并结合到基片上。此后，凹版印板与基片分开。因此，将变硬的导电涂胶转移到基片上。此后烧制该导电涂胶。
根据上述方法，与上述方法相反，不必重复导电涂胶的填充和变干。有利地，这可以降低过程次数。
但是，如
图11A所示，例如，在由导电涂胶制成的厚膜具有至少20微米厚度的情况中，紫外线UV不能到达导电涂胶P的最内部。因此，和透明凹版印板41的凹槽42接触的涂胶P的部分变硬来形成变硬部分P1。和基片40接触的导电涂胶P的部分没有变硬从而形成非变硬部分P2。从而，当基片40和凹版印板41分开时，部分导电涂胶P保留在凹槽42内。因此，如图11B所示，可能造成转移缺陷。
因此，根据已知技术的方法，很难形成具有预定厚度的厚膜配线。
发明概述因此，本发明的目的在于提供一种形成厚膜配线的方法，其中导电涂胶可以安全地从凹版印板转移到基片上，即使导电涂胶的厚度超过预定值。
根据本发明，提供了一种在基片上形成厚膜配线的方法，它包括第一步骤将光敏的导电涂胶填充入形成于透光凹版印板表面上的图案凹槽中，所述图案凹槽对应于所需厚膜配线的图案，第二步骤从凹版印板的前侧和后侧将光线照射到填充入图案凹槽的光敏导电涂胶以引起涂胶的硬化反应直到导电涂胶的整个外部表面具有预定硬度，第三步骤将在凹版印板内硬化的导电涂胶直接或通过中间件转移到基片上，以及第四步骤烧制导电涂胶，由此在基片上形成厚膜配线。
例如，将描述形成直接从凹版印板到基片的导电涂胶的方法。第一，将光敏导电涂胶填充入透光凹版印板表面上形成的图案凹槽中。通过将导电涂胶提供到凹版印板的表面上并用刮刷器等刮去额外的导电涂胶可以方便地实施该填充。
随后，从凹版印板的前侧和后侧将光照射到填充入图案凹槽中的光敏涂胶上。使得导电涂胶起硬化反应，从而导电涂胶的整个表面硬化到预定的强度。在这种情况中，所述光的波长范围包括紫外光、可见光和红外光。例如，在导电涂胶是UV射线可固化的(curable)情况下，从凹版印板的前侧和后侧照射UV射线，从而暴露于凹版印板表面的部分导电涂胶由UV射线直接照射，且和凹版印板的凹槽接触的部分导电涂胶通过凹版印板由UV射线照射。导电涂胶包含金属粉末、有机粘结剂、光致聚合引发剂(photopolymerization initiator)、光可固化单体(light-curable monomer)等等。但由于UV射线是从凹版印板的前侧和后侧照射的，所以导电涂胶的整个表面被硬化以具有预定强度。因此，内聚力增加。因此，不会产生已知技术的转移的缺陷，诸如在凹槽中剩余导电涂胶。
随后，在凹版印板中硬化的导电涂胶转移到基片上。特别地，向凹版印板的表面按压基片，从而导电涂胶和基片之间产生粘性粘合力。由于该粘性粘合力，导电涂胶被转移到基片的表面上。在这种情况中，导电涂胶和基片之间的粘性粘合力或粘合力被设定为高于导电涂胶和凹版印板之间的粘合力。由此，可以防止部分导电涂胶留在凹槽内。从而消除转移中的缺陷。
在将导电涂胶转移到基片后，烧制导电涂胶。从而，在基片上形成厚膜配线。例如，可以通过将基片置于烧制烘箱内且整体烧制来形成厚膜配线。
如上所述，从凹版印板的前侧和后侧照射光。因此，可以将填充入凹版印板的导电涂胶的整个表面硬化以具有预定的硬度。由此改善了转移性能。所以，即使导电涂胶的厚度是20微米或更大，也可以消除转移中的缺陷。
较佳地，凹版印板由透明的PET薄膜制成。
