专利名称：光刻装置、器件的制造方法及由此制得的器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种光刻投射装置，包括-用于提供投射辐射光束的辐射系统；-用于支撑构图部件的支撑结构，所述构图部件用于根据预期的图案对投射光束进行构图；-用于固定基底的基底台；和-用于将图案光束投射到基底目标位置上的投射系统。
背景技术：
这里使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够给入射辐射束赋予以图案截面的部件，其中所述图案与要在基底的目标位置上形成的图案一致；本文中也使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在目标位置中形成的器件的特殊功能层相应，如集成电路或者其它器件(如下文)。这种构图部件的示例包括掩模。掩模的概念在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型和衰减的相移类型以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性的透射(在透射掩模的情况下)或者反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，支撑结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被固定在入射光束中的理想位置，并且如果需要该台会相对光束移动。
程控反射镜阵列。这种设备的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的理论基础是(例如)反射表面的寻址区域将入射光反射为衍射光，而非可寻址区域将入射光反射为非衍射光。用一个适当的滤光器，从反射的光束中过滤所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的寻址图案而产生图案。程控反射镜阵列的另一可选实施例利用微反射镜的矩阵排列，通过使用适当的局部电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射镜能够独立地关于一轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，以使可寻址的反射镜以不同的方向将入射的辐射束反射到非可寻址反射镜上；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的可寻址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行所需的矩阵寻址。在上述两种情况中，构图部件包括一个或者多个程控反射镜阵列。反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891和美国专利US5,523,193、和PCT专利申请WO98/38597和WO 98/33096中获得，这些文献在这里引入作为参照。在程控反射镜阵列的情况中，所述支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构可以是固定的或者根据需要是可移动的。
程控LCD阵列，美国专利US 5,229,872给出这种结构的一个示例，它在这里引入作为参照。如上所述，在这种情况下支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构可以是固定的或者根据需要是可移动的。
为了简单起见，本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模和掩模台为例；可是，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图部件。
光刻投射装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件可产生对应于IC每一层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅片)的目标位置上(例如包括一个或者多个小片)。一般的，单一的晶片将包含相邻目标位置的整个网格，该相邻目标位置由投影系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中，有两种不同类型的机器。一类光刻装置中，通过一次曝光目标位置上的全部掩模图案而辐射每一目标位置；这种装置通常称作晶片分档器。另一种装置(通常称作分步扫描装置)通过在投射光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案，同时沿与所述参考方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台以实现辐射每一目标位置；因为一般来说，投影系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。如这里描述的关于光刻设备的更多信息可以从例如美国专利US6,046,729中获得，该文献这里引入作为参考。
在使用光刻投射装置的制造方法中，(例如在掩模中的)图案成像在至少部分覆盖有一层辐射敏感材料(抗蚀剂)的基底上。在这种成像步骤之前，可以对基底可进行各种处理，如涂底漆、涂敷抗蚀剂和软烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)，显影，硬烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对例如IC的器件的单层形成图案。这种图案层然后可进行任何不同的处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学—机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层重复全部步骤或者其变形。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯断的技术将这些器件彼此分开，单个器件可以安装在载体上，与管脚等连接。关于这些步骤的进一步信息可从例如Peter van Zant的“微型集成电路片制造；半导体加工实践入门(Microchip FabricationA Practical Guideto Semiconductor Processing)”一书(第三版，by Peter Van Zant，McGraw HillPublishing Co.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中获得，这里引入作为参考。
