本发明涉及霍山石斛种植技术领域，具体为一种霍山石斛的石栽技术。
背景技术：
霍山石斛主产于大别山区的安徽省霍山县，大多生长在云雾缭绕的悬崖峭壁崖石缝隙间和参天古树上，生于山地林中树干上和山谷岩石上。霍山石斛能大幅度提高人体内sod（延缓衰老的主要物质）水平，对经常熬夜、用脑、烟酒过度，体虚乏力的人群，经常饮用非常适宜。霍山石斛有明目作用，也能调和阴阳、壮阳补肾、养颜驻容，从而达到保健益寿的功效，但是现有的霍山石斛石栽技术并不完善，导致霍山石斛的发芽成功率不高，为此，我们提出了一种霍山石斛的石栽技术来解决上述问题。
技术实现要素：
（一）解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种霍山石斛的石栽技术，具备霍山石斛发芽率较高的优点，解决了现有技术导致霍山石斛发芽率较低的问题。
（二）技术方案
为实现上述霍山石斛发芽率较高的目的，本发明提供如下技术方案：一种霍山石斛的石栽技术，包括以下步骤：
1）种子的选择：选取颗粒饱满的霍山石斛种子，种子表面无损伤、无干瘪等损坏问题；
2）种子的贮藏：将步骤1）中选好的种子放置在-5℃至-10℃的低温环境中贮藏，贮藏时间不应超过15天；
3）种子的解冻：将贮藏的种子使用快速化冻机进行快速化冻处理，化冻时间为3-5分钟，化冻好的种子以待备用；
4）种植区域选择：选取石灰岩含量较高的石山作为种植场地，种植区域的坡度范围在20°-30°，种植区域位于石山山坡的北面，种植场地的林木平均高度在4-6米以上，林间透光率为40％-45％，林隙栽植处遮阴度在55％-65％；
5）种植时间选择；栽培时间宜选择在每年的4-6月份；
6）开凿种植孔：在石山山坡的表面每隔0.1-0.15米的距离使用钻头直径为3-5厘米的冲击钻开凿一个深度为10厘米的种植孔；
7）开挖排水渠：在步骤6）开凿好的种植孔的两侧开挖一个宽度为20-30厘米的排水渠；
8）栽培基质选取以及使用：按照以下重量份数配比的原料：40份碎石、30份有机肥以及30份松树树皮，使用搅拌机对以上原料进行搅拌混合后，放入至已经开凿好的种植孔内；
9）种子栽培处理：将化冻好的种子放置在栽培基质上，然后在种子的上方平铺一层厚度约为3-5毫米的栽培基质；
10）日常栽培处理：每隔一周对种植孔进行施肥处理，同时每天采用自动或者人工方式浇足水，每天使用喷灌设备对种子进行一次喷灌处理。
优选的，在步骤8）中的有机肥包括以下重量份数配比的原料：蒸馏水100份、蚯蚓粪20份、聚丙烯酰胺1份、磷酸氢二钾10份、柠檬酸钙5份、改性磷矿粉2份、葡萄糖酸锌5份、井冈霉素3份。
优选的，在步骤8）中的松树树皮使用粉碎机粉碎成2-3厘米的松树碎屑。
（三）有益效果
与现有技术相比，本发明提供了一种霍山石斛的石栽技术，具备以下有益效果：
1、该霍山石斛的石栽技术，通过将霍山石斛种植在石山山坡的北面，种植场地的林木平均高度在4-6米以上，林间透光率为40％-45％，林隙栽植处遮阴度在55％-65％，保证了霍山石斛可以利用林木枝叶适当的遮阴效果保证了霍山石斛在生长过程中的保水性以及通风透气性，从而大大提高了该霍山石斛的石栽技术良好的栽培效果。
2、该霍山石斛的石栽技术，通过对霍山石斛施放有机肥，有机肥主要成分为生物粪便，再掺杂一些对土壤以及霍山石斛无害的有机物，大大提高了该霍山石斛的石栽技术对霍山石斛发芽的成功率，从而保证了霍山石斛较高的发芽率。
具体实施方式
下面将结合本发明的实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
一种霍山石斛的石栽技术，包括以下步骤：
1）种子的选择：选取颗粒饱满的霍山石斛种子，种子表面无损伤、无干瘪等损坏问题；
2）种子的贮藏：将步骤1）中选好的种子放置在-5℃至-10℃的低温环境中贮藏，贮藏时间不应超过15天；
3）种子的解冻：将贮藏的种子使用快速化冻机进行快速化冻处理，化冻时间为3-5分钟，化冻好的种子以待备用；
4）种植区域选择：选取石灰岩含量较高的石山作为种植场地，种植区域的坡度范围在20°-30°，种植区域位于石山山坡的北面，种植场地的林木平均高度在4-6米以上，林间透光率为40％-45％，林隙栽植处遮阴度在55％-65％，通过将霍山石斛种植在石山山坡的北面，种植场地的林木平均高度在4-6米以上，林间透光率为40％-45％，林隙栽植处遮阴度在55％-65％，保证了霍山石斛可以利用林木枝叶适当的遮阴效果保证了霍山石斛在生长过程中的保水性以及通风透气性，从而大大提高了该霍山石斛的石栽技术良好的栽培效果；
5）种植时间选择；栽培时间宜选择在每年的4-6月份；
6）开凿种植孔：在石山山坡的表面每隔0.1-0.15米的距离使用钻头直径为3-5厘米的冲击钻开凿一个深度为10厘米的种植孔；
7）开挖排水渠：在步骤6）开凿好的种植孔的两侧开挖一个宽度为20-30厘米的排水渠；
8）栽培基质选取以及使用：按照以下重量份数配比的原料：40份碎石、30份有机肥以及30份松树树皮，使用搅拌机对以上原料进行搅拌混合后，放入至已经开凿好的种植孔内，在步骤8）中的有机肥包括以下重量份数配比的原料：蒸馏水100份、蚯蚓粪20份、聚丙烯酰胺1份、磷酸氢二钾10份、柠檬酸钙5份、改性磷矿粉2份、葡萄糖酸锌5份、井冈霉素3份，在步骤8）中的松树树皮使用粉碎机粉碎成2-3厘米的松树碎屑，该霍山石斛的石栽技术，通过对霍山石斛施放有机肥，有机肥主要成分为生物粪便，再掺杂一些对土壤以及霍山石斛无害的有机物，大大提高了该霍山石斛的石栽技术对霍山石斛发芽的成功率，从而保证了霍山石斛较高的发芽率；
9）种子栽培处理：将化冻好的种子放置在栽培基质上，然后在种子的上方平铺一层厚度约为3-5毫米的栽培基质；
10）日常栽培处理：每隔一周对种植孔进行施肥处理，同时每天采用自动或者人工方式浇足水，每天使用喷灌设备对种子进行一次喷灌处理。
本发明的有益效果是：通过将霍山石斛种植在石山山坡的北面，种植场地的林木平均高度在4-6米以上，林间透光率为40％-45％，林隙栽植处遮阴度在55％-65％，保证了霍山石斛可以利用林木枝叶适当的遮阴效果保证了霍山石斛在生长过程中的保水性以及通风透气性，从而大大提高了该霍山石斛的石栽技术良好的栽培效果。
该霍山石斛的石栽技术，通过对霍山石斛施放有机肥，有机肥主要成分为生物粪便，再掺杂一些对土壤以及霍山石斛无害的有机物，大大提高了该霍山石斛的石栽技术对霍山石斛发芽的成功率，从而保证了霍山石斛较高的发芽率。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。