可以假定透光凹版印板由玻璃制成。但是当从基片释放导电涂胶时，可能不能弯曲玻璃制成的凹版印板。因此，释放属性较差。此外，由玻璃制成的凹版印板的精细凹槽是通过蚀刻形成的。蚀刻的凹槽深度小于约2微米。因此，不能通过蚀刻形成深凹槽。
因此，较佳地，凹版印板由透明PET薄膜形成。该凹版印板可以在释放时弯曲，可以充分地处理凹槽，且该凹版印板较廉价。
可以假定聚酰亚胺作为用于凹版印板的树脂材料。但是，聚酰亚胺的UV射线透过率很低，即约60％。另一方面，聚酰亚胺的UV射线透过率至少90％。因此，可以有效地引起导电涂胶的硬化反应。
较佳地，凹版印板由PET薄膜制成，且在第二步骤中，将至少350nm波长的光射线从凹版印板的前侧和后侧照射导电涂胶。
在使用由树脂薄膜制成的凹版印板的情况中，危险的是，光可能使凹版印板劣化。PET薄膜呈现，例如图8所示的光波长吸收谱。PET薄膜趋向吸收具有UV射线范围内直到300nm的相对较短波长的波。当在第二步骤中连续照射UV射线时，凹版印板吸收光，从而使凹版印板进一步劣化。因此，对于UV射线的照射，波长隔绝(cut-off)滤波器(例如，涂覆于玻璃板上的波长隔绝材料)，从而把直到(upto)350nm波长的UV射线隔离。因此，提高了凹版印板的耐用性。
图9示出照射到PET薄膜的UV射线积分光通量和其抗张强度之间的关系。在不使用滤波器且积分光通量小于5000J/cm2的情况下，PET薄膜的抗张强度充分地降到0。另一方面，在使用滤波器的情况下，抗张强度可以保持在接近85000J/cm2的值。
较佳地，凹版印板由透明PET薄膜制成，用波长比上述光的波长更短的激光束处理凹版印板的图案凹槽，且凹版印板呈现波长-光-透过率谱，该谱示出，凹版印板对激光束的透过率很低而对上述光的透过率很高。
如果用激光束在PET薄膜上开槽，则可以很方便地形成深凹槽。因此，优选使用激光束开槽。但是，由于PET薄膜具有上述光-波长-吸收谱，所以较佳地，对使用所述波引起涂胶的硬化反应的一定波长范围内的波(UV射线)，PET薄膜的光透过率很高，且使用激光束的处理属性较好。
对于PET薄膜，如图8所示320nm附近的光透过率迅速变化。因此，如果具有190到250nm波长的受激准分子激光器用于处理，则激光束基本全部被吸收。因此，可以令人满意地处理PET薄膜。可以在很短的时间内形成具有所需深度(至少20微米)的凹槽。
如上所述，PET薄膜对UV射线的光透过率较好。从而提高了凹版印板的耐用性。
可以通过两个步骤转移导电涂胶，即从凹版印板到中间件和随后从中间件到基片。因此，较佳地，中间件由透光材料制成，第二个步骤包括在使导电涂胶填充或涂覆其上的凹版印板和中间件彼此重叠时，从凹版印板的后侧并从中间件的后侧照射光，第三个步骤包括将凹版印板中硬化的导电涂胶转移到中间件上，和随后将导电涂胶从中间件转移到基片上。
当导电涂胶P填充入凹版印板的凹槽中时，在刮去之后，可能在凹版印板的表面上形成剩余的涂胶(接面上的污点)。根据将所述涂胶直接从凹版印板转移到基片上的方法，污点可能和填充入凹槽的涂胶一起转移。当使用通过中间件将所述涂胶间接转移到基片的方法时，虽然污点转移到了中间件上但不会将它们转移到基片上，因为污点的薄膜厚度很小。因此，可以提供在基片表面上没有污点的干净的导体图案。
较佳地，在第二个步骤中，从凹版印板的前侧照射的光量被设定成大于从其后侧照射的光量。
