水下抗辐照激光测量设备的制作方法与工艺

技术特征：
1.水下抗辐照激光测量设备，其特征在于，包括两个密封箱体（1）、设于两个密封箱体（1）内的抗辐照屏蔽层（2）、以及分别设于两个密封箱体（1）内的激光发射组件和激光接收组件，两个密封箱体（1）均一侧设有开口，且两者开口处均连接有封闭开口的抗辐照玻璃板（3）；所述激光发射组件和激光接收组件均包括反射镜（4），两者的反射镜（4）均倾斜设置且远离密封箱体（1）的开口侧；所述激光发射组件还包括激光器（5）、激光发射镜头（6）及倾斜设置的两面镜（7），所述两面镜（7）、激光器（5）及激光发射镜头（6）均靠近密封箱体（1）开口侧设置，激光发射镜头（6）正对抗辐照玻璃板（3），两面镜（7）的同一镜面同时面对激光发射组件中反射镜（4）的镜面和激光器（5），激光发射组件中反射镜（4）的镜面同时面对两面镜（7）的镜面和激光发射镜头（6）；所述激光接收组件还包括光电转换器（8）和激光接收镜头（9），所述光电转换器（8）和激光接收镜头（9）均靠近密封箱体（1）开口侧设置，激光接收镜头（9）正对抗辐照玻璃板（3），激光接收组件中反射镜（4）的镜面同时面对光电转换器（8）和激光接收镜头（9）。2.根据权利要求1所述的水下抗辐照激光测量设备，其特征在于，所述激光发射组件和激光接收组件的数量均为两个，两个激光发射组件设于同一密封箱体（1）内，两个激光发射组件水平高度相同且在纵向上间隔一定距离设置；两个激光接收组件设于同一密封箱体（1）内，两个激光接收组件水平高度相同且在纵向上间隔一定距离设置。3.根据权利要求1所述的水下抗辐照激光测量设备，其特征在于，所述激光发射镜头（6）和激光接收镜头（9）均采用含铈玻璃材料制成，所述抗辐照屏蔽层（2）采用铅制成。4.根据权利要求1所述的水下抗辐照激光测量设备，其特征在于，所述密封箱体（1）内设有水下电源主板，所述水下电源主板通过通信电缆同时为激光发射组件和激光接收组件供电。5.根据权利要求1所述的水下抗辐照激光测量设备，其特征在于，所述密封箱体（1）连接有防水接头组件，所述防水接头组件包括管状的防水接座（10）和管状的防水接头（11），所述防水接座（10）与密封箱体（1）的侧壁连接且接通密封箱体（1）内部与外界，所述防水接头（11）一端套设在防水接座（10）上，所述密封箱体（1）和防水接头（11）两者与防水接座（10）之间均设置有密封垫圈。6.根据权利要求1所述的水下抗辐照激光测量设备，其特征在于，还包括检漏管（12），所述检漏管（12）一端与两个密封箱体（1）中容置激光发射组件的密封箱体（1）连接且接通外界与该密封箱体（1）内部，其另一端连接有封头（13）；所述检漏管（12）与封头（13）之间设置有密封垫圈。7.根据权利要求1～6中任意一项所述的水下抗辐照激光测量设备，其特征在于，还包括控制系统，所述控制系统包括水上控制箱、水下处理电路板（14）及上位机，所述水上控制箱包括控制器及与控制器连接的显示器和键盘板，控制器与上位机连接；所述水下处理电路板（14）设于容置激光接收组件的密封箱体（1）内，水下处理电路板（14）包括顺次连接的信号放大电路、检波电路、波形处理电路、数字信号处理电路，所述处理器通过通讯电缆与水上控制箱的控制器连接，所述信号放大电路与光电转换器（8）连接，信号放大电路上设置有数字电位器。8.根据权利要求7所述的水下抗辐照激光测量设备，其特征在于，所述处理器和控制器均采用STM32系列的ARM处理器，数字信号处理电路采用EPM1270芯片。9.根据权利要求7所述的水下抗辐照激光测量设备，其特征在于，所述处理器和控制器均连接有磁隔离的485通讯芯片，所述处理器与控制器通过两端分别连接在两者磁隔离的485通讯芯片上的通讯电缆连接。10.根据权利要求7所述的水下抗辐照激光测量设备，其特征在于，所述水下处理电路板（14）设置在同一PCB板上，该PCB板具有四层PCB。