脑水肿类型检查装置的制作方法

文档序号:1184511阅读:163来源:国知局
专利名称:脑水肿类型检查装置的制作方法
技术领域
本发明属于生物医学医疗器械技术领域,具体涉及神经内外科脑水肿类型的检查
装置O
背景技术
各类颅脑外伤、脑肿瘤切除、脑缺血、脑肿瘤、脑炎症以及高原脑水肿等脑内外科 疾病,其发病率和死亡率已进入前三位常见致死性病变。这些脑内外科疾病均伴随有脑水 肿的症状。依据脑水肿的发病机制和病理改变的不同,分为以血管源性为主的细胞外水肿 和以细胞毒性为主的细胞内水肿两大类。正确区分脑水肿的类型,是医生掌握患者病情、确 定治疗方案、正确用药和治疗的重要依据。人脑是人体结构中最复杂、最重要的部分。脑水肿是不同病因(如缺血、出血、损 伤、中毒、肿瘤等)对脑组织引起的病理反应。发生脑水肿时,脑组织容量增加导致颅内高 压,脑血流量降低,使得脑缺血缺氧又反过来加重水肿,使颅内压更高,如此恶性循环,最终 会导致死亡。所以,及时准确地评价、判断脑水肿的发生、发展状况,并对其及时做出处理, 对急危重病患者的生命安全至关重要。而且脑组织对不同病因的病理表现形式比较复杂,相应的,其电特性也会随着病 变发生变化,这些变化中包含了结构信息和功能信息。如果能够解读、破译这些信息,并利 用它们对脑水肿进行更深入地研究、对脑水肿的有效治疗意义重大。目前观察脑水肿的成熟仪器以CT、常规磁共振成像为代表,它们是通过对组织的 影像学改变进行观察。对脑水肿早期,目前只有正电子发射成像(PET)或单光子发射电容 CT成像(SPE电容CT)能够对水肿进行成像,但这些设备庞大,影像诊断价格非常昂贵,我国 大多数人均不能承受近万元的检查费用,更不能应用这些检测和监护设备对重危病人长期 进行床旁实时监测。脑电图是适合检测脑病变的一种监护设备。脑电图监护能用于检测与脑损伤相关 的病理变化和趋势。但它存在接触式测量、安装电极多和特征提取复杂的缺陷。经颅多普勒为无创研究脑循环开创了新的方法,但这种设备依然存在不能早期和 定量检测的技术问题。采用脑阻抗检测设备对脑水肿进行监护,具有方法简单、操作简便和动态监护的 优势,但存在需要接触电极和颅骨对电流具有屏障作用的问题。微创颅内压应变监测仪通过应变片测量颅骨变形,达到监测颅内压变化的目的, 具有测量方法简单和可连续监测的特点,但其创伤性和接触的应变片是需要解决的问题。针对现有脑水肿检查设备的不足和临床脑疾病诊疗以及现场急救脑创伤的需要, 基于脑水肿的病理生理机制、细胞病理学、细胞生物学、生物组织与细胞的介电特性等学科 知识,以及医学临床神经内科和神经外科的需求等生物医学基础和临床医学背景,研制一 种产品价格低、无创性、床旁使用、能连续监护脑水肿的设备,是当务之急。

发明内容
本发明所要解决的技术问题在于克服上述脑水肿检查仪器的缺点,提供一种设计 合理、结构简单、体积小、生产成本低、所测数据准确的脑水肿类型检查装置。解决上述技术问题所采用的技术方案是包括对所采集的信号进行数据处理的计 算机系统;激励电路1、激励电路2、激励电路3,激励电路1、激励电路2、激励电路3的输出 端接计算机系统;检测电路1,该电路的输入端接激励电路1、输出端接计算机系统;检测电 路2,该电路的输入端接激励电路2、输出端接计算机系统;它还包括检测电路3,该电路的 输入端接激励电路3、输出端接计算机系统。本发明的激励电路1由晶体振荡电路、输出调节电路、电压跟随器、功率放大电路 连接构成,晶体振荡电路的输出端接输出调节电路,输出调节电路的输出端接放大电路,放 大电路的输出端接电压跟随器,电压跟随器的输出端接功率放大电路;所说的激励电路2 和激励电路3与激励电路1相同。本发明的功率放大电路为集成电路U14的反相输入端5脚接电容C112的一端和 电阻R18的一端并通过电阻R12接集成电路U13的输出端5脚、同相输入端4脚接地、6脚 和电容C13的一端以及电容C14的一端接35V电源负极、2脚通过电阻R13接35V电源正 极、3脚接35V电源正极、7脚通过电阻R14接35V电源负极、8脚和输出端1脚接电容C111 的两端、输出端1脚通过电阻R17接电容C112的另一端并通过电阻R15接激励线圈L11的 一端,电容C11和电容C12的一端接35V电源正极、另一端接地,电容C13和电容C14的一 端接35V电源负极、另一端接地,电阻R18的另一端接激励线圈L11的另一端通过电阻R16 接地。