中子捕获治疗系统的制作方法

本发明涉及一种放射性射线辐照系统，尤其涉及一种中子捕获治疗系统。

背景技术：

随着原子科学的发展，例如钴六十、直线加速器、电子射束等放射线治疗已成为癌症治疗的主要手段之一。然而传统光子或电子治疗受到放射线本身物理条件的限制，在杀死肿瘤细胞的同时，也会对射束途径上大量的正常组织造成伤害；另外由于肿瘤细胞对放射线敏感程度的不同，传统放射治疗对于较具抗辐射性的恶性肿瘤(如：多行性胶质母细胞瘤(glioblastomamultiforme)、黑色素细胞瘤(melanoma))的治疗成效往往不佳。

为了减少肿瘤周边正常组织的辐射伤害，化学治疗(chemotherapy)中的标靶治疗概念便被应用于放射线治疗中；而针对高抗辐射性的肿瘤细胞，目前也积极发展具有高相对生物效应(relativebiologicaleffectiveness，rbe)的辐射源，如质子治疗、重粒子治疗、中子捕获治疗等。其中，中子捕获治疗便是结合上述两种概念，如硼中子捕获治疗，借由含硼药物在肿瘤细胞的特异性集聚，配合精准的中子射束调控，提供比传统放射线更好的癌症治疗选择。

在加速器中子捕获治疗过程中通常会产生散射的中子，这些散射的中子会从照射室中散射到加速器室中产生加速器的活化问题；尤其当加速器中子捕获治疗系统具有多个照射室时，这些散射的中子还会散射至其他不需要进行中子照射的照射室中。

因此，有必要提出一种新的技术方案以解决上述问题。

技术实现要素：

为了提供一种减少射束整形体中的中子产生部与带电粒子射束作用产生的中子对加速器产生的活化的中子捕获治疗系统，本申请的一个方面提供一种中子捕获治疗系统，其包括设于加速器室的加速器、设于照射室用于对中子射束能谱进行调节的射束整形体、位于加速器室和照射室之间的带电粒子传输部以及屏蔽体，加速器室的屏蔽墙上设置有收容部，加速器对产生的带电粒子进行加速并形成带电粒子射束；照射室的屏蔽墙上设置有用于埋设至少部分射束整形体的埋设部，射束整形体中的中子产生部与带电粒子射束作用产生治疗用中子射束；带电粒子射束传输部将加速器形成的带电粒子射束传输至射束整形体，带电粒子射束传输部通过收容部连接于加速器，带电粒子射束传输部通过埋设部连接于射束整形体并将带电粒子射束传输至中子产生部；屏蔽体位于加速器室和照射室之间以减少带电粒子射束与中子产生部作用产生的中子从埋设部溢出后通过收容部进入加速器室。

进一步地，所述照射室至少包括第一照射室和第二照射室，第一照射室的第一屏蔽墙设有第一埋设部，第二照射室的第二屏蔽墙设有第二埋设部，所述射束整形体包括埋设于第一埋设部的第一射束整形体和埋设于第二埋设部的第二射束整形体，所述带电粒子射束传输部包括第一传输部、射束方向切换装置和第二、第三传输部，第一传输部通过收容部连接于加速器以对带电粒子射束进行传输，射束方向切换装置对第一传输部中带电粒子射束的行进方向进行切换以确定将带电粒子射束传输至第二传输部或/和第三传输部，第二传输部通过第一埋设部连接于第一射束整形体并将带电粒子射束传输至第一中子产生部以与第一中子产生部反应产生中子，第三传输部通过第二埋设部连接于第二射束整形体并将带电粒子射束传输至第二中子产生部以与第二中子产生部反应产生中子。

