本发明涉及水稻种植技术领域，具体的，涉及一种弱碱水稻的种植方法。
背景技术：
水稻是我国主要农作物之一，其生长周期短，产量高，不仅深受人民的喜爱，而且也符合我国人口众多的国情需求。随着水稻种植技术的发展及对水稻亩产量要求的提高，目前，越来越多的地区的水稻种植采用移栽的方式进行种植，通过移栽能够合理布局水稻的种植密度，促进根系发达、防止倒伏的发生。目前的广泛种植的水稻是一种碱性食品，研究发现偏酸性的食品经人体消化吸收后会酸化血液，引发各种疾病，而多食碱性和弱碱性食品可维持血液呈弱碱性，使得血液中乳酸、尿素等酸性物质大大减少，并能防止其在血管壁上沉淀，因而碱性和弱碱性食品有软化血管的作用。
相关技术中，弱碱水稻作为一种碱性食品得到研发并种植。弱碱水稻的种植方法均采用现有的水稻的种植方法，而并无针对性的种植方法。
技术实现要素：
为了解决上述技术问题，本发明提供一种弱碱水稻的种植方法，该弱碱水稻的种植方法可以有效提高弱碱水稻的种植质量。
本发明的技术方案如下：
一种弱碱水稻的种植方法，种子处理、秧苗培育及秧苗移栽，
种子处理：播种前在种子表面包覆种衣剂，种子包覆种衣剂后在浸渍液中浸渍5-7天，其中，所述种衣剂含有三唑类杀菌农药，浸渍液为添加有杀菌剂的水，且浸渍液的ph值为6.9-7.1；
秧苗培育：在大棚内铺设垫层，在垫层上铺设苗盘，并在苗盘上铺设1.5-2cm厚度的ph值为6.2-6.5的底土，在大棚内温度不低于12℃的条件下，将种子处理后的种子播种于苗盘中的底土上，并在种子上铺设顶土并使得底土和顶土的厚度之和为2.5-3cm以形成苗床；
其中，在种子未发出至刚发出芽时和立针期、种子一叶至一叶一心时期、种子两叶至两叶一心时期以及种子三叶至三叶一心时期直至插秧，将苗床的ph值依次控制为3.8-4.5、4.5-5.0、5.0-5.5以及不高于6.0；在种子根发育时、一叶伸展期、两叶伸展期及三叶伸展期，将大棚内的温度依次控制为10-35℃、10-30℃、10-28℃以及10-25℃。
优选地，播种后，通过在苗床上喷洒抗病有机酸将苗床的ph值控制为3.8-4.5。
优选地，抗病有机酸含有以质量比计的如下成分：n+p2o5+k2o≥4.5％，2.5-1.5-0.5锌≥0.05％，游离酸≥12％。
优选地，三叶期，通过在苗床上喷洒酸性水稻壮秧剂将苗床的ph值控制为不高于6.0。
优选地，酸性水稻壮秧剂中含有以质量比计的如下成分：n≥10％，p2o5≥6％，k2o≥3％，zn≥0.2％。
优选地，浸渍液为添加有杀菌剂的井水。
优选地，垫层的ph值不高于7.0。
优选地，种子根发育时温度为25-28℃；一叶伸展期温度为22-25℃；两叶伸展期温度为22-24℃；三叶伸展期温度为20-22℃。
优选地，大棚内设有用于检测棚内温度的多个温度传感器，通过多个温度传感器的检测值控制大棚内的通风量实现温度控制。
优选地，种衣剂为含有三唑类杀菌农药的悬浮型种衣剂。
本发明实施例提供的弱碱水稻的种植方法，具有以下技术效果：所述弱碱水稻的种植方法包括种子处理、秧苗培育及秧苗移栽，种子处理：播种前在种子表面包覆种衣剂，种子包覆种衣剂后在浸渍液中浸渍5-7天，其中，所述种衣剂含有三唑类杀菌农药，浸渍液为添加有杀菌剂的水中，且浸渍液的ph值为6.9-7.1；秧苗培育：在大棚内铺设垫层，在垫层上铺设苗盘，并在苗盘上铺设1.5-2cm厚度的ph值为6.2-6.5的底土，在大棚内温度不低于12℃的条件下，将种子处理后的种子播种于苗盘中的底土上，并在种子上铺设顶土并使得底土和顶土的厚度之和为2.5-3cm以形成苗床；在种子发育周期内控制苗床的ph值及大棚内的温度。这样可以有效提高弱碱水稻的种植质量。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
弱碱水稻的种植方法包括种子处理、秧苗培育及秧苗移栽。
种子处理：播种前在种子表面包覆种衣剂，种子包覆种衣剂后在浸渍液中浸渍5-7天，其中，所述种衣剂含有三唑类杀菌农药，浸渍液为添加有杀菌剂的水，且浸渍液的ph值为6.9-7.1。
在本实施例中，种衣剂为含有三唑类杀菌农药的悬浮型种衣剂。例如，含0.25％戊唑醇(质量百分数)为悬浮型种衣剂。
在本实施例中，浸渍液为添加有杀菌剂的井水。一般情况下，井水ph值为7左右，这样可以避免另外调节水样的ph值以使得水样添加杀菌剂形成的浸渍液的ph值为6.9-7.1。杀菌剂可以选用咪鲜胺，有效成分含量25％(质量百分数)，剂型为乳油，使用剂量40斤(种子)/ml。
