一种霍山石斛栽培方法
【专利摘要】一种霍山石斛栽培方法，采用遮荫大棚进行，栽培养料为：袋袋装木屑、碎石料、碎树叶；充分利用当地林木加工后的废弃资源，充分利用当地的建筑工地加工的废料，在大棚内控制水、温度、光照，开创了一条废弃资源的循环利用之路。本发明方法栽培所得霍山石斛的投入产出比其他霍山石斛栽培方法产出率高，实现了霍山石斛的安全高效栽培，既实现了可持续发展的经济发展模式，又保护了濒危绝迹的野生霍山石斛资源。
【专利说明】一种霍山石斛栽培方法 【【技术领域】】
[0001] 本发明涉及一种霍山石斛栽培方法，属于植物栽培【技术领域】。 【技术背景】
[0002] 霍山石斛（学名：Dendrobium huoshanense)俗称米斛，是兰科石斛属的草本植 物。主产于大别山区的安徽省霍山县，大多生长在云雾缭绕的悬崖峭壁崖石缝隙间和参天 古树上。霍山石斛能大幅度提高人体内SOD(延缓衰老的主要物质）水平，对经常熬夜、用 脑、烟酒过度，体虚乏力的人群，经常饮用非常适宜。霍山石斛具有明目作用，也能调和阴 阳、壮阳补肾、养颜驻容，从而达到保健益寿的功效。具有独特的药用价值，以其茎入药，中 药名：石斛，属补益药中的补阴药。霍山石斛的生长环境比较特殊，而且霍山石斛成活率低， 种子不易发芽，自然繁殖率极低；又因为生态破坏严重，生存环境恶化，加上人们长期的采 挖，野生霍山石斛资源越来越稀少，种源已濒临枯竭，因此发展人工栽培霍山石斛已经成为 保护和利用霍山石斛资源的必然之路。 【
【发明内容】
】
[0003] 本发明的目的是提供了一种霍山石斛栽培方法，实现了霍山石斛的安全高效栽 培，既实现了可持续发展的经济发展模式，又保护了濒危绝迹的野生霍山石斛资源。
[0004] 为达到上述目的，本发明采用的技术方案如下：
[0005] (1)采用木屑、碎石料、碎树叶按照2 : 1 : 2的比例混合作为霍山石斛的栽培基 质，在使用木屑、碎石料、碎树叶前均需要经过高温消毒灭菌后，再加入3%的纳米碳、加入 2%的钥酸铵、加入1%的红糖、加入4%氢氧化名品、加入3%酒精废液，搅拌混合均匀；
[0006] (2)选种1年生的生长健壮、萌芽多、根系发达、无病虫害的株种做为霍山石斛的 培养幼苗。
[0007] (3)将株种以3株一丛种植在按比例配好的栽培基质上，丛与丛之间相距30厘米， 株与株之间相隔20-25厘米使其自然伸展生长，基质将其根系全部覆盖住为宜。
[0008] (4)栽植后要注意调节大棚内的温度，霍山石斛最适宜生长的温度为20-32°C， 采用大棚栽培，大棚温度也应调在25-28 °C之间；最适宜霍山石斛生长的光照强度为 5000-100001UX，采用大棚栽培，大棚要注意遮阴，调节光照强度，避免光照过强或光照不足 而影响霍山石斛幼苗的生长。
[0009] (5)浇水给栽培的石斛幼苗要注意加强对水分的控制，保持基质处于湿润状态，相 对水份控制在质含水量在40%?50%之间为宜，移栽后7天内（幼苗尚未发新根）空气湿 度保持在85 %左右，7天后，植株开始发生新根，空气湿度保持在70 %?80 %，过干影响成 活率，过湿容易烂根。栽种后的一个月施一次有机肥，帮助其茁壮成长，之后每隔两个月再 施一次有机肥。
[0010] (6)定时给其修枝除草，在采收老茎时要将丛内的枯茎剪除，每年要除草2次，每 隔半年除草一次。
[0011] (7)病虫害的预防，霍山石斛幼苗在生长期间容易发生煤污病、腐烂病、炭疽病等， 要以预防为注，因此没有发生严重的病虫害前要用托布津稀释或多菌灵液喷雾。
[0012] (8)采用大棚栽培，要3年采收一次，以栽培霍山石斛的当月进行，将无叶的茎条 和干燥的茎剪下，留嫩去老。
[0013] 所述的有机肥是由25% -35%的人畜粪、20% -30%的水稻秸杆、20% -30%的花 生壳经发酵而成，预防病虫害的托布津和多菌灵为，75 %托布津稀释1000倍或50 %多菌灵 500倍液喷雾。 【【具体实施方式】】
[0014] 一种霍山石斛栽培方法，包括以下步骤：
[0015] (1)采用木屑、碎石料、碎树叶按照2 : 1 : 2的比例混合作为霍山石斛的栽培基 质，在使用木屑、碎石料、碎树叶前均需要经过高温2消毒灭菌后，再加入3%的纳米碳、力口 入2%的钥酸铵、加入1%的红糖、加入4%氢氧化名品、加入3%酒精废液，搅拌混合均匀；
