半导体材料少子寿命测试装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及集成电路制造技术领域，特别涉及一种半导体材料少子寿命测试
目.0
【背景技术】
[0002]通过MffPCD(MicrowavePhotoconductivity Decay，微波光电导衰减)的方法测试半导体材料的非平衡载流子(通常称少子)寿命是一种比较常见的方法。主要是通过激光照射半导体材料，激发电子空穴对以改变半导体材料瞬时的电导率，并用微波垂直入射到半导体材料进行测量，通过微波反射信号的变化，测量半导体材料的少子寿命。
[0003]但由于半导体材料少子寿命较小，多为ps(皮秒)或ns(纳秒)量级，无法较好的测量其衰减曲线，所以有使用微波垂直反射信号的峰值(PEAK VALUE)来间接反映半导体材料的少子寿命的方法和装置。
[0004]请参考图1，其为现有的半导体材料少子寿命测试装置。如图1所示，所述半导体材料少子寿命测试装置I包括载台(Stage)lO、微波探头12以及激光头13，其中，所述载台10用以承载样品11，所述微波探头12用以发射探测微波，所述激光头13用以发射激光。所述样品11包括玻璃基板110及形成于玻璃基板110上的半导体材料层1110具体的，所述载台10包括金属平板100以及位于所述金属平板100上的绝缘材料层101，所述金属平板100用于反射透过样品11的微波，以增强样品11信号;所述绝缘材料层101用于增强其上样品11所处的微波场信号敏感度，从而增强样品11电导率变化时微波反射信号的变化。
[0005]但是由于探测微波不仅会沿垂直方向传播和反射，也会沿着横向进行传播，所以在测试样品11时其边缘反射回来的第一反射微波14将和绝缘材料层101边缘反射回来的第二反射微波15在样品11的固定位置形成干涉，产生干扰信号，从而对检测结果形成影响。请参考图2，其为现有的半导体材料少子寿命测试装置做出的半导体材料少子寿命检测图(mapping)。如图2所示，所述检测图上具有周期性的波纹和横竖条纹，此即干扰信号。
[0006]因此，如何避免半导体材料少子寿命测试装置在检测半导体材料少子寿命时形成干涉，成了本领域技术人员亟待解决的一个问题。
【实用新型内容】
[0007]本实用新型的目的在于提供一种半导体材料少子寿命测试装置，以解决现有的半导体材料少子寿命测试装置在检测半导体材料少子寿命时形成干涉，产生干扰信号，从而对检测结果形成影响的问题。
[0008]为解决上述技术问题，本实用新型提供一种半导体材料少子寿命测试装置，所述半导体材料少子寿命测试装置包括:载台、位于所述载台上方的微波探头以及激光头，其中，所述载台包括金属平板以及位于所述金属平板上的绝缘材料层，所述绝缘材料层包括底面、与底面相对的顶面及连接顶面与底面的侧面，其中所述绝缘材料层的侧面与底面的夹角小于等于45°。
[0009]可选的，在所述的半导体材料少子寿命测试装置中，所述绝缘材料层的每个侧面上具有多个凹陷。
[0010]可选的，在所述的半导体材料少子寿命测试装置中，所述多个凹陷所占的侧面面积大于等于侧面总面积的60%。
[0011]可选的，在所述的半导体材料少子寿命测试装置中，所述凹陷的形状为不规则形状。
[0012]可选的，在所述的半导体材料少子寿命测试装置中，所述凹陷的深度为0.5mm?Imm0
[0013]可选的，在所述的半导体材料少子寿命测试装置中，所述绝缘材料层的每个侧面上具有多个凸起。
[0014]可选的，在所述的半导体材料少子寿命测试装置中，所述多个凸起所占的侧面面积大于等于侧面总面积的60%。
[0015]可选的，在所述的半导体材料少子寿命测试装置中，所述凸起的高度为0.5mm?Imm0
[0016]可选的，在所述的半导体材料少子寿命测试装置中，所述绝缘材料层的每个侧面表面形成有微波吸收材料层。
[0017]可选的，在所述的半导体材料少子寿命测试装置中，所述微波吸收材料层为铁氧体层。
[0018]可选的，在所述的半导体材料少子寿命测试装置中，所述微波吸收材料层的厚度为0.5mm?Imm0
[0019]在本实用新型提供的半导体材料少子寿命测试装置中，绝缘材料层的侧面与底面的夹角小于等于45°，由此能够使得发射到绝缘材料层侧面的微波向绝缘材料层底面反射，从而可减少绝缘材料层侧面反射的微波与样品侧面反射的微波形成干涉的几率，由此可减弱甚至消除干扰信号。
[0020]进一步的，所述绝缘材料层的每个侧面上具有多个凹陷或凸起，可使得发射到绝缘材料层侧面的微波向多个方向反射，从而可进一步减少绝缘材料层侧面反射的微波与样品侧面反射的微波形成干涉的几率，进而可进一步减弱甚至消除干扰信号。
[0021]更进一步的，所述绝缘材料层的每个侧面表面形成有微波吸收材料层，从而可部分吸收发射到绝缘材料层侧面的微波，进而可进一步减少绝缘材料层侧面反射的微波与样品侧面反射的微波形成干涉的几率，进一步减弱甚至消除干扰信号。
【附图说明】
[0022]图1是现有的半导体材料少子寿命测试装置的结构示意图；
[0023]图2是现有的半导体材料少子寿命测试装置做出的半导体材料少子寿命检测图(mapping)；
[0024]图3是本实用新型实施例一的半导体材料少子寿命测试装置的结构示意图；
[0025]图4是图3所示的半导体材料少子寿命测试装置做出的半导体材料少子寿命检测图(mapping)；
[0026]图5是本实用新型实施例二的半导体材料少子寿命测试装置的结构示意图。
【具体实施方式】
[0027]以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的半导体材料少子寿命测试装置作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
[0028]【实施例一】
[0029]请参考图3，其为本实用新型实施例一的半导体材料少子寿命测试装置的结构示意图。如图3所示，所述半导体材料少子寿命测试装置2包括:载台20、位于所述载台20上方的微波探头22以及激光头23，其中，所述载台20包括金属平板200以及位于所述金属平板200上的绝缘材料层201，所述绝缘材料层201包括底面、与底面相对的顶面及连接顶面与底面的侧面，所述侧面与底面的夹角A小于等于45°。其中，所述载台20用以承载样品21，所述微波探头22用以发射探测微波，所述激光头23用以发射激光，所述样品21包括玻璃基板210及形成于玻璃基板210上的半导体材料层211。
[0030]由于所述绝缘材料层201的侧面与底面的夹角A小于等于45°，由此便能够使得发射到绝缘材料层201侧面的微波向绝缘材料层201底面反射，从而可减少绝缘材料层201侧面反射的微波与样品21侧面反射的微波(更具体为所述玻璃基板210侧面反射的微波)形成干涉的几率，由此可减弱甚至消除干扰信号。
[0031]进一步的，所述绝缘材料层201的每个侧面上具有多个凹陷202(图3中示意性的示出了两个侧面，以及每个侧面具有两个凹陷202)，在本申请实施例中，所述凹陷202的形状为圆锥形状。在本申请的其他实施例中，所述凹陷202的形状也可以为半球形状、长方体形状、圆台形状、圆