为了简单起见，投射系统在下文称为“透镜”；可是，该术语应广意地解释为包含各种类型的投射系统，包括例如折射光学装置，反射光学装置，和反折射系统。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一类型的操作部件，该操作部件用于操纵、整形或者控制辐射的投射光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“透镜”。另外，光刻装置可以具有两个或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多级式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO98/40791中描述的两级光刻装置，这里引入作为参考。
已经知道一种采用光子和气体的混合体来清洁光刻装置的光学元件的方法。而且已经提出几种不同的清洁办法，例如具有氧气的EUV辐射、具有氧气的150nm辐射、具有臭氧的EUV辐射或具有臭氧的150nm辐射。这种方法包括向所需清洁的光学元件表面附近供给氧气，然后向所述光学元件表面供给清洁光子束。这些清洁光子束被认为能引起在光学元件附近生成次级电子。随后次级电子激活氧气，从而激活的氧气会氧化在光学元件表面上形成的任何碳。因此，碳就被从光学元件的表面被去除。
上述现有技术的方法是通过将氧气供给至光刻装置内所有的光学元件并随后使用辐射系统供给清洁光子束予以实现的。以这样的方式，装置内所有的光学元件都被同时清洁。而且，光学元件的整个可用表面被相同程度地清洁。
发明内容
本发明的第一方面源于并不是经常期望同时或以相同的清洁率来清洁所有光学元件这一事实。因此，本发明提供用来清洁光刻装置内仅被挑选的一些光学元件的各种部件，和/或用来使不同的光学元件经受不同的清洁率且同时经受空间分解清洁的部件(也就是说清洁率在单个光学元件的表面上变化)。
已经发现，光学元件的过度清洁可能会使光学元件过度曝光，从而导致光学元件不可逆的反射损耗。这个问题在本发明中通过仅清洁那些需要清洁的光学元件而得到改进。
本发明的一个目的是克服在使用现有的清洁方法时出现的光学元件过度曝光的问题。
本发明可应用于清洁所有类型的光学元件，包括那些具有反射/透射性质的光学元件。本发明可特别应用于如EP-A-1,065,532和EP-A-1,065,568以及欧洲专利申请NO.02253475.4中所披露的多层反射镜。此外，本发明也可应用于如EP-A-1,174,770中所披露的包括自适性反射镜的光学元件。
依照本发明第一方面，在如开始段落中说明的光刻装置内实现上述和其它的目标，其特征在于清洁部件采用清洁辐射和气体光束中至少一种来清洁所述光学元件的个别部件或所述光学元件的子集。
因此系统内最清洁的光学元件被避免接受清洁过程，所以能够仅使所述光学元件的个别部件或其子集(即并不是所有光学元件)进行清洁可确保能够减少过度曝光的问题。从而，就能够对需要清洁的光学元件进行清洁，而同时不清洁不需要清洁的那些光学元件。
提供这个优点的一种有利的方法是采用一个或多个遮蔽清洁辐射光束光路的遮板。这些遮板可以被设置在光刻装置内的任何位置上，且被有选择地打开和关闭，以阻止辐射光束射向一个或多个光学元件。
这种遮板的使用并不能自身地避免当使用辐射系统来供给清洁辐射光束时，第一光学元件(即相对于清洁辐射光束最“上游”的光学元件)经常接受清洁的事实。这是因为需要清洁辐射光束至少要到达要清洁的光学元件，为此，就必须使光束到达要清洁光学元件上游的所有光学元件。这个问题可以通过在沿辐射的光路各点处设置另外的辐射源予以解决。与此相连的是，可以将专门的清洁掩模或清洁基底插入光刻装置中以将清洁光向后反射穿过系统(在正常使用系统时，即沿与辐射行进相反的方向)。
依照本发明的第二方面，提供一种光刻装置，其特征在于清洁部件包括空间变化部件，用来在所述光学元件的表面上引出空间变化清洁量。
因此，本发明的这一方面就消除了在使用现有的清洁方法时将碳沉积物从光学元件一部分上清除而同时可能会过度曝光光学元件存有较少碳沉积物的其它部分的问题。光学元件表面上清洁量的空间变化允许清理集中在碳沉积物最厚的那些区域上，从而就避免了对碳沉积物仅具有很低程度的那些区域的过度曝光。
引起这种空间变化清洁的部件例如可以是灰色滤光片，该灰色滤光片在其一定的范围内具有变化的透射或反射性质，以赋予穿过该灰色滤光片或从该灰色滤光片反射的任何清洁辐射光束具有空间变化的强度。
优选地，该灰色滤光片具有一个图案，该图案基于自最后的清洁过程以来所要清洁光学元件接收到的光平均图案。这是有用的，因为已经发现，碳沉积物的形成与正常使用时由光学元件任何具体部分接收到的光强有关。尤其是，光学元件表面上接收到最强辐射的部分往往具有最厚的碳沉积层。该灰色滤光片的图案可以根据所用机器的已知使用记录或在使用中探测到的记录来确定。从而，灰色滤光片就具有一个基于在光学元件表面上已经探测到的实际碳沉积物图案。为了获得最大的灵活性，该灰色滤光片应当能是动态自适应的，以使其性质能在原位进行变化，而不是对每个清洁过程都进行更换。这可以通过由数个离散元件形成该灰色滤光片来实现，其中这些离散元件的透射或反射特性能够选择性的改变。
本发明的第三方面提供一种光刻装置，其特征在于清洁部件用于向所述光学元件的表面提供清洁的辐射光束，其特征还在于用来在所述光学元件表面附近建立电场的部件，以使由所述清洁辐射光束与所述光学元件表面相互作用而生成的次级电子被吸引离开所述光学元件的表面；和用来反置所述电场极性的部件，以使所述次级电子随后被吸引朝向所述光学元件的表面。
建立在光学元件表面附近的电场，首先促使电子移动离开光学元件的表面(从而穿过光学元件表面附近的氧气)，随后电场极性的反置会引起次级电子被吸引朝向光学元件的表面，使得电子两次通过氧气层从而就潜在地将清洁率提高两倍。
本发明的第四方面提供一种光刻装置，其特征在于清洁部件用于向所述光学元件的表面提供清洁的辐射光束，其特征还在于用来在所述光学元件表面附近建立电场的部件；用来向要清洁的所述光学元件附近提供活性气体的部件；和用来给所述活性气体分子充电的部件。
