双面压接背板及其钻孔方法
【专利摘要】本发明公开了一种双面压接背板及其钻孔方法，该方法包括：采用第一钻咀对双面压接背板进行第一控深钻，第一控深钻的钻控深度小于所述双面压接背板的厚度；在所述第一控深钻的同一位置以及相同的方向，采用第二钻咀对所述双面压接背板进行第二控深钻，第二控深钻的钻控深度小于第一控深钻的钻控深度；在与所述第一控深钻垂直投影相同的位置和相反的方向，采用第三钻咀对所述双面压接背板进行第三控深钻，第三控深钻的钻控深度大于双面压接背板的厚度减去第一控深钻的钻控深度。本发明既可以改善板厚对于孔径的限制，又可以保证钻孔的对准度。
【专利说明】双面压接背板及其钻孔方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及PCB (Printed Circuit Board,印刷电路板)【技术领域】,具体而言,涉及一种双面压接背板及其钻孔方法。
【背景技术】
[0002]双面压接背板是PCB产品的一种，其元件面和焊接面都可以插接电子元器件，主要用于服务器及通讯基站。在现有技术中，双面压接背板有两种钻孔工艺，第一种方法是压合后先用小钻咀钻通孔，再用大钻咀在通孔上作两面控深钻，沉铜电镀后再用中等大小的钻咀背钻(中等大小钻咀是指其钻咀直径介于小钻咀和小钻咀之间，实际大小由产品和钻机能力决定)，从而实现双面压接背板的制作；第二种方法是先用大钻咀作两面控深钻，然后在控深钻孔上钻通孔，再进行沉铜、电镀和背钻来实现双面压接背板的制作。
[0003]随着PCB不断向更高密度发展，在电镀深镀能力允许下，背板必然向更高厚径比发展，即板子更厚、通孔孔径更小。
[0004]发明人发现，第一种方法对背板厚度或通孔大小有很大的限制，在板子厚度较大时，较难形成孔径较小的通孔，因为在钻孔过程中，钻出的板屑因孔径较小而难以排出，影响进一步的深度钻孔，未排出的碎屑容易划坏孔壁，造成不合格的通孔。第二种方法本是为了摆脱第一种制作方法的限制，其钻孔对准度问题却是其自身的缺点，这主要是因为通孔是在控深钻孔内进行的，钻咀在钻穿盖板和铝片后还要经过一段悬空距离才能够接触到板材，在此过程中尽管有压脚压住盖板，但钻孔位置毕竟是空的，难免导致铝片凹陷或其它原因造成钻咀偏摆；而且钻咀在悬空一段距离后突然接触到一硬物(板材)，势必会产生偏摆，尽管第一次控深钻孔会对它有些导向作用，但也难以保证不产生不利偏摆。只要有一个孔产生不利偏摆，就可能导致通孔钻偏引起品质不良，甚至是产品报废。
【发明内容】
[0005]本发明提供一种双面压接背板及其钻孔方法，以解决上述现有技术中存在的一个或多个问题。
[0006]为此，本发明提供如下技术方案:
[0007]—种双面压接背板钻孔方法，包括:
[0008]采用第一钻咀对双面压接背板进行第一控深钻，第一控深钻的钻控深度小于所述双面压接背板的厚度；
[0009]在所述第一控深钻的同一位置以及相同的方向，采用第二钻咀对所述双面压接背板进行第二控深钻，第二控深钻的钻控深度小于第一控深钻的钻控深度；
[0010]在与所述第一控深钻垂直投影相同的位置和相反的方向，采用第三钻咀对所述双面压接背板进行第三控深钻，第三控深钻的钻控深度大于双面压接背板的厚度减去第一控深钻的钻控深度；
[0011]其中，所述第二钻咀所钻的孔径大于所述第一钻咀所钻的孔径，所述第三钻咀所钻的孔径大于所述第一钻咀所钻的孔径。
[0012]优选地，所述第三控深钻的钻控深度小于双面压接背板的厚度减去第二控深钻的钻控深度。
[0013]优选地，第二钻咀所钻的孔径比第一钻咀所钻的孔径至少大0.2mm。
[0014]优选地，所述第二钻咀所钻的孔径与所述第三钻咀所钻的孔径相同。
[0015]优选地，所述第一钻咀所钻的孔径彡0.25mm。
[0016]一种双面压接背板，包括压接孔和/或通孔，所述压接孔和/或通孔是在沉铜、电镀工序前采用上述的钻孔方法加工而成。
