专利名称：除电装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种除电装置，特别涉及一种通过对除电对象物照射正负离子而使其 处于电中性的除电装置。
背景技术：
以往，在半导体制造生产线或手机等的单元化生产工序中，为防止由于部件带电 而导致的静电危害或静电吸附，在工作台或输送机等的附近配设除电装置。在这样的制造 现场所使用的除电装置，通过对由于正或负的电荷的全部或部分过剩而处于电荷不均勻状 态的除电对象物(部件)放出(照射)正及负离子，从而使得除电对象物(部件)处于电 中性的结构。但是，这种除电装置存在电极针的污染或腐蚀而导致离子产生能力经时减少 的问题。就上述问题，揭示有专利文献1的除电装置，该除电装置通过在对放电用电极施 加的正的脉冲信号和负的脉冲信号之间设置不施加电压的休止期间，从而减少电极污染或 磨耗。并且，在该除电装置也进行如下操作，即，通过在进入休止期间之前的电极施加与到 此时为止的极性逆极性的短的脉冲信号，从而中和残留在该电极的残留电压。专利文献1 日本特开2003-86393号公报然而，在设置如上所述的休止期间的方式，由于总的离子产生量减少而导致除电 能力减少。并且，在如上所述的在进入休止期间前施加逆极性的短的脉冲信号而急速中和残 留电压的方式，由于电场(离子风)的急速消失而导致对电极附近的残留离子的推出(及， 加到对向电极一侧)力急速消失，导致了在放电部空间容易残留带电粒子或离子。并且，因为在之后未设置足够的休止期间，在对电极施加逆极性的电压时存在电 极吸附残留在该电极附近的逆极性的带电粒子或离子的可能性，这成为导致电极污染或腐 蚀的原因。
发明内容
为解决上述问题的不足，本发明的目的在于提供一种放电电极的污染或腐蚀少、 且可长期维持良好的放电性能的除电装置。本发明第一方面的除电装置，具有与被施加的直流高电压的极性对应地产生正或负离子的放电电极；从该放电电极离开规定间隔地设置的对向电极；对所述放电电极交替地施加正和负的直流高电压的高电压发生机构，其中，所述高电压发生机构，缓慢减少已对所述放电电极施加的正或负的直流高 电压的至少后半侧高电压部。根据上述第一方面，通过缓慢减少已对放电电极施加的正或负的直流高电压的至 少后半侧高电压部，在该期间依次减少新的离子的产生的同时，这些离子通过气流和电场而有效地输送到对向电极一侧。其结果，在施加电压大致为OV的时刻，清除了残留在电极 附近的离子。因此，即使在此后迅速对电极施加逆极性的直流高电压，前一次的残留离子等 也不会被吸引而回到该电极一侧。从而，根据上述第一方面，不会减少总的离子产生量，可 在长时间处于污染或腐蚀环境中时有效保护针电极。并且，本发明的第二方面的除电装置，是在前述的除电装置中，通过所述高电压发 生机构缓慢增加对所述放电电极施加的正或负的直流高电压的至少前半侧高电压部的结 构。根据上述第二方面，通过缓慢增加对放电电极施加的正或负的直流高电压的至少 前半侧高电压部，在缓慢推进该电极周围的电场的反转的同时，在该期间的前半部通过气 流清除前一次的离子，在该后半部逐渐增加后一次的离子产生。并且，在后一次(逆极性) 的施加电压达到峰值的时刻，已在前一次产生的残留离子等也不会被吸引而回到电极一 侧。从而，根据上述第二方面，不会减少总的离子产生量，可在长时间处于污染或腐蚀环境 中时有效保护针电极。并且，本发明的第三方面的除电装置，是在前述的除电装置中，通过所述高电压发 生机构缓慢增加对所述放电电极施加的正及负的直流高电压的至少前半侧高电压部，并 且，缓慢减少对所述放电电极施加的正及负的直流高电压的至少后半侧高电压部的结构。