集成电路U14的型号为PA19。本发明的检测电路1由前置放大电路1、有源滤波器连接构成,前置放大电路1的 输出端接有源滤波器。本发明的检测电路2由前置放大电路2、晶体滤波器1连接构成,前 置放大电路2的输出端接晶体滤波器1。本发明的检测电路3由前置放大电路3、二级放大 电路、晶体滤波器2连接构成,前置放大电路3的输出端接二级放大电路,二级放大电路的 输出端接晶体滤波器2。本发明的前置放大电路1为线圈L21的一端接集成电路U21的5脚和二极管D21 的负极以及二极管D22的正极,线圈L21的另一端和二极管D21正极以及二极管D22的负 极接地,集成电路U21的1脚和10脚接分别接电容C22的两端、3脚接电容C21的一端和电 容C23的一端、2脚接电容C23的另一端、10脚和11脚分别接电容C24的两端、12脚接电容 C21的另一端和地、13脚接24脚、14脚接电容C27的一端、15脚接电容C25的一端、17和 20脚通过电阻R224接5V电源正极、18和19脚通过电阻R223接5V电源负极、22脚接电容 C26的一端、23脚通过电阻R23和电阻R22接5V电源正极以及通过电阻R23和电阻R24接 地并通过电阻R25接地、24脚接电位器RC21的一端和可调端以及通过电阻R26接5V电源 正极、6 8脚和16脚以及21脚接地,电位器RC21的另一端通过电阻R27接地,电容C26 的另一端接有源滤波器;集成电路U21的型号为AD604 ;所说的前置放大电路2和前置放大 电路3与前置放大电路1相同。本发明根据生物组织细胞膜的功能和组织细胞膜内外含水量的改变,获得反映脑 水肿组织的生理病理状态的信息,提供脑水肿、脑水肿严重程度和脑水肿类型的特征。采用 激励线圈和检测线圈,克服了电阻抗测量中颅骨对激励电流的屏障作用,磁场激励与头皮不直接接触,克服了电阻抗测量中头皮对激励电流的分流作用,解决了头部外伤和手术后 无法安装接触电极的难题。激励线圈产生的激励磁场穿过水肿脑组织,由于生物组织具有 导电性,交变的激励磁场在生物组织内能够产生涡流,涡流又产生交变的扰动磁场,对激励 磁场产生扰动,扰动的大小反映生物组织电导率的变化。当激励磁场的频率较低时,产生的 涡流不能穿过细胞膜,只能够从细胞间穿过,得到的涡流较小,产生的扰动磁场较小;当激 励磁场的频率较高时,产生的涡流既能穿过细胞膜,又能够从细胞间穿过,可以得到较大的 涡流,产生较大扰动磁场。通过测量不同频率下扰动磁场的大小,区分细胞内和细胞外脑组 织水肿。 本发明具有设计合理、结构简单、体积小、生产成本低、所测数据准确等优点,经临 床试验后可作为检测脑水肿的类型、脑水肿程度的诊断和监护仪器。


图1是本发明的电气原理方框图。
图2是图1中激励电路1的电气原理方框图。
图3是激励电路1的电子线路原理图。
图4是图1中检测电路1的电气原理方框图。
图5是图1中检测电路2的电子线路原理图。
图6是图1中检测电路3的电气原理方框图
图7是图1中检测电路1的电子线路原理图。
图8是检测电路2的电子线路原理图。
图9是检测电路3的电子线路原理图。
图10是图1中计算机系统的结构示意图。