秧苗培育：在大棚内铺设垫层，在垫层上铺设苗盘，并在苗盘上铺设1.5-2cm厚度的ph值为6.2-6.5的底土，在大棚内温度不低于12℃的条件下，将种子处理后的种子播种于苗盘中的底土上，并在种子上铺设顶土并使得底土和顶土的厚度之和为2.5-3cm以形成苗床。
其中，在种子未发出至刚发出芽时和立针期，将苗床的ph值控制为3.8-4.5；在种子一叶至一叶一心时期，将苗床的ph值控制为4.5-5.0；在种子两叶至两叶一心时期，将苗床的ph值控制为5.0-5.5，在种子三叶至三叶一心时期直至插秧，将苗床的ph值控制为不高于6.0。
其中，在种子根发育时，将大棚内的温度控制为10-35℃；在一叶伸展期，将大棚内的温度控制为10-30℃；在两叶伸展期，将大棚内的温度控制为10-28℃；在三叶伸展期，将大棚内的温度控制为10-25℃。进一步优选地，在种子根发育时，将大棚内的温度控制为25-28℃；在一叶伸展期，将大棚内的温度控制为22-25℃；在两叶伸展期，将大棚内的温度控制为22-24℃；在三叶伸展期，将大棚内的温度控制为20-22℃。
其中，底土为种子发育及苗期生长提供环境条件；顶土仅用于覆盖种子，不用进行酸化及营养调配；苗盘一般采用软盘，软盘具有如下优点：培育出的秧苗素质好(例如，整齐、叶片宽窄一致、薄厚均匀等)，不易发病，能大幅度提高秧本田比例，能促进育秧向集约化、专业化方向发展(适合机械化插秧)，管理方便，能降低育秧成本。
在本实施例中，通过在底土中加入酸性水稻壮秧剂以使得底土的ph值为6.2-6.5。
需要说明的是，现有技术中，苗床土一般选择为自然环境中的ph值低以及有机质及微量元素含量较多的土壤制成苗床土。可以理解的是，对于土壤贫瘠的地区，也可以通过添加酸性物质、有机质及微量元素的方式制作苗床土，以使得苗床土的ph值低且含有较多的有机质及微量元素。但无论是是那种方式，禁止使用含农药残留、化肥残留的土壤。
一般而言，底土中加入酸性水稻壮秧剂后需闷混3-5天以使得底土的ph值能够分布均匀，闷混后，需对底土进行至少两次ph值测量以确保底土的ph值分布均匀，且每次测量的间隔时间不少于3天。测量时，需要在土堆不同位置、不同深度取5-10个样混合均匀(在有多个土堆时，需要对不同土堆进行取样并将不同土堆的样品混合均匀)，对混合后的样品取5-10个ph值，5-10个ph值平均得到土样的ph值。
在本实施例中，播种后，通过在苗床上喷洒抗病有机酸将苗床的ph值控制为3.8-4.5。
进一步地，抗病有机酸可以选择为“含有以质量比计的如下成分：n+p2o5+k2o≥4.5％，2.5-1.5-0.5锌≥0.05％，游离酸≥12％”的抗病有机酸。
在本实施例中，三叶期(包括种子三叶至三叶一心时期)，通过在苗床上喷洒酸性水稻壮秧剂将苗床的ph值控制为不高于6.0。
进一步地，酸性水稻壮秧剂可以选择为“中含有以质量比计的如下成分：n≥10％，p2o5≥6％，k2o≥3％，zn≥0.2％”的酸性水稻壮秧剂。随着稻苗的生长，苗床土的ph值会上升，且苗床土的营养成分会减少，通过在三叶期在苗床上喷洒酸性水稻壮秧剂不仅可以补充苗床营养以促进稻苗生长发育，而且可以使苗床ph值得到控制。
在本实施例中，酸性水稻壮秧剂为固体酸(例如，宝昌水稻壮秧剂(强酸性))。固体酸可以便于苗床土调配时底土与酸性水稻壮秧剂混合均匀。
在本实施例中，垫层的ph值不高于7.0。当垫层ph值超过7时说明土地开始反碱。
在本实施例中，大棚内设有用于检测棚内温度的多个温度传感器，通过多个温度传感器的检测值控制大棚内的通风量实现温度控制。大棚通风可以通过大棚两侧入口和两侧燕尾槽处的开启、关闭实现，其通风量的大小可以通过大棚两侧入口和两侧燕尾槽处开启程度控制。现有技术中，可以通过多个温度传感器的检测值自动控制大棚两侧入口和两侧燕尾槽处开启、关闭、开启程度，也可以通过人工控制。
上述实施例提供的弱碱水稻的种植方法，至少具有以下技术效果：所述弱碱水稻的种植方法包括种子处理、秧苗培育及秧苗移栽，种子处理：播种前在种子表面包覆种衣剂，种子包覆种衣剂后在浸渍液中浸渍5-7天，其中，所述种衣剂含有三唑类杀菌农药，浸渍液为添加有杀菌剂的水中，且浸渍液的ph值为6.9-7.1；秧苗培育：在大棚内铺设垫层，在垫层上铺设苗盘，并在苗盘上铺设1.5-2cm厚度的ph值为6.2-6.5的底土，在大棚内温度不低于12℃的条件下，将种子处理后的种子播种于苗盘中的底土上，并在种子上铺设顶土并使得底土和顶土的厚度之和为2.5-3cm以形成苗床；在种子发育周期内控制苗床的ph值及大棚内的温度。这样可以有效提高弱碱水稻的种植质量。
以上，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。