根据上述第三方面，通过缓慢减少前施加电压且缓慢增加后施加电压，通过该连 接的期间，可在较短时间内效率良好地实现前一次产生的残留离子等的清除、后一次产生 的逆极性离子的缓慢增加。因此，前一次的残留离子等不会吸附到放电电极。从而，根据上 述第三方面，不会减少总的离子产生量，可在长时间处于污染或腐蚀环境中时有效保护针 电极。并且，本发明的第四方面的除电装置，是在前述的除电装置中，通过所述高电压发 生机构，阶段性减少已对所述放电电极施加的正或负的直流高电压的至少后半侧高电压部 的结构。根据上述第四方面，通过阶段性减少已对所述放电电极施加的正或负的直流高电 压的至少后半侧高电压部，在该期间阶段性减少新离子的产生的同时，这些离子通过气流 和电场而有效输送到对向电极一侧。其结果，在施加电压大致为OV的时刻清除了残留在电 极附近的离子等。因此，即使在此后迅速对电极施加逆极性的直流高电压，前一次的残留离 子等也不会被吸引而回到该电极一侧。从而，根据上述第四方面，不会减少总的离子产生 量，可在长时间处于污染或腐蚀环境中时有效保护针电极。并且，本发明的第五方面的除电装置，在前述的除电装置中，通过所述高电压发生 机构，仅仅缓慢减少已对所述放电电极施加的负的直流高电压的至少后半侧高电压部的结 构。本发明的发明人，注意到在施加了正的高电压的电极(特别是针尖)的附近存在 (残留)负离子时会加速针尖腐蚀，从而发明了可解决这些问题的结构。即，根据上述第 五方面，通过仅仅缓慢减少已对所述放电电极施加的负的直流高电压的至少后半侧高电压 部，使得此后在对该电极施加正的直流高电压的时刻在电极周围已经没有残留的负离子。 从而，根据上述第五方面，不会减少总的离子产生量，可在长时间处于污染或腐蚀环境中时 有效保护针电极。
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在这里优选为，在与空气的流动方向正交的面并列设置多个放电电极。通过这种 结构，可对除电对象物照射更多的离子。并且，优选为，邻接的所述放电电极彼此分在两组，对各组的所述放电电极施加相 互逆极性的直流高电压。由此，可良好地保持除电对象物的离子平衡。并且，离子平衡是指 离子照射后的除电对象物的残留电位从OV离开多少的指标。并且，优选为，在从所述放电电极离开规定间隔且与空气的流动方向正交的面设 置具有多个通风孔的对向电极。对向电极兼备稳定化放电电极的离子产生功能、避免人的 手与该放电电极接触的保护功能。如上所述，根据本发明可提供不会减少总的离子产生量、减少放电电极的污染或 腐蚀、经时变化少的寿命长的除电装置。
图1是表示本发明实施方式的除电装置的概略构成图。图2是表示第一实施方式的高电压施加控制的时序图。图3是表示第二实施方式的高电压施加控制的时序图。图4是表示第三实施方式的高电压施加控制的时序图。图5是表示第四实施方式的高电压施加控制的时序图。图6是表示第五实施方式的高电压施加控制的时序图。图7是表示第六实施方式的高电压施加控制的时序图。在图1 图7中，1、除电装置，10、高电压发生部，20、放电部，30、风扇，60、对向电 极，70、除电对象物。
