专利名称：一种清洗晶圆表面残留物的方法
技术领域：
本发明涉及半导体器件制造清洗工艺，特别涉及一种晶圓表面清洗方法。
背景技术：
在半导体器件制造清洗工艺中，通常采用EKC溶剂清洗晶圓表面残留的有 机物(Polymer),从而起到清洁和去除缺陷的作用。现有的清洗方法是将晶圓垂 直放置在盛有EKC溶剂的清洗槽中，通过溶解扩散或电排斥，去除晶圓表面的 残留物。但是，当晶圓边缘表面存在缺陷，如离焦(defocus)、图形剥落(pattern peeling)时，可能把边缘缺陷带到整片晶圆，形成更多的残留及短路等缺陷， 使产品良率受到很大影响。图1是采用现有的晶圆清洗方法产生的缺陷示意图， 图中深色的阴影带即显示了边缘缺陷带到整片晶圆的情况。
发明内容
本发明的目的在于提供一种清洗晶圓表面残留物的方法，通过该方法能有 效避免边缘缺陷带到整片晶圓，降低缺陷大量产生的可能，从而提高产品良率。
为了达到上述的目的，本发明提供一种清洗晶圓表面残留物的方法，其包 括如下步骤(l)将晶圓水平放置于清洗槽中；(2)向晶圓表面喷洒溶剂，同时 旋转晶圆。
在上述的清洗晶圓表面残留物的方法中，所述方法在步骤(2)之后还包括向 晶圆表面喷洒蒸馏水，同时旋转晶圓的步骤。
在上述的清洗晶圓表面残留物的方法中，所述的清洗槽是微影设备的显影槽。
在上述的清洗晶圓表面残留物的方法中，所迷的溶剂是TMA (四曱基铵)。 在上述的清洗晶圓表面残留物的方法中，步骤(2)通过旋转晶圆产生离心 力，将晶圆表面溶解的残留物甩出。 本发明的清洗晶圓表面残留物的方法，通过将晶圓水平放置在清洗槽中， 利用旋转离心力将晶圆表面溶解的残留物甩出，从而有效防止了边缘缺陷扩散
到整片晶圓，提高了产品的良率。此外，通过采用TMA溶剂取代原有的EKC溶 剂，还能减小溶剂对晶圓表面材质的影响。
通过以下对本发明一实施例结合其附图的描述，可以进一步理解其发明的 目的、具体结构特征和优点。其中，附图为
图1是采用现有的晶圓清洗方法产生的缺陷示意图2是采用本发明的晶圓清洗方法在不同的清洗时间下得到的缺陷扫描图。
具体实施例方式
以下将结合附图对本发明的清洗晶圓表面残留物的方法作进一步的详细描述。
本发明的清洗晶圓表面残留物的方法首先将晶圆水平放置于清洗槽中，接 着通过设置在机台上的喷嘴向晶圓表面喷洒溶剂，同时旋转晶圓，以将晶圓表 面溶解的残留物甩出。当残留物溶解之后再向晶圓表面喷洒蒸馏水，同时旋转 晶圓，以清除晶圓表面的溶剂残留。于本发明的较佳实施例中，采用微影设备 的显影槽作为晶圓的清洗槽，并采用TMA(四甲基铵)溶剂作为清洗残留物的溶 剂。
当晶圓水平放置于显影槽后，可通过喷头向晶圓表面喷洒TMA溶剂。随着 晶圓的旋转，溶剂逐渐往晶圓边缘扩散，晶圓表面的残留物被TMA溶剂溶解后 在离心力的作用下被甩出晶圓，从而晶圓边缘的缺陷不会影响到晶圓的中央。 此外，由实验表明，TMA溶剂对晶圓表面材质钛(Ti)的影响小于EKC溶剂，故采 用TMA溶剂清洗晶圓还能减'J、溶剂对晶圓表面的损害。
本发明的方法对晶圓清洗时间没有特殊的限定，可以按照工艺要求或晶圓 表面残留物的情况设定合理的清洗时间，以节约工艺成本。图2是采用本发明 的晶圓清洗方法在不同的清洗时间(45s， 60s, 75s, 90s )下得到的缺陷扫描 图，从图中可以看出，采用本发明的方法清洗的晶圆，其表面没有明显的缺陷
痕迹，不会产生如图1所示的缺陷带，因此，采用该方法清洗的晶圆的良率可
保持在80%左右，比现有方法所获得的良率提高近30%。
权利要求
1. 一种清洗晶圆表面残留物的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤(1)将晶圆水平放置于清洗槽中；(2)向晶圆表面喷洒溶剂，同时旋转晶圆。
2、 如权利要求1所述的清洗晶圓表面残留物的方法，其特征在于所述方 法在步骤(2)之后还包括向晶圓表面喷洒蒸馏水，同时旋转晶圓的步骤。
3、 如权利要求]所述的清洗晶圓表面残留物的方法，其特征在于所述的 清洗槽是微影设备的显影槽。
4、 如权利要求1所述的清洗晶圆表面残留物的方法，其特征在于所述的 溶剂是TMA(四曱基铵)。
5、 如权利要求1所述的清洗晶圓表面残留物的方法，其特征在于步骤(2) 通过旋转晶圓产生离心力，将晶圓表面溶解的残留物甩出。
全文摘要
本发明提供了一种清洗晶圆表面残留物的方法。现有的清洗方法容易把晶圆边缘的缺陷带到整片晶圆，形成更多的残留及短路等缺陷。本发明的清洗晶圆表面残留物的方法包括如下步骤(1)将晶圆水平放置于清洗槽中；(2)向晶圆表面喷洒溶剂，同时旋转晶圆。采用本发明的方法将晶圆水平放置在清洗槽中，利用旋转离心力将晶圆表面溶解的残留物甩出，可有效防止边缘缺陷扩散到整片晶圆，提高了产品良率。此外，通过采用TMA溶剂取代原有的EKC溶剂，还能减小溶剂对晶圆表面材质的影响。
文档编号B08B3/08GK101204704SQ200610147630
公开日2008年6月25日 申请日期2006年12月20日 优先权日2006年12月20日
发明者方向平, 鹏 李, 李碧峰, 邵红光 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司