[0017]本发明提供的双面压接背板及其钻孔方法，既可以改善板厚对于孔径的限制，又可以保证钻孔的对准度。这种利用控深钻孔来加工通孔的工艺也可以用于其它类似PCB板子的制作。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]图1是本发明双面压接背板通孔制作方法第一实施例的流程图；
[0019]图2是本发明实施例中第一控深钻的示意图；
[0020]图3是本发明实施例中第二控深钻的示意图；
[0021]图4是本发明实施例中第三控深钻的示意图；
[0022]图5是本发明双面压接背板通孔制作方法第二实施例的流程图。
【具体实施方式】
[0023]下面将参考附图并结合实施例，来详细说明本发明。
[0024]双面压接背板的厚度比常规板要厚，而且由于厚度的上升和压接器件的使用，对钻孔的精度有着更高的要求。而现有技术对背板厚度或通孔大小有很大的限制，因此，本发明实施例提供一种双面压接背板通孔制作方法，既可以弥补上述方法的不足，又可以确保很好的钻孔对准度。
[0025]如图1所示，是本发明实施例双面压接背板通孔制作方法的流程图，包括以下步骤:
[0026]步骤101，采用第一钻咀对双面压接背板进行第一控深钻，第一控深钻的钻控深度小于所述双面压接背板的厚度；
[0027]步骤102，在所述第一控深钻的同一位置(设计时为相同位置，但更换钻咀后可能会有允许范围内的偏差)以及相同的方向采用第二钻咀对所述双面压接背板进行第二控深钻，第二控深钻的钻控深度小于第一控深钻的钻控深度；
[0028]步骤103，在与所述第一控深钻垂直投影相同的位置和相反的方向(即从板材的另一边)，采用第三钻咀对所述双面压接背板进行第三控深钻，第三控深钻的钻控深度大于双面压接背板的厚度减去第一控深钻的钻控深度。
[0029]优选地，在实际应用中，还可以控制第三控深钻的钻控深度小于双面压接背板的厚度减去第二控深钻的钻控深度。
[0030]需要说明的是，在该实施例中，所述第二钻咀所钻的孔径大于所述第一钻咀所钻的孔径，所述第三钻咀所钻的孔径大于所述第一钻咀所钻的孔径。比如，第二钻咀或第三钻咀所钻的孔径比第一钻咀所钻的孔径至少大0.2mm。
[0031 ] 优选地，可以使第二钻咀所钻的孔径与第三钻咀所钻的孔径相同。
[0032]另外，需要说明的是，第一、第二、第三钻咀孔径的大小是相对的，其钻咀本身大小范围是由PCB产品等级及钻机制作能力决定的。比如，第一钻咀所钻目前能实现的孔径小到 0.25mm。
[0033]图2、图3和图4分别示出了本发明实施例中第一控深钻、第二控深钻和第三控深钻的不意图。
[0034]其中，H为PCB板厚度，Dl、D2、D3分别表示三次控深钻钻咀直径，其中D2、D3 >D1;H1、H2和H3分别表示三次控深深度，其中H2 < Hl，H-Hl < H3 < H-H2。
[0035]显然，这种钻孔方法既可以改善板厚对于孔径的限制，又可以保证钻孔的对准度。
[0036]需要说明的是，本发明实施例提供的这种利用控深钻孔的工艺也可以用于其它类似PCB板子的制作。
[0037]如图5所示，是本发明双面压接背板通孔制作方法第二实施例的流程图。
[0038]与图1所示实施例不同的是，在该实施例中，对双面压接背板进行第一控深钻后，先进行第三控深钻，再进行第二控深钻。这样，可以避免在钻第三控深钻时钻屑将第二控深钻堵住，而且，在钻第二控深钻时，由于第三控深钻已经完成，因此可以降低第二控深钻的加工难度。
[0039]该流程具体包括以下步骤:
[0040]步骤501，采用第一钻咀对双面压接背板进行第一控深钻，第一控深钻的钻控深度小于所述双面压接背板的厚度；
[0041]步骤502，在与所述第一控深钻垂直投影相同的位置以及相反的方向，采用第三钻咀对所述双面压接背板进行第三控深钻，第三控深钻的钻控深度大于双面压接背板的厚度减去第一控深钻的钻控深度；
[0042]步骤503，在与所述第一控深钻相同的位置以及相同的方向，采用第二钻咀对所述双面压接背板进行第二控深钻，第二控深钻的钻控深度小于第一控深钻的钻控深度。