具体实施例方式以下，结合附图对本发明的适当的实施方式的除电装置1进行详细说明。如图 1 (A)所示，除电装置1具有，送风用的风扇30、可产生正和负的直流高电压的高电压发生部 10、与被施加直流高电压的极性对应地产生正和负电离子的放电部20、从该放电部的放电 电极离开规定间隔地设置的对向电极60。除电对象物70位于除电装置1的送风下游侧。高电压发生部10，每隔规定时间同时产生极性在正和负之间反转的直流高电压A 和与之逆极性的直流电压B。高电压发生部10，分别对放电部20的针电极21、23的组和 22、24的组(参照图1(B))施加直流高电压A及B。虽然未图示，高电压发生部10具有升 压用的变压器、与该变压器的二次线圈电路连接的正极性和负极性的整流电路，可对积蓄 在正极性和负极性的整流电路的各个电容器的电荷的充/放电速度进行变更。更为具体说明是，利用升压用变压器、对该变压器的一次电流进行0N/0FF控制的 充电开关、对该变压器输出的二次电流进行整流的二极管、通过以反复充电而阶段性增加 (实际上是缓慢增加)充电电压的方式增加该变压器输出的二次电压的电容器、通过介由 电阻阶段性地(实际上是缓慢放电)对该电容器的输出电压进行放电的放电开关，来构成 高电压发生部10。对于利用如此构成的高电压发生部10的直流高电压的施加控制，将在后 进行叙述。如图1⑶所示，例如在针电极21 24的每一个的末端部朝向矩形结构的中心方向，设置在两组的对角线上。其中，对末端部相对的针电极组施加相同极性的直流高电压。 在针电极21、23的组产生正离子期间，在针电极22、24的组产生负离子。并且，在针电极 21,23的组产生负离子期间，在针电极22、24的组产生正离子。对向电极60，通过诸如在与空气的流动方向垂直的面具有多个通风孔的导电性部 件构成。例如使用蜂窝状的蜂窝电极、金属丝网结构的网状电极、将环状的金属电极同心圆 状配置的环状电极。对向电极60，介由保护电阻Rb而接地，并兼备稳定化针电极21 24 的离子产生功能、避免人的手与该针电极接触的保护功能。并且，如将针电极21 24和对向电极60之间的距离设置为M、将邻接的针电极 21和22、22和23等的针尖间的距离设置为K(例如，K = 40mm 120mm左右)，则优选为 M<K。通过如此设定，可使得在各针电极产生的正负离子飞向距离短的对向电极60。并 且，如将从针电极21 24到除电对象物70的距离设为L时，上述针电极之间的距离K，考 虑到在放电部20产生的正和负离子在除电对象物70大致均勻地混合，可设定为例如K = L/5 L/4左右。并且，通过使用上述的高电压发生部10，对针电极21 24进行几个模式的高电压 施加控制的情况进行具体说明。图2是表示第一实施方式的高电压施加控制的时序图，表 示缓慢减少已对针电极施加的正及负的直流高电压的至少后半侧高电压部。在图2中，Sl是用于切换在高电压发生部10产生的正极性和负极性的高电压输 出的极性切换信号，S2是对充电开关施加的充电控制信号，S3是对放电开关施加的放电控 制信号。在高电压发生部10，可通过控制充电控制信号S2的脉冲幅度，可将积蓄到变压器 的一次线圈的电磁能控制在所需之大小。由此，伴随上述的控制，通过将二次线圈输出进行 一次，也可将电容器中积蓄的电荷Q ( S卩，电压ΔΥ = Q/C，其中C是电容器的电容)控制在 所需的大小。从而，通过对充电控制信号S2的脉冲幅度和产生间隔进行控制，可将电容器 的充电电压急剧增加或者缓慢增加。对放电控制信号3也进行相同控制。在图2的最初半周期，利用极性切换信号Sl = 0 (低电平)对针电极21、23施加正 的直流高电压，对针电极22、24施加负的直流高电压。进而，在该半周期的末端部，通过密 集产生基于大的一次电流的高电压，来迅速增加针电极21、23的施加电压，且迅速减少针 电极22、24的施加电压。并且，在维持该状态规定时间后，在该半周期的后半部，通过每隔 规定时间产生狭窄脉冲幅度的放电控制信号S3，缓慢减少针电极21、23的施加电压，且缓 慢增加针电极22、24的施加电压。