例如，为了提高从凹版印板转移到基片的导电涂胶的转移属性，可以假定预先将氟树脂等等的隔离剂涂覆于凹版印板(包括凹槽)表面上的方法，将粘性粘合剂或粘合剂涂覆到基片表面的方法，形成凹槽的方法(其中凹槽的横截面是具有预定渐细角度(tapering-angle)的梯形)等等。较佳地，照射量的上述设定独立于这些方法使用或附加它们之上使用。
如图10所示，例如当照射UV射线时，从凹版印板释放的导电涂胶的释放属性随UV射线的积分量变化。当使得透明中间件和凹版印板重叠时，随后，UV射线从两侧照射。在中间件上的粘合力很强(增强积分光通量或照射)且凹版印板侧上的粘合力很小(降低积分光通量或照射)的条件下，进行硬化反应。因此，可以方便地将导电涂胶转移到中间件上。
对这种方法，简单地增加光源的光强度或照射时间。因此相比上述方法，可以简单地进行该处理。
较佳地，凹版印板是由树脂制成的柔性的凹版印板，且将该树脂凹版印板和一透光且非柔性的支架结合。
例如，如果凹版印板由诸如玻璃等的坚硬材料制成，则通过离子蚀刻或离子修整来形成图案凹槽。因此，处理成本很高。特别地，问题产生了，其中形成了深凹槽。主要对诸如金属等等的非透光材料应用相对廉价的湿法蚀刻。此外，实施各向同性蚀刻。因此，可以形成具有高长宽比(aspect ration)的凹槽。
此外，假定将由PE，PC等等制成的树脂薄膜激光处理成凹版印板的一种方法。但是，在这种情况中，图案被扭曲，因为当导电涂胶转移到基片上时会使凹版印板变形。因此，不能获得精确的导体图案，且此外，凹版印板被严重损坏。因此，劣化很严重。
因此，如上所述，较佳地，将树脂凹版印板结合到一透光且非柔性的支架上。由此，解决了上述问题。即，光可以照射通过凹版印板和支架，且因此，可以转移导电涂胶而不会使凹版印板变形。因此，不会产生扭曲，可以提供精确的导体图案且可以降低凹版印板的劣化。
较佳地，将隔离剂(release agent)涂覆于凹版印板的图案凹槽的内表面上。
当预先将氟树脂等的隔离剂涂覆于凹版印板的图案凹槽的内表面上时，改善了从凹版印板转移到基片上的导电涂胶的转移属性。即使将导电涂胶涂覆成具有例如40微米到60微米的大薄膜厚度，也能将导电涂胶安全地从凹版印板转移到基片上。
可以将厚膜配线的形成方法应用到层压电子零件的制造方法中。即，根据本发明，提供了制造层压电子零件的方法，它包括以下步骤预备由生片制成的基片；直接或通过中间件将导电涂胶转移到基片上；重复上述两个步骤，从而含所转移的导电涂胶的多个基片被层压形成层压板；同时彼此烧制层压板和导电涂胶，其中导电涂胶由形成厚膜配线的上述方法形成。
将导电涂胶转移到基片上。将预定数量的层压基片和导电涂胶同时烧制。在这种情况中，对于导电涂胶，涂胶中的金属粉末熔化形成厚膜配线，且同样，基片转换成陶瓷多层基片。因此，可以提供具有厚膜配线的层压电子零件。
提出形成层压板的以下方法。根据一种方法，将导电涂胶转移到基片上，将有导电涂胶转移其上的另一个基片层压到上述基片上。因此，重复层压以形成层压板。根据另一个方法，将导电涂胶转移到基片上，将没有导电涂胶转移其上的另一个基片层压到其上，将导电涂胶转移到所述另一个基片上，再将没有导电涂胶转移其上的另一个基片层压到其上，且重复该步骤。可以使用这些方法中的任何一个。