具体实施例方式下面结合附图和实施例对本发明进一步详细说明,但本发明不限于这些实施例。图1是本发明的电气原理方框图,参见图1。在图1中,本发明由激励电路1、检测 电路1、激励电路2、检测电路2、激励电路3、检测电路3、计算机系统连接构成。激励电路1 的输出端接检测电路1,激励电路2的输出端接检测电路2,激励电路3的输出端接检测电 路3,检测电路1和检测电路2以及检测电路3的输出端接计算机系统,激励电路1、激励电 路2、激励电路3与计算机系统相连。激励电路1、检测电路1与计算机系统连接一个脑水 肿检测系统,激励电路2、检测电路2与计算机系统连接一个脑水肿检测系统,激励电路3、 检测电路3与计算机系统连接一个脑水肿检测系统,三个检测系统相互独立进行脑水肿检 测,三个检测系统的功率不相同,在临床上进行检测和监护时,根据病人的不同状况任意选 择不同功率的检测系统。计算机系统将输入的检测电路1和检测电路2以及检测电路3的 信号和对应的参考信号进行相位差比较,进行软件鉴相,得到两路信号的相位差(检测信 号与参考信号),判断出细胞内和细胞外脑组织水肿的大小、类型以及部位,显示出计算结 在图2、3中,本实施例激励电路1由振荡电路、输出调节电路、放大电路、电压跟随 器、功率放大电路连接构成。振荡电路的输出端接输出调节电路,输出调节电路的输出端接放大电路,放大电路的输出端接电压跟随器,电压跟随器的输出端接功率放大电路。振荡电路由晶体振荡器Y1构成,晶体振荡器Y1的4脚接5V电源正极、7脚接地、 8脚接输出调节电路。输出调节电路由集成电路U11A、电阻R10、电容C15 电容C19、电位器RC11连接 构成,集成电路U11A的型号为AD825。集成电路U11A的反相输入端2脚通过电阻R10接晶 体振荡器Y1的8脚并通过电位器RC11接输出端、同相输入端3脚接电源、7脚接5V电源 正极、4脚接5V电源负极,电容C15、电容C16 电容C19的一端接5V电源正极、另一端接 地,电容C17、电容C18的一端接5V电源负极、另一端接地,集成电路U11A的输出端8脚接 放大电路和计算机系统。放大电路由集成电路U12A、电阻R11、电位器RC12连接构成,集成电路U12A的型 号为AD825。集成电路U12A的反相输入端2脚通过电阻R11接集成电路UU11A的输出端8 脚并通过电位器RC12接输出端、同相输入端1脚接地、7脚接5V电源正极、6脚接5V电源 负极、输出端接电压跟随器。电压跟随器由集成电路U13、电容C110连接构成,集成电路U13的型号为AD825B。 集成电路U13的同相输入端4脚接集成电路U12A的输出端8脚、反相输入端3脚接输出 端、6脚接5V电源负极和电容C110的一端、电源端7脚接5V电源正极、输出端5脚接功率 放大电路,电容C110的另一端接地。功率放大电路由集成电路U14、电阻R12 电阻R18、电容C11 电容C14、电容 C111、电容C112、激励线圈L11连接构成,集成电路U14的型号为PA19。集成电路U14的反 相输入端5脚接电容C112的一端和电阻R18的一端并通过电阻R12接集成电路U13的输 出端5脚、同相输入端4脚接地、6脚和电容C13的一端以及电容C14的一端接35V电源负 极、2脚通过电阻R13接35V电源正极、3脚接35V电源正极、7脚通过电阻R14接35V电源 负极、8脚和输出端1脚接电容C111的两端、输出端1脚通过电阻R17接电容C112的另一 端并通过电阻R15接激励线圈L11的一端,电容C11和电容C12的一端接35V电源正极、另 一端接地,电容C13和电容C14的一端接35V电源负极、另一端接地,电阻R18的另一端接 激励线圈L11的另一端通过电阻R16接地。正弦激励信号由晶体振荡器Y11、电容C15、电容C16产生,晶体振荡器Y11的8脚 经电阻R10输出到集成电路U11A的反相输入端2脚,集成电路U11A对输入的正弦激励信 号幅度调整,经过电阻R11输入到集成电路U12反相输入端2脚进行放大,输出到集成电路 U13的同相输入端4脚,集成电路U13匹配两端的输入输出阻抗,信号输出到集成电路U14 的5脚,集成电路U14对输入的正弦激励信号进行电压电流转换,输出到激励线圈L11,检测 时,激励线圈L11带在患者的头部,激励线圈L11产生激励磁场,穿过人脑体内的脑水肿,脑 水肿内的组织液会涡流,涡流产生扰动的交变磁场,向外发射。激励电路2和激励电路3的元器件以及元器件的连接关系与激励电路1完全相 同,电子线路原理相同。在图4、7中,本实施例的检测电路1由前置放大电路1、有源滤波器连接构成,前置 放大电路1的输出端接有源滤波器。前置放大电路1由集成电路U21、二极管D21、二极管D22、电阻R21 电阻R27、 电阻R223、电阻R224、电容C21 电容C27、电位器RC21、线圈L21连接构成,集成电路U21