在之后的半周期，通过极性切换信号Sl = 1(低电平)， 将对针电极21、23及针电极22、24施加的电压的极性反转。并且，对针电极21、23的离子产生动作进行说明。在最初半周期，通过从早期开始 对针电极21、23施加正的直流高电压+V2(例如+5kV)，使得从该针电极21、23产生更多的 正离子。在维持该状态规定时间后，如施加电压缓慢减少至+Vl (例如+3kV)，则在此区间依 次减少新的正离子的产生的同时，这些正离子通过气流和电场而输送到对向电极60 —侧。 并且，在该区间，因存在以前产生的正离子被后产生的正离子从后侧推的作用，残留的在电 极附近的正带电粒子或正离子(以下，将这些统称为正离子等)迅速移动到对向电极60 — 侧。并且，电极电压低于+Vl的时刻，新的正离子的产生将停止，此后，残留在针电极 21,23附近的正离子等通过气流和电场而迅速移输送到对向电极60—侧。其结果，在施加电压大致为OV的时刻，针电极21、23的周围空间的正离子等被清除，从而处于电中性。在之后的半周期，通过从早期开始对针电极21、23施加负的直流电压_V2(例 如_5kV)，使得从该针电极21、23产生更多的负离子。在此时刻，因为在针电极21、23附近 未残留有正离子等，在从早期开始施加-V2时也不会在针尖吸附正离子等，且从早期开始 产生更多的负离子。在维持该状态规定时间后，如缓慢增加电压至-Vl (例如-3kV)，则在该 区间依次减少新的负离子的产生的同时，这些负离子通过气流和电场的作用而输送到对向 电极60—侧。并且，在该区间，因存在以前产生的负离子被后产生的负离子从后侧推的作 用，残留在电极附近的负带电粒子或负离子(以下，将这些统称为负离子等)迅速移动到对 向电极60 —侧。进而，在电极电压超过-Vl的时刻，新的负离子的产生将停止，此后，残留在针电 极21、23附近的负离子等通过气流和电场而迅速输送到对向电极60—侧。其结果，在施加 电压大致为OV的时刻，针电极21、23的周围空间的负离子等被清除，从而处于电中性。以 下，重复这样的状态。一方面，对针电极22、24同时施加与上述说明逆极性的直流高电压，同样产生与 上述说明逆极性的离子。并且，在这些情况下，对针电极21、23和针电极22、24的组施加缓 慢变化的电压的时间，例如，可通过多数试验来求出多个清除针电极附近的残留离子等的 时间并通过平均化而容易获得。优选为，通过在IOHz IOOHz范围内反复进行如上所述的一个周期份的高电压施 加控制，在除电对象物70可获的良好的离子平衡。这部分的操作，与以下说明的各实施方 式中也是相同的。在本第一实施方式中，通过缓慢减少对针电极21 24施加的正及负的直流高电 压的至少后半侧高电压部，可利用该期间有效地清除留在针电极21 24附近的带电粒子 或离子的同时，即使在此后缓慢施加逆极性的直流高电压，前一次的残留离子等也不会被 吸引而回到针电极一侧。从而，根据本第一实施方式，不会减少总的离子产生量，可在长时 间处于污染或腐蚀环境中时有效保护针电极。并且，在上述第一实施方式中，虽然是缓慢减少了对针电极21 24施加的正及负 的直流高电压的至少后半侧高电压部，但并不限于此。在缓慢减少对针电极21 24施加 的正或负的直流高电压的至少后半侧高电压部时，也可获得防止电极污染的效果。并且，在上述第一实施方式中以直线减少了电极电压，也可以曲线减少电极电压。图3是表示第二实施方式的高电压施加控制的时序图，表示缓慢增加对针电极施 加的正及负的直流高电压的至少前半侧高电压部。