专利名称：晶圆处理装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种晶圆处理装置。
背景技术：
晶圆生产过程中，晶圆表面会形成盲孔。晶圆表面的盲孔内易储存气泡。气泡的存在会影响电镀质量。因为存在气泡，电镀液难以到达盲孔内，由于电镀液无法到达盲孔内，因此盲孔内表面无法达到电镀要求。因此，为提高电镀质量，需要处理晶圆以去除盲孔内的气泡。并且需要在电镀之前使用润湿液润湿晶圆。但现有技术中，去除晶圆盲孔内气泡的方法复杂，去除气泡效果不够理想。在去除盲孔内气泡的处理过程中及润湿过程中，需要固定晶圆，以免损坏晶圆。晶圆大规模生产过程中，需要每一步操作都能快速、节省时间。晶圆由于厚度薄，因此在大部分处理过程中需要夹具固定。但现有技术中的夹具结构复杂，使用不便，装夹及拆卸不方便，操作时间长、工序多、效率低。
实用新型内容本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种结构简单、能够将晶圆固定于容腔内的晶圆处理装置。为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案实现晶圆处理装置，其特征在于，包括槽体，所述槽体设置有容腔；所述容腔内设置有支架。优选地是，所述支架具有一弧形边，所述弧形边的中部设置有沿支架高度方向延伸的第一定位槽；所述第一定位槽一侧或两侧设置有第二定位槽；所述第二定位槽设置于弧形边上且沿支架高度方向延伸；所述第一定位槽高度大于第二定位槽高度。优选地是，所述支架数目为两个，两个支架间隔设置。优选地是，所述槽体设置有可打开的密封槽盖，所述密封槽盖密封容腔。优选地是，所述槽体设置有抽真空管，所述抽真空管与容腔连通。优选地是，所述的槽体上安装有用于检测容腔内真空度的检测仪。优选地是，所述槽体还安装有进液管和出液管，所述进液管与出液管均与容腔连通。优选地是，还包括晶圆夹具，所述晶圆夹具包括基板，所述基板中部设置有第一通孔；基板正面设置有两个以上的第一定位柱，两个以上的第一定位柱沿圆周方向分布；所述第一定位柱端部设置有用于压住晶圆的第一端头；所述第一端头与基板正面具有与晶圆厚度相适应的距离；还包括至少一个可运动的第二定位柱；所述第二定位柱具有可压住晶圆的第二端头；所述第二端头与基板正面具有与晶圆厚度相适应的距离；所述第二定位柱可运动地设置在基板上；所述第二定位柱在第二端头可压住晶圆的位置与第二端头不压住晶圆的位置之间移动。优选地是，所述第二定位柱可沿转轴转动地设置在基板上，所述转轴安装于基板上。优选地是，所述的基板设置有导向槽，所述第二定位柱设置于导向槽内并可在导向槽内移动。优选地是，所述转轴与第二定位柱通过连杆连接。优选地是，还包括定位销，所述定位销设置于基板上并位于转轴与第二定位柱之间；所述定位销与所述连杆可拆卸连接。优选地是，所述连杆设置在基板背面；所述基板设置有第二通孔，第二通孔位于转轴与导向槽之间；所述定位销穿过第二通孔与连杆可拆卸连接。优选地是，所述的定位销与连杆螺纹连接。优选地是，两个以上的第一定位柱形成的圆周弧度小于180度；所述第二定位柱·移动至压住晶圆的位置处时，第二定位柱与两个以上的第一端头沿圆周方向分布；且第二定位柱与两个以上的第一定位柱形成的圆周弧度大于180度。优选地是，所述基板至少一个侧面间隔设置两个第三定位柱；两个第三定位柱中的一个位于第一定位槽内，另一个位于第二定位槽内。优选地是，所述基板相对的两侧面对称设置有四个第三定位柱，每一侧设置有两个第三定位柱。优选地是，位于同一侧的两个第三定位柱之间的距离，小于等于第一定位槽槽底与第二定位槽槽底的距离。优选地是，所述基板设置有第三通孔。优选地是，所述的基板正面设置有导流槽，所述导流槽延伸至第一通孔。优选地是，所述第一端头与基板正面之间具有第一卡槽；所述第二端头与基板正面之间具有第二卡槽。本实用新型中的晶圆处理装置，结构简单，使用方便。利用抽真空去除晶圆盲孔内的气泡，去除率高。去除气泡后，利用容器内真空度低可自动将润湿液吸入容腔内，无需泵送装置输送润湿液，操作简便。本实用新型中使用的晶圆夹具，结构简单，装夹及拆卸晶圆时间短，工序少，节省时间。基板设置有第一通孔，可对晶圆正面及背面进行处理，基板不影响对晶圆背面的处理。利用第三定位柱与第一定位槽、第二定位槽配合，晶圆夹具可稳固地设置在支架上，可降低损坏晶圆的风险。
