专利名称：一种用于设计构形树的pcb板的制作方法
技术领域：
本发明涉及电路板，具体是一种用于设计构形树的PCB板。
技术背景
随着电子技术的飞速发展，电子产品越来越来越趋向高速、宽带、高灵敏度、高密集度和小型化，这种趋势导致了电路板设计中电磁兼容问题的严重化，特别是电源和地线的电磁干扰问题，成为目前电磁兼容设计中急待解决的技术难题和系统工程。
传统方法是通过加去耦电容来抑制电源线中存在的干扰，但是去耦电容在频率比较高的情况下，效果并不理想。近年来，EBG结构被用于电源层来抑制高频噪声干扰，尤其是平面电磁带隙结构易于制作，获得了广泛的研究。不过典型的EBG结构并未考虑电源层上的电压降。发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的缺点和不足，提供一种用于设计构形树的PCB 板，本发明适用于树状PCB电源板设计，具有低电源电压降、超宽带电源噪声抑制功及小型化等功能。
本发明通过下述技术方案实现
一种用于设计构形树的PCB板，依次包括电源层、纳米材料层、高介电常数介质层、地层构成。
所述电源层、地层为覆铜层。
所述纳米材料层为高磁导率纳米材料层。
所述高介电常数介质层为介电常数为14000的钛酸钡。
所述高介电常数介质层厚度为0. 2mm 2mm。
所述覆铜层的厚度为0.035mm 0.07mm。
本发明适用于树状PCB电源板设计，具有低电源电压降、超宽带电源噪声抑制功及小型化等功能。
图1是本发明用于设计构形树的PCB结构示意图2是2级“H”形构形树的构造图3是2级圆形构形树的构造图4为1级“H”形构形树的构造图5为2级“H”形构形树电源层；
图6为2级圆形构形树电源层；
图7为1级“H”形构形树电源层；具体实施方式
下面对本发明的具体实施方式
作进一步详细的说明，但本发明的实施方式不限于此。
如图1所示，本发明用于设计构形树的PCB板，依次包括电源层1、纳米材料层2、 高介电常数介质层3、地层构成4 ；所述电源层1、地层4为覆铜层；所述纳米材料层2为高磁导率纳米材料层。
所述高介电常数介质层3为介电常数为14000的钛酸钡。
所述高介电常数介质层3厚度为0. 2mm 2mm。所述覆铜层的厚度为0. 035mm 0. 07mmo
电源层设计，需要先根据构形理论设计出构形树，构形树将电流均勻分配到电源板各处，解决高电源电压降问题。然后在构形树的基础上设计出完整电源层。
图2是2级“H”形构形树的构造图3是2级圆形构形树的构造图4为1级“H”形构形树的构造图5为2级“H”形构形树电源层；
图6为2级圆形构形树电源层；
图7为1级“H”形构形树电源层；
如上所述，便可较好地实现本发明。上述实施例仅为本发明的较佳实施例，并非用来限定本发明的实施范围；即凡依本发明内容所作的均等变化与修饰，都为本发明权利要求所要求保护的范围所涵盖。
权利要求
1.一种用于设计构形树的PCB板，其特征在于依次包括电源层、纳米材料层、高介电常数介质层、地层构成。
2.根据权利要求1所述的用于设计构形树的PCB板，其特征在于所述电源层、地层为覆铜层。
3.根据权利要求2所述的用于设计构形树的PCB板，其特征在于所述纳米材料层为高磁导率纳米材料层。
4.根据权利要求3所述的用于设计构形树的PCB板，其特征在于所述高介电常数介质层为介电常数为14000的钛酸钡。
5.根据权利要求4所述的用于设计构形树的PCB板，其特征在于所述高介电常数介质层厚度为0. 2mm 2mm。
6.根据权利要求2所述的用于设计构形树的PCB板，其特征在于所述覆铜层的厚度为 0. 035mm 0. 07mmo
全文摘要
本发明公开了一种用于设计构形树的PCB板，依次包括电源层、纳米材料层、高介电常数介质层、地层构成，电源层、地层为覆铜层，所述纳米材料层为高磁导率纳米材料层，所述高介电常数介质层为介电常数为14000的钛酸钡，所述高介电常数介质层厚度为0.2mm～2mm，所述覆铜层的厚度为0.035mm～0.07mm。本发明适用于树状PCB电源板设计，具有低电源电压降、超宽带电源噪声抑制功及小型化等功能。
文档编号H05K1/02GK102523681SQ20111044972
公开日2012年6月27日 申请日期2011年12月28日 优先权日2011年12月28日
发明者刘诗韵, 郭巍, 黄惠芬 申请人:华南理工大学