进一步地，所述屏蔽体包括第一屏蔽部和第二屏蔽部，第一屏蔽部位于收容部和第一埋设部之间以减少带电粒子射束与第一中子产生部作用后产生的中子对加速器产生活化，第二屏蔽部位于收容部和第二埋设部之间以减少带电粒子射束与第二中子产生部作用后产生的中子对加速器产生活化，第一屏蔽部和第二屏蔽部中至少一个能够减少带电粒子射束与第一中子产生部产生的中子进入第二照射室及带电粒子射束与第二中子产生部产生的中子进入第一照射室。

为了使第二传输部传输至第一中子产生部产生的中子剂量和第三传输部传输至第二中子产生部产生的中子剂量一致，进一步地，所述第二传输部与第三传输部的结构相同，且第二传输部和第三传输部相对于第一传输部对称。为了减少第二传输部和第三传输部在传输带电粒子射束过程中造成的能量损失，尽量缩短第二传输部中的带电粒子射束传输到第一中子产生部的传输路径以及第三传输部中的带电粒子射束传输到第二中子产生部的传输路径，作为一种优选地，所述第二传输部与第一中子产生部所在平面垂直，第三传输部与第二中子产生部所在平面垂直。

进一步地，所述第二传输部和第三传输部之间的夹角小于或者等于180度，所述第一屏蔽部设有第一通孔，第二屏蔽部设有第二通孔，第二传输部穿过第一通孔而连接于第一射束整形体，第三传输部穿过第二通孔而连接于第二射束整形体。

进一步地，所述第一屏蔽部包括第一壁、与第一壁相对设置的第二壁以及连接第一壁和第二壁的具有预设宽度的第三壁，第一壁面朝第一埋设部，第二壁面朝收容部，第一通孔自第一壁贯穿第二壁；第二屏蔽部包括第四壁、与第四壁相对设置的第五壁以及连接第四壁和第五壁的具有预设宽度的第六壁，第四壁面朝第一埋设部，第五壁面朝收容部，第二通孔自第四壁贯穿第五壁；第一壁和第四壁相互靠近的一端连接，第二壁和第五壁相互靠近的一端连接；第一壁和第四壁相互连接的部分位于第一埋设部和第二埋设部之间且超过第一埋设部和第二埋设部相互靠近的边缘，以减少从第一埋设部溢出来的中子进入第二埋设部，同时减少从第二埋设部中溢出来的中子进入第一埋设部，第二壁与第五壁之间形成的夹角小于180度。

进一步地，所述第一屏蔽部包括第一壁、与第一壁相对设置的第二壁以及连接第一壁和第二壁的具有预设宽度的第三壁，第一壁面朝第一埋设部，第二壁面朝收容部，第一通孔自第一壁贯穿第二壁；第二屏蔽部包括第四壁、与第四壁相对设置的第五壁以及连接第四壁和第五壁的具有预设宽度的第六壁，第四壁面朝第一埋设部，第五壁面朝收容部，第二通孔自第四壁贯穿第五壁；所述屏蔽体还包括位于第一埋设部和第二埋设部之间的第三屏蔽部，所述第三屏蔽部包括第七壁、与第七壁相对设置的第八壁以及连接第七壁与第八壁的具有预设宽度的第九壁，第一壁和第七壁相互靠近的一端连接，第四壁和第八壁相互靠近的一端连接，第二壁和第五壁相互靠近的一端连接，第二壁与第五壁之间形成的夹角小于或者等于180度，第九壁超过第一埋设部和第二埋设部相互靠近的边缘，以减少从第一埋设部溢出来的中子进入第二埋设部，同时减少从第二埋设部中溢出来的中子进入第一埋设部，屏蔽体呈“y”型设置。

进一步地，所述第一壁和第二壁均为垂直于地面的平面，第四壁和第五壁均为垂直于地面的平面，第七壁和第八壁均为垂直于地面的平面，所述第一屏蔽部和第二屏蔽部相对于第三屏蔽部对称。

本申请中，中子能量范围在0至0.8mev之间，为了对中子射线进行有效的屏蔽，作为一种优选地，所述第三壁、第六壁以及第九壁的预设宽度至少为5厘米，第一屏蔽部的各边缘超过第一埋设部的各边缘至少10厘米；第二屏蔽部的各边缘超过第二埋设部的各边缘至少10厘米。