电场和带电活性气体(例如氧气)分子的组合就允许在靠近光学元件表面有比平均气体浓度更高的浓度。这反过来说明在光学元件附近可以获得较高的清洁率。因此，可以看出，通过使用电场和活性气体离子来改变局部的气体环境能够使不同的光学元件获得不同的清洁率。
优选地，这种活性气体是优选为充有负电的氧气，以使次级电子不会使氧气去电。为了将氧气吸引至光学元件的表面，可以相对于设置在远离表面的另一个元件而对该光学元件正性充电。优选地，该光学元件的表面相对于氧气粒子具有负电荷，而远离光学元件表面的元件具有更多的负电荷，使得尽管该光学元件的表面被负性充电(从而不会将氧气粒子去电)，也可相对于末端点进行正地充电，且因此仍旧能将氧气粒子吸引朝向其表面。
本发明的第五方面提供一种光刻装置，其特征在于清洁部件包括用来使所述光学元件的表面接受光子和气体混合束的部件，以实现所述光学元件表面的清洁。
该清洁电子束能被扩大和/或控制以扫描光学元件的表面。由清洁电子束供给的电子已与次级电子相同的方式进行工作，该次级电子是在使用光子束时生成的。这些电子激活氧气，从而将光学元件表面上的碳氧化。由于电子束可以被控制，因此就能够获得光学元件表面上的空间变化清洁率。相对于光子清洁，电子清洁能得到更高的清洁率，这是由于由电子束提供的电子密度比由次级电子提供的电子密度要高，所述次级电子是由光子与光学元件表面相互作用引起的。
本发明的第六方面提供一种光刻装置，其特征在于用来向所述光学元件表面提供具有一定波长光子束的部件，该波长基本不会被所述光学元件吸收，但会被粘附在所述光学元件表面上的烃或水分子吸收。
光子束被烃或水分子吸收缩短了这些分子停留在光学元件表面上的时间长度。
优选地，光子束是低能量的，且包括辐射光束，例如1μm至10μm区域内的红外辐射。这类辐射可以被许多杂质(包括水)吸收，同时也可以被光学元件很好地反射。
这一方面的变形提供一种光刻装置，其特征在于用来向光学元件提供微波的部件，而所述微波被光学元件表面上的任何水分子吸收。
微波被水分子吸收减小了水分子停留在光学元件表面上的时间长度。
作为第六方面的一种变形，可以更一般地将光子束(优选是红外辐射)施加进入真空系统内(而不是真空系统内的特定光学元件)，以使真空系统内的任何水分子或烃吸收光子束或微波，从而减小这些杂质分子停留在真空系统内各表面上的时间长度。水分子和/或烃分子对光子束或微波的吸收被认为有助于打破杂质分子的键合和/或加热杂质分子，从而有助于将它们从光学元件的表面移除。
依照本发明的第一方面，提供一种光刻投射装置的清洁方法，包括步骤向所述光刻投射装置的辐射系统、构图部件或投射系统的一个光学元件提供清洁辐射光束和气体以清洁所述光学元件，同时不清洁所述辐射系统、所述构图部件或所述投射系统的另一个光学元件。
依照本发明的第二方面，提供一种光刻投射装置的清洁方法，包括步骤提供清洁辐射光束，以在形成所述光刻投射装置的辐射系统、构图部件或投射系统一部分的一个光学元件表面上引出空间变化清洁量。
依照本发明的第三方面，提供一种光刻投射装置的清洁方法，包括步骤在形成所述光刻投射装置的辐射系统、构图部件或投射系统一部分的一个光学元件表面附近建立一个电场；提供清洁辐射光束以生成次级电子；使用所述电场吸引所述次级电子远离所述光学元件；和反置所述电场的极性以将所述次级电子吸引朝向所述光学元件的表面。
依照本发明的第四方面，提供一种光刻投射装置的清洁方法，包括步骤在形成所述光刻投射装置的辐射系统、构图部件或投射系统一部分的一个光学元件表面附近建立一个电场；对氧气分子进行充电；和向所述光学元件附近供给所述带电氧气分子。
依照本发明的第五方面，提供一种光刻投射装置的清洁方法，包括步骤使形成所述光刻投射装置的辐射系统、构图部件或投射系统一部分的一个光学元件表面接受清洁电子和气体混合束，以实现对所述光学元件表面的清洁。
依照本发明的第六方面，提供一种光刻投射装置的清洁方法，包括步骤使形成所述光刻投射装置的辐射系统、构图部件或投射系统一部分的一个光学元件表面接受具有一定波长的光子，该波长基本不会被所述光学元件吸收，但会打破粘附在光学元件上的烃或水分子的键合。
一旦烃或水分子的键合被打破，这些杂质分子就被泵浦出系统。从而，就能够避免容器内光学元件被污染/氧化，且减少了真空系统的泵浦抽空时间。
依照本发明的第六方面的一个变形，提供一种光刻投射装置杂质减少的方法，包括步骤使形成所述光刻投射装置的辐射系统、构图部件或投射系统一部分的一个光学元件表面接受微波，所述微波可被水分子吸收以减少杂质。
本发明同时提供一种器件的制造方法，包括步骤提供至少部分被一辐射敏感材料层覆盖的基底；利用辐射系统提供一辐射投射光束；使用构图部件给投射光束赋予带图案的截面；利用投射系统将图案辐射光束投射到辐射敏感材料层的目标位置上；所述方法的特征在于，利用本发明第一至第六方面中的任何一方法来清洁所述装置。
尽管在本文中，本发明的装置具体用于制造IC，但是应该明确理解这些装置可能具有其它应用。例如，它可用于集成光学系统的制造，用于磁畴存储器、液晶显示板、薄膜磁头等的引导和检测图案等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，在说明书中任何术语“划线板”，“晶片”或者“小片”的使用应认为分别可以由更普通的术语“掩模”，“基底”和“目标位置”代替。
在本文中，使用的术语“辐射”和“射束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外线辐射(例如，具有365、248、193、157或126nm的波长)和EUV(远紫外线辐射，例如具有5-20nm范围内的波长)，及粒子束，像离子束或电子束。
尽管这种应用主要集中在将烃和水分子从光学元件表面去除，但是也可以去除其它类型的杂质。例如，使用连同一氧化碳的合适的辐射可以将氧化沉积物从氧化钌去除。以类似的方式也可以去除沉积的硅(例如从包含硅的抗蚀剂)。例如，可以使用气态氢(H2)来去除固态的Si杂质已形成气态SiH4。
优选使用红外辐射，这是因为这类红外辐射被认为能引起杂质分子(例如水)内的能量跃迁，而这在金属中就不会被引起。杂质分子对红外光子的吸收经常会使这些分子到激发态，从而增大了它们从表面去除的可能性。由于水具有很宽的吸收光谱，因此在本发明下很可能仅去除水分子，而氧气和烃分子并不受影响。然后，优选的是既去除水分子也去除烃分子。