在最初半周期，通过从早期开始每隔规定时间产生具有比较狭窄的脉冲幅度的充 电控制信号S2，缓慢增加针电极21、23的施加电压，且缓慢减少针电极22、24的施加电压。 并且，在该半周期的后端部，通过产生宽的脉冲幅度的放电控制信号S3，迅速减少针电极 21、23的施加电压，且迅速增加针电极22、24的施加电压。在后半周期，通过极性切换信号 Sl = 1，将对针电极21、23及针电极22、24的施加的直流高电压的极性反转。进而，对针电极22、24的离子的产生动作进行说明。在最初半周期，通过针电极 21、23的施加电压向正的直流高电压+V2(例如+5kV)缓慢增加，在该针电极21、23的施加 电压超过+Vl (例如+3kV)为止的区间不产生正离子的同时，在该区间未图示的前半周期
8产生的负离子等随着气流输送到对向电极一侧。进而，在施加电压超过+Vl之后正离子的 产生依次增加的同时，在该时刻，因为在针电极21、23附近清除了在前半周期产生的负离 子等，从而在针电极21、23不会吸附有负离子。由此，可有效防止针电极21、23被污染或腐 蚀。并且，在该施加电压达到+V2的时刻最大限度地产生正离子的同时，在维持该状态规定 时间后，施加电压迅速减少到大致0V。这样，在本第二实施方式中，通过对半周期的后端部 为止施加+V2，可产生更多的正离子。在后半周期，通过针电极21、23的施加电压向_V2(例如_5kV)缓慢减少，在该区 间，与上述说明相同地进行在前半周期所产生的正离子等的清除、及随后产生的负离子的 增加。一方面，对针电极22、24同时施加与上述说明逆极性的直流高电压，同样产生与 上述说明相比逆极性的离子。并且，在这些情况下，对针电极21、23或针电极22、24的组施 加缓慢变化的电压的时间，例如，可通过多数试验来求出多个清除针电极附近的残留离子 等的时间并通过平均化而容易获得。在本第二实施方式中，通过缓慢增加对针电极21 24施加的正及负的直流高电 压的至少前半侧高电压部，可清除利用该缓慢增加区间留在针电极21 24附近的前一次 带电粒子或离子的同时，在此后，在该施加电压达到峰值的时刻，已在前半周期产生的残留 离子等也不会被吸引而回到针电极一侧。从而，根据本第二实施方式，不会减少总的离子产 生量，可在长时间处于污染或腐蚀环境中时有效保护针电极。并且，在上述第二实施方式中，虽然是缓慢增加了对针电极21 24施加的正及负 的直流高电压的至少前半侧高电压部，但并不限于此。即使缓慢增加对针电极21 24施 加的正或负的直流高电压的至少前半侧高电压部，也可以有效防止电极被污染。图4是表示第三实施方式的高电压施加控制的时序图，表示稍微迅速地增加对针 电极施加的正及负的直流高电压的至少前半侧高电压部，且稍微迅速地减少对该针电极施 加的正及负的直流高电压的至少后半侧高电压部。在最初半周期，通过从早期开始比较密集产生具有比较狭窄的脉冲幅度的充电控 制信号S2，稍微迅速增加针电极21、23的施加电压，且稍微迅速减少针电极22、24的施加电 压。并且，在该半周期的后半部，通过比较密集地产生具有比较狭窄的脉冲幅度的放电控制 信号S3，稍微迅速地减少针电极21、23的施加电压，且稍微迅速增加针电极22、24的施加电 压。在后半周期，通过极性切换信号Sl = 1，将对针电极21、23及针电极22、24施加的直流 高电压的极性反转。并且，对针电极21、23的离子产生动作进行说明。但是，在此对最初半周期的后半 部及后半周期前半部的动作进行说明。在最初半周期的后半部因已对针电极21、23施加 +V2而最大限度地产生正离子的同时，在该状态维持规定时间后，使得施加电压稍微迅速地 向OV减少。