一种视网膜假体植入芯片的封装结构的制作方法

文档序号:16617129发布日期:2019-01-15 23:06阅读:305来源:国知局
一种视网膜假体植入芯片的封装结构的制作方法

本实用新型涉及医疗器械领域,具体来说属于一种视网膜假体植入芯片的封装结构。



背景技术:

在视网膜假体中,需要在人体眼球内部植入刺激电极组件以帮助患者恢复视力,当前大部分视网膜假体的刺激电极都是柔性MEMS的微电极,这种微电极采用多根连接线连接到眼球外壁的封装体上,在眼球内部的刺激电极上不需要连接芯片,因此不需要进行非常严格的气密性封装,仅需在表面进行硅胶包裹即可。

为了提高视网膜假体的性能,一些研究方向是加大刺激电极的密度,提高其刺激效果。当刺激电极的密度加大之后,刺激电极的数量也会变多,这个时候如果从每个刺激电极上都引出连接线到眼球外部的封装体中的处理芯片上的话,连接线的数量就会变得非常多,连接不便,手术创伤大。为了解决这个问题,我司的研究方向是在眼球内部的刺激电极上还设置一ASIC芯片。

对于这种需要在微电极上倒装连接ASIC芯片的视网膜刺激电极,必须对芯片进行气密性封装,一方面保证芯片不受人体复杂体液环境的腐蚀,另一方面防止封装体内的物质对人体的组织发生不良反应。

但是如何保证其密封效果,提高其密封可靠性是一个非常大的难题。



技术实现要素:

为了提高上述在眼球内部的芯片的密封可靠性,本实用新型提供了一种视网膜假体植入芯片的封装结构,本实用新型中的封装结构不需要从封装体内部接出连接线,可直接通过封装盖上的金属馈通结构实现信号连接,具体方案如下:一种视网膜假体植入芯片的封装结构,包括刺激电极组件,所述刺激电极组件包括基底,在所述基底上设置有若干个刺激电极,在所述基底上还设置用来和外部实现信号连接的焊盘结构,所述刺激电极组件上连接有ASIC芯片,在所述ASIC芯片上盖合有封装盖,在所述封装盖上设置有用来和刺激芯片实现连通的金属馈通结构,所述封装盖将所述焊盘结构盖合封装在内,所述封装盖上的馈通结构和所述焊盘结构之间通过信号连接线连接在一起。封装盖上的金属馈通结构和封装盖一体成型设置,封装盖内壁上金属馈通过信号连接线和焊盘结构焊接在一起,连接便捷,外壁上的金属馈通结构可以焊接另外的信号连接线接出到眼球外部,这样整个封装体就处于一个完全密封的状态。

优选的,所述基底和所述封装盖均为玻璃材质制成。由于刺激电极的密度非常高,在加工时,一般先利用金属衬底切割出刺激电极阵列然后浇筑玻璃形成基底,最后进行双面减薄制成,因此,基底一般为玻璃材质。为了在密封时保证密封的可靠性,封装盖一般也采用和基底材料一样的玻璃制成。

优选的,在所述封装盖馈通结构的下侧还设置有便于接线的安装空间。在利用信号连接线对玻璃盖上的馈通结构和基底上的焊盘结构进行连接时,连接线的长度一般比连接之间的间距稍长,为了避免连接后多余的连接线挤压影响封装效果,一般会在封装盖上预留安装空间。

优选的,所述基底上的焊盘结构设置在与所述刺激部相反的一面上,所述封装盖上的馈通结构设置在封装盖顶部自上向下贯穿所述封装盖上表面并且对准所述焊盘结构。

优选的,所述封装盖和设置在其中的金属馈通结构的热膨胀系数相匹配。

优选的,所述玻璃封装盖和所述玻璃基底通过激光焊接的方式密封在一起。

优选的,所述焊盘结构和所述玻璃盖上的馈通结构均为多个。

本实用新型的有益效果:

本实用新型提供了一种可以直接在眼球内部对刺激电极芯片进行封装的封装结构,并且封装盖上一体成型的设置有金属馈通结构,该金属馈通结构通过在封装体内部的连接线和基底上的焊盘结构连接,连接方便,不需要从封装体内部接出引线到外面,密封性好,封装便捷。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图;

图2为本实用新型刺激电极组件结构示意图;

图3为本实用新型结构俯视图。

其中1为刺激电极组件,2为基底,3为刺激电极,4为焊盘结构,5为ASIC芯片,6为封装盖,7为金属馈通结构,8为信号连接线,9为安装空间。

具体实施方式

为了便于对本实用新型的进一步理解,下面结合附图对其进行进一步阐述:

本实用新型提供了一种视网膜假体植入芯片的封装结构,该封装结构可以对植入到人体眼球内部刺激电极上的芯片进行密封。具体方式如下:包括刺激电极组件1,该刺激电极组件包括基底2,在基底2上设置有若干个刺激电极3,刺激电极的一端作为刺激部,另外一端通过基底上的焊盘结构4和ASIC芯片5连接,在ASIC芯片上盖合有封装盖6,封装盖6和基底2接触将ASIC芯片5和焊盘结构4密封在内,封装盖6上的金属馈通结构7和焊盘结构4之间通过信号连接线8连接在一起。在信号连接线时,直接和封装盖外表的金属馈通结构连接即可,不用再从封装体内接出连接线,不会因为连接线接出部位密封效果不好出现渗漏的问题。

一般来讲,基底2和封装盖6均为玻璃材质制成。由于刺激电极3的密度非常高,在加工时,一般先利用金属衬底切割出刺激电极阵列然后浇筑玻璃形成基底2,最后进行双面减薄制成,所以基底2一般为玻璃材质,为了在密封时保证密封的可靠性,封装盖6一般也采用和基底材料一样的玻璃制成。

焊盘结构4和所述玻璃盖上的金属馈通结构7均为多个,其数量一般相等,每个金属馈通结构7对应一个焊盘结构4,在对封装盖6上的金属馈通结构7和焊盘结构4进行连接时,为了便于焊接,信号线一般会偏长,在盖合后偏长的信号线容易挤压占据空间造成密封干涉的问题,为了克服这一缺陷,在封装盖金属馈通结构的下侧还设置有便于接线的安装空间9,该安装空间可以容纳多余的信号线,不会对外部密封造成干涉。

基底上的焊盘结构4设置在与刺激部相反的一面上,这样在接线的时候不会由于线路的连接或者封装问题对刺激部造成干涉。封装盖上的金属馈通结构7设置在封装盖6顶部自上向下贯穿所述封装盖上表面并且对准所述焊盘结构4,在与外部进行信号连接时,直接从玻璃盖顶部接线即可,连接便捷。

进一步的,在进行封装的过程,一般需要利用激光或者其它加热的方式进行封装,所以,在本实用新型中,封装盖6和设置在其中的金属馈通结构7的热膨胀系数相匹配,这样就可以避免玻璃封装盖和其中金属馈通结构由于热膨胀造成间隙的问题。

在对内部焊盘结构4和玻璃盖上的金属馈通结构7进行信号连接之后,再对玻璃封装盖6和玻璃基底2进行密封,为了避免在密封式高温对内部芯片在成损伤,玻璃封装盖6和所述玻璃基底2通过激光焊接的方式密封在一起。

以上实施例仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限定本实用新型,应当指出的是,凡在本实用新型的精神和原则之内做出的任何修改、等同替换、改进等均在本实用新型的保护范围之内。

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