进一步地，所述屏蔽体的材料为由碳、亚克力或者硼玻璃中任意一种或者多种制成的基材制成，所述基材填充有b4c、li2co3、lif或者聚乙烯中任意一种或多种，当基材由硼玻璃制成时，可以不填充b4c、li2co3、lif及聚乙烯。

与现有技术相比，本申请存在以下技术效果：在加速器室的收容部和照射室的射束整形体埋设部之间设置屏蔽体，以减少从照射室的埋设部溢出的中子进入加速器室，从而减少中子对加速器产生的活化。

附图说明

图1是本申请中子捕获治疗系统的示意图；

图2是本申请第一种实施方式中屏蔽体设置在中子捕获治疗系统中的平面布局示意图；

图3是图2中所示第一种实施方式中的屏蔽体的剖视图；

图4是本申请第二种实施方式中屏蔽体的示意图；

图5是本申请第三种实施方式中屏蔽体设置在中子捕获治疗系统的平面布局示意图；

图6是图5所示第三种实施方式中的屏蔽体的示意图；

图7是图6所示屏蔽体一种变形方式后的示意图；

图8是图6所示屏蔽体另一种变形方式后的示意图。

具体实施方式

以下结合说明书附图对本申请的具体实施例进行详细说明。

如图1所示，所述中子捕获治疗系统100包括位于加速器室101的加速器10、位于加速器室101和照射室102之间的带电粒子射束传输部20、位于照射室102中的射束整形体30以及位于加速器室101和照射室102之间的屏蔽体40。所述加速器10对产生的带电粒子进行加速并形成带电粒子射束p。加速器室101的屏蔽墙w1设有收容部11，照射室102的屏蔽墙w2设有埋设部12，屏蔽体40上设有通孔41，带电粒子射束传输部20穿过收容部11连接于加速器10并将加速后的带电粒子射束p传输至射束整形体30。射束整形体30包括中子产生部31、对产生的中子进行缓速的缓速体32、包围在缓速体32外周的反射体33、邻接于缓速体32的热中子吸收体34、设置在反射体33后侧并围绕射束出口35的辐射屏蔽36以及安装于射束出口35的准直器37。带电粒子射束传输部20穿过通孔41后经埋设部12连接于射束整形体30以将带电粒子射束p传输至中子产生部31以产生中子射束n，缓速体32将其中的快中子能量(＞40kev)调整到超热中子能区(0.5ev-40kev)；反射体33将偏离的中子导回至中子射束n以提高中子利用率；热中子吸收体34用于吸收穿过缓速体32的热中子以减少中子射束n中热中子(＜0.5ev)的含量，避免治疗时热中子在浅层正常组织产生过多剂量；辐射屏蔽36用于屏蔽从射束出口35以外部分渗漏的中子和光子；准直器37用于对中子射束n进行聚集并照射至被照射体m。屏蔽体40对带电粒子射束p与中子产生部31产生的中子进行屏蔽，以减少中子产生部31产生的中子经埋设部12辐射至加速器室101，从而降低中子对加速器10的活化。

为了便于屏蔽体40的安装与拆卸，便于调整屏蔽体40与射束整形体30之间的位置空间以对中子产生部31进行更换，屏蔽体40可移动地设置在收容部11和埋设部12之间。

结合图2和图3，当具有多个照射室的情况下，屏蔽体的设置还应当考虑到能够减少从正在进行照射工作的照射室溢出的中子辐射至没有进行照射工作的照射室(比如当多个照射室中的一个照射室进行工作，其他照射室中作为模拟照射室或者患者准备室或者关闭的情况下)。下文以照射室102包括设有第一射束整形体30a的第一照射室102a和设有第二射束整形体30b的第二照射室102b为例进行说明。第一照射室102a的第一屏蔽墙w3设有第一埋设部12a，至少部分第一射束整形体30a埋设于第一屏蔽墙w3，第二照射室102b的第二屏蔽墙w4设有第二埋设部12b，至少部分第二射束整形体30b埋设于第二屏蔽墙w4。