现在，参看所附的示意性附图，仅仅借助于实例的方式来描述本发明的实施例，其中图1示出依照本发明一个实施例的光刻投射装置；图2示出依照本发明一个实施例的照明装置；图3示出依照本发明一个实施例的投射系统；图4示出依照本发明一个实施例的具有漫射体的改进分划板或晶片；图5为示出依照本发明的MoSi反射镜反射性的曲线图；图6示出依照本发明一个实施例带有灰色滤光片的照明系统；图7示出具有若干离散元件的灰色滤光片的组成；图8和9示出一对被照射并将光反射到光学元件表面上的离散元件，示出了依照本发明的一个实施例所述离散元件的反射性质是如何变化的；图10示出使用依照本发明一个实施例的电子束来清洁光学元件表面的部件；图11示出的部件类似于图10，但包括一个用来扩大电子束宽度的扩展部件；图12示出依照本发明一个实施例，在第一时间点处光学元件和相联电场的侧视图；
图13所示类似于图12，但为不同时间点处光学元件和相联电场的侧视图；图14示出依照本发明一个实施例的光学元件和相联电场的侧视图；图15所示类似于图14、但具有不同电场的光学元件和相联电场的侧视图；图16示出图12至15配置的平面图；图17示出的视图类似于图11，除了光束扩展器引入一个更大的电子束放大倍数且没有光束控制部件。
在图中，相应的附图标记表示相应的部分。
具体实施例方式
图1示意性示出一个依照本发明具体实施例的光刻投射装置。该装置包括辐射系统Ex、IL，用来提供辐射的投射束PB(例如EUV辐射)，在此具体情况中该系统也包括辐射源LA；第一目标台(掩模台)MT，设有用于固定掩模MA(例如分划板)的掩模固定器，并与用于将掩模相对于物体PL精确定位的第一定位装置连接；第二目标台(基片台)WT，设有用于固定基片W(例如涂覆抗蚀剂的晶片)的基片固定器，并与用于将基片相对于物体PL精确定位的第二定位装置PW连接；投射系统(“透镜”)PL(例如反射镜组)，用来将掩模MA的辐射部分成像在基片W的目标位置C(例如包括一个或多个小片)上。
如此处所描绘的，该装置属于反射型(例如具有反射掩模)。然而，通常，它也可以是例如透射型的(例如具有透射掩模)。或者，该装置也可采用其它种类的构图部件，例如上述提到的程控反射镜阵列类型。
辐射源LA(例如激光产生源或放电等离子源)产生辐射束。该辐射束或者直接，或者在经过横向调节装置例如光束扩展器Ex后被引入照射系统(照射器)IL。照射器IL可以包括调节装置AM，用来设定辐射束中外和/或内径向范围(通常分别指σ-外和σ-内)的强度分布。另外，它一般还包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。按照这种方式，照射在掩模MA上的射束PB在其横截面具有理想的强度分布。
应当注意，图1中的辐射源LA可以置于光刻投射装置的壳体内(例如是当辐射源LA是汞灯时经常是这种情况)，但是辐射源LA也可远离光刻投射装置，其产生的辐射束被引入该装置内(例如在合适的定向反射镜的辅助下)；当辐射源LA是准分子激光器时通常是后面的那种情况。本发明和权利要求包含这两种方案。
射束PB随后与固定在掩模台MT上的掩模MA相交。在被掩模MA有选择地反射后，射束PB穿过将其聚焦在基片W靶区C上的透镜PL。在第二定位装置(和干涉测量装置IF)的辅助下，基片台WT可以精确地移动，例如在射束PB的路径中定位不同的靶区C。类似地，可用第一定位装置来相对于射束PB的路径精确地定位掩模MA，例如在掩模MA从掩模库(library)机械收回后，或者在扫描期间。一般地，在长冲程模块(粗略定位)和短冲程模块(精确定位)的辅助下可以实现目标台MT、WT的移动，这在图1中并未清楚的示出。但是，在晶片分档器(与分步扫描装置相反)中，掩模台MT可以仅连接在短冲击致动器上，或被固定。
所示出的装置可按照两种不同的模式来使用1.在步进模式中，掩模台MT基本上固定不动，整个掩模图像被一次投射(即单“闪”)到靶区C上。然后，基片台WT沿x和/或y方向移动，以使不同的靶区C能够被射束PB照射。
2.在扫描模式中，基本是相同的情况，但是给定靶区C没有在单“闪”中曝光。取而代之的是，掩模台MT沿给定的方向(所谓的“扫描方向”，例如y方向)以速度v移动，致使投射束PB扫描整个掩模图像；同时，基片台WT同步地以V＝Mv的速度沿相同或相反方向移动，其中M是透镜PL的放大率(通常，M＝1/4或1/5)。这样，就可以曝光相对大的目标区C，而没有牺牲分辨率。
以上已经说明了光刻装置的一般操作，现在将描述本发明所适用的该装置的那些部分。
本发明的第一方面本发明的这一方面涉及一种问题，即已知的清洁方法向装置内的每个光学元件提供清洁光子和氧气束，而未考虑不同的光学元件需要不同的净化量这样的事实。过度的清洁可能会产生不可逆的反射损耗。
图2示出本发明的照明系统IL。正如所知道的，光源LA产生的辐射光束进入照明系统IL并射在第一光学元件上，在本例中为射在反射镜SPF上。然后该光束被数个另外的反射镜FF、FF、N1、N2和G反射，直至最终离开该照明系统而作为投射光束PB。
当希望清洁这些光学元件时，将整个照明系统充满氧气并供给清洁辐射光束。在现有技术中，这种清洁辐射光束最适宜由光源LA供给，因此不需要再提供另外的辐射源。根据本发明，同时要将氧气供给至照明系统IL的所有内部部件，但清洁辐射光束只被促成与这些光学元件中的单个元件或一些元件相互作用。这可以借助于用挡板SH1、SH2选择性地遮断清洁辐射光束的光路来实现。例如，挡板SH1可以选择地遮断反射镜SPF和反射镜FF之间的辐射光路。因此就可以设置使来自光源LA的清洁辐射光束只被促成清洁反射镜SPF而不清洁挡板SH1下游的任何反射镜。作为另一个实例，挡板SH1可以打开(即它允许辐射穿过)，而挡板SH2关闭，在这种情形下，反射镜SPF、SF和FF将被清洁而不是反射镜N1、N2和G。
为了给系统增添更大的灵活性，并考虑到最上游反射镜(例如反射镜SPF)不需要清洁而较下游反射镜(例如反射镜N2)能被清洁这种清洁构型，可以提供一个或多个另外的辐射源LA1、LA2和LA3。这些辐射源在图2中以火焰示出。它们被设置用来将辐射从外部耦合进照明系统内，例如借助于定制的带有反射漫射体的分划板(参看图4)使光以“错误的方式”环绕照明系统而反射。例如，通过将一个图4所示的特殊漫射掩模置于掩模台上来得到图2所示的辐射源LA3，以此使清洁辐射光束沿图1和2所述投射光束PB相同的光路但沿相反的方向行进。这样，该清洁辐射光束就可以用来清洁反射镜N2和G(挡板SH2关闭)而不清洁反射镜N2上游的任何一个反射镜。
图3示出本发明第一方面的一种类似实现方式，但这次投射透镜PL设有挡板SH3、SH4、SH5和另外的辐射源LA4、LA5、LA6和LA7。其各个反射镜M1、M2、M3、M4、M5和M6可以隔离地以前述相同的方式进行清洁。