6的型号为AD604。线圈L21的一端接集成电路U21的5脚和二极管D21的负极以及二极管 D22的正极,线圈L21的另一端和二极管D21正极以及二极管D22的负极接地,在检测时,线 圈L21设置在被检测人体的头部,与激励线圈相对称,用于接收颅内脑水肿所发出的电磁 信号。集成电路U21的1脚和10脚接分别接电容C22的两端、3脚接电容C21的一端和电 容C23的一端、2脚接电容C23的另一端、10脚和11脚分别接电容C24的两端、12脚接电容 C21的另一端和地、13脚接24脚、14脚接电容C27的一端、15脚接电容C25的一端、17和 20脚通过电阻R224接5V电源正极、18和19脚通过电阻R223接5V电源负极、22脚接电容 C26的一端、23脚通过电阻R23和电阻R22接5V电源正极以及通过电阻R23和电阻R24接 地并通过电阻R25接地、24脚接电位器RC21的一端和可调端以及通过电阻R26接5V电源 正极、6 8脚和16脚以及21脚接地。电位器RC21的另一端通过电阻R27接地,电容C26 的另一端接有源滤波器。 有源滤波器由集成电路U22、电阻R28 电阻R222连接构成,集成电路U22的型号 为MAX275。电阻R28的一端接电容C26的另一端、另一端通过电阻R29接集成电路U22的 8脚,集成电路U22的8脚通过电阻R213和电阻R212接4脚、4脚通过电阻R214接6脚并 通过电阻R210和电阻R211接14脚、7脚通过电阻R215和电阻R216接2脚、19脚通过电 阻R221和电阻R222接15脚、16脚通过电阻R219和电阻R220接计算机系统、14脚通过电 阻R217和电阻R218接计算机系统、18脚接计算机系统、20脚接5V电源正极、11脚接5V电 源负极,集成电路U22的5、9、10、12、17脚接地。线圈L21接收到脑水肿产生的交变磁场从集成电路U21的5脚输入进行前置放 大,由集成电路U21的22脚输出,经电容C26、电阻R28、电阻R29,由集成电路U22的8脚输 入,集成电路U22对输入的信号进行滤波,经过滤波的信号由集成电路U22的18脚输出到 计算机系统。在图5、8中,本实施例的检测电路2由前置放大电路2、晶体滤波器1连接构成,前 置放大电路2的输出端接晶体滤波器1。前置放大电路2由集成电路U31、二极管D31、二极管D32、电阻R31 电阻R39、电 容C31 电容C37、电位器RC31、线圈L31连接构成,集成电路U31的型号为AD604。前置放 大电路2的元器件以及元器件的连接关系与前置放大电路1完全相同。线圈L31的一端接 集成电路U31的5脚和二极管D31的负极以及二极管D32的正极,线圈L31的另一端接地, 在检测时线圈L31设置在被检测人体的头部,检测时线圈L31设置在相对于激励线圈另一 侧,用于接收颅内脑水肿所发出的电磁信号,集成电路U31的22脚接电容C37的一端,电容 C37的另一端接晶体滤波电路1。晶体滤波电路1由集成电路U32构成,集成电路U32的型号为LT2-1。集成电路 U32的1脚接电容C37的另一端、2脚和3脚接地、输出4脚接计算机系统。线圈L31接收到脑水肿产生的交变磁场从集成电路U31的5脚输入进行前置放 大,由集成电路U31的22脚输出,经电容C37由集成电路U32的1脚输入,集成电路U32对 输入的信号进行滤波,经过滤波的信号由集成电路U32的4脚输出到计算机系统。在图6、9中,本实施例的检测电路3由前置放大电路3、二级放大电路、晶体滤波 器2连接构成,前置放大电路3的输出端接二级放大电路,二级放大电路的输出端接晶体滤 波器2。前置放大电路3由集成电路U41、二极管D41、二极管D42、电阻R41 电阻R47、电阻R411、电阻R412、电容C41 电容C47、电位器电阻R41、线圈L41连接构成,集成电路U21 的型号为AD604。