附图概述图1示出用于本发明的方法中的转移装置第一实例的结构；图2示出用于本发明的方法中的转移装置第二实例的结构；图3示出用于本发明的方法中的转移装置第三实例的结构；图4示出用于本发明的方法中的转移装置第四实例的结构；图5示出用于本发明的方法中的转移装置第五实例的结构；图6是凹版印板实例的侧视图；图7A和7B分别是根据本发明生产层压板的方法实例的流程图；图8是PET薄膜的光波长吸收谱；图9是示出PET薄膜的UV射线的积分量和其抗张强度之间的关系；图10是示出导电涂胶和凹版印板之间UV射线的积分量和剪断剥离强度的关系的示意图；以及图11A和11B是根据已知技术的形成厚膜配线的方法实例的剖视图。
具体实施例方式
以下将参考实例描述本发明的实施例。
实例1图1示出实施本发明方法的转移装置的第一实例。
转移装置具有圆柱形鼓轮形状的凹版印板1。凹版印板1由含UV透过率的材料制成，诸如透明玻璃等。对应于所需厚膜配线图案的图案凹槽2形成于凹版印板1的外表面上。较佳地，图案凹槽2的深度至少是20微米，且长宽比(纵向长度/横向长度)约是1。较佳地，凹版印板1的直径在300到600毫米的范围内。凹版印板1以恒定速度沿图1中箭头所示的方向旋转。
在凹版印板1的周围提供了用于将导电涂胶P提供到图案凹槽2的递送单元3。导电涂胶P包含金属粉末等等，且可以由UV射线的照射引起反应从而硬化。导电涂胶P可以是一种溶剂类型，倘若其变干属性很高。但是，优选非溶剂类型的涂胶P，因为在变干时可以防止涂胶的容量减少。递送单元3包含存储导电涂胶P的涂胶接收器4，用于将涂胶接收器4内的导电涂胶P涂覆到凹版印板1上的涂覆辊5以及用于将涂覆在凹槽之外的部分涂覆辊5上的导电涂胶P刮去的刮刷器6。适当地，刮刷器6由硬树脂制成，诸如聚缩醛等等。可以通过刮刷器6将导电涂胶P完全填充入图案凹槽2中。
通过凹版印板1的旋转将填充入图案凹槽2的导电涂胶P移动到设置第一辊7的位置。在该位置，使从递送辊9连续提供的传送带8和凹版印板重叠。传送带8从凹版印板1接收导电涂胶P，并将它转移到基片20上。即，传送带8用作中间件。可以使用PET，PC，聚脂，聚苯乙烯等等制成且具有UV透过率的带作为传送带8。
重叠时，凹版印板1和传送带8沿箭头所示的方向旋转并经过曝光单元10，以使得导电涂胶P在其中起硬化反应。曝光单元10包含从凹版印板1的内侧照射UV射线的光源11和从传送带8的后侧照射UV射线的光源12。提供了滤波器13和14，它们用于去除可以被凹版印板1吸收的波长范围内的UV射线。可以将高压汞灯、金属卤化物灯等等用作光源11和12。以约0.2到1.0J/cm2的范围内曝光的方式照射UV射线。在这种情况中，较佳地，UV密度在0.1到0.2W/cm2的范围内，照射时间在1到10秒的范围内，且凹版印板1的旋转数约2rpm。
通过第二辊15将经过曝光单元10的传送带8从凹版印板1释放。当导电涂胶P在凹版印板1上起硬化反应时，在涂胶P和与凹版印板1重叠的传送带8之间产生粘合力。因此，通过第二辊15将导电涂胶P转移到传送带8上。在从第一辊7到第二辊15的区域中不需要特殊的挤压装置。由于粘性粘合力，可以将导电涂胶P转移到简单地和凹版印板1重叠的传送带8上。
表1示出针对不同曝光的转移属性和导体图案的形状的评估结果。转移属性由一比率表示，在硬化反应之后，导电涂胶以该比率从凹版印板被转移到基片上。评估与图案凹槽2的横截面一致的导体图案形状并表示为“很好”，而评估明显背离图案凹槽2的横截面的形状并表示为“差”。
