静电型装置的制作方法

本技术涉及一种例如可应用于静电驱动型致动器、静电型传感器等的静电型装置。

背景技术：

近年来，MEMS(微机电系统)装置被广泛开发。MEMS一般是指诸如包括微细机构的致动器、传感器等的装置技术，或为了形成这种微细结构和机构而基于半导体工艺开发的工艺技术。MEMS装置是指使用这种MEMS技术制造的致动器或传感器。

SOI(绝缘体上硅)基板广泛用于制造MEMS装置。SOI基板由下述层的叠层形成：由硅制成的支撑层、形成在支撑层上且由硅氧化物(SiO₂)制成的BOX(隐埋氧化物)层、以及接合在BOX层上且由硅制成的有源层(活性层)。在由SOI基板制造的MEMS装置的结构设计中，通常来说，在有源层中形成充当功能部的结构和机构。这些结构中的一部分结构经由BOX层机械地、电气地连接至支撑层。充当MEMS装置的致动器或传感器的机械和电气特性是在有源层中形成，而BOX层和支撑层主要用来确保用于封装的刚度和强度。

例如，专利文献1公开了一种由SOI基板构成的双轴静电型斜镜(tilt mirror)元件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本待审公开专利申请No.2008-52220

技术实现要素：

技术问题

在由SOI基板制造的MEMS装置中，BOX层和支撑层的电气特性显著影响形成在有源层中的致动器或传感器。例如，当以静电驱动型MEMS装置为例时，涉及下述问题：由于BOX层的带电而导致的操作故障或可靠性低，由于有源层、BOX层和支撑层形成的电容(寄生电容)的增加而导致的驱动电力提高或检测灵敏度低，等等。

鉴于上述情况，本技术的目的是提供一种能够改善装置特性的静电型装置。

解决问题的方案

根据本技术实施方式的静电型装置包括导电性基材、第一导体层、第二导体层和接合层。

所述第一导体层包括第一电极部和第一基部并且连接至信号线。所述第一基部支撑所述第一电极部，并且设置在所述基材上。所述第二导体层包括第二电极部和第二基部并且连接至基准电位。

所述第二电极部在第一轴方向上与所述第一电极部相对，并且在所述第一轴方向上可相对于所述第一电极部移动。所述第二基部支撑所述第二电极部，并且设置在所述基材上。

所述接合层设置在所述基材与所述第一基部和所述第二基部之间，并且所述接合层包括部分地支撑至少所述第一基部的多个第一接合部。

在上述静电型装置中，第一电极部和第二电极部之一起到可移动电极的作用，而另一个起到固定电极的作用。信号线构成在第一电极部与第二电极部之间产生静电力的信号输入线，或者构成输出与第一电极部和第二电极部之间的相对距离对应的电压信号的信号输出线。在前一情形中，该静电型装置起到静电致动器的作用。在后一情形中，该静电型装置起到静电传感器的作用。

在上述静电型装置中，支撑第一电极部的第一基部和支撑第二电极部的第二基部分别经由接合层被支撑在基材的上方。此外，连接至信号线的第一基部被多个第一接合部部分地支撑。因此，与其中第一基部的整个表面经由电气绝缘性接合层被支撑在基材上的情形相比，介于第一基部与基材之间的接合层的面积减小，由于接合层的带电和寄生电容而对装置造成的不利影响减小。由此，可提高检测灵敏度。例如，可确保良好的操作特性，降低驱动功耗，以及提高检测灵敏度。

通常，所述第一基部形成为在所述第一轴方向上具有长边的柱状，并且所述第一电极部包括多个电极片，所述多个电极片在与所述第一轴方向交叉的第二轴方向上延伸，并且在所述第一轴方向上排列。

在上述构造中，所述第一基部包括：悬架部和位于所述长边方向上的两个端部。所述两个端部分别被所述多个第一接合部支撑。所述悬架部设置在所述两个端部之间，并且支撑所述多个电极片。

由此，可将接合层的面积最小化，并且将第一基部稳定地支撑在基材上。

例如，所述悬架部由板部形成，所述板部沿所述第二轴方向的宽度比所述两个端部的每一个的宽度窄，并且小于沿与所述第一和第二轴方向正交的第三轴方向的高度尺寸。可选择地，所述悬架部可包括多个中空部。中空部的形式没有特别限制。例如，所述悬架部可具有网格结构或梯子结构。可选择地，所述多个第一接合部可构造成分别支撑所述第一基部在纵向方向上的两个端部和中央部。

通常，当所述第二电极部构造为可移动电极时，所述第二电极部包括与构成所述第一电极部的多个电极片相对的多个电极片，并且所述第二基部包括可弹性变形的连结片，所述可弹性变形的连结片支撑所述第二电极部，以使所述第二电极部在所述第一轴方向上是可移动的。

所述接合层可进一步包括部分地支撑所述第二基部的多个第二接合部。由此，在第二基部中也能够减小与基材之间的寄生电容等，因此能够进一步改善装置特性。

所述第一电极部可构造为固定电极或可构造为可移动电极。当所述第一电极部构造为可移动电极时，所述第一基部包括可弹性变形的连结片，所述可弹性变形的连结片支撑所述第一电极部，以使所述第一电极部在所述第一轴方向上是可移动的。

在该情形中，上述静电型装置可进一步包括焊盘部、端子部、配线层和层间绝缘层。

所述焊盘部设置在所述第一基部上，并电连接至所述信号线。所述端子部设置在所述第一基部上，并电连接至所述第一基部。所述配线层电连接在所述焊盘部与所述端子部之间。所述层间绝缘层设置在所述第一基部与所述配线层之间。

此外，所述多个第一接合部选择性地设置在第一和第二端子部正下方。

根据上述构造，能够减小在配线层的形成区域中的第一基部与基材之间的电容，因此能够减小连接至信号线的第一电极部的驱动电压。可选择地，可精确检测第一电极部相对于第二电极部的相对移动。