掩模MA可以具有图4所示的构造，其中一个特定的漫射元件DF设置在掩膜表面上使得施加在其上的光束沿多个方向反射。参看图1，可以看出，该漫射体可以这样配置，使得透射光进照明系统IL或进入透镜PL内或者同时投射进照明系统IL和投射透镜PL内。这样，就能以简单的方式来设置光源LA3和LA4。
任何类型的清洁辐射都可以使用，包括用作辐射源LA的EUV辐射。或者，也可使用DUV、IR、173nm、150nm等辐射。图5示出一个曲线图，示出MoSi反射镜的光谱分解反射曲线。可以看出，这类反射镜不仅反射带内EUV(大约13nm波长)辐射，而且反射EUV、VUV和IR辐射。从而，用除EUV辐射外的辐射清洁该反射镜组也是可以进行的，这是因为这些光学元件(这种情形下是MoSi反射镜)会反射相应系统周围的这类其它辐射。或者，如果仅需要清洁第一个相遇的反射镜并省去这些挡板，则可以选择辐射使其基本上不被相遇的第一个光学元件反射。例如，可以使用频带外的EUV辐射(例如20nm)，该辐射不会被MoSi反射镜在很大程度上反射。
本发明此实施例的这种清洁可以在用来制作集成电路的曝光中进行。同时，如果最终的抗蚀剂对所用的清洁波长并不敏感，则清洁步骤可以在曝光该所用抗蚀剂期间实时地进行。
图4中示出的专用清洁分划板可以是不具有任何多层涂层的普通低膨胀系数玻璃，其在清洁光被反射进光路时工作。此外，具有反射漫射体的专用清洁晶片也可以装载在晶片台上(见图1)，而且同样的原理也可用于清洁图3中的反射镜M5和M6(即该原理可用来提供辐射源LA7)。
本发明的第二方面本发明的这一方面涉及一种问题，即如果采用相同强度的光子束和不变空间浓度的氧气束，则将会在光学元件(例如多层反射镜)整个表面上出现相同的清洁率。然而，已经发现光学元件上的碳沉降物并不是均匀地分布在该光学元件表面上。因此，光学元件表面上碳沉积层最薄的那些部分将会在较厚碳沉积层的清洁完成之前被清洁。继续的清洁将会使已经清洁的那些部分过度曝光，从而导致不可逆的反射损耗。但是，如果清洁进程在薄碳沉积物已被清洁完时就停止，那么厚的沉积物就不能被清除掉。
通过提供一个清洁方法，其能够在光学元件的表面上引出空间变化清洁量，在此情形下已经解决上述问题。这就意味着光学元件表面上碳沉积物最厚的那些部分要比光学元件上碳沉积物较薄的那些部分经受更高的清洁率。
已经发现，清洁率依赖于供给至光学元件表面上的辐射强度。从而，可以提供诸如图6所示的配置。图6的部件类似于图1中示出的那些部件，但应当注意，在辐射光束的光路中包含有一个附加的灰色滤光片GF。该灰色滤光片GF调整光束宽度上的强度使其不均匀。这就意味着可以对要清理光学元件表面上具有最厚碳沉积物的那些部分施加较高的辐射强度。从而能够确保在较低表面氧化的风险下对光学元件的整个表面进行清洁，所述表面氧化会导致不可逆的反射损耗。尽管图6示出的这种原理应用在了一般用来清洁反射镜SPF(见图2)的辐射源LA上，但它也可以更一般地进行应用，以使灰色滤光片GF可以相互连接以及与每个辐射源(LA1…LA7)相联，每个光学元件(例如反射镜)可以与专用的辐射源LA和灰色滤光片GF相联。该灰色滤光片GF可以被设计得使清洁期间，清洁辐射束所具有的强度差会引起一个在空间上与碳形成过程相同的清洁率过程。
在照明系统IL的一部分内，在供给至光学元件的辐射光束中可以观察到一个恒定的强度分布，尤其是辐射束作用的第一光学元件将获得一个恒定的强度分布，这是由于在该光学元件之前不存在任何NA/σ的变化。从而，实际上可能不需要将一个灰色滤光片GF设置在图6所示的位置上，尽管该灰色滤光片GF一般可用于清洁其它的反射镜，尤其在接收使用中的辐射束的投射系统PL中，其中辐射束具有的强度分布依赖于集成电路的形体类型和尺寸。因此，用来进行清洁的滤光片可被制成模拟(mimic)所有曝光的过程，所讨论的光学元件用于这些曝光。
已经发现，光学元件表面上碳的形成非常类似于使用中的光学元件所经受的辐射强度。因此，可以完全根据已知光刻投射装置所用的方法来构造灰色滤光片GF。
或者，灰色滤光片GF可以基于所讨论光学元件的碳形成尺寸和/或反射损耗的测量结果来进行构造。该灰色滤光片GF可以安装在内部并在清洁后取出，但这很消耗时间。一种对它的替代是将该灰色滤光片GF设置在外部并借助于光纤和引线或者光学器件和窗口将清洁光予输入光路中。
这种灰色的过滤也可以自适应地进行。图7示出一种自适应的灰色滤光片GF。正如所看到的，该灰色滤光片GF是由很多离散的元件DE组成，这些元件DE能够改变它们的透光和/或反光性质。通过适宜地切换各个离散元件DE，可以提供对光束上类似光子强度的一种数字近似。从而，就可以用宽度上具有恒定强度的光束来照明该灰色滤光片GF，并赋予该光束恰当的强度以用最低量的过度曝光来清洁光学元件。很明显，所用离散元件DE的数目决定了反射镜上清洁的分辨率。作为一种对基于滑尺改变每个离散元件DE反射/透射性质的替代，可以使用数字元件，这些数字元件可被设定为两种状态中的一种，例如反射态和非反射态。从而，每个离散元件处于反射态的时间决定了在光学元件特定位置处接收到的清洁量。
因为灰色滤光片GF可以结合在器件内部从而不需要移动和更换就能使其性质发生改变，所以这种自适应的解决办法是特别有用的。因此在清洁期间就能在原位改变该灰色滤光片GF，这就减少了进行清洁过程所花费的时间。
在图8和9中示出一种产生离散元件DE滤光片的实用方法。图8示出滤光片的一对离散元件DE及要清洁的辐射源LA和光学元件OE。同时在光学元件OE的表面上也示出了碳沉积物CD。在图8中，所示的两个离散元件处于反射态，由此来自辐射源LA的光被反射在光学元件OE的整个表面上。这将会引起光学元件OE底部的过度曝光。图9示出了转动较低离散元件DE以使反射光远离光学元件OE表面的情形。因此，该两个离散元件会使光被反射到光学元件表面上沉积有碳的那些部分上而不反射到光学元件表面上未沉积有碳的那些部分上。
然而，也可以采用这种原理的变形，例如使用可改变接收光偏振态的元件，以及使用透射或反射性依赖于该偏振态的反射元件将光传输至要清洁的光学元件OE。
在与本发明第五方面相关的后面将描述使用电子束而不是光子束来清洁反射镜的可能性。电子束提供激活氧气所需的电子，该氧气能去除碳沉积物。由于电子束能够提供密集强度的电子，因此使用电子束比使用光子束时能获得较高的清洁。