如表1所示，当曝光在直到0.1J/cm2的范围内时，不能产生使涂胶P充分转移到传送带8上的粘合力。当曝光超过2.5J/cm2时，硬化反应充分进行。但是，导电涂胶和凹版印板1之间的结合力变得非常大，从而使释放变得不充分。因此较佳地，从凹版印板1的内侧照射(从导电涂胶P的后侧)的光的曝光在0.2到1.5J/cm2的范围内。
在实例1中，为了改善从凹版印板1到传送带8的转移，将从传送带8的后侧(从导电涂胶P的前侧)照射的UV射线量(曝光)设定成比从凹版印板1的内侧(从导电涂胶P的后侧)照射的UV射线量更大的值。例如，将置于传送带8后侧上的光源12的照射时间设定得比置于凹版印板1内的光源11的照射时间更长，或将光源12的UV射线密度设定得大于光源11的UV射线密度。
由此，传送带8侧上的导电涂胶P的粘合力高于凹槽侧上的导电涂胶P的粘合力。从而，可以改善从凹版印板1到传送带8的涂胶P的转移。
特别地，可以将从凹版印板1的内侧(从导电涂胶P的后侧)照射的UV射线量设定于0.2到1.5J/cm2的范围内。将从传送带8的后侧(从导电涂胶P的前侧)照射的UV射线量设定成至少是1.5J/cm2。
将具有在第二辊15下通过的导电涂胶P的传送带8递送到再转移单元16。在该再转移单元16中，放置了一对转移辊17和18。基片20和传送带8彼此接触且在转移辊17和18之间向彼此挤压。从而，将导电涂胶P再转移到基片20上。将和传送薄膜排成一直线的陶瓷生片用作基片20。从递送辊19连续地提供基片20。为了改善从传送带8到基片20的导电涂胶P的转移，较佳地，应用了在200到500kg/cm2的范围内的挤压负荷。此外，可以分别在转移辊17和18内提供加热器等装置，并在例如60到90℃的温度时转移导电涂胶P。因此，基片20内的粘合剂部分变得很软，从而改善了转移。即使在将导电涂胶P填充入图案凹槽2且由刮刷器6刮除之后部分导电涂胶P仍留在凹版印板1的表面(接面上的污点)，虽然被转移到传送带8上，但留下的导电涂胶P也不会被转移到基片20上。这是因为留下的导电涂胶P的厚度很小。因此，可以在基片20的表面上形成没有接地上污点的精细导电图案。此外，通过使用具有相对高硬度(例如，超过JIS-A 60)的橡皮辊作为转移辊17和18可以更有效地进行消除接面上污点的转移。
转移时，传送带8收回到拉紧辊21上。基片20收回到拉紧(take-up)辊22上。此后，将含所转移的导电涂胶P的预定数量的基片20层压，并将它们输送入烧制烘箱(未示出)，在该烘箱中将基片20和涂胶P一起烧制。由此，包含于导电涂胶P中的金属粉末熔化，形成厚膜配线，且将基片20转换成陶瓷基片。凹版印板1、基片20和传送带8不限于连续的带状片，而是可以分别由多个片形成。
在烧制之后，将层压的陶瓷基片切成片，且在各片的末端上形成电极。从而，制造出了层压电子零件。
参考第二次转移，较佳地，凹版印板1和传送带8，且传送带8和基片20具有对准标记，并以符合对准标记来定位，随后进行转移。
实例2图2示出实施本发明方法的转移装置的第二实例。
在该实例中，直接从凹版印板1将导电涂胶P转移到基片20上，而不使用传送带8作为中间件。第二实例中的和第一实例中部件等价的部件将由同样的标号表示，且其描述将不再重复。
通过递送单元3将导电涂胶P填充入图案凹槽2中。从置于凹版印板1的前侧和后侧(内侧和外侧)上的光源11和12将UV射线照射到导电涂胶P上。在从凹版印板1的前侧和后侧照射UV射线时，UV射线直接照射到凹版印板1的表面上暴露的部分导电涂胶P。UV射线通过凹版印板1直接照射到和凹版印板1的凹槽2接触的部分导电涂胶P。结果，导电涂胶P的整个表面硬化成具有预定硬度(变干)。因此，增强了粘合力。