所述第一基部可包括沿所述配线层的延伸方向形成的多个切口部。由此，能够减小基材与第一基部之间的相对面积，因此能够减小它们之间的寄生电容。

类似地，所述层间绝缘层可包括在所述第一基部与所述配线层之间形成间隙的间隙部。

此外，所述层间绝缘层和所述第一基部可分别包括在所述基材与所述配线层之间形成间隙的间隙部。

发明的有益效果

如上所述，根据本技术，可改善装置特性。

应当注意，上述的效果必然不是限制性的，其可以是本公开内容中描述的任何效果。

附图说明

图1是显示根据本技术第一实施方式的静电型装置的构造的示意性平面图。

图2是沿图1的[A]-[A]线截取的剖面图。

图3是显示图1中所示的静电型装置的等效电路的示图。

图4是显示根据比较例的静电型装置的构造的示意性平面图。

图5是显示根据比较例的静电型装置的等效电路的示图。

图6是显示当静电型装置构造为静电传感器时的检测电路的示例的示图。

图7是显示根据本技术第二实施方式的静电型装置的构造的示意性平面图。

图8是显示根据本技术第三实施方式的静电型装置的构造的示意性平面图。

图9是显示根据本技术第四实施方式的静电型装置的构造的示意性平面图。

图10是显示根据本技术第五实施方式的静电型装置的构造的示意性平面图。

图11是显示根据本技术第六实施方式的静电型装置的构造的示意性平面图。

图12是显示根据本技术实施方式的静电型装置的阵列结构的示意性平面图。

图13是显示根据本技术第七实施方式的静电型装置的构造的示意性平面图。

图14是图13所示的静电型装置中的端子部的形成区域中的主要部分的纵向剖面图。

图15是显示根据本技术第八实施方式的静电型装置的构造的示意性平面图。

图16是图15所示的静电型装置中的焊盘部和端子部的形成区域中的主要部分的纵向剖面图。

图17是显示图15中所示的静电型装置的等效电路的示图。

图18是显示图15中所示的静电型装置的另一构造示例的主要部分的纵向剖面图。

图19是显示图15中所示的静电型装置的另一构造示例的主要部分平面图。

图20是显示图15中所示的静电型装置的另一构造示例的主要部分平面图。

图21是显示图15中所示的静电型装置的另一构造示例的主要部分平面图。

图22是显示图15中所示的静电型装置的另一构造示例的主要部分平面图。

具体实施方式

下文中，将参照附图描述根据本技术的实施方式。

<第一实施方式>

图1是显示根据本技术一实施方式的静电型装置101的示意性平面图。图2是沿图1的[A]-[A]线截取的剖面图。

在图1和2中，X轴和Y轴表示彼此正交的平面方向，Z轴表示与之正交的高度(厚度)方向。这同样适用于下文所述的各图。

[静电型装置的构造]

静电型装置101包括基材10、固定电极层20(第一导体层)、可移动电极层30(第二导体层)和接合层40。固定电极层20包括两个固定电极层20L、20R。下文中，除非单独说明，否则固定电极层20L、20R将统称为固定电极层20。

根据本实施方式的静电型装置101电连接至控制电路(驱动电路)，所述控制电路包括控制用电源Vcont。根据本实施方式的静电型装置101构造为通过在固定电极层20与可移动电极层30之间输入的直流电压驱动的静电致动器。

基材10由具有导电性的、近似矩形的板材构成。在本实施方式中，基材10由硅基板构成。基材10的比电阻和厚度没有特别限制。通常来说，基材10的比电阻为几Ωcm到几MΩcm，且基材10的厚度为几十μm到几百μm。

基材10通常是通过将SOI基板中的支撑层加工成预定形状而形成的。基材10构造为支撑静电型装置101中的致动器部分或传感器部分的支撑基板。基材10形成为具有能够支撑致动器部分或传感器部分的尺寸。基材10可形成为具有能够公共地支撑多个上述致动器部分或传感器部分的尺寸。

固定电极层20和可移动电极层30通常由硅基板构成。固定电极层20和可移动电极层30的比电阻和厚度没有特别限制。通常来说，固定电极层20和可移动电极层30的比电阻为几Ωcm到几MΩcm，且固定电极层20和可移动电极层30的厚度为几十μm到100μm。

固定电极层20和可移动电极层30是通过对共同的硅基板进行微细加工而形成的。固定电极层20和可移动电极层30通常由SOI基板中的有源层构成。固定电极层20和可移动电极层30彼此分离地布置在基材10上。固定电极层20和可移动电极层30的每一个具有梳齿型的电极结构，这将在后面描述。

当静电型装置101构造为静电致动器时，固定电极层20和可移动电极层30构成致动器机构。另一方面，当静电型装置101构造为静电传感器时，固定电极层20和可移动电极层30构成感测机构。

接合层40由布置在基材10与固定电极层20和可移动电极层30之间的电绝缘材料构成。在本实施方式中，接合层40由硅氧化物膜形成。接合层40的厚度没有特别限制。接合层40的厚度例如为几μm。接合层40设置在图1的阴影区域中(这同样适用于之后描述的实施方式)。

接合层40通常是通过将SOI基板中的BOX层加工成预定形状而形成的。接合层40将基材10和固定电极层20彼此接合，并将基材10和可移动电极层30彼此接合。在本实施方式中，如将在之后描述的，接合层40包括部分地支撑固定电极层20和可移动电极层30的基部22、32的多个接合部421、422、431、432。

下文中，将详细描述固定电极层20和可移动电极层30。

(固定电极层)

如上所述，固定电极层20由两个固定电极层20L、20R构成。固定电极层20L、20R在X轴方向上设置成彼此相对，并且在它们之间夹持可移动电极层30。也就是说，在图1中，固定电极层20L设置在可移动电极层30的左侧，固定电极层20R设置在可移动电极层30的右侧。所述固定电极层20L、20R以相对于Y轴方向对称的形状形成。

固定电极层20包括固定电极部21(第一电极部)和基部22(第一基部)。固定电极部21和基部22均形成为具有近似相同的厚度。

固定电极部21包括在X轴方向上延伸并在Y轴方向上排列的多个固定电极片210。固定电极片210的数量没有特别限制。固定电极片210的数量可根据所需的装置特性适当设定。在本实施方式中，多个固定电极片210在Y轴方向上以等间隔排列，然而当然不限于此。

如图1中所示，在固定电极层20L中，多个固定电极片210形成为从基部22的悬架部220向右突出。而另一方面，在固定电极层20R中，多个固定电极片210形成为从基部22的悬架部220向左突出。固定电极层20L的各个固定电极片210和固定电极层20R的各个固定电极片210布置成在X轴方向上彼此相对。

多个固定电极片210均形成为近似相同的形状。多个固定电极片210的每一个具有沿X轴方向的长度方向、沿Y轴方向的宽度方向、以及沿Z轴方向的高度(厚度)方向。固定电极片210的每一个形成为垂直于基材10的板形状，该板形状沿Z轴方向的高度尺寸大于沿Y轴方向的宽度尺寸。固定电极片210的宽度和长度没有特别限制。例如，固定电极片210的宽度为1μm以上5μm以下，固定电极片210的长度为50μm以上200μm以下。

如图2中所示，各个固定电极片210的下端经由空间(间隙G3)，与基材10的表面相对。因此，固定电极部21以与基材10非接触的方式被基部22支撑。

间隙G3等于接合层40的厚度。也就是说，在形成多个固定电极片210之后，通过去除作为其基础的接合层40，来制造固定电极部21。形成固定电极片210的方法没有特别限制，通常来说，可通过诸如反应离子蚀刻(RIE)之类的各向异性干蚀刻法来形成固定电极片210。加工接合层40的方法也没有特别限制。例如，在此可应用能够选择性地去除接合层40的各向同性蚀刻工艺。蚀刻方法没有特别限制，可使用湿蚀刻和干蚀刻。