使用电子束的一个优点是可以用射束控制单元来控制电子束。这样，就能引导电子束来扫描整个光学元件表面，以入射在碳沉积物出现的那些区域上。从而能避免入射在没有碳沉积物的区域上，这将避免光学元件一些部分的过度曝光。这一原理示出在图10中，其中所示的电子束EB在入射到光学元件OE的表面之前穿过一个射束控制单元BS。可以看到碳沉积物CD仅覆盖光学元件OE表面的一部分，校准射束控制单元BS以使射束EB只扫描表面上碳沉积物CD出现的那部分。图10中的三条射束示出了三个不同时刻处的电子束，但是应当理解，电子束能够扫描光学元件上出现有碳的整个区域。电子束扫描碳沉积层所花费的时间可以进行调整以与碳沉积层的厚度一致。因此，可以设置得使电子束EB很快地扫描薄沉积碳层而较慢地扫描厚沉积碳层，从而确保光学元件表面总的清洁。
图11示出一种进一步地改进，其中在用射束控制单元BS控制电子束EB之前使用放大光学器件BM来扩展电子束EB的宽度。这可以增大电子束的宽度，以减小去除碳沉积层所需的扫描量。在图11的示例中，射束的宽度被增大至与碳沉积层CD宽度相配的一个值，射束控制单元被用来使射束指向碳沉积层。
应当理解，局部清洁的分辨率仅受限于电子束的直径和射束控制单元BS的精度。由于电子束可提供更快速率的清洁，因此就减少了清洁时间，从而也就转化为光刻装置更高的使用效率。
本发明的第三方面本发明这一方面涉及获得一种比已知使用光子束和氧气的清洁方法更快的清洁方法。本发明的这方面将参看图12和13来进行说明。
在图12和13中，光学元件OE连接在电压源VS上，该电压源VS在该光学元件和栅极GM元件间施加一个电势差，其中栅极元件GM隔开要清洁的光学元件表面一定的距离。在一个优选实施例中，栅极元件GM被隔开以使光学元件的表面与栅极元件GM之间有1cm的间距。电压VS使光学元件OE的表面和栅极元件GM之间的空间能建立起一个电场，这在图12和13中用符号“+”和“-”示出。
在图12中，该电场的建立促使在远离光学元件OE的各点处具有更强的正电，从而由光子和光学元件表面相互作用所产生的次级电子被吸引离开光学元件的表面，并穿过光学元件OE表面附近的氧气。在这种移动中，一些次级电子SE会激活氧气，从而使光学元件表面被清洁。然后很快，通过反置由电压源VS提供的电势差来反置电场的极性。这在图13中被示出，从其中可以看出，光学元件OE的表面比栅极元件GM具有更强的正电。这促使次级电子SE被吸引朝向光学元件OE的表面，从而使次级电子第二次穿过氧气层，从而可用于激活氧气以建立清洁过程。因此，电场的反置促使次级电子两次穿过氧气，从而使清洁率潜在地增加两倍。
优选地，通过氧气供给装置OS来提供氧气，该氧气供给装置OS物理地连接在栅极元件GM上，并直接将氧气供给进栅极元件GM和光学元件OE表面之间的空间内。
本发明的第四方面本发明的这一方面涉及一种问题，即已知的清洁方法向装置内的每个光学元件提供清洁光子和氧气束，而未考虑不同的光学元件需要不同的净化量这样的事实。本发明的第一方面建议向每个反射镜提供不同量的光子，而本发明的这一方面涉及向每个反射镜附近提供不同量的氧气以对不同的反射镜提供不同的清洁率。这可以采用类似于用来实施本发明第三方面的装置即栅极元件GM和相联的电压源VS来获得。下面将参看图14、15和16来进行说明。
正如本发明第三方面那样，横跨光学元件OE的表面和栅极元件GM之间的间距，电压源VS被用来建立一个电场。电压源VS在该间距上施加一个电势差，使得光学元件OE的表面比栅极元件GM被充入更多的正电。同时，氧气供给装置OS提供已被充电带有负电荷的氧气。这就意味着氧气供给装置提供的带电氧分子被吸引朝向光学元件OE的表面。这用来建立一个氧气的浓度梯度，以便系统内部分的氧气压在光学元件表面附近要比远离光学元件OE表面更高。因为存在着更高的局部氧气浓度，则意味着清洁辐射束将对光学元件OE的表面清洁产生更大的影响。因此，可以看出，用电压源VS施加电场会比不施加电场产生更好的清洁效果。从而，通过控制邻近每个反射镜的电场并向整个系统施加带电的氧气就能够简单地在各个反射镜上进行清洁率的控制。
因为使用例如对每个反射镜都是局部的氧气加压装置很难改变局部的氧气浓度，所以已经发现这种解决办法是很有用的。它能比用局部氧气存储器更加有效、简单地向整个系统提供氧气并使用电场来增加局部浓度，且对于特定的光学元件OE可以单独地改变其电压。
图16示出光学元件OE和栅极元件GM的平面图。箭头指示带电的氧分子穿过氧气供给装置OS进入与光学元件相邻的空间。电场有助于将带电的氧分子保持在表面的附近。同时也可以提供有排出氧气的装置，在图16中示出为氧气去除装置OR。从而就能够保持一股稳定的氧气流以补充带电的氧气粒子。
优选的是，对氧气粒子负性充电，使得当氧气粒子接触次级电子时电荷不会消失。这个事实意味着优选地使电场在光学元件表面比在栅极元件GM末端点具有更多的正电。
图14示出一种配置，其中光学元件OE的表面具有正电荷，而栅极元件GM具有负电荷。尽管这会将带负性电的氧气粒子保持在光学元件表面附近，但是在当带负性电的氧气粒子到达该表面时，由于在该表面处出现的正电荷，也存在这些带负性电的氧气粒子被去电的可能。为了克服这一点，采用图15中所示的配置，其中光学元件OE的表面被负性充电，而栅极被更正性充电。从而，光学元件OE的表面相对于栅极元件被正性充电，但相对于氧粒子被负地或中性地充电。这将确保这些粒子不被去电而同时保持使氧气分子接近光学元件表面的效果。
本发明的第五方面在本发明的第二方面已经提到可以使用清洁电子束来替代清洁光子束。已经发现，清洁光子束需要与光学元件表面的相互作用以释放次级电子，然后次级电子激活氧气并引起清洁过程的出现。使用清洁电子束的优点在于可以提供更高密度的电子，且可以提高整体的清洁率从而较小清洁时间。
图10和11中示出的装置可以用来实施本发明的第五方面，但应当提醒的是，在本发明的这一方面中不必在要清洁光学元件的表面上出现任何的空间变化。如果光学元件具有均匀的碳沉积物分布，如图17所示，那么可以使用一个光束放大镜BM来用均匀的电子束冲刷光学元件OE的表面。对于一般使用中的、接收均匀辐射强度从而一般具有均匀形成的碳沉积层的照明系统的第一反射镜来说，这是很有用的。因此，可以理解，在该例中，光束控制单元BS是不需要的。
本发明的第六方面本发明的这一方面涉及在光刻装置的真空系统开启后水蒸气或烃气会渗入或出现并粘附在光学元件OE表面上的问题。如果在曝光步骤中水分子曝光于高能量的光子，那么将会出现表面的氧化，从而导致不可逆的反射损耗。如果在曝光步骤中烃气曝光于高能量的光子，那么就会给光学元件引入杂质。