通过如上所述，在施加电压减少至+Vl的区间，比较迅速地减少针电极21、23的新 的正离子的产生的同时，这些正离子通过气流和电场而输送到对向电极60—侧。并且，在 该区间，因存在以前产生的正离子被后产生的正离子从后侧推的作用，电极附近的正离子 等迅速移动到对向电极60 —侧。进而，在施加电压减少至+Vl的时刻，新的正离子的产生将停止，此后，残留在针电极21、23附近的正离子等通过气流和电场而输送到对向电极60—侧。其结果，在施加电 压大致为OV的时刻，针电极21、23周围空间的正离子等的大部分被清除，从而处于电中性。在后半周期，通过向负的直流高电压-V2稍微迅速地减少针电极21、23的施加电 压，在施加电压直至-Vl的期间内针电极21、23不产生负离子。并且，在此区间，在前半周 期所产生的正离子等，随着气流输送到对向电极60 —侧，从而可从针电极21、23周围被清 除。进而，在施加电压减少至小于-Vl后，负离子的产生比较迅速地增多。并且，在该时刻， 在前半周期产生的正离子等，因为从针电极21、23的周围被清除，从而不会吸附到针电极 21、23。由此，可有效防止针电极21、23被污染或腐蚀。上述操作，就针电极22、24也是相 同的。在本第三实施方式中，通过前一次施加电压稍微迅速地减少、后一次施加电压稍 微迅速地增大，利用该连接的期间，可在较短时间内有效地进行前一次产生的残留离子等 的清除、后一次产生的逆极性离子的缓慢增加。从而，在放电电极上不会吸附有前一次的残 留离子等。从而，根据本第三实施方式不会增加总的离子产生量，可在长时间处于污染或腐 蚀环境中时有效保护针电极。图5是表示第四实施方式的高电压施加控制的时序图，表示阶段性地减少对针电 极施加的正及负的直流高电压的至少后半侧高电压部。在图5中，士V2是可产生正负离子 的电压(例如士5kV)、士Vl是不产生正负离子的电压(例如士 3kV)。在最初半周期，通过从早期开始密集产生基于大的一次电流的高电压，迅速增加 针电极21、23的施加电压，且迅速减少针电极22、24的施加电压。并且，在维持该状态规定 时间后，在该半周期的后半部通过具有比较宽的脉冲幅度的放电控制信号S3例如分为两 次产生，针电极21、23的施加电压分为两阶段减少、且针电极22、24的施加电压分为两阶段 增加。在后半周期，通过反转极性切换信号Si，将对针电极21、23和22、24施加的电压的极 性反转。并且，对针电极21、23的离子的产生动作进行说明。在最初半周期，通过从早期开 始施加+V2，使得产生更多的正离子。在该状态维持规定时间后，如将施加电压迅速(阶段 性地)减少至+VI，则从该时刻开始停止新的正离子的产生的同时，残留在针电极21、23附 近的带电粒子或正离子通过气流和基于偏压电压+Vl的相同的电场，迅速移动到对向电极 60 一侧。进而，在该状态维持规定时间后，如施加电压减少至大致0V，在该时刻，针电极21、 23附近的正离子等被清除，从而处于电中性。在后半周期，通过从早期开始对针电极21、23施加-V2，从而产生更多的负离子。 并且，在该时刻，在针电极21、23附近已无残留正离子等，从而即使从早期开始施加-V2，在 针电极21、23也不会吸附有正离子等。进而，在该状态维持规定时间后，如施加电压阶段性 地增加到-Vl和大致0V，则在该时刻，针电极21、23附近的负离子等被清除，从而处于电中性。一方面，对于针电极22、24，通过同时施加与上述说明相比逆极性的直流高电压， 进行与上述说明逆极性的离子的产生动作。