图I为本实用新型正视图。图2为图I的A-A剖视图。图3为本实用新型中使用的晶圆夹具正视图。图4为本实用新型中使用的晶圆夹具使用状态立体图。图5为本实用新型中使用的晶圆夹具使用状态正视图。图6为本实用新型中使用的晶圆夹具使用状态侧视图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型进行详细的描述[0034]如图I、图2及图3所示，晶圆处理装置20，包括密封槽盖21及槽体22。槽体22设置有容腔23。密封槽盖21可打开地安装在槽体22上端。密封槽盖21关闭时，使容腔23成为密闭空间。槽体22设置有抽真空管24，抽真空管24与槽体20内部的容腔23连通。槽体22上安装有用于检测容腔23内真空度的检测仪27。槽体22上还安装有进液管25和出液管26。进液管25与出液管26均与容腔23连通。容腔23内设置有两个支架15 (图中示出一个)。两个支架15结构相同，间隔设置。支架15具有一弧形边151。弧形边151的中部设置有沿支架15高度方向延伸的第一定位槽16。第一定位槽16两侧分别设置有两个第二定位槽17(图中示出了三个)。第二定位槽17设置于弧形边151上且沿支架15高度方向延伸。第一定位槽43高度H大于第二定位槽17高度h。晶圆夹具50两侧分别固定在两个支架15上。晶圆夹具50上固定有晶圆10。如图3、图4、图5及图6所示，晶圆夹具50，包括基板I。所述基板I中部设置有第一通孔2。基板I正面设置有四个第一定位柱3，四个第一定位柱3沿圆周方向分布；第一定位柱3端部设置有用于压住晶圆10的第一端头31。第一端头31与基板I正面11具有与晶圆10厚度相适应的距离，形成卡槽32。第二定位柱4具有可压住晶圆10的第二端头41。第二端头41与基板I正面11具有与晶圆10厚度相适应的距离，形成卡槽42。基板I上安装有转轴5。基板I背面设置有连杆6，连杆6 —端与转轴5连接，另一端与第二定位柱4连接。基板I设置有贯穿的导向槽7。第二定位柱4设置于导向槽7内并可在导向槽7内运动。随着第二定位柱4移动，第二端头41既可以移动至压住晶圆10的位置，也可以移动至不压住晶圆10的位置。基板I设置有第二通孔8，第二通孔8位于转轴5与导向槽7之间。定位销9穿过第二通孔8与连杆6螺纹连接。基板I正面11设置有导流槽14。基板I相对的两侧面对称设置有四个第三定位柱12，每一侧面设置两个。基板I还设置有第三通孔13。使用时，首先将晶圆10固定在晶圆夹具50上。如图4、图5所示，晶圆10放置在基板I正面。由于四个第一定位柱3形成的弧度小于180度，因此，晶圆10边缘可插入四个第一端头31与基板I正面11之间，即插入四个第一卡槽32内。四个第一端头31可压住晶圆10边缘，可限制晶圆10朝与基板I的正面11垂直的方向移动，但无法限制晶圆10沿与正面11平行的方向移动。使连杆6绕转轴5转动，带动第二定位柱4移动至第二端头41压住晶圆10的边缘的位置。使用定位销9与连杆6螺纹连接，使连杆6无法转动，则第二定位柱4位置固定。由于第二端头41与四个第一端头31形成的弧度大于180度，因此，第二端头41与四个第一端头31可完全将晶圆10限制在基板I的正面11上而无法移动。晶圆10固定在基板I上后，可用手或者机械装置穿过第三通孔13，移动基板I至使用位置。对晶圆10处理工艺完成后，反向操作可将晶圆10拆下。在清洗晶圆10或电镀晶圆10的过程中，清洗液或电镀液处于流动状态，为防止流动的清洗液或电镀液对晶圆10的背面冲击力过大，设置导流槽14。冲向晶圆10背面的清洗液或电镀液可以从导流槽14分流，避免了清洗液或电镀液无法分流而对晶圆10背面冲击力过大损坏晶圆的风险。设置第三定位柱12，有助于定位基板I。晶圆10固定在基板I上后，再将基板I放入容腔23内，使左右两侧的下方的第三定位柱23分别位于两个支架15的第一定位槽16内。基板I两侧的上方的两个第三定位柱23分别位于两个支架15的第二定位槽17内。调整基板I两侧的上方的两个第三定位柱23，使其分别位于沿圆周方向的不同第二定位槽17内，可以调节夹具I和晶圆10的倾斜角度，这样可以获得不同的处理效果。本实用新型中的实施例仅用于对本实 用新型进行说明，并不构成对权利要求范围的限制，本领域内技术人员可以想到的其他实质上等同的替代，均在本实用新型保护范围内。
权利要求1.晶圆处理装置，其特征在于，包括槽体，所述槽体设置有容腔；所述容腔内设置有支架。
2.根据权利要求I所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述支架具有一弧形边，所述弧形边的中部设置有沿支架高度方向延伸的第一定位槽；所述第一定位槽一侧或两侧设置有第二定位槽；所述第二定位槽设置于弧形边上且沿支架高度方向延伸；所述第一定位槽高度大于第二定位槽高度。
3.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述支架数目为两个，两个支架间隔设置。
4.根据权利要求I所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述槽体设置有可打开的密封槽盖，所述密封槽盖密封容腔。
5.根据权利要求I所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述槽体设置有抽真空管，所述抽真空管与容腔连通。