基部22支撑固定电极部21，并且基部22经由接合层40(接合部421、422)而布置在基材10的表面上。在本实施方式中，基部22形成为在Y轴方向上具有长边的柱状。

基部22包括在上述长边方向上的两个端部(基部端部221、222)、以及设置在所述基部端部221、222之间的悬架部220。悬架部220支撑多个固定电极片210。

基部端部221、222的每一个形成为具有分别在X轴方向和Y轴方向上平行的两个边的矩形形状。基部端部221、222的每一个具有与固定电极部21的厚度近似相同的厚度。基部22经由接合部421、422(第一接合部)而布置在基材10的表面上。接合部421、422的每一个分别布置在基部端部221、222与基材10之间。基部端部221、222和接合部421、422起到将固定电极层20支撑在基材10上的锚部的作用。

接合部421、422是通过将介于基材10与固定电极层20(20L、20R)之间的接合层40构图为预定形状来形成的。通常来说，在固定电极部21和基部22的形状加工之后，如上所述通过蚀刻法去除构成固定电极部21和悬架部220的基础的接合层40，以分别形成接合部421、422的每一个。

接合部421、422的每一个形成为与基部端部221、222的每一个相似的近似矩形形状。接合部421、422的每一个的尺寸通常小于基部端部221、222的每一个的尺寸。这是由于在对接合层40进行构图时的侧面蚀刻(side etching)导致的。侧面蚀刻的量依据蚀刻条件而不同。侧面蚀刻的量例如可设定为与固定电极片210的沿Y轴方向的宽度尺寸相等的尺寸。

悬架部220的两端分别连接至基部端部221、222。悬架部220由与Y轴方向平行的板部构成。悬架部220具有沿X轴方向的宽度，所述宽度小于基部端部221、222的每一个的宽度，并且如图2中所示，也小于沿Z轴方向的高度尺寸。悬架部220的宽度通常是与多个固定电极片210的每一个的宽度近似相同的宽度或者是其近似两倍的宽度。然而，悬架部220的宽度当然不限于此。

悬架部220与基部端部221、222之间的连接位置没有特别限制。在本实施方式中，悬架部220与基部端部221、222之间的连接位置设为最靠近可移动电极层30的位置。也就是说，在固定电极层20L中，如图1中所示，悬架部220分别连接至基部端部221的右下角和基部端部222的右上角。而另一方面，在固定电极层20R中，如图1中所示，悬架部220分别连接至基部端部221的左下角和基部端部222的左上角。

悬架部220具有与固定电极部21近似相同的厚度。如图2中局部所示，悬架部220经由空间(间隙G3)，与基材10的表面相对。也就是说，悬架部220以与基材10非接触的方式被基部端部221、222支撑。与用于固定电极部21的形成步骤同时地形成悬架部220。如上所述，通过与构成固定电极部21的基础的接合层40的去除步骤同时地进行蚀刻，去除构成悬架部220的基础的接合层40。

(可移动电极层)

可移动电极层30设置在固定电极层20L与固定电极层20R之间。可移动电极层30形成为相对于与Y轴方向平行的中心线对称的形状。

可移动电极层30包括可移动电极部31(第二电极部)和基部32(第二基部)。可移动电极部31和基部32均形成为具有近似相同的厚度。

在本实施方式中，可移动电极部31包括在X轴方向上延伸并在Y轴方向上排列的多个可移动电极片310。可移动电极片310的数量没有特别限制。可移动电极片310的数量可根据所需的装置特性适当设定。如图1中所示，多个可移动电极片310分别形成为从基部32的悬架部320向左和向右突出。

多个可移动电极片310以等间隔排列。各个可移动电极片310设置为经由间隙G1，与图1中位于其下侧的固定电极片210相对，从而在Y轴方向上彼此面对，并且经由间隙G2，与图1中位于其上侧的固定电极片210相对，从而在Y轴方向上彼此面对。也就是说，可移动电极片310在Y轴方向上与固定电极片210交替排列。此外，多个可移动电极片310构造成在Y轴方向上可相对于多个固定电极片210移动。

尽管每个间隙G1的尺寸和每个间隙G2的尺寸可彼此近似相同，但间隙G1、G2通常设为不同的值，以便在施加来自于控制用电源Vcont的电压时稳定可移动电极片310的移动方向。在本实施方式中，间隙G1设为小于间隙G2的值。由此，在施加电压时，可移动电极片310在图1的下侧稳定地移动。间隙G1的尺寸没有特别限制，例如为1μm以上5μm以下。

多个可移动电极片310的每一个形成为近似相同的形状。多个可移动电极片310的每一个具有沿X轴方向的长度方向、沿Y轴方向的宽度方向和沿Z轴方向的高度(厚度)方向。可移动电极片310的每一个形成为具有与固定电极片210近似相同的宽度和厚度。也就是说，各个可移动电极片310形成为垂直于基材10的板形状，该板形状沿Z轴方向的高度尺寸大于沿Y轴方向的宽度尺寸。各个可移动电极片310的下端经由空间(间隙G3)，与基材10的表面相对，如图2中所示。因此，可移动电极部31以与基材10非接触的方式被基部32支撑。

基部32支撑可移动电极部31，并且基部32经由接合层40(接合部431、432)，布置在基材10的上方。在本实施方式中，基部32包括悬架部320、多个基部端部321、322、以及多个连结片323。

悬架部320布置在左右可移动电极片310之间，并支撑多个可移动电极片310。悬架部320形成为在Y轴方向上具有长边的柱状，并且悬架部320具有其中在其长边方向上排列有多个近似矩形的中空部320a的网格结构。悬架部320的厚度和其网格部的宽度分别形成为与每个可移动电极片310的厚度和宽度近似相同。悬架部320的长度形成为比固定电极层20的悬架部220的长度短。

多个基部端部321、322分别布置在左右固定电极层20L、20R之间。成对的基部端部321和成对的基部端部322被布置成使得每一对基部端部在Y轴方向上彼此相对，而一对基部端部321与一对基部端部322在X轴方向上彼此相对。基部端部321、322的每一个形成为具有分别在X轴方向和Y轴方向上平行的两个边的矩形形状。基部端部321、322的每一个具有与可移动电极部31的厚度近似相同的厚度。基部端部321、322的每一个形成为具有与固定电极层20的基部端部221、222的每一个近似相同的尺寸。

多个连结片323分别设置在悬架部320的两端处。多个连结片323的每一个形成为具有近似相同的形状。与可移动电极片310一样，多个连结片323的每一个具有沿X轴方向的长度方向、沿Y轴方向的宽度方向和沿Z轴方向的高度方向。每个连结片323的两端分别连接至基部端部321、322。悬架部320的两端分别连接至各个连结片323的中央部。每个连结片323形成为具有与每个可移动电极片310的宽度近似相同的宽度。