随后，将在凹版印板1的凹槽内硬化的导电涂胶转移到基片20上。在这种情况中，基片20是和传送膜排成一直线的陶瓷生片，并从递送辊19连续提供。通过转移辊18将基片20向凹版印板1挤压。因此，将导电涂胶P从凹版印板1转移到基片20上。同样，在这种情况中，为了提高导电涂胶P的转移特性，可以施加约200到500kg/cm2的挤压负荷，可以将加热器置于转移辊18内等等。
实例3图3示出实施本发明方法的转移单元的第三实例。
在该实例中，不使用中间件而直接将导电涂胶P转移到基片20上。此外，可以将诸如烧制过的陶瓷板的硬基片用作基片20。
填充入图案凹槽2并通过UV灯11和12硬化成具有预定硬度的导电涂胶P被直接转移到基片20上，其中灯11和12置于凹版印板1的前侧和后侧(从内侧和外侧)，基片20被水平移动而和凹版印板1的下端面接触。
在这种情况中，填充入图案凹槽2中的导电涂胶P的整个周围硬化(变干)。因此，增加了导电涂胶P的粘合力。且提高了被转移到基片20上的涂胶的转移属性。
实例4图4示出实施根据本发明的形成厚膜配线的方法的形成装置的第四实例。
在第四实例中，使用平板形凹版印板30。其中和第一实例中的部件等价的部件由同样的标号表示，且其描述将不再重复。
凹版印板1是由透明玻璃之类的材料制成的硬平板，且具有形成于其表面上的图案凹槽2。较佳地，图案凹槽2的深度至少是20微米，且长宽比(纵向/横向)是1。将导电涂胶P提供到凹版印板1上，且额外的导电涂胶P由刮刷器6除去。从而，将导电涂胶P填充入图案凹槽2中。
使有导电涂胶P填入其中的凹版印板1和传送带8重叠，它是设置第一辊7处的传送带8。将传送带8转向以便沿图4中箭头所示的方向在第一辊7上，导辊32之下，导辊33之上，导辊34之下，且在第二辊15之上移动。在靠近导辊33处提供用于除去残留在传送带8表面上的污点的清除装置35。即使部分导电涂胶P(接面上的污点)残留在凹版印板1的表面上，而在将导电涂胶P填充入图案凹槽2中时没有由刮刷器6除去，则该污点由清除装置35除去。因此，可以重复使用传送带8。
凹版印板1和传送带8沿纵向移动，它们重叠并经过曝光单元10，在该处使得导电涂胶P产生硬化反应，且硬化直到导电涂胶P的整个表面硬化成具有预定硬度。在曝光单元10中，放置了用于从凹版印板1的下侧照射UV射线的光源11，用于从传送带8的上侧照射UV射线的光源12、滤波器13和14等等。
经过曝光单元10的凹版印板1和传送带8由第二辊15彼此释放。在填充入凹版印板1的导电涂胶P和与凹版印板1重叠的传送带8之间产生结合力，这是由导电涂胶P的硬化反应引起的。因此，可以将导电涂胶P安全地转移到传送带8上。同样，在这种情况中，为了改善从凹版印板1到传送带8的转移，较佳地，将从传送带8的上侧照射的UV射线(曝光)量设定得比从凹版印板1的下侧照射的UV射线量大。
第二辊15也用作转移辊。基片20和传送带8彼此接触且在第二辊15和于第二辊15配对的转移辊18之间向彼此挤压。因此，将导电涂胶P再次转移到基片20上。基片20是和传送薄膜排成一直线的陶瓷生片。为了改善从传送带8到基片20的导电涂胶P的转移，可以应用约200到500kg/cm2的挤压负荷。同样，可以在转移辊15和18内提供加热器。