[0016] (2)选种1年生的生长健壮、萌芽多、根系发达、无病虫害的株种做为霍山石斛的 培养幼苗。
[0017] (3)将株种以3株一丛种植在按比例配好的栽培基质上，丛与丛之间相距30厘米， 株与株之间也要给予适当的空间使其自然伸展生长，基质将其根系全部覆盖住为宜。
[0018] (4)栽植后要注意调节大棚内的温度，霍山石斛最适宜生长的温度为20度-32 度，采用大棚栽培，大棚温度也应调在25?28°C之间；最适宜霍山石斛生长的光照强度为 5000-100001UX，采用大棚栽培，大棚要注意遮阴，调节光照强度，避免光照过强或光照不足 而影响霍山石斛幼苗的生长。
[0019] (5)浇水给栽培的石斛幼苗要注意加强对水分的控制，保持基质处于湿润状态，相 对水份控制在质含水量在40%?50%为宜度之间，移栽后7天内（幼苗尚未发新根）空气 湿度保持在85 %左右，7天后，植株开始发生新根，空气湿度保持在70 %?80 %，过干影响 成活率，过湿容易烂根。栽种后的一个月施一次有机肥，帮助其茁壮成长，之后每隔两个月 再施一次有机肥。
[0020] (6)定时给其修枝除草，在采收老茎时要将丛内的枯茎剪除，每年要除草2次，每 隔半年除草一次。
[0021] (7)病虫害的预防，霍山石斛幼苗在生长期间容易发生煤污病、腐烂病、炭疽病等， 要以预防为注，因此没有发生严重的病虫害前要用托布津稀释或多菌灵液喷雾。
[0022] (8)采用大棚栽培，要3年采收一次，以栽培霍山石斛的当月进行，将无叶的茎条 和干燥的茎剪下，留嫩去老。
[0023] 所述的有机肥是由25% -35%的人畜粪、20% -30%的水稻秸杆、20% -30%的花 生壳经发酵而成，预防病虫害的托布津和多菌灵为，75 %托布津稀释1000倍或50 %多菌灵 500倍液喷雾。
[0024]
【权利要求】
1. 一种霍山石斛栽培方法，采用遮荫大棚进行栽培，其特征在于包括以下步骤： (1) 采用木屑、碎石料、碎树叶按照2 : 1 : 2的比例混合作为霍山石斛的栽培基质，在 使用木屑、碎石料、碎树叶前均需要经过适当消毒灭菌后，再加入3%的纳米碳、加入2%的 钥酸铵、加入1 %的红糖、加入4%氢氧化名品、加入3%酒精废液，搅拌混合均匀； (2) 选种1年生的生长健壮、萌芽多、根系发达、无病虫害的株种做为霍山石斛的培养 幼苗； (3) 将株种以3株一丛种植在按比例配好的栽培基质上，丛与丛之间相距30厘米，株与 株之间相隔20-25厘米使其自然伸展生长，基质将其根系全部覆盖住为宜； (4) 栽植后要注意调节大棚内的温度，霍山石斛最适宜生长的温度为20-32 °C， 采用大棚栽培，大棚温度也应调在25-28°C之间；最适宜霍山石斛生长的光照强度为 5000-100001UX，采用大棚栽培，大棚要注意遮阴，调节光照强度，避免光照过强或光照不足 而影响霍山石斛幼苗的生长； (5) 浇水给栽培的石斛幼苗要注意加强对水分的控制，保持基质处于湿润状态，相对水 份控制在质含水量在40%?50%之间为宜，移栽后7天内（幼苗尚未发新根）空气湿度保 持在85 %左右，7天后，植株开始发生新根，空气湿度保持在70 %?80%，过干影响成活率， 过湿容易烂根。栽种后的一个月施一次有机肥，帮助其茁壮成长，之后每隔两个月再施一次 有机肥； (6) 定时给其修枝除草，在采收老茎时要将丛内的枯茎剪除，每年要除草2次，每隔半 年除草一次； (7) 病虫害的预防，霍山石斛幼苗在生长期间容易发生煤污病、腐烂病、炭疽病等，要以 预防为注，因此没有发生严重的病虫害前要用托布津稀释或多菌灵液喷雾； (8) 采用大棚栽培，要3年采收一次，以栽培霍山石斛的当月进行，将无叶的茎条和干 燥的茎剪下，留嫩去老。
2. 如权利要求1所述的霍山石斛栽培方法，其特征在于，所述的有机肥是由25%-35% 的人畜粪、20% -30%的水稻秸杆、20% -30%的花生壳经发酵而成。
3. 如权利要求1所述的霍山石斛栽培方法，预防病虫害的托布津和多菌灵为，75%托 布津稀释1000倍或50%多菌灵500倍液喷雾。
【文档编号】A01G31/00GK104285773SQ201410627917
【公开日】2015年1月21日 申请日期:2014年11月11日 优先权日:2014年11月11日
【发明者】蒋丽红 申请人:蒋丽红