[0043]优选地，在实际应用中，还可以控制第三控深钻的钻控深度小于双面压接背板的厚度减去第三控深钻的钻控深度。
[0044]需要说明的是，在该实施例中，所述第二钻咀所钻的孔径大于所述第一钻咀所钻的孔径，所述第三钻咀所钻的孔径大于所述第一钻咀所钻的孔径。比如，第二钻咀或第三钻咀所钻的孔径比第一钻咀所钻的孔径至少大0.2mm。
[0045]优选地，可以使第二钻咀所钻的孔径与第三钻咀所钻的孔径相同。
[0046]另外，需要说明的是，第一、第二、第三钻咀孔径的大小是相对的，其钻咀本身大小范围是由PCB产品等级及钻机制作能力决定的。比如，第一钻咀所钻的孔径目前可以小至
0.25mm0
[0047]综上，第二控深钻形成于第一控深钻之后，避免【背景技术】中第二种方法所带来的钻孔对准度不精的问题，使得这种钻孔方法可以保证钻孔的对准度。同时，由于第一控深钻的深度小于【背景技术】中第一中方法所形成的通孔深度(并且第一控深钻的控深精度在本发明的实施例中并不需要非常严格，易于操作)，可以改善板厚对于孔径的限制。
[0048]需要说明的是，本发明实施例提供的这种利用控深钻孔的工艺同样也可以用于其它类似PCB板子的制作。
[0049]相应地，本发明实施例还提供一种双面压接背板，该背板上加工有压接孔和/或通孔，所述压接孔和通孔可以采用上述任一种钻孔方法加工而成。
[0050]所述压接孔是指那些不需要焊接，元器件直接插入就能固定的孔，而通孔是指穿过整个线路板，可用于实现内部互连或作为元件的安装定位孔。
[0051]所述双面压接背板的制作过程如下:
[0052]前工序完成内层图形的制作，压合得到多层板，然后按照上述方法加工所需的压接孔和通孔；
[0053]后工序包括:沉铜、电镀、背钻、去毛刺、电镀、外层图形转移、阻焊、表面处理、电测、最终得到成品。
[0054]需要说明的是，以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种双面压接背板钻孔方法，其特征在于，包括: 采用第一钻咀对双面压接背板进行第一控深钻，第一控深钻的钻控深度小于所述双面压接背板的厚度； 在所述第一控深钻的同一位置以及相同的方向，采用第二钻咀对所述双面压接背板进行第二控深钻，第二控深钻的钻控深度小于第一控深钻的钻控深度； 在与所述第一控深钻垂直投影相同的位置和相反的方向，采用第三钻咀对所述双面压接背板进行第三控深钻，第三控深钻的钻控深度大于双面压接背板的厚度减去第一控深钻的钻控深度； 其中，所述第二钻咀所钻的孔径大于所述第一钻咀所钻的孔径，所述第三钻咀所钻的孔径大于所述第一钻咀所钻的孔径。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三控深钻的钻控深度小于双面压接背板的厚度减去第二控深钻的钻控深度。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，第二钻咀所钻的孔径比第一钻咀所钻的孔径至少大0.2mm。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二钻咀所钻的孔径与所述第三钻咀所钻的孔径相同。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一钻咀所钻的孔径>0.25mm。
6.一种双面压接背板，包括压接孔，其特征在于，所述压接孔是在沉铜、电镀工序前采用上述I至5任一项所述的钻孔方法加工而成。
【文档编号】H05K1/02GK104349577SQ201310335047
【公开日】2015年2月11日 申请日期:2013年8月2日 优先权日:2013年8月2日
【发明者】史书汉, 曾凡初 申请人:北大方正集团有限公司, 珠海方正科技多层电路板有限公司, 珠海方正印刷电路板发展有限公司, 方正信息产业控股有限公司