多个连结片323构造成可在Y轴方向上弹性变形。也就是说，每个连结片323构造成其两端被基部端部321、322支撑的双支撑梁，并且能够在由图1中的实线所示的正常位置与由双点虚线所示的变形位置之间弹性地往返运动。由此，两端分别连结至连结片323的悬架部320、和被悬架部320支撑的多个可移动电极片310可以相对于固定电极片210在Y轴方向上整体移动。注意，可在基材10上设置限制可移动电极部31的移动量的阻挡部(图中未示出)。

基部32经由多个接合部431、432(第二接合部)，布置在基材10的表面上。接合部431、432分别布置在基部端部321、322与基材10之间。基部端部321、322和接合部431、432起到将可移动电极层30支撑在基材10上的锚部的作用。

接合部431、432是通过将介于基材10与可移动电极层30之间的接合层40构图为预定形状来形成的。通常来说，在可移动电极部31和基部32的形状加工之后，如上所述通过蚀刻法去除构成可移动电极部31和悬架部320的基础的接合层40，以分别形成接合部431、432。

接合部431、432的每一个形成为与基部端部321、322的每一个相似的近似矩形形状。每个接合部431、432的尺寸通常小于每个基部端部321、322的尺寸。这是由于在对接合层40进行构图时的侧面蚀刻导致的。侧面蚀刻的量依据蚀刻条件而不同。侧面蚀刻的量例如可设定为与可移动电极片310的沿Y轴方向的宽度尺寸相等的尺寸。

悬架部320和连结片323经由空间(间隙G3)，与基材10的表面相对。也就是说，悬架部320和连结片323以与基材10非接触的方式被基部端部321、322支撑。与用于可移动电极部31的形成步骤同时地形成悬架部320和连结片323。通过与构成可移动电极部31的基础的接合层40的去除步骤同时地进行蚀刻，去除构成悬架部320和连结片323的基础的接合层40。

[静电型装置的操作]

随后，将描述以上述方式构造的静电型装置101的典型操作。

图3显示了图1中所示的静电型装置101的等效电路。在图中，静电型装置101的固定部分(诸如固定电极部21等)由实线显示，可移动部分(诸如可移动电极部31等)由双点虚线显示。

静电型装置101连接至包括控制用电源Vcont的控制电路1。在本实施方式中，如图1中所示，控制用电源Vcont的正电极经由信号线S1(信号输入线)连接至固定电极层20L、20R的每一个的基部端部221。控制用电源Vcont的负电极经由信号线S2连接至可移动电极层30的基部端部322。控制用电源Vcont的负电极和基材10分别连接至地(GND)电位。

控制用电源Vcont由恒压源(直流电源)构成。控制用电源Vcont向固定电极层20提供驱动电位(Vdd)，并向可移动电极层30提供GND电位(0V)。静电型装置101由多个固定电极片210与多个可移动电极片310之间的可变电容Cact、以及由接合部421、422导致的接地电容Cbox1表示。

当在静电型装置101上施加来自控制用电源Vcont的驱动电位时，电荷累积在可变电容Cact和接地电容Cbox1中。可变电容Cact的值与具有梳齿结构的固定电极部21和可移动电极部31之间的距离成反比地增加。由于致动器机构的可动限制，上述距离被固定。因而，Cact的上限被确定。

当驱动电位输入到固定电极层20中并且GND电位输入到可移动电极层30中时，在固定电极部21与可移动电极部31之间产生电位差。由电位差导致的静电引力在使得并列布置的多个固定电极片210和多个可移动电极片310彼此接近的方向上作用。可移动电极部31移动直至连结片323的弹性恢复力与静电引力达到平衡的位置、或者可移动电极部31与阻挡部(未示出)接触的位置、或者可移动电极部31与固定电极部21接触的位置。另一方面，当释放驱动电位时，由于连结片323的弹性恢复力，可移动电极部31恢复到由图1的实线所示的正常位置。

以上述方式构造的静电型装置101构造为通过驱动电位的ON-OFF而操作的静电致动器。在该情形中，静电型装置101可应用于切换元件、滤波器元件或类似物，并且例如构成安装在移动终端或基站等中的通信装置的前端部。

此外，当控制电路1构造为检测固定电极部21与可移动电极部31之间的静电电容变化的检测电路时，静电型装置101例如构造为用于加速度传感器、压力传感器或类似物的静电传感器。在该情形中，信号线S1可用作信号输出线。

在此，固定电极层20的各个基部端部221、222和可移动电极层30的各个基部端部321、322分别经由接合部421、422、431、432将两个电极层20、30固定至基材10的表面。因此，这些基部端部221、222、321、322经由接合部421、422、431、432以电感应的方式耦合至基材10，接合部421、422、431、432作为接地电容Cbox1寄生在装置中。因而，该接地电容Cbox1对静电型装置101的装置特性产生了不可忽视的影响。

(比较例)

图4是显示根据比较例的静电型装置100的构造的示意性平面图。图4中与图1对应的部分将由相同的标记表示并将省略其详细描述。

根据比较例的静电型装置100包括基材10、固定电极层20(20L、20R)、可移动电极层30和接合层40，从这一点来讲，根据比较例的静电型装置100与根据本实施方式的静电型装置101是共通的。然而，根据比较例的静电型装置100的固定电极层20的基部23，则与根据本实施方式的静电型装置101不同。

在根据比较例的静电型装置100中，支撑固定电极部21的基部23的近似整个区域经由接合层40，被基材10的表面支撑。如图4中所示，基部23的平面形状是在Y轴方向上具有长边的柱状形状。接合层40形成为与基部23的平面形状对应的近似矩形的平面形状。

图5显示了根据比较例的静电型装置100的等效电路。在图中，静电型装置101的固定部分(诸如固定电极部21等)由实线显示，可移动部分(诸如可移动电极部31等)由双点虚线显示。静电型装置100由多个固定电极片210与多个可移动电极片310之间的可变电容Cact以及由接合部421、422导致的接地电容Cbox2表示。

在根据比较例的静电型装置100中，接地电容Cbox2导致如下技术问题。

第一，当静电型装置100构造为静电致动器时，接地电容Cbox2中产生的电荷会在致动器机构OFF时产生电位(Vbox2)。接地电容Cbox2中产生的电荷是由混入或附着到接合层40的杂质、构成接合层40的硅氧化物膜中的晶格缺陷等原因导致的。一旦Vbox2的值超过阈值，则即使在致动器机构上未施加驱动电位时，控制电压仍持续施加在致动器机构上。在该状态中，控制理论不起作用，或者ON-OFF时序表发生偏差，从而引起故障模式。