本发明的第六方面提出了采用低能量的光子优选位于红外区域内的光子打破粘附在光学元件上的水分子或烃气分子键合的解决方法。这会减少粘附在光学元件上的分子数目。光子的能量被选择得使光学元件不会吸收该能量且保持它的反射性质，同时还确保这些光子不会使分子破裂。从而，这就提供了在光学元件上会生成较少杂质的优点。
作为对红外光束的一种替代，也可采用微波来将水分子激发至较高能级(例如加热)，由此减少分子粘附在光学元件上所需的时间。微波的运用意味着光学元件本身不会被任何程度地加热，从而其属性也基本不被影响。
这种方法一般被应用在整个真空系统上，其中可以用红外辐射来冲刷该真空系统以减小粘附在真空系统内壁上的分子数目。然后，可以泵浦出这些分子。如上述实施例的情形，光子的能量被选择得使其能保持它们的反射性质。同时，光子还被选择得使这些光子不会将分子破裂。一旦水分子或烃气分子的键合被打破，者它们就被泵浦出去。该系统也可以被设置用来实时地进行清洁，以确保通过不断地将杂质分子泵浦出去来不停地清洁真空系统的内表面。由于杂质不会被允许任何程度地形成，因此真空系统的泵浦停机时间就被缩短。
低能量的光子和微波对减少杂质是很有效的，而且与此同时它们也不会损害或污染系统内各种光学元件的表面。尤其是，已经发现，高能量的光子会在光学表面上产生氧化硅杂质。这是由于当系统内的真空并不理想时由水蒸气或其它杂质的出现而引起的。本发明第六方面的方法将这些杂质分子激活，从而允许采用标准的真空泵在对装置的初始抽气中将它们泵浦出装置。与此相关的是，一般将低能量的光子或微波加入系统的腔内，同时不需要将其聚焦或引向任何一个光学元件。低能量的光子和微波会与位于系统内任何地方的杂质相互作用的事实将会使光学元件的杂质减少，这是因为低能量的光子或微波将这些杂质激活从而可以将它们泵浦出系统。尽管水蒸气是主要的问题，但是本方法对于减少其它类型的杂质尤其是偶极分子也是很有效的。因为当杂质处于激发(加热)态时更容易泵浦出杂质，因此本发明具有可以减少抽气时间的优点。
尽管上面已经描述了本发明的具体实施例，但是应当理解，本发明也可用其他的而不是如上所述的方式实施。本说明无意限制本发明。
权利要求
1.一种光刻投射装置，包括-用于提供辐射投射光束的辐射系统；-用于支撑构图部件的支撑结构，所述构图部件用于根据期望的图案对投射光束进行构图；-用于固定基底的基底台；-用于将图案光束投射到基底目标位置上的投射系统；和-形成所述辐射系统、所述构图部件和/或所述投射系统一部分的数个光学元件，其特征在于清洁部件采用清洁辐射光束和气体中至少一种来清洁所述光学元件的个别部件或所述光学元件的子集。
2.依照权利要求1的装置，其中所述光学元件的子集包括的光学元件少于形成所述辐射系统、所述构图部件或所述投射系统之一一部分的所有光学元件。
3.依照权利要求1或2的装置，其中所述清洁部件包括一个或多个挡板，该一个或多个挡板用于遮蔽所述清洁辐射光束射向所述数个光学元件中一个或多个的光路。
4.依照任一前述权利要求的装置，其中所述清洁部件还包括一个或多个另外的辐射系统，所述另外辐射系统均都用于提供不同的所述清洁辐射光束。
5.依照任一前述权利要求的装置，其中所述基底台固定一个用来将清洁辐射光束向后反射穿过所述系统的清洁基底。
6.依照任一前述权利要求的装置，其中所述支撑结构包括一个用来固定掩模的掩模台。
7.依照权利要求6的装置，其中所述掩模台固定一个用来将清洁辐射光束反射进所述投射系统和/或所述辐射系统的清洁掩模。
8.依照任一前述权利要求的装置，其中所述清洁部件包括空间变化部件，其用于在至少一个所述光学元件的表面上引出空间变化清洁量。
9.一种光刻投射装置，包括-用于提供辐射投射光束的辐射系统；-用于支撑构图部件的支撑结构，所述构图部件用于根据期望的图案对投射光束进行构图；-用于固定基底的基底台；-用于将图案光束投射到基底目标位置目标位置上的投射系统；和-形成所述辐射系统、所述构图部件或所述投射系统一部分的一个光学元件，其特征在于清洁部件包括空间变化部件，用来在所述光学元件的表面上引出空间变化清洁量。
10.依照权利要求8或9的装置，其中所述空间变化部件包括一个灰色滤光片，该灰色滤光片被设置用来调节所述清洁辐射光束，以使得在所述光学元件表面上提供空间变化的辐射强度。
11.依照权利要求10的装置，其中所述灰色滤光片具有一种图案，所述图案基于自最后清洁过程以来由所述要清洁光学元件接收到的光平均图案。
12.依照权利要求10或11的装置，其中所述灰色滤光片是动态自适应的，以便其图案可以在原位改变。
13.依照权利要求12的装置，其中所述图案可以通过调节构成所述灰色滤光片的离散元件的透射或反射性质来改变。
14.依照权利要求8至13中任一的装置，其中所述空间变化部件包括一个部件，该部件用来控制清洁电子束穿过所述光学元件的表面，以使电子束以非均匀的方式扫描该光学元件的表面，从而获得空间分解的清洁。
15.依照任一前述权利要求的装置，其中所述清洁部件还包括用来在所述光学元件表面附近建立电场的部件，以使由所述清洁辐射光束与所述光学元件表面相互作用而生成的次级电子被吸引离开所述光学元件的表面；和用来反置所述电场极性的部件，以使所述次级电子随后被吸引朝向所述光学元件的表面。
16.一种光刻投射装置，包括-用于提供辐射投射光束的辐射系统；-用于支撑构图部件的支撑结构，所述构图部件用于根据期望的图案对投射光束进行构图；-用于固定基底的基底台；-用于将图案光束投射到基底目标位置上的投射系统；和-形成所述辐射系统、所述构图部件或所述投射系统一部分的一个光学元件，其特征在于清洁部件用于向所述光学元件的表面提供清洁辐射光束，并且还在于用来在所述光学元件表面附近建立电场的部件，以使由所述清洁辐射光束与所述光学元件表面相互作用而生成的次级电子被吸引离开所述光学元件的表面；和用来反置所述电场极性的部件，以使所述次级电子随后被吸引朝向所述光学元件的表面。
17.依照权利要求15或16的装置，其中所述清洁部件包括用来向要清洁的所述光学元件表面附近提供氧气的部件。
18.依照权利要求17的装置，其中所述用来提供氧气的部件包括用来给氧气分子充电的部件。
19.一种光刻投射装置，包括-用于提供辐射投射光束的辐射系统；-用于支撑构图部件的支撑结构，所述构图部件用于根据期望的图案对投射光束进行构图；-用于固定基底的基底台；-用于将图案光束投射到基底目标位置上的投射系统；和-形成所述辐射系统、所述构图部件或所述投射系统一部分的一个光学元件，其特征在于清洁部件用于向所述光学元件的表面提供清洁的辐射光束，并且还在于用来在所述光学元件表面附近建立电场的部件；用来向要清洁的所述光学元件附近提供活性气体的部件；和用来给所述活性气体分子充电的部件。
