本发明涉及一种蔬菜种植技术，具体涉及一种提高洋葱发芽率的种植方法，属于农业技术领域。
背景技术：
目前,洋葱在我国的栽培面积不断扩大,生产发展具有很大的潜力,但是种子发芽比较困难,且发芽时间长,发芽不整齐,特别是随着近年穴盘育苗技术的普及,由于洋葱种子发芽率低、发芽不整齐,造成穴盘育苗中的基质浪费,如果进行补苗又需要大量的人工,还会造成苗子生长不均匀。如何提高洋葱种子发芽率,降低生产成本是目前育苗中急待解决的问题。
技术实现要素：
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种提高洋葱发芽率的种植方法。
为解决上述问题，本发明所采取的技术方案如下：
一种提高洋葱发芽率的种植方法，所述提高洋葱发芽率的种植方法包括如下步骤：
（1）选种预处理：选择成熟适度且当年新收的洋葱种子，种子浸种催芽前要在晴天太阳下晒4-6小时；
（2）浸种催芽：用75%酒精浸泡洋葱种子30秒，结束后用无菌去离子水冲洗5-6次，将消毒后的洋葱种子浸没在药水中，后置于恒温箱中浸种催芽一段时间，浸种结束后将药水倒掉，随即用无菌去离子冲洗3～4次，之后盛于容器中用湿布巾覆盖催芽，备用；
（3）播种：选择肥沃疏松、保水性强、有机质含量高的中性土壤作为田块，施足基肥，精耕细作，用百菌清水溶液对已经浸种催芽处理的种子进行灭菌处理，浸种催芽灭菌处理后的种子应及时播种，播种后先覆土1厘米厚并加压，等种子破土时再补撒0.5厘米厚细干土，洋葱整个生育期均进行超声波处理，种子播种后用稻草帘覆盖，待有10-15%的幼苗出土时将草帘掀开，若发现杂草应及时拔除，若发现病虫害应及时防治。
作为上述技术方案的改进，所述药水为1%-3%过氧化氢溶液，药水温度为20℃-25℃。
作为上述技术方案的改进，所述浸种时间为3-5小时。
本发明所述提高洋葱发芽率的种植方法，在播种前使用过氧化氢溶液对洋葱种子进行浸种催芽，有助于提高种子发芽率，促使种子发芽整齐,并且降低成本，在洋葱整个生育期间进行超声波处理，有利于达到促进作物生长、提高产量的目的。
具体实施方式
下面将结合具体的实施例来说明本发明的内容。
一种提高洋葱种子发芽率的方法，所述提高洋葱发芽率的方法包括如下步骤：
（1）选种预处理：因洋葱种子寿命较短，应选择成熟适度且当年新收的洋葱种子，种子浸种催芽前要在晴天太阳下晒4-6小时，一方面是为了用阳光中的紫外线杀死种子表面的微生物，使种子保持健康，另一方面种子在储存的时候有可能处于休眠状态，光照和适宜的温度有助于种子恢复活性，增强种皮透气性,激发酶的活力,有效提高种子发芽率；
（2）浸种催芽：用75%酒精浸泡洋葱种子30秒，75%酒精穿透细菌孢子的能力较强，而且容易杀死它们，结束后用无菌去离子水冲洗5-6次，将消毒后的洋葱种子浸没在20℃-25℃药水中，后置于恒温箱中催芽，所述药水为1%-3%过氧化氢溶液，浸种时间为3-5小时，1%-3%过氧化氢溶液不仅可以起到打破种子休眠的作用，还可以提高种子发芽率，况且成本低，浓度过高则会发生刺激性灼伤，种子浸泡时间过长反而会降低发芽率，以3-5小时为宜，浸种结束后将药水倒掉，因为过氧化氢有轻微的腐蚀性，所以需要洗涤种子，随即用无菌去离子冲洗3～4次，之后盛于容器中用湿布巾覆盖催芽，备用，浸种催芽的目的不仅可以软化种皮，使更多的氧气进入种子内部，加强细胞呼吸和新陈代谢作用，排除二氧化碳，而且在细胞吸水后，种子内部的各种酶开始发挥作用，把储藏的营养物质进行分解，供胚利用，为胚根、胚芽突破种皮，向外生长创造条件；
（3）播种：选择肥沃疏松、保水性强、有机质含量高的中性土壤作为田块，施足基肥，浅耕细耙，精耕细作，使得土肥充分掺拌均匀，用百菌清水溶液对已经浸种催芽处理的种子进行灭菌处理，可以有效防止细菌真菌感染，具有保护种子的作用，浸种催芽灭菌处理后的种子应及时播种，土壤要求湿润，播种后先覆土1厘米厚并加压，使土壤与种子吻合，等种子破土时再补撒0.5厘米厚细干土，以防止带帽出土，这样可促进根系发育，保护地育苗，此外，洋葱整个生育期均进行超声波处理，种子的频率与超声波所加的频率发生共振时，产生强大的冲击波或射流等冲击种子表面，改变细胞的壁膜结构，使细胞内外发生物质交换,种子内的酶活性提高，促进种子萌发，同时能够增强营养物质在细胞内的热传递而使微生物失活，达到促进作物生长、提高产量的目的，因洋葱为喜阴植物，不需要太强的阳光照射，所以用稻草帘覆盖，待有10-15%的幼苗出土时将草帘掀开，若发现杂草应及时拔除，若发现病虫害应及时防治。
本发明所述提高洋葱发芽率的种植方法，在播种前使用过氧化氢溶液对洋葱种子进行浸种催芽，有助于提高种子发芽率，促使种子发芽整齐,并且降低成本，在洋葱整个生育期间进行超声波处理，有利于达到促进作物生长、提高产量的目的。
以上内容是结合具体的实施例对本发明所作的详细说明，不能认定本发明具体实施仅限于这些说明。对于本发明所属技术领域的技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明保护的范围。