第二，当静电型装置100构造为静电传感器时，由于接地电容Cbox2产生的电荷，感测机构的检测灵敏度偏移。图6显示了当静电型装置构造为静电传感器时的检测电路2的一个示例。在该情形中，检测电路2基于电阻器Rsense两端的电位差，测量可变电容Cact的电容变化ΔC。此时，如果接地电容Cbox2具有上述Vbox2，则在电阻器Rsense处测量的电位差偏离于与应当检测的ΔC相当的电位差。

如此，在每一次重复致动器机构或感测机构的操作时，接地电容Cbox2的电荷量发生变动。因此，对于致动器机构来说这成为电源偏压变动效应，或者对于感测机构来说这成为基准电压波动效应，从而成为装置的故障原因。

第三，当静电型装置100构造为静电致动器时、以及当静电型装置100构造为静电传感器时，由Cbox2充放电的电荷导致的电力相当于不必要的损耗。例如，当Cbox2的面积为几mm²时，其成为所谓的接地寄生电容，该接地寄生电容在电学上可被认为是具有几到几百pF的电容。因此，在由MEMS技术制造的小型的静电型装置的情况下，驱动电路的不必要功耗或检测电路的检测灵敏度降低等问题显著。

(本实施方式的作用)

相反，在根据本实施方式的静电型装置101中，支撑被输入了驱动电位的固定电极层(20L、20R)的接合层40被构造为部分地支撑基部22的多个接合部421、422。此外，支撑固定电极部21(多个固定电极片210)的悬架部220构造为被基部端部221、222悬挂，并经由空间(间隙G3)而与基材10相对。因此，在悬架部220中，可防止由于接合层40而导致的接地电容，并且能够支撑固定电极部21。

因此，根据本实施方式的静电型装置101，与比较例相比，极大地减小了介于基部22与基材10之间的接合层40的面积，因此与根据比较例的接地电容Cbox2相比，可显著减小接地电容Cbox1。由此，减少了由于接合层40的带电和寄生电容(Cbox1)而对装置造成的不利影响。因而，可改善装置特性，例如，确保良好的操作特性、降低驱动功耗、以及提高检测灵敏度。

此外，在根据本实施方式的静电型装置101中，悬架部220由在宽度上小于基部端部221、222的每一个的单个板形成。因此，悬架部220与基材10之间的相对面积能够被最小化，可进一步减小固定电极层20的接地电容。此外，通过将悬架部220的宽度设为与固定电极片210的宽度近似相同，能够提高在通过蚀刻对悬架部220和其正下方的接合层40加工时的精度。

注意，尽管通常构造为在悬架部220与基材10之间的相对区域中不存在接合层40，但也不是一定排除在这种区域中残留接合层40。此外，在该情形中，悬架部220构造为在宽度上小于基部端部221、222的每一个，因此与比较例相比能够减小接地电容。这同样适用于之后描述的实施方式。

<第二实施方式>

图7是显示根据本技术第二实施方式的静电型装置102的构造的示意性平面图。下文中，将主要描述与第一实施方式不同的构造，与上述实施方式相似的构造将由相似的标记表示并将省略或简化其描述。

根据本实施方式的静电型装置102与上述第一实施方式不同之处在于固定电极层20(20L、20R)的基部22的构造。也就是说，在本实施方式中，基部22中的悬架部224具有网格结构(或梯子结构)。

如图7中所示，悬架部224的两端分别连接至基部端部221、222，并且悬架部224经由空间而与基材10的表面相对。此外，悬架部224具有与Y轴方向平行的两个长板部和与X轴方向平行的多个短板部的组合结构，所述两个长板部并列地形成在基部端部221、222之间。多个短板部并列地形成，以将这两个长板部彼此连结。构成悬架部224的每个板部的宽度设为与固定电极片210的宽度近似相同或者是其近似两倍大。然而，每个板部的宽度当然不限于此。

在如上所述构造的静电型装置102的情况下，也能提供与第一实施方式相似的作用和效果。在本实施方式中，悬架部224具有网格结构或梯子结构，因此与其中由单个板构成的情形相比，能够提高悬架部224的刚度。此外，悬架部224形成为网格形状，因此在悬架部224中设置有在Y轴方向上排列的多个中空部224a。由此，与不具有中空部224a的构造相比，可减小与基材10相对的面积。

上述短板部可形成为相对于X轴方向倾斜，或者可部分弯曲。换句话说，每个中空部224a的形状不限于图中所示的矩形形状，其可以构造为适当的形状，例如三角形、五角以上的多角形状等。这同样适用于之后描述的实施方式。

<第三实施方式>

图8是显示根据本技术第三实施方式的静电型装置103的构造的示意性平面图。下文中，将主要描述与第一实施方式不同的构造，与上述实施方式相似的构造将由相似的标记表示并将省略或简化其描述。

根据本实施方式的静电型装置103与上述第一实施方式不同之处在于固定电极层20(20L、20R)的基部22的构造。也就是说，在本实施方式中，基部22中的悬架部225与第二实施方式中一样具有网格结构。

如图8中所示，悬架部225的两端分别连接至基部端部221、222，并且悬架部225经由空间而与基材10的表面相对。此外，悬架部225具有与Y轴方向平行的三个长板部和与X轴方向平行的多个短板部的组合结构，所述三个长板部并列地形成在基部端部221、222之间，所述多个短板部并列地形成，以将这三个长板部相互连结。多个短板部可布置为在X轴方向上对齐。可选择地，如图8中所示，多个短板部也可布置为在同一方向上不对齐(以Z字形式布置)。构成悬架部225的每个板部的宽度设为与固定电极片210的宽度近似相同或者是其近似两倍大。然而，板部的宽度当然不限于此。

在如上所述构造的静电型装置103的情况下，也能提供与第一实施方式相似的作用和效果。在本实施方式中，悬架部225具有网格结构或梯子结构，因此与第二实施方式中一样，与其中由单个板构成的情形相比，能够提高悬架部225的刚度。此外，悬架部225形成为网格形状，因此在悬架部225中设置有在X轴方向和Y轴方向上排列的多个中空部225a。由此，与不具有中空部225a的构造相比，能够减小与基材10相对的面积。

<第四实施方式>

图9是显示根据本技术第四实施方式的静电型装置104的构造的示意性平面图。下文中，将主要描述与第一实施方式不同的构造，与上述实施方式相似的构造将由相似的标记表示并将省略或简化其描述。

根据本实施方式的静电型装置104与上述第一实施方式不同之处在于固定电极层20(20L、20R)的基部22的构造。也就是说，在本实施方式中，基部22中的悬架部224与第二实施方式中一样具有网格结构，并且基部22进一步包括位于其中央部处的基部端部223。基部端部223被接合部423支撑。

如图9中所示，每个基部端部223分别设置在基部端部221、222之间。基部端部223经由通过对接合层40进行构图而形成的接合部423(第一接合部)，被支撑在基材10的表面上。

