专利名称：清洗组成物的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种适用于清洗平面显示器用基板表面的水性清洗组成物，及使用其清洗基板的方法。更具体地，本发明涉及一种去除在薄膜晶体管的通道上所形成的有机污染物、金属-光阻沉积物、金属氧化物、与金属复合物的清洗组成物，及使用所述清洗组成物的清洗方法。
背景技术：
如同半导体装置，平面显示器(FPD)(包括例如液晶显示器)经薄膜形成、曝光、蚀刻等而制造。具体地，FPD是借由蚀刻栅极金属、活性层、绝缘层、与源极-漏极金属，使用剥离剂剥离作为光罩的光阻层，及使用源极-漏极图案作为光罩而实行干式蚀刻，使得过度蚀刻n+a-Si与a-Si :H，如此将通道图案化而制造。在形成通道之前，在借光阻剥离剂去除作为光罩的光阻时，分解/溶解在被用于去除光阻的剥离剂中的光阻可能与配线材料化学地相互作用，如此形成金属-光阻沉积物。在金属配线的情况下，其可能促进通道的暴露横向部分的氧化，因而形成氧化物层。此夕卜，用于将通道图案化的干式蚀刻气体可能与形成源极-漏极的金属配线材料形成金属复合物。在光阻剥离及干式蚀刻后，所得的金属-光阻沉积物、金属氧化物、与金属复合物可能污染通道，即使是在其以非常小的量存在于通道中时，而不希望地造成源极-漏极金属配线的漏电，使装置良率降低。因此，在实行后续程序之前应尽可能地减少金属-光阻沉积物、金属氧化物、与金属复合物。因而需要一种自通道去除污染物的清洗程序。可用于自通道去除污染物的公知技术可包括，使用用于在半导体或FPD的制造期间去除由干式蚀刻或灰化生成的光阻改性层的剥离剂或清洁剂。然而公知的剥离剂或清洁剂因无法以所希望的程度防止在基板上所形成的金属配线(现为高度集成及密集化)的腐蚀，且去除金属氧化物、金属-光阻残渣、与金属复合物的能力不足而不利，使得此剥离剂或清洁剂不适合用于自通道去除污染物的清洗程序。
发明内容
因而本发明意在提供一种水性清洗组成物，其可有效地去除在FPD的制造期间产生的污染物，特别是在液晶显示器的薄膜晶体管的通道上所形成的有机污染物、金属-光阻沉积物、金属氧化物、与金属复合物，但不腐蚀下方层(如金属配线，特别是铜(Cu)与Cu 合金配线)及绝缘层。本发明的一个方面提供一种水性清洗组成物，其包含，按组成物的总重量计， 0. 05 20重量％的有机胺化合物、0. 1 40重量％的二醇醚化合物、0. 001 5重量％的除氢氟酸以外的水性氟系化合物、0. 001 1. 0重量％的由下式1表示的化合物、及其余为水[式1]
权利要求
1.一种水性清洗组成物，所述清洗组成物包含，按组成物的总重量计，0. 05 20重量％的有机胺化合物、0. 1 40重量％的二醇醚化合物、0. 001 5重量％的除氢氟酸以外的水性氟系化合物、0. 001 1. 0重量％的由下式1表示的化合物、及其余为水
2.根据权利要求1所述的水性清洗组成物，其中，有机胺化合物包含选自由一级胺、二级胺、三级胺、与烷醇胺所组成的群组的一种或更多种。
3.根据权利要求1所述的水性清洗组成物，其中，二醇醚化合物包含选自由乙二醇单丁基醚、二乙二醇单甲基醚、二乙二醇单乙基醚、二乙二醇单丁基醚、二丙二醇单甲基醚、二丙二醇单乙基醚、三乙二醇单丁基醚、三乙二醇单乙基醚、与丙二醇单甲基醚所组成的群组的一种或更多种。
4.根据权利要求1所述的水性清洗组成物，其中，除氢氟酸以外的水性氟系化合物包含选自由氟硼酸、氟化铵、二氟化铵、氟化四甲铵、氟化四乙铵、氢氟化甲胺、氢氟化乙胺、与氢氟化丙胺所组成的群组的一种或更多种。
5.根据权利要求1所述的水性清洗组成物，其中，由式1表示的化合物包含选自由2， 2，_[[[苯并三唑-1-基]甲基]亚胺基]双乙醇、[[[甲基-IH-苯并三唑-1-基]甲基] 亚胺基