一种提高市电抗干扰能力的led调光优化电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及LED领域，公开了一种提高市电抗干扰能力的LED调光优化电路，包括电压波动抗干扰电路和电流纹波吸收电路，所述电压波动抗干扰电路与电流纹波吸收电路并联后接与LED调光电路的输出端。采用该方案，能够加强LED调光电路对市电的抗干扰能力。
【专利说明】—种提局市电抗干扰能力的LED调光优化电路
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及LED领域，特别涉及一种提高市电抗干扰能力的LED调光优化电路。
【背景技术】
[0002]LED照明灯具采用TRIAC调光器进行调光并不是一个好的选择。之所以半导体供应商普遍在推出支持TRIAC调光的LED驱动器，其实并不是因为这种调光方式有什么特别优异的性能，只是因为消费者图方便，因为今天很多欧美家庭市场普遍在使用TRIAC调光器对白炽灯进行调光，他们希望用LED灯具直接替代白炽灯泡，而不需要对现有基础设施进行任何改造，亦即不需要进行任何重新布线工作。
[0003]相对于白炽灯阻性负载来说，容性负载的LED照明灯具应用于TRIAC调光器会带来兼容性和抗干扰性的问题。特别是市电抗干扰问题尤为突出，由于LED容性负载与电网的寄生参数产生振荡而容易造成输出光闪烁，同时也存在LED频闪问题，这些都严重地影响消费者使用体验，甚至会带来健康问题。
实用新型内容
[0004]本实用新型实施例的目的在于提供一种提高市电抗干扰能力的LED调光优化电路，能够加强LED调光电路对市电的抗干扰能力。
[0005]本实用新型实施例提供的一种提高市电抗干扰能力的LED调光优化电路，包括电压波动抗干扰电路和电流纹波吸收电路，所述电压波动抗干扰电路与电流纹波吸收电路并联后接与LED调光电路的输出端。
[0006]所述电压波动抗干扰电路包括第一电解电容(Cl)、二极管(Dl)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、M0S管(Ql)，其中，
[0007]所述第一电解电容(Cl)的正极与二极管(Dl)的负极，第二电阻(R2)、第三电阻(R3)的一端分别连接，第一电解电容(Cl)的负极与所述LED调光电路的输出端负极连接，所述第二电阻(R2)的另一端通过MOS管(Ql)与二极管(Dl)的正极连接，所述第三电阻(R3)的另一端与所述二极管(Dl)的正极连接，所述二极管(Dl)的正极与所述LED调光电路的输出端正极连接。
[0008]所述电流纹波吸收电路包括第二电解电容(C2)、第一电阻(Rl)，所述第二电解电容(C2)与第一电阻(Rl)并联，所述第二电解电容(C2)的负极与所述LED调光电路的输出端负极连接，所述第二电解电容(C2)的正极与所述MOS管(Ql)连接。
[0009]可选地，所述MOS管(Ql)是N沟道增强型场效应管。
[0010]可选地，所述二极管(Dl)采用普通硅整流二极管。
[0011]由上可见，应用本实施例技术方案，由于将本实施例技术方案应用于LED可控娃调光电路的输出端，通过电压波动抗干扰电路对市电干扰的抑制和电流纹波吸收电路对电流波动的裳减，可以加强调光电路对市电的抗干扰能力和提闻调光广品的调光深度和连续性，同时也解决了 LED频闪问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0013]图1为本实用新型提供的一种提高市电抗干扰能力的LED调光优化电路框图；
[0014]图2为本实用新型提供的另一种提高市电抗干扰能力的LED调光优化电路图。
【具体实施方式】
[0015]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0016]实施例:
[0017]本实施例提供一种提高市电抗干扰能力的LED调光优化电路，如图1所示，包括两部分电路:电压波动抗干扰电路10和电流纹波吸收电路20，电压波动抗干扰电路10和电流纹波吸收电路20并联后接与LED调光电路的输出端。
[0018]如图2所示，可以但不限于，所述电压波动抗干扰电路10包括第一电解电容Cl、二极管D1、第二电阻R2和第三电阻R3、MOS管Q1。所述电流纹波吸收电路20包括第二电解电容C2、第一电阻R1，其中，所述第一电解电容Cl的正极与二极管Dl的负极，第二电阻R2、第三电阻R3的一端分别连接，第一电解电容Cl的负极与所述LED调光电路的输出端负极连接，
[0019]所述第二电阻R2的另一端通过MOS管Ql与二极管Dl的正极连接，
[0020]所述第三电阻R3的另一端与所述二极管Dl的正极连接，所述二极管Dl的正极与所述LED调光电路的输出端正极连接。
[0021]所述MOS管Ql是N沟道增强型场效应管，工作在恒流区。
[0022]所述二极管Dl是普通硅整流二极管，构成第一电解电容Cl的快速充电回路，在低电压输入时保障LED调光电源的调光深度。
[0023]所述第三电阻R3构成第一电解电容Cl的放电回路，在市电干扰时保障LED调光电源的调光连续性。
[0024]所述第二电解电容C2与第一电阻Rl并联，所述第二电解电容C2的负极与所述LED调光电路的输出端负极连接，所述第二电解电容C2的正极与所述MOS管Ql连接，所述第二电解电容C2是电流纹波吸收元件，在输出电流纹波系数较大时保障LED调光无频闪。
[0025]由上可见，将本实施例技术方案应用于LED可控硅调光电路的输出端，通过电压波动抗干扰电路对市电干扰的抑制和电流纹波吸收电路对电流波动的衰减，可以加强调光电路对市电的抗干扰能力和提高调光产品的调光深度和连续性，同时也解决了 LED频闪问题。
[0026]以上所述的实施方式，并不构成对该技术方案保护范围的限定。任何在上述实施方式的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在该技术方案的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种提高市电抗干扰能力的LED调光优化电路，其特征在于，包括电压波动抗干扰电路和电流纹波吸收电路，所述电压波动抗干扰电路与电流纹波吸收电路并联后接与LED调光电路的输出端，所述电压波动抗干扰电路包括第一电解电容(Cl)、二极管(Dl)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、M0S管(Ql)，其中， 所述第一电解电容(Cl)的正极与二极管(Dl)的负极，第二电阻(R2)、第三电阻(R3)的一端分别连接，第一电解电容(Cl)的负极与所述LED调光电路的输出端负极连接，所述第二电阻(R2)的另一端通过MOS管(Ql)与二极管(Dl)的正极连接，所述第三电阻(R3)的另一端与所述二极管(Dl)的正极连接，所述二极管(Dl)的正极与所述LED调光电路的输出端正极连接， 所述电流纹波吸收电路包括第二电解电容(C2)、第一电阻(R1)，所述第二电解电容(C2)与第一电阻(Rl)并联，所述第二电解电容(C2)的负极与所述LED调光电路的输出端负极连接，所述第二电解电容(C2)的正极与所述MOS管(Ql)连接。
2.如权利要求1所述的一种提高市电抗干扰能力的LED调光优化电路，其特征在于，所述MOS管(Ql)是N沟道增强型场效应管。
3.如权利要求1所述的一种提高市电抗干扰能力的LED调光优化电路，其特征在于，所述二极管(Dl)采用普通硅整流二极管。
【文档编号】H05B37/02GK204090208SQ201420304078
【公开日】2015年1月7日 申请日期:2014年6月9日 优先权日:2014年6月9日
【发明者】李先祥, 罗中良, 罗思欣 申请人:罗思欣