基部端部223形成为具有与基部端部221、222相似的形状和尺寸。然而，基部端部223当然不限于此。悬架部224分别设置在基部端部221与基部端部223之间以及基部端部223与基部端部222之间。接合部423也具有与接合部421、422相似的形状和尺寸。然而，接合部423当然不限于此。

在如上所述构造的静电型装置104的情况下，也能提供与第一实施方式相似的作用和效果。在本实施方式中，悬架部224具有网格结构或梯子结构，因此与第二实施方式中一样，与其中由单个板构成的情形相比，能够提高悬架部224的刚度。此外，悬架部224包括多个中空部224a，因此与不具有中空部224a的构造相比，能够减小与基材10相对的面积。

此外，悬架部224的中央部通过基部端部223中继，因此能够进一步提高悬架部224的刚度。因此，悬架部224可与第一实施方式中一样由单个板构成。

<第五实施方式>

图10是显示根据本技术第五实施方式的静电型装置105的构造的示意性平面图。下文中，将主要描述与第一实施方式不同的构造，与上述实施方式相似的构造将由相似的标记表示并将省略或简化其描述。

根据本实施方式的静电型装置105与上述第一实施方式不同之处在于固定电极层20(20L、20R)的基部22的构造。也就是说，在本实施方式中，基部22中的悬架部225与第三实施方式中一样具有网格结构，并且与第四实施方式中一样，基部22进一步包括位于其中央部处的基部端部223。基部端部223被接合部423支撑。

在如上所述构造的静电型装置105的情况下，也能提供与第一实施方式相似的作用和效果。在本实施方式中，悬架部225具有网格结构或梯子结构，因此与第三实施方式中一样，与其中由单个板构成的情形相比，能够提高悬架部225的刚度。此外，悬架部225的中央部通过基部端部223中继，因此能够进一步提高悬架部225的刚度。此外，悬架部225包括多个中空部225a，因此与不具有中空部225a的构造相比，能够减小与基材10相对的面积。

<第六实施方式>

图11是显示根据本技术第六实施方式的静电型装置106的构造的示意性平面图。下文中，将主要描述与第一实施方式不同的构造，与上述实施方式相似的构造将由相似的标记表示并将省略或简化其描述。

根据本实施方式的静电型装置106与上述每个实施方式不同之处在于其在基材10上包括多个装置部D1、D2。多个装置部D1、D2的每一个包括固定电极层20和可移动电极层30。每个电极层经由多个接合部421、422、431、432，被支撑在基材10的表面上。也就是说，多个装置部D1、D2的每一个分别构成一个静电型装置。

在本实施方式中，在基材10上设置有两个装置部D1、D2。然而，装置部的数量不限于此，也可设置三个以上的装置部。此外，装置部D1、D2在X轴方向上彼此相邻布置。然而，装置部D1、D2不限于此，其也可在Y轴方向上彼此相邻布置，或者在XY平面内以矩阵形式布置。

根据本实施方式的静电型装置106包括在多个装置部D1、D2之间一体形成的电极层620。也就是说，电极层620包括：每个都具有与第一实施方式相似的构造的固定电极层20L、20R，对于装置部D1、D2来说是公共的固定电极层20LR，以及将这些电极层彼此连结的连结层25。

与第一实施方式中一样，固定电极层20L、20R的每一个包括固定电极部21和支撑固定电极部21的基部22。基部22包括两个基部端部221、222，以及布置在这些基部端部221、222之间以支撑固定电极部21的悬架部225。悬架部225的每一个具有与第三实施方式相似形式的网格结构。然而，悬架部225当然不限于此。固定电极层20L、20R经由部分地支撑基部端部221、222的接合部421、422，被固定至基材10。

固定电极层20LR包括：设置在固定电极层20L与固定电极层20R之间的用于装置部D1和装置部D2的固定电极部21，以及公共地支撑这些固定电极部21的基部26。基部26包括单个基部端部262和悬架部225。悬架部225设置在所述基部端部262与连结层25之间，以支撑上述固定电极部21。悬架部225具有与第三实施方式相似形式的网格结构。然而，悬架部225当然不限于此。固定电极层20LR经由部分地支撑基部端部262的接合部462，被固定至基材10。与接合部421、422等等一样，通过对接合层40进行构图蚀刻来形成接合部462。

连结层25与X轴方向平行地延伸，并且连结层25的两端分别连接至固定电极层20L、20R的每一个的基部端部221。固定电极层20LR的悬架部225的一端连接至连结层25的中间部。连结层25具有与悬架部225相似的网格结构。然而，连结层25当然不限于此。与悬架部225一样，连结层25布置成经由空间而与基材10的表面相对。

在以上述方式构造的静电型装置106的情况下，通过将驱动电位输入到电极层620中，驱动各个装置部D1、D2。电极层620经由多个接合部421、422、462，被部分固定至基材10，因此能够减小接地电容。由此，可与第一实施方式中一样改善装置特性。

此外，在本实施方式中，固定电极层的一部分能够构造为被多个装置部共用，因此具有提高在将装置部阵列化时的集成度的优点。此外，可减小每单位面积的接地电容。

图12是作为阵列化的一个示例，显示在基材10上以三行五列排列多个(十五个)装置部D时的示意性平面图。对各个装置部D的固定电极片进行支撑的悬架部225被公共地形成在多个装置部D之间。悬架部225具有与第三实施方式相似的网格结构。然而，悬架部225当然不限于此，也可采用每个其他实施方式中描述的悬架部的结构。此外，固定电极层和可移动电极层经由多个接合层40，被固定至基材10。如图中所示，能够降低基材10的表面中的接合层40的占有率，因此能够大大减小装置的接地电容。

<第七实施方式>

图13是显示根据本技术第七实施方式的静电型装置200的构造的示意性平面图。下文中，将主要描述与第一实施方式不同的构造，与上述实施方式相似的构造将由相似的标记表示并将省略或简化其描述。

在本实施方式中，将详细描述可移动电极层30的周边结构。与上述各个实施方式一样，在本实施方式中，将驱动电位(Vdd)输入到固定电极层20中，并且可移动电极层30连接至GND电位。

根据本实施方式的静电型装置200包括：经由接合层40(接合部421、422)布置在基材10的表面上的固定电极层20(20L、20R)，以及经由接合层40(接合部433)布置在基材10的表面上的可移动电极层30。

可移动电极层30包括可移动电极部31和支撑可移动电极部31的基部32。与第一实施方式中一样，基部32包括：支撑可移动电极部31的悬架部320，布置在悬架部320的两端处的可弹性变形的连结片323，以及支撑连结片的两端的基部端部321、322。

基部32进一步包括框架部324和连结部325。框架部324形成为具有近似矩形形状。框架部324设置在基部端部321、322和固定电极层20周围。连结部325形成为从框架部324的内周部朝着位于图13中的上侧的两个基部端部321、322突出。位于图13中的下侧的两个基部端部321、322一体连接至框架部324的内周部。