带电粒子射束传输部20包括第一传输部21、射束方向切换装置22以及第二传输部23和第三传输部24。第一传输部21的一端连接于射束方向切换装置22，另一端通过收容部11连接于加速器10以将加速器10产生的带电粒子射束传输至射束方向切换装置22；第二传输部23的一端连接于射束方向切换装置22，另一端通过第一埋设部12a连接于第一射束整形体30a并将带电粒子射束传输至第一中子产生部31a以发生反应产生中子；第三传输部24的一端连接于射束方向切换装置22，另一端通过第二埋设部12b连接于第二射束整形体30b并将带电粒子射束传输至第二中子产生部31b以发生反应产生中子。射束方向切换装置22根据第一照射室102a和第二照射室102b是否需要进行照射工作切换带电粒子射束的传输方向，以向第二传输部23或者第三传输部24或者同时向第二传输部23和第三传输部24传输带电粒子射束。

为了使第一射束整形体30a和第二射束整形体30b得到相同的中子射束通量及中子射束品质，本实施方式中，第二传输部23和第三传输部24的结构相同(第二传输部和第三传输部的材料、管径、管壁厚度及长短一致)，并且第二传输部23和第三传输部24相对于第一传输部21对称。为了减少带电粒子射束在传输路径过程中产生的损耗，作为一种优选地，第二传输部23与第一中子产生部31a所在平面垂直，第三传输部24与第二中子产生部31b所在平面垂直。第二传输部23和第三传输部24之间的夹角a1小于或者等于180度。本申请实施方式中，第二传输部23和第三传输部24之间的夹角a1小于180度，可以将第一传输部21、第二传输部22以及第三传输部23看成是一个倒立的“y”型结构。

屏蔽体40包括第一屏蔽体401和第二屏蔽体402。第一屏蔽体401位于收容部11和第一埋设部12a之间以减少带电粒子射束与第一中子产生部31a反应产生的中子从第一埋设部12a溢出后经收容部11辐射到加速器室101，从而降低中子对加速器10产生的活化；第二屏蔽体402位于收容部11和第二埋设部12b之间以减少带电粒子射束与第二中子产生部31b反应产生的中子从第二埋设部12b溢出经收容部11辐射到加速器室101，从而降低中子对加速器10产生的活化。第一屏蔽部401设有第一通孔41a，第二屏蔽部402设有第二通孔41b，第二传输部23穿过第一通孔41a后经第一埋设部12a连接于第一射束整形体30a，第三传输部24穿过第二通孔41b后经第二埋设部12b连接于第二射束整形体30b。为了减少第一照射室102a中的中子从第一屏蔽部401的第一通孔41a穿过而辐射至加速器室101和第二照射室102b以及减少第二照射室102b中的中子从第二屏蔽部402的第二通孔41b穿过而辐射至加速器室101和第一照射室102a，第一通孔41a的孔径和第二传输部23的管径的大小应尽可能相接近，第二通孔41b的孔径和第二传输部23的管径的大小应尽可能相接近。当第一通孔41a的孔径与第二传输部23的管径大小相差较大，第二通孔41b的孔径与第三传输部24的管径大小相差较大时，为了减少从第一通孔41a和第二通孔41b中穿过的中子，使用额外的中子屏蔽材料对第一通孔41a和第二通孔41b进行填充。