实例5图5示出实施根据本发明的形成厚膜配线方法的形成装置的第五实例。
在该实例中，直接将导电涂胶P从凹版印板1转移到基片20上，而不使用传送带8作为中间件。第五实例中和第四实例中的部件等价的部件由同样的标号表示，且其描述将不再重复。
通过递送单元3将导电涂胶P填充入凹版印板1的图案凹槽2中。从置于凹版印板1的前侧和后侧上的光源11和12将UV射线照射到导电涂胶P上。当从凹版印板1的前侧和后侧照射UV射线时，UV射线直接照射凹版印板1表面上暴露的部分导电涂胶P。UV射线通过凹版印板1照射和凹版印板1的凹槽接触的部分导电涂胶P。结果，使导电涂胶P的整个表面硬化成具有预定硬度。从而，提高了导电涂胶P的粘合力。
同样，在这种情况中，从凹版印板1的前侧(从上侧)照射的UV射线量被设定成比从凹版印板1的后侧(从下侧)照射的UV射线量大。从而可以提高暴露于图案凹槽2表面上的部分导电涂胶P的粘性粘合属性或粘合属性，且可以增加导电涂胶P的粘合力。
在完成导电涂胶P的硬化后，凹版印板1在转移辊18下通过。从而，将凹版印板1的凹槽内硬化的导电涂胶P转移到基片20上。和传送薄膜排成一直线的陶瓷生片用作基片20。从递送辊19连续提供基片20，且由转移辊18将基片20向凹版印板1挤压。因此，从凹版印板1将导电涂胶P转移到基片20上。同样，在这种情况中，为了改善导电涂胶P的转移，较佳地，可以应用200到500kg/cm2范围内的挤压负荷。此外，可以在转移辊18内提供加热器之类的装置。
在第一到第五实例中，凹版印板1由诸如透明玻璃之类的硬材料制成。使用具有图案凹槽2的凹版印板1，其中凹槽通过激光束处理由PET，PC之类材料制成的透明树脂薄膜形成，并且将凹版印板1和由诸如透明玻璃之类的硬材料制成的透明支架40的外表面结合，如图6A和6B中所示的。
图6A示出鼓形凹版印板1。图6B示出平板形凹版印板1。
同样，在这种情况中，凹版印板1和支架40两者是透UV的。因此，可以通过从支架40的内侧和从凹版印板1的外侧照射UV射线而使填充入图案凹槽2内的导电涂胶P的整个表面硬化。此外，通过激光束处理柔性树脂薄膜形成凹版印板1。因此，可以很方便地进行处理。此外，支架40防止了凹版印板扭曲。因此，当将导电涂胶P从凹版印板1转移到传送带8上时，或当将导电涂胶P从凹版印板1转移到基片20上时，可以防止凹版印板1扭曲。因此，有利的是，可以防止图案的扭曲和凹版印板1的劣化。
例如，在上述实例中，描述了透UV类型的导电涂胶P。可以使用通过照射可见射线或红外射线硬化的导电涂胶。
此外，凹版印板1可以仅诸如PET薄膜之类的透明树脂材料制成。
参考提高导电涂胶的转移属性的方法，该导电涂胶从凹版印板转移到基片(或中间件)。将从凹版印板的前侧照射的光量设定得高于从后侧照射的光量。预先将类似隔离剂的氟树脂之类物涂覆到凹版印板的表面上，或者可以预先将粘性粘合剂或粘合剂涂覆到基片(或中间件)的表面上。
参考使用根据本发明的转移方法形成层压板的方法，可以使用诸如图7和7B所不的方法。
参考图7A，预备将导电涂胶P转移其上的基片20a。将导电涂胶P转移其上的另一个基片20b置于上述基片20a之上。作为最上层，设置了没有导电涂胶P转移其上的基片20。同时，将这些基片层压成层压板23。参考图7B，将导电涂胶P转移到基片20a上，将没有导电涂胶P转移其上的基片20b层压，将导电涂胶P层压到所形成的层压板上。重复这些过程。此后，将没有导电涂胶P转移其上的基片20c层压成最上层。因此，生产出了层压板23。