在连结部325的上表面中，设置导体图案34。导体图案34电连接至信号线S2。导体图案34包括焊盘部340、第一端子部341、第二端子部342和配线层343。导体图案34由具有比构成基部32的硅材料的电阻低的电阻的导电材料构成，诸如金属膜等。具体地说，导体图案例如由诸如Au/Ni/Cr、Au/Ti等不同种类金属的叠层膜形成。

焊盘部340布置在连结部325上，并连接至信号线S2。第一端子部341布置在基部端部321上，第二端子部342设置在基部端部322上。

图14是第一端子部341的形成区域中的主要部分的纵向剖面图。导体图案34经由诸如SiO₂和SiN之类的层间绝缘层35，设置在基部32(基部端部321和连结部325)的上方。此外，第一端子部341在其预定位置处设置有接触部341a，所述接触部341a贯穿层间绝缘层35，并与作为基础的基部端部321电连接。第二端子部342在其预定位置处也设置有接触部342a(图13)，所述接触部342a贯穿层间绝缘层35，并与作为基础的基部端部322电连接。

配线层343分别将焊盘部340、第一端子部341和第二端子部342彼此电连接。配线层343将第一端子部341和第二端子部342并列连接至焊盘部340。

可移动电极层30的基部32经由接合部433，被固定至基材10的表面。接合部433是通过将接合层40构图为预定形状而形成的。在本实施方式中，接合部433分别设置在基部端部321、322、框架部324和连结部325正下方的区域中。

另一方面，在固定电极层20L、20R的每一个的基部端部221中，分别设置有连接至信号线S1的焊盘部240。焊盘部240电连接至基部端部221。焊盘部240将经由信号线S1输入的驱动电位施加在整个固定电极层20上。

焊盘部240通常由具有比构成基部22的硅材料的电阻低的电阻的导电材料构成。作为导电材料，可采用与构成上述导体图案34的材料一样的金属叠层膜。

固定电极层20以与第一实施方式相似的方法构造，因此将省略其详细描述。作为固定电极层20的构造，能够采用上述各个实施方式中描述的任何构造。注意，在本实施方式中，如图13中所示，固定电极层20R中的悬架部225具有弯折近似90°的结构，从而围绕可移动电极层30的基部端部322。

<第八实施方式>

图15是显示根据本技术第八实施方式的静电型装置201的构造的示意性平面图。下文中，将主要描述与第七实施方式不同的构造，与上述实施方式相似的构造将由相似的标记表示并将省略或简化其描述。

在上述第一到第七实施方式中，信号输入线(S1)连接至固定电极层20。在本实施方式中，信号输入线(S1)连接至可移动电极层30，并且GND线(S2)连接至固定电极层20(20L、20R)。因此，在本实施方式中，可移动电极层30相当于“第一导体层”，固定电极层20相当于“第二导体层”。

在根据本实施方式的静电型装置201中，可移动电极层30中的基部32形成为与框架部324分离。因此，框架部324是与基部32的基部端部321、322以及连结部325彼此电绝缘的。注意，框架部324与基材10一样连接至GND电位。

在根据本实施方式的静电型装置201中，可移动电极层30中的基部32被多个接合部431、432、434(第二接合部)部分地支撑。接合部431、432、434是通过对接合层40进行构图蚀刻而形成的。接合部431、432、434分别设置在基部端部321、322和连结部325正下方的区域中。

特别是，在本实施方式中，对于可移动电极层30的连结部325和与之连结的基部端部321、322来说，接合部431选择性地设置在第一端子部341正下方，接合部432选择性地设置在第二端子部342正下方，并且接合部434选择性地设置在焊盘部340正下方。图16是焊盘部340和第一端子部341的形成区域中的主要部分的纵向剖面。

此外，在本实施方式中，可移动电极层30的连结部325和基部端部321、322周围设置有多个切口部326。切口部326能够减小这些连结部325和基部端部321、322相对于基材10的相对面积，并且能够对接合部431、432、434执行适当的构图蚀刻。

切口部326的形成间隔、形成宽度和深度没有特别限制，其能够适当设定。对于其中设置第一端子部341和第二端子部342的基部端部321、322来说，切口部326沿配线层343的延伸方向形成。由此，可通过对其上形成有配线层343的基部32正下方的接合层40进行蚀刻，来有效去除所述接合层40。

在以上述方式构造的静电型装置201的情况下，控制用电源(图中未示出)的正电极连接至可移动电极层30的焊盘部340，负电极连接至固定电极层20的焊盘部240。当将驱动电位(Vdd)输入到可移动电极层30中时，由于静电引力，可移动电极部31在Y轴方向上相对于固定电极部21移动，两两电极部之间的电容被可变地控制。另一方面，当驱动电位的输入停止时，由于连结片323的弹性恢复力，可移动电极部31恢复至图中所示的正常位置。

图17显示了图15中所示的静电型装置201的等效电路。在图中，静电型装置201的固定部分(诸如固定电极部21等)由实线显示，可移动部分(诸如可移动电极部31等)由双点虚线显示。

在根据本实施方式的静电型装置201中，对被输入了驱动电位的可移动电极层30进行支撑的接合层40被构造为部分地支撑基部22的多个接合部431、432、434。此外，支撑可移动电极部31(多个可移动电极片310)的悬架部320构造为被基部端部321、322悬挂，并经由空间(间隙G3)而与基材10相对。因而，在悬架部320中，可防止由于接合层40而导致的接地电容Cbox3(图17)，并且能够支撑可移动电极部31。

因此，根据本实施方式的静电型装置201，极大地减小了介于基部32与基材10之间的接合层40的面积，因此能够减小可移动电极层30的接地电容。由此，与第一实施方式中一样，可确保良好的操作特性，并降低驱动功耗。此外，当静电型装置201构造为静电传感器时，可提高检测灵敏度。

此外，根据本实施方式，在配线层343正下方也不存在接合层40，因此能够消除配线层343与基材10之间的接地电容(寄生电容)。由此，能够有助于装置特性的改善。

此外，根据本实施方式，输入到焊盘部340中的驱动电位经由配线层343而分别提供至第一端子部341和第二端子部342，因此驱动电位能够近似均匀地输入到这些端子部341、342中。由此，能够同步地产生对固定电极层20L、20R的静电引力。

在此，如图18中所示，在配线层343正下方的层间绝缘层35中，可设置有在基部32与配线层343之间形成间隙的间隙部350。层间绝缘层35构造成包括间隙部350，因此能够减小配线层343与基部32之间的寄生电容。因此，可进一步降低驱动功耗，或进一步提高检测灵敏度。

尽管最好全部去除位于配线层343正下方的接合层40，但也可残留一些接合层。如上所述，在基部端部321、322周围设置切口部326，可有效设定所述接合层40的去除量。此时，例如，如图19中所示，由于切口部326而残留的基部32的切口残留部32A的较短宽度(W1)设为与可移动电极片310的沿Y轴方向的宽度(图15)近似相等或是其近似两倍大。由此，可有效蚀刻去除切口残留部32A正下方的接合层40。