图2和图3中所示屏蔽体40为本申请屏蔽体的第一种实施方式。

为了便于屏蔽体的制造，本实施方式中，第一屏蔽部401包括与地面垂直设置的第一壁p1和与地面垂直设置的第二壁p2，第一壁p1和第二壁p2相对设置且通过具有预设宽度的第三壁p3连接。第一壁p1面朝第一埋设部12a，第二壁p2面朝收容部11，第一壁p1和第二壁p2均为平面状，第一通孔41a自第一壁p1贯穿第二壁p2。第二屏蔽部402包括与地面垂直设置的第四壁p4和与地面垂直设置的第五壁p5，第四壁p4和第五壁p5相对设置且通过具有预设宽度的第六壁p6连接。第四壁p4面朝第二埋设部12b，第五壁p5面朝收容部11，第四壁p4和第五壁p5均为平面状，第二通孔41b自第四壁p4贯穿第五壁p5。第一屏蔽部401和第二屏蔽部402相互靠近的一端相互连接，具体地，第一壁p1和第四壁p4相互靠近的一端连接，第二壁p2和第五壁p5相互靠近的一端连接，第二壁p2和第五壁p5之间形成的夹角a2小于180度，整个屏蔽体40形成“∨”型结构。为了对第一照射室102a和第二照射室102b形成有效的阻挡，第一壁p1和第四壁p4相互连接的部分位于第一埋设部12a和第二埋设部12b之间且超过第一埋设部12a和第二埋设部12b相互靠近的边缘，以减少从第一埋设部12a溢出来的中子进入第二埋设部12b，同时减少从第二埋设部12b中溢出来的中子进入第一埋设部12a。

本实施方式中，第三壁p3包括连接第一壁p1和第二壁p2顶端的顶壁、连接第一壁p1和第二壁p2底端的底壁以及连接第一壁p1和第二壁p2侧端的侧壁，第六壁p6包括连接第四壁p4和第五壁p5顶端的顶壁、连接第四壁p4和第五壁p5底端的底壁以及连接第四壁p4和第五壁p5侧端的侧壁。所述底壁是指第一、第二屏蔽部设置在地面或者靠近地面的壁部，顶壁是指第一、第二屏蔽部远离地面且与底壁相对设置的壁部，侧壁是指连接底壁和顶壁并形成第一、第二屏蔽部的侧端面的壁部。第三壁p3及第六壁p6的预设宽度即为第一屏蔽部401和第二屏蔽部402的预设厚度。

图4所示为第二种实施方式的屏蔽体50，屏蔽体50是第一种实施方式屏蔽体40的变形，屏蔽部50包括第一屏蔽部501和第二屏蔽部502，第一屏蔽部501和第二屏蔽部502相靠近的一端相互连接，第一壁p1’和第二壁p2’相对设置且通过具有预设宽度的第三壁p3’连接，第四壁p4’和第五壁p5’相对设置且通过具有预设宽度的第六壁p6’连接。与第一种实施方式不同的是，第二种实施方式中，第一壁p1’、第二壁p2’、第四壁p4’及第五壁p5’均为曲面状，整个屏蔽体50呈近似的“∨”型结构。

在其他实施方式中，第一壁、第二壁、第三壁及第四壁还可以是其他的不规则形状(未图示)，也可以不与地面垂直，第一屏蔽部和第二屏蔽部也可以是互不连接而分开的结构(未图示)。只要第一屏蔽部和第二屏蔽部的设置能够有效减少从第一、第二埋设部溢出的中子经收容部辐射至加速器室，从而减少中子对加速器产生的活化，并且能够有效减少从第一埋设部溢出的中子对第二照射室产生干扰以及从第二埋设部溢出的中子对第一照射室产生干扰即可。

图5所示为本申请第三种实施方式的屏蔽体60。结合图6，屏蔽体60包括第一屏蔽部601、与第一屏蔽部601连接的第二屏蔽部602以及第三屏蔽部603。第一屏蔽部601位于收容部11和第一埋设部12a之间，以减少自第一埋设部12a溢出的中子经收容部11辐射至加速器室101，从而降低中子对加速器10产生的活化；第二屏蔽部402位于收容部11和第二埋设部12b之间，以减少自第二埋设部12b溢出的中子经收容部11辐射至加速器室101，从而降低中子对加速器10产生的活化。第三屏蔽部603的一端连接于第一屏蔽部601和第二屏蔽部602相连接的部位，另一端位于第一埋设部12a和第二埋设部12b之间以对从第一照射室102a溢出的中子和从第二照射室102b溢出的中子进行阻隔。