6.根据权利要求5所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述的槽体上安装有用于检测容腔内真空度的检测仪。
7.根据权利要求5所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述槽体还安装有进液管和出液管，所述进液管与出液管均与容腔连通。
8.根据权利要求I所述的晶圆处理装置，其特征在于，还包括晶圆夹具，所述晶圆夹具包括基板，所述基板中部设置有第一通孔；基板正面设置有两个以上的第一定位柱，两个以上的第一定位柱沿圆周方向分布；所述第一定位柱端部设置有用于压住晶圆的第一端头；所述第一端头与基板正面具有与晶圆厚度相适应的距离；还包括至少一个可运动的第二定位柱；所述第二定位柱具有可压住晶圆的第二端头；所述第二端头与基板正面具有与晶圆厚度相适应的距离；所述第二定位柱可运动地设置在基板上；所述第二定位柱在第二端头可压住晶圆的位置与第二端头不压住晶圆的位置之间移动。
9.根据权利要求8所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第二定位柱可沿转轴转动地设置在基板上，所述转轴安装于基板上。
10.根据权利要求9所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述的基板设置有导向槽，所述第二定位柱设置于导向槽内并可在导向槽内移动。
11.根据权利要求10所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述转轴与第二定位柱通过连杆连接。
12.根据权利要求11所述的晶圆处理装置，其特征在于，还包括定位销，所述定位销设置于基板上并位于转轴与第二定位柱之间；所述定位销与所述连杆可拆卸连接。
13.根据权利要求12所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述连杆设置在基板背面；所述基板设置有第二通孔，第二通孔位于转轴与导向槽之间；所述定位销穿过第二通孔与连杆可拆卸连接。
14.根据权利要求13所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述的定位销与连杆螺纹连接。
15.根据权利要求8所述的晶圆处理装置，其特征在于，两个以上的第一定位柱形成的圆周弧度小于180度；所述第二定位柱移动至压住晶圆的位置处时，第二定位柱与两个以上的第一端头沿圆周方向分布；且第二定位柱与两个以上的第一定位柱形成的圆周弧度大于180度。
16.根据权利要求8所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述基板至少一个侧面间隔设置两个第三定位柱；两个第三定位柱中的一个位于第一定位槽内，另一个位于第二定位槽内。
17.根据权利要求16所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述基板相对的两侧面对称设置有四个第三定位柱，每一侧设置有两个第三定位柱。
18.根据权利要求16所述的晶圆处理装置，其特征在于，位于同一侧的两个第三定位柱之间的距离，小于等于第一定位槽槽底与第二定位槽槽底的距离。
19.根据权利要求8所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述基板设置有第三通孔。
20.根据权利要求8所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述的基板正面设置有导流槽，所述导流槽延伸至第一通孔。
21.根据权利要求8所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第一端头与基板正面之间具有第一卡槽；所述第二端头与基板正面之间具有第二卡槽。
专利摘要本实用新型公开了一种晶圆处理装置，其特征在于，包括槽体，所述槽体设置有容腔；所述容腔内设置有支架。本实用新型中的晶圆处理装置，结构简单，使用方便。利用抽真空去除晶圆盲孔内的气泡，去除率高。去除气泡后，利用容器内真空度低可自动将润湿液吸入容腔内，无需泵送装置输送润湿液，操作简便。本实用新型中使用的晶圆夹具，结构简单，装夹及拆卸晶圆时间短，工序少，节省时间。基板设置有第一通孔，可对晶圆正面及背面进行处理，基板不影响对晶圆背面的处理。利用第三定位柱与第一定位槽、第二定位槽配合，晶圆夹具可稳固地设置在支架上，可降低损坏晶圆的风险。
文档编号H01L21/67GK202487545SQ201120573868
公开日2012年10月10日 申请日期2011年12月31日 优先权日2011年12月31日
发明者刘红兵, 王振荣, 陈概礼 申请人:上海新阳半导体材料股份有限公司