在本第四实施方式中，在正和负的直流高电压的后半部，通过稳定地施加不产生 电晕程度的直流高电压士VI，可有效清除残留在针电极附近的带电粒子或残留离子。并且， 即使是接着从早期开始施加逆极性的直流高电压，前一次的残留离子等也不会被吸引而回到该针电极。从而，根据本第四实施方式，不会减少总的离子产生量，可在长时间处于污染 或腐蚀环境中时有效保护针电极。并且，虽然未图示，也可以是阶段性地增加对针电极21 24施加的正及负的直流 高电压的至少前半侧高电压部、且阶段性地减少对针电极施加的正及负的直流高电压的至 少后半侧高电压部。并且，在上述第四实施方式中，虽然阶段性地减少了对针电极21 24施加的正及 负的直流高电压的至少后半侧高电压部，但并不限于此。也可以通过阶段性地减少对针电 极21 24施加的正或负的直流高电压的至少后半侧高电压部，获得防止电极被污染或腐 蚀的效果。并且，在上述第四实施方式中以两阶段减少了电极电压，也可以通过三阶段减少。图6是第五实施方式的高电压施加控制的时序图，表示对针电极施加以正弦波状 变化的高电压。在这里，通过CPUll对控制信号S2、S3的脉冲幅度或脉冲间隔进行多种控 制而产生所需波形的直流高电压，其中，该控制信号S2、S3的脉冲幅度或脉冲间隔是用于 施加到充电开关16或放电开关17、19。在最初的半周期，通过从早期开始将充电控制信号S2的脉冲间隔依次扩大，产生 正弦波高电压的前半部(相位0 π/2)。并且，在该半周期的后半部，通过放电控制信号 S3的脉冲间隔依次狭窄，产生正弦波高电压的后半部(相位π/2 π)。在后半周期，通 过反转极性替换信号Si，同样产生逆极性的正弦波高电压(相位π 2π)。在本第五实施方式中，通过对针电极施加以正弦波状变化的高电压，产生与所谓 的交流方式相当的除电离子。并且，可自由调整该频率的同时，容易在各半周期之间设置不 施加电压的休止期间。然而，本发明的发明者们注意到在施加了正的高电压的针尖附近存在负离子时可 加速化针尖的腐蚀，基于此发明了解决该问题的结构。以下，对该结构进行说明。图7是表示第六实施方式的高电压施加控制的时序图，表示仅仅缓慢减少对针电 极21、23施加的负的直流高电压的至少后半侧高电压部。针尖的污染，由于在施加正的直 流高电压的针尖附近存在负离子时容易产生，在这里仅在针电极21、23施加负的直流高电 压时缓慢减少该后半部。并且，在本第六实施方式中，通过以两系统设定变压器和该控制信 号，可独立产生具有正和负此两者不同波形的直流高电压。在图7中，S4是表示用于负极 性高电压输出的充电控制信号，S5是负极性高电压输出的放电控制信号。在最初的半周期，极性切换信号成为Sl = 0的同时，使得通过充电控制信号S2而 迅速增加的施加电压+V2维持规定时间后，通过放电控制信号S3而迅速减少至0V。在后半 周期，极性切换信号成为Sl = 1的同时，使得已通过充电控制信号S4而迅速减少的施加电 压-V2维持规定时间后，通过放电控制信号S5而缓慢增加到大致0V。在本第六实施方式中，通过仅仅缓慢减少对针电极21、23施加的负的直流高电压 的后半部，利用该期间有效地清除残留在针电极21、23附近的负带电粒子或负离子的同 时，即使在此后迅速施加正的直流高电压，残留负离子等也不会被吸引而回到针电极一侧。 从而，根据本第六实施方式，不会减少总的离子产生量，可在针电极21、23长时间处于污染 或腐蚀环境中时有效保护针电极。并且，也可以仅仅是阶段性地减少负的直流高电压的后半部。或者也可以设置仅