本实施方式中，第一屏蔽部601包括与地面垂直设置的第一壁p1”和与地面垂直设置的第二壁p2”，第一壁p1”和第二壁p2”相对设置且通过具有预设宽度的第三壁p3”连接。第一壁p1”面朝第一埋设部12a，第二壁p2”面朝收容部11，第一壁p1”和第二壁p2”均为平面状。第二屏蔽部602包括与地面垂直设置的第四壁p4”和与地面垂直设置的第五壁p5”，第四壁p4”和第五壁p5”相对设置且通过具有预设宽度的第六壁p6”连接。第四壁p4”面朝第二埋设部12b，第五壁p5”面朝收容部11，第四壁p4”和第五壁p5”均为平面状。第三屏蔽部403包括与地面垂直的第七壁p7和与地面垂直的第八壁p8，第七壁p7与第八壁p8通过具有预设宽度的第九壁p9连接。第七壁p7面朝第一埋设部12a，第八壁p8面朝第二埋设部12b。第一壁p1”和第七壁p7相互靠近的一端连接，第四壁p4”和第八壁p8相互靠近的一端连接，第二壁p2”和第五壁p5”相互靠近的一端连接，第二壁p2”和第五壁p5”之间形成的夹角a3小于180度，第九壁p9超过第一埋设部12a和第二埋设部12b相互靠近的边缘，以减少从第一埋设部12a溢出来的中子进入第二埋设部12b，同时减少从第二埋设部12b中溢出来的中子进入第一埋设部12a，整个屏蔽体60呈“y”型，第一屏蔽部601和第二屏蔽部602相对于第三屏蔽部603对称。

本实施方式中，第三壁p3”包括连接第一壁p1”和第二壁p2”顶端的顶壁、连接第一壁p1”和第二壁p2”底端的底壁以及连接第一壁p1”和第二壁p2”侧端的侧壁；第六壁p3”包括连接第四壁p4”和第五壁p5”顶端的顶壁、连接第四壁p4”和第五壁p5”底端的底壁以及连接第四壁p4”和第五壁p5”侧端的侧壁；第九壁p9包括连接第七壁p7和第八壁p8顶端的顶壁、连接第七壁p7和第八壁p8底端的底壁以及连接第七壁p7和第八壁p8侧端的侧壁。所述底壁是指第一、第二及第三屏蔽部设置在地面或者靠近地面的壁部，顶壁是指第一、第二及第三屏蔽部远离地面且与底壁相对设置的壁部，侧壁是指连接底壁和顶壁并形成第一、第二及第三屏蔽部的侧端面的壁部。第三壁p3”、第六壁p6”以及第九壁p9的预设宽度即为第一屏蔽部601、第二屏蔽部602以及第三屏蔽部603的预设厚度。

本申请所有实施方式中，中子能量范围在0至0.8mev之间，为了对中子射线进行有效的屏蔽，各屏蔽部(第一屏蔽部、第二屏蔽部、第三屏蔽部)的预设厚度均至少为5厘米，第一屏蔽部的各边缘均超过第一埋设部的各边缘至少10厘米；第二屏蔽部的各边缘均超过第二埋设部的各边缘至少10厘米。