此后，同时烧制层压板23和导电涂胶P。在本说明书中，描述了三层结构的层压板。无需说明的是，可以使用至少四层结构的层压板。
权利要求
1.一种在基片上形成厚膜配线的方法，其特征在于，包括第一步骤将光敏的导电涂胶填充入形成于透光凹版印板表面上的图案凹槽中，所述图案凹槽对应于所需的厚膜配线图案；第二步骤从所述凹版印板的前侧和后侧用光射线照射填充入所述图案凹槽的光敏导电涂胶，以使所述涂胶起硬化反应直到所述导电涂胶的整个外部表面具有预定硬度；第三步骤直接或通过中间件将在所述凹版印板中硬化的所述导电涂胶转移到所述基片上；以及第四步骤烧制所述导电涂胶，由此在基片上形成厚膜配线。
2.如权利要求1所述的形成厚膜配线的方法，其特征在于，所述凹版印板由透明的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜制成。
3.如权利要求2所述的形成厚膜配线的方法，其特征在于，在所述第二步骤中，从所述凹版印板的前侧和后侧将具有至少350nm波长的光射线照射到所述导电涂胶。
4.如权利要求1或2所述的形成厚膜配线的方法，其特征在于，用具有波长小于上述光射线波长的激光束处理所述凹版印板的所述图案凹槽，且所述凹版印板呈现波长-光-透过率谱，它示出所述凹版印板对激光束的透过率很低，而对上述光射线的透过率很高。
5.如权利要求1或2所述的形成厚膜配线的方法，其特征在于，所述中间件由透光材料制成，所述第二步骤包括当所述中间件和有所述导电涂胶填充或涂覆其上的所述凹版印板彼此重叠时，从所述凹版印板的后侧和从所述中间件的后侧照射光，以及第三步骤包括将所述凹版印板中硬化的所述导电涂胶转移到所述中间件上，随后，将所述导电涂胶从所述中间件转移到所述基片上。
6.如权利要求1或2所述的形成厚膜配线的方法，其特征在于，在所述第二步骤中，将从所述凹版印板的前侧照射的所述光量设定得高于从其后侧照射的光量。
7.如权利要求1或2所述的形成厚膜配线的方法，其特征在于，所述凹版印板是由树脂制成的柔性凹版印板，且将所述凹版印板和透光且非柔性的支架结合。
8.如权利要求1或2所述的形成厚膜配线的方法，其特征在于，将隔离剂涂覆到所述凹版印板的所述图案凹槽的内表面上。
9.制造层压电子零件的方法，其特征在于，包括以下步骤预备由生片制成的基片；将导电涂胶直接或通过中间件转移到所述基片上；重复上述两个步骤，从而将有所述导电涂胶转移其上的多个基片层压成层压板；同时烧制所述层压板和所述导电涂胶，其中通过由权利要求1或2中所限定的形成厚膜配线方法形成所述导电涂胶。
全文摘要
将光敏的导电涂胶填充入在透光凹版印板表面上形成的图案凹槽内，所述图案凹槽对应于所需厚膜配线图案。从凹版印板的前侧和后侧用光射线照射填充入图案凹槽中的光敏的导电涂胶以使所述涂胶起硬化反应直到导电涂胶的整个外部表面具有预定厚度。将在所述凹版印板中硬化的导电涂胶从所述中间件转移到基片。此后，烧制导电涂胶，由此在基片上形成厚膜配线。
文档编号H05K1/09GK1510983SQ20031012074
公开日2004年7月7日 申请日期2003年12月5日 优先权日2002年12月5日
发明者小田哲也, 藤居长一朗, 西川悦生, 一朗, 生 申请人:株式会社村田制作所