11仅在负的直流高电压和正的直流高电压之间施加大致OV的休止期间。并且，在上述各实施方式中讲述了直流高电压士Vl或士2的大小相同的例，但并 不限于此。一般来讲，负离子一方具有产生与正离子相比更低的电压的倾向，因此，可通过 考虑离子平衡的方式，将正负的直流电压VI、V2分别设置为所需的值。并且，在上述各实施方式中，虽然在放电电极使用了针电极21 24，本发明中也 可使用线电极。并且，在上述各实施方式中，使用具体的数值例进行说明，但本发明并不限于这些 数值例。
权利要求
一种除电装置，具有与被施加的直流高电压的极性对应地产生正或负离子的放电电极；从该放电电极离开规定间隔地设置的对向电极；对所述放电电极交替地施加正和负的直流高电压的高电压发生机构，其中，所述高电压发生机构，缓慢减少已对所述放电电极施加的正或负的直流高电压的至少后半侧高电压部。
2.一种除电装置，具有与被施加的直流高电压的极性对应地产生正或负离子的放电电极； 从该放电电极离开规定间隔地设置的对向电极； 对所述放电电极交替地施加正和负的直流高电压的高电压发生机构， 其中，所述高电压发生机构，缓慢增加对所述放电电极施加的正或负的直流高电压的 至少前半侧高电压部。
3.一种除电装置，具有与被施加的直流高电压的极性对应地产生正或负离子的放电电极； 从该放电电极离开规定间隔地设置的对向电极； 对所述放电电极交替地施加正和负的直流高电压的高电压发生机构， 其中，所述高电压发生机构，缓慢增加对所述放电电极施加的正及负的直流高电压的 至少前半侧高电压部，并且，缓慢减少对所述放电电极施加的正及负的直流高电压的至少 后半侧高电压部。
4.一种除电装置，具有与被施加的直流高电压的极性对应地产生正或负离子的放电电极； 从该放电电极离开规定间隔地设置的对向电极； 对所述放电电极交替地施加正和负的直流高电压的高电压发生机构， 其中，所述高电压发生机构，阶段性减少已对所述放电电极施加的正或负的直流高电 压的至少后半侧高电压部。
5.一种除电装置，具有与被施加的直流高电压的极性对应地产生正或负离子的放电电极； 从该放电电极离开规定间隔地设置的对向电极； 对所述放电电极交替地施加正和负的直流高电压的高电压发生机构， 其中，所述高电压发生机构，仅仅缓慢减少已对所述放电电极施加的负的直流高电压 的至少后半侧高电压部。
6.根据权利要求1 5中任一项所述的除电装置，在与空气流动方向正交的面并列设 置有多个放电电极。
7.根据权利要求6所述的除电装置，邻接的所述放电电极彼此分在两组，所述高电压 发生机构，对各组的所述放电电极施加相互逆极性的直流高电压。
8.根据权利要求1 5中任一项所述的除电装置，在从所述放电电极离开规定间隔且 与空气的流动方向正交的面，设置有具有多个通风孔的对向电极。
9.根据权利要求6所述的除电装置，在从所述放电电极离开规定间隔且与空气的流动 方向正交的面，设置有具有多个通风孔的对向电极。
10.根据权利要求7所述的除电装置，在从所述放电电极离开规定间隔且与空气的流 动方向正交的面，设置有具有多个通风孔的对向电极。全文摘要
本发明公开一种除电装置，具有与被施加的直流高电压的极性对应地产生正或负离子的放电电极21～24；从该放电电极离开规定间隔地设置的对向电极60；对所述放电电极交替地施加正和负的直流高电压的高电压发生机构10，其中，所述高电压发生机构，缓慢减少对所述放电电极施加的正或负的直流高电压的至少后半侧高电压部。通过本发明可提供放电电极的污染或腐蚀少且可长时间维持良好的放电性能的除电装置。
文档编号H05F3/04GK101902870SQ20091025821
公开日2010年12月1日 申请日期2009年12月17日 优先权日2008年12月18日
发明者杉田直记, 津森友则 申请人:绿安全股份有限公司