此外，可有效蚀刻去除配线层343正下方的接合层40。此外，通过较深地形成切口部326，基部32的切口残留部32B的较短宽度(W2)的平均值也变得更小，因此切口残留部32B正下方的接合层的去除量增加，还能够去除所有的所述接合层。

可选择地，如图20中所示，与图19的示例相比，切口部326的形成间隔可更小；如图21中所示，与图19的示例相比，切口部326的形成深度可更深。

配线层343不限于由单列的配线构成的示例，其可如图22的A到C中所示形成为网格形状。由此，在配线层343的形成区域内可形成多个中空部343a。此外，通过将具有这种结构的配线层343用作蚀刻掩模，能够通过蚀刻去除配线层343正下方的层间绝缘层35、基部32和接合层40。在上述构造的情况下，层间绝缘层35和基部32二者都设置有在基材10与配线层343之间形成间隙的间隙部351。

根据上述构造，能够提供其中配线层343的两端被第一端子部341和第二端子部342支撑的悬架结构。能够进一步减小配线层343的接地电容(寄生电容)。注意，在该情形中，构成配线层343的网格部的宽度例如与可移动电极片310的宽度近似相等或是其近似两倍大。

尽管上面描述了本技术的实施方式，但本技术不仅仅限于上述实施方式，当然能够进行各种修改。

例如，在上述各个实施方式中，静电型装置的固定电极部和可移动电极部的每一个形成为梳齿形状。然而，电极形式不限于此，可采用除梳齿结构以外的其他结构。

此外，尽管上述实施方式采用了其中固定电极层20分别设置在可移动电极层30的两侧的电极布局，但也能够采用其中单个固定电极层和单个可移动电极层分别组合的电极结构。

此外，根据本技术的静电型装置可应用于利用静电引力或电极之间的电容变化的各种致动器或传感器。

应当注意，本技术还可采取下列构造。

(1)一种静电型装置，包括：

导电性基材；

第一导体层，所述第一导体层包括：

第一电极部，和

第一基部，所述第一基部支撑所述第一电极部，并且设置在所述基材上，

所述第一导体层连接至信号线；

第二导体层，所述第二导体层包括：

第二电极部，所述第二电极部在第一轴方向上与所述第一电极部相对，并且在所述第一轴方向上可相对于所述第一电极部移动，和

第二基部，所述第二基部支撑所述第二电极部，并且设置在所述基材上，

所述第二导体层连接至基准电位；和

电气绝缘性接合层，所述电气绝缘性接合层设置在所述基材与所述第一基部和所述第二基部之间，所述电气绝缘性接合层包括部分地支撑至少所述第一基部的多个第一接合部。

(2)根据(1)所述的静电型装置，其中：

所述第一基部形成为在所述第一轴方向上具有长边的柱状，并且

所述第一电极部包括多个电极片，所述多个电极片在与所述第一轴方向交叉的第二轴方向上延伸，并且在所述第一轴方向上排列。

(3)根据(2)所述的静电型装置，其中：

所述第一基部包括：

位于所述长边方向上的两个端部，所述两个端部分别被所述多个第一接合部支撑，和

悬架部，所述悬架部设置在所述两个端部之间，并且支撑所述多个电极片。

(4)根据(3)所述的静电型装置，其中：

所述悬架部由板部构成，所述板部沿所述第二轴方向的宽度比所述两个端部的每一个的宽度窄，并且小于沿与所述第一轴方向和第二轴方向正交的第三轴方向的高度尺寸。

(5)根据(3)所述的静电型装置，其中：

所述悬架部包括多个中空部。

(6)根据(5)所述的静电型装置，其中：

所述悬架部具有网格结构。

(7)根据(2)到(6)任一项所述的静电型装置，其中：

所述多个第一接合部分别支撑所述第一基部在纵向方向上的两个端部和中央部。

(8)根据(2)到(7)任一项所述的静电型装置，其中：

所述第二电极部包括与构成所述第一电极部的多个电极片相对的多个电极片，并且

所述第二基部包括可弹性变形的连结片，所述可弹性变形的连结片支撑所述第二电极部，以使所述第二电极部在所述第一轴方向上是可移动的。

(9)根据(1)到(8)任一项所述的静电型装置，其中：

所述接合层进一步包括部分地支撑所述第二基部的多个第二接合部。

(10)根据(1)到(7)任一项所述的静电型装置，其中：

所述第一电极部包括多个电极片，所述多个电极片在与所述第一轴方向交叉的第二轴方向上延伸，并且在所述第一轴方向上排列，并且

所述第一基部包括可弹性变形的连结片，所述可弹性变形的连结片支撑所述第一电极部，以使所述第一电极部在所述第一轴方向上是可移动的。

(11)根据(10)所述的静电型装置，进一步包括：

焊盘部，所述焊盘部设置在所述第一基部上，并电连接至所述信号线；

端子部，所述端子部设置在所述第一基部上，并电连接至所述第一基部；

配线层，所述配线层电连接在所述焊盘部与所述端子部之间；和

层间绝缘层，所述层间绝缘层设置在所述第一基部与所述配线层之间，其中

所述多个第一接合部选择性地设置在所述端子部的正下方。

(12)根据(11)所述的静电型装置，其中：

所述第一基部包括沿所述配线层的延伸方向形成的多个切口部。

(13)根据(11)或(12)所述的静电型装置，其中：

所述层间绝缘层包括在所述第一基部与所述配线层之间形成间隙的间隙部。

(14)根据(11)到(13)任一项所述的静电型装置，其中：

所述层间绝缘层和所述第一基部分别包括在所述基材与所述配线层之间形成间隙的间隙部。

(15)根据(1)到(14)任一项所述的静电型装置，其中：

所述基材、所述第一导体层和所述第二导体层分别由硅基板形成，并且

所述接合层由硅氧化物膜构成。

(16)根据(1)到(15)任一项所述的静电型装置，其中：

所述信号线构成信号输入线，所述信号输入线在所述第一电极部与所述第二电极部之间产生静电力。

(17)根据(1)到(15)任一项所述的静电型装置，其中：

所述信号线构成信号输出线，所述信号输出线用于输出与所述第一电极部和所述第二电极部之间的相对距离对应的电压信号。

参考标记列表

10 基材

20、20L、20R 固定电极层

21 固定电极部

210 固定电极片

22 基部

220 悬架部

221、222 基部端部

30 可移动电极层

31 可移动电极部

310 可移动电极片

32 基部

320 悬架部

321、322 基部端部

323 连结片

340 焊盘部

341 第一端子部

342 第二端子部

343 配线层

35 层间绝缘层

40 接合层

421、422、431、432 接合部

101、102、103、104、105、106、200、201 静电型装置