前置放大电路3的元器件以及元器件的连接关系与前置放大电1完全相 同。线圈L41的一端接集成电路U41的5脚和二极管D41的负极以及二极管D42的正极, 线圈L41的另一端接地,在检测时线圈L41设置在被检测人体的头部,检测时,线圈L41设 置在相对于激励线圈另一侧,与激励线圈对称,用于接收颅内脑水肿所发出的电磁信号,集 成电路U41的22脚接电容C47的一端,电容C47的另一端接二级放大电路。二级放大电路由集成电路U42、电阻R48 电阻R410、电容C48连接构成,集成电 路U42的型号为MAX436。集成电路U42的2脚接电容C47的另一端并通过电阻R48接地、 1脚接12脚和14脚以及电容C48的一端并通过电阻R42接5V电源正极、3脚和5脚分别 接电阻R49的两端、6脚接电容C46的另一端、7脚接8脚和10脚并通过电阻R43接5V电 源负极、10脚和11脚分别接电阻R410的两端、11脚和14脚分别接电容C48的两端、13脚 接晶体滤波电路2。晶体滤波电路2由集成电路U43、电阻R413构成,集成电路U43的型号为LT2-1。 集成电路U43的1脚接集成电路U42的13脚并通过R413接地、2脚和3脚接地、输出端4 脚接计算机系统。线圈L41接收到脑水肿产生的交变磁场从集成电路U41的5脚输入进行前置放 大,由集成电路U41的22脚输出,经电容C47由集成电路U42的2脚输入,集成电路U42对 输入的信号进行放大,经过放大的信号从集成电路U42的13脚输出到集成电路U43的1脚, 集成电路U43对输入的信号进行滤波,经过滤波的信号由集成电路U43的4脚输出到计算 机系统。图10是图1中计算机系统的结构示意图。在图10中,本实施例的计算机系统由接 线端子插4、AD采集卡5、PC机6连接构成。接线端子插4、AD采集卡5、PC机6为市场上 销售的商品,PC机6为台式计算机,接线端子插4的型号为NI-BNC-2110、AD采集卡5的型 号为PCI-5115。接线端子插4的3个输入接线端分别接检测电路1的集成电路U22的18 脚、检测电路2的集成电路U32的4脚、检测电路3的集成电路U43的4脚,接线端子的另 外3个输入接线端分别激励电路1的集成电路U11A的输出端、激励电路2和激励电路3与 激励电路1相同电路的输出端,接线端子插4的输出端接AD采集卡5。AD采集卡5插入在 PC机6主板上的PCI扩展槽内。PC机6按照事先输入的LabVIEW软件对检测信号和参考信 号之间的相位差进行提取,实时显示相位变化,判断出细胞内和细胞外脑组织水肿的大小、 类型以及部位,区分细胞内和细胞外脑组织水肿的大小、种类以及部位,显示出计算结果。本发明的工作原理如下每个激励电路产生的正弦激励信号经放大、电压到电流转换施加到激励线圈L11 产生的激励磁场穿过水肿脑组织,由于生物组织具有导电性,交变的激励磁场在生物组织 内能够产生涡流,涡流又产生交变的扰动磁场,对激励磁场产生扰动,扰动的大小反映生物 组织电导率的变化。当激励磁场的频率较低时,产生的涡流不能穿过细胞膜,只能够从细胞 间穿过,得到的涡流较小,产生的扰动磁场较小;当激励磁场的频率较高时,产生的涡流既 能穿过细胞膜,又能够从细胞间穿过,可以得到较大的涡流,产生较大扰动磁场。检测电路 1、检测电路2、检测电路3将感应接收到水肿脑组织不同频率下扰动磁场的大小的脉冲信 号进行放大、滤波后输出到计算机系统的AD采集卡5,激励电路输出的参考信号输出到计算机系统的AD采集卡5,经AD采集卡5输入到PC机6,PC机6按照事先输入的LabVIEW软 件对检测信号和参考信号之间的相位差进行提取,实时显示相位变化,判断出细胞内和细 胞外脑组织水肿的大小、类型以及部位,显示出计算结果。
权利要求
一种脑水肿类型检查装置,其特征在于它包括对所采集的信号进行数据处理的计算机系统;激励电路1、激励电路2、激励电路3,激励电路1、激励电路2、激励电路3的输出端接计算机系统;检测电路1,该电路的输入端接激励电路1、输出端接计算机系统;检测电路2,该电路的输入端接激励电路2、输出端接计算机系统;它还包括检测电路3,该电路的输入端接激励电路3、输出端接计算机系统。