虽然在第三种实施方式中，要求第一屏蔽部601的各边缘均超过第一埋设部12a的各边缘至少10厘米，第二屏蔽部602的各边缘均超过第二埋设部12b的各边缘至少10厘米，但是在其他具有第三屏蔽部的实施方式中，第一屏蔽部601靠近第三屏蔽部603的边缘超出第一埋设部12a的对应边缘可以小于10厘米，第二屏蔽部602靠近第三屏蔽部603的边缘超出第二埋设部12b对应的边缘的可以小于10厘米，只要第一壁p1与第七壁p7之间的连接可以有效减少从第一埋设部12a中溢出的中子辐射至加速器10、第四壁p4与第八壁p8之间的连接能够有效减少从第二埋设部12b中溢出的中子辐射至加速器10，且第三屏蔽部603能够有效减少从第一、第二埋设部溢出的中子相互干扰即可。并且，在其他实施方式中，第一屏蔽部601和第二屏蔽部602可以不是相对于第三屏蔽部603对称的结构。

图7中所示屏蔽体70为第三种实施方式中屏蔽体60的一种变形。屏蔽体70包括第一屏蔽部701、第二屏蔽部702以及第三屏蔽部703。该实施方式中，第一屏蔽部701和第二屏蔽部702的设置与第二种实施方式中的第一屏蔽部501和第二屏蔽部502相同。第一屏蔽部701和第二屏蔽部702相互靠近的一端相连接，第三屏蔽部703的一端连接于第一屏蔽部701和第二屏蔽部702连接的部位，另一端位于第一埋设部12a和第二埋设部12b之间，整体屏蔽体70呈近似的“y”型结构。

图8所示屏蔽体80是第三种实施方式中屏蔽体60的另一种变形。屏蔽体80包括第一屏蔽部801、与第一屏蔽部801连接的第二屏蔽部802以及第三屏蔽部803。第一屏蔽部801和第二屏蔽部802之间的夹角呈180度设置，第三屏蔽部803的一端连接于第一屏蔽部801和第二屏蔽部802的连接处，另一端位于第一埋设部12a和第二埋设部12b之间，整个屏蔽体80呈“t”型设置。

当然屏蔽体还可以设置成其他结构，只要屏蔽体的设置能够有效减少从射束整形体中溢出的中子对加速器产生的活化，并降低各照射室之间相互干扰即可。

在其他具有第三屏蔽部的实施方式中，第一屏蔽部和第二屏蔽部也可以不相互连接，第三屏蔽部也不连接于第一、第二屏蔽部，或者第三屏蔽部只连接于第一屏蔽部或者第二屏蔽中的任意一个，只要第一、第二以及第三屏蔽部的尺寸设置的合理，能够有效减少溢出的中子对加速器产生活化并减少两个照射之间溢出的中子相互干扰即可。

以照射室102包括设有第一射束整形体30a的第一照射室102a和设有第二射束整形体30b的第二照射室102b，屏蔽体采用第三种实施方式中“y”型屏蔽体60为例，进行照射工作的第一照射室102a从第一埋设部12a溢出的中子辐射至加速器室101的中子剂量降到了未设置屏蔽体前中子剂量的百分之一，进行照射工作的第一照射室102a从第一埋设部12a溢出的中子辐射至未进行照射工作的第二照射室102b中的中子剂量降到了未设置屏蔽体前中子剂量的百分之十。

虽然本申请中设置屏蔽体的主要目的是减少自照射室的埋设部溢出的中子通过收容部进入加速器室，实际上，照射室进行照射工作时自埋设部溢出的其他辐射线也可通过屏蔽体被有效减弱。

本申请中，屏蔽体的材料为由碳、亚克力或者硼玻璃中任意一种或者多种制成的基材制成，所述基材填充有b4c、li2co3、lif或者聚乙烯中任意一种或多种，当基材由硼玻璃制成时，可以不填充b4c、li2co3、lif及聚乙烯。

本申请揭示的中子捕获治疗系统并不局限于以上实施例所述的内容以及附图所表示的结构。例如，射束整形体可以设置成多个，对应的照射室设有相应的准备室、模拟室或者移动室；带电粒子射束传输部具有两个或以上的射束方向切换装置以实现更多的射束方向上的切换，屏蔽体有更多的形状结构变化。在本申请的基础上对其中构件的材料、形状及位置所做的显而易见地改变、替代或者修改，都在本申请要求保护的范围之内。