20.依照权利要求17、18或19的装置，其中所述提供活性气体的部件被设置用来向所有所述辐射系统、所述构图部件或所述投射系统或任一内的所有光学元件提供所述气体。
21.依照权利要求18至20中任一的装置，其中用来在至少一个光学元件表面附近建立电场的所述装置被设置用来建立一个电场，该电场有助于吸引所述带电的气体分子朝向所述光学元件的表面，以在所述光学元件的表面附近生成较高的气体浓度。
22.依照权利要求18至21中任一的装置，其中用来给所述活性气体充电的所述部件包括使所述气体分子具有负电荷的部件，用来在光学元件表面附近建立电场的所述部件被设置来建立一个电场，该电场在靠近光学元件表面的地方要比远离光学元件表面的点具有更多的正电。
23.依照权利要求22的装置，其中所述光学元件表面被自身地负性充电，而且与所述光学元件表面隔开的末端点要比所述表面具有更多的负电，以使所述表面相对于所述末端点被正性充电，而相对于带电的活性气体分子被负性或中性地充电。
24.依照权利要求15至23中任一的装置，其中用来建立电场的所述部件被设置用来建立一个在距离所述光学元件表面1cm的空间内变化的电场。
25.依照权利要求17至24中任一的装置，当从属于权利要求16或18时，用来建立电场的所述部件物理地连接在用来提供活性气体的所述部件上，以使所述气体被直接供给进所述电场扩展的区域内。
26.依照权利要求19至25中任一的装置，其中所述活性气体是氧气。
27.依照前述任一权利要求的装置，其中所述清洁辐射光束是光子束。
28.依照权利要求27的装置，其中所述清洁辐射光束是非EUV辐射。
29.依照权利要求1至26任一的装置，其中所述清洁辐射光束是电子束。
30.一种光刻投射装置，包括-用于提供辐射投射光束的辐射系统；-用于支撑构图部件的支撑结构，所述构图部件用于根据期望的图案对投射光束进行构图；-用于固定基底的基底台；-用于将图案光束投射到基底目标位置上的投射系统；和-形成所述辐射系统、所述构图部件或所述投射系统一部分的一个光学元件，其特征在于清洁部件包括用来使所述光学元件的表面接受光子和气体混合束的部件，以实现所述光学元件表面的清洁。
31.依照权利要求30的装置，还包括用来控制所述电子束穿过所述一个或多个光学元件表面的部件，以获得空间分解清洁。
32.依照权利要求29、30或31的装置，还包括用来扩大所述电子束宽度的部件。
33.一种光刻投射装置，包括-用于提供辐射投射光束的辐射系统；-用于支撑构图部件的支撑结构，所述构图部件用于根据期望的图案对投射光束进行构图；-用于固定基底的基底台；-用于将图案光束投射到基底目标位置上的投射系统；和-形成所述辐射系统、所述构图部件和/或所述投射系统一部分的一个光学元件，其特征在于用来向所述光学元件表面提供具有一定波长光子束的部件，该波长基本不会被所述光学元件吸收，但会被粘附在所述光学元件表面上的烃或水分子吸收。
34.一种光刻投射装置，包括-用于提供辐射投射光束的辐射系统；-用于支撑构图部件的支撑结构，所述构图部件用于根据期望的图案对投射光束进行构图；-用于固定基底的基底台；-用于将图案光束投射到基底目标位置上的投射系统；和-形成所述辐射系统、所述构图部件和/或所述投射系统一部分的一个光学元件，其特征在于用来提供微波的部件使所述光学元件表面上的偶极分子被激活，从而减少所述光学元件的杂质。
35.一种光刻投射装置的清洁方法，包括步骤向所述光刻投射装置的辐射系统、构图部件或投射系统的一个光学元件提供清洁辐射光束和气体，同时不清洁所述辐射系统、所述构图部件或所述投射系统的另一个光学元件。
36.一种光刻投射装置的清洁方法，包括步骤提供清洁辐射光束，以在形成所述光刻投射装置的辐射系统、构图部件或投射系统一部分的一个光学元件表面上引出空间变化清洁量。
37.一种光刻投射装置的清洁方法，包括步骤在形成所述光刻投射装置的辐射系统、构图部件或投射系统一部分的一个光学元件表面附近建立一个电场；提供清洁辐射光束以生成次级电子；使用所述电场吸引所述次级电子远离所述光学元件；和反置所述电场的极性以将所述次级电子吸引朝向所述光学元件的表面。
38.一种光刻投射装置的清洁方法，包括步骤在形成所述光刻投射装置的辐射系统、构图部件或投射系统一部分的一个光学元件表面附近建立一个电场；对活性气体分子进行充电；和向所述光学元件附近供给所述带电活性气体。
39.一种光刻投射装置的清洁方法，包括步骤使形成所述光刻投射装置的辐射系统、构图部件或投射系统一部分的一个光学元件表面接受电子和气体混合清洁束，以实现对所述光学元件表面的清洁。
40.一种光刻投射装置杂质减少的方法，包括步骤使形成所述光刻投射装置的辐射系统、构图部件或投射系统一部分的一个光学元件表面接受具有一定波长的光子，该波长基本不会被所述光学元件吸收，但会被粘附在所述光学元件上的杂质分子吸收。
41.一种光刻投射装置杂质减少的方法，包括步骤使形成所述光刻投射装置的辐射系统、构图部件或投射系统一部分的一个光学元件表面接受微波，以激发粘附在所述光学元件上的偶极分子，从而减少杂质。
42.一种器件的制造方法，包括步骤-提供至少部分覆盖一层辐射敏感材料的基底；-用辐射系统提供投射辐射光束；-用构图装置给投射光束赋予带图案的截面；-用投射系统投射图案辐射光束到具有一层辐射敏感材料的目标位置上，-所述方法的特征在于，采用权利要求35至41中任一的方法来清洁所述装置。
43.一种依照权利要求42的方法制作的器件。
全文摘要
本发明披露了各种新颖的清洁方法。先前的清洁方法普遍在于它们都包括将氧气注入整个系统内并将提供清洁辐射光束的单个辐射源接入到光刻装置内的每个光学元件。这会导致一些光学元件的过度曝光，而同时其它的光学元件并未被足够程度地清洁。通过提供一种系统就可以克服这一问题，该系统允许选择性地清洁一些或一组光学元件，且允许在光学元件的表面上出现空间变化的清洁。这可以通过仅仅向一个或一些光学元件供给清洁辐射光束和/或通过增加某些光学元件附近的局部氧气密度来实现。通过使用可以是动态自适应的灰色滤光片或者通过使用可控制的电子束部件就能够获得空间分解的清洁。
文档编号B08B7/00GK1510518SQ200310121698
公开日2004年7月7日 申请日期2003年12月19日 优先权日2002年12月20日
发明者L·H·J·斯特文斯, M·H·A·里德斯, H·梅林, J·H·J·莫尔斯, A 里德斯, J 莫尔斯, L H J 斯特文斯 申请人:Asml荷兰有限公司