2.按照权利要求1所述的脑水肿类型检查装置,其特征在于所说的激励电路1由晶 体振荡电路、输出调节电路、电压跟随器、功率放大电路连接构成,晶体振荡电路的输出端 接输出调节电路,输出调节电路的输出端接放大电路,放大电路的输出端接电压跟随器,电 压跟随器的输出端接功率放大电路;所说的激励电路2和激励电路3与激励电路1相同。
3.按照权利要求2所述的脑水肿类型检查装置,其特征在于所说的功率放大电路为 集成电路U14的反相输入端5脚接电容C112的一端和电阻R18的一端并通过电阻R12接 集成电路U13的输出端5脚、同相输入端4脚接地、6脚和电容C13的一端以及电容C14的 一端接35V电源负极、2脚通过电阻R13接35V电源正极、3脚接35V电源正极、7脚通过电 阻R14接35V电源负极、8脚和输出端1脚接电容C111的两端、输出端1脚通过电阻R17接 电容C112的另一端并通过电阻R15接激励线圈L11的一端,电容C11和电容C12的一端接 35V电源正极、另一端接地,电容C13和电容C14的一端接35V电源负极、另一端接地,电阻 R18的另一端接激励线圈L11的另一端通过电阻R16接地;集成电路U14的型号为PA19。
4.按照权利要求1所述的脑水肿类型检查装置,其特征在于所说的检测电路1由前 置放大电路1、有源滤波器连接构成,前置放大电路1的输出端接有源滤波器;所说的检测 电路2由前置放大电路2、晶体滤波器1连接构成,前置放大电路2的输出端接晶体滤波器 1 ;所说的检测电路3由前置放大电路3、二级放大电路、晶体滤波器2连接构成,前置放大 电路3的输出端接二级放大电路,二级放大电路的输出端接晶体滤波器2。
5.按照权利要求4所述的脑水肿类型检查装置,其特征在于所说的前置放大电路1为 线圈L21的一端接集成电路U21的5脚和二极管D21的负极以及二极管D22的正极,线圈 L21的另一端和二极管D21正极以及二极管D22的负极接地,集成电路U21的1脚和10脚 接分别接电容C22的两端、3脚接电容C21的一端和电容C23的一端、2脚接电容C23的另 一端、10脚和11脚分别接电容C24的两端、12脚接电容C21的另一端和地、13脚接24脚、 14脚接电容C27的一端、15脚接电容C25的一端、17和20脚通过电阻R224接5V电源正 极、18和19脚通过电阻R223接5V电源负极、22脚接电容C26的一端、23脚通过电阻R23 和电阻R22接5V电源正极以及通过电阻R23和电阻R24接地并通过电阻R25接地、24脚 接电位器RC21的一端和可调端以及通过电阻R26接5V电源正极、6 8脚和16脚以及21 脚接地,电位器RC21的另一端通过电阻R27接地,电容C26的另一端接有源滤波器;集成电 路U21的型号为AD604 ;所说的前置放大电路2和前置放大电路3与前置放大电路1相同。
全文摘要
一种脑水肿类型检查装置,包括计算机系统;激励电路1、激励电路2、激励电路3,激励电路1、激励电路2、激励电路3的输出端接计算机系统;检测电路1,该电路的输入端接激励电路1、输出端接计算机系统;检测电路2,该电路的输入端接激励电路2、输出端接计算机系统;它还包括检测电路3,该电路的输入端接激励电路3、输出端接计算机系统。根据生物组织细胞膜的功能和组织细胞膜内外含水量的改变,获得反映脑水肿组织的生理病理状态的信息,提供脑水肿、脑水肿严重程度和脑水肿类型的特征。它具有设计合理、结构简单、体积小、生产成本低、所测数据准确等优点,经临床试验后可作为检测脑水肿的类型、脑水肿程度的诊断和监护仪器。
文档编号A61B5/00GK101849818SQ20101019065
公开日2010年10月6日 申请日期2010年6月3日 优先权日2010年6月3日
发明者周伟, 张华 , 李文哲, 秦明新, 马珂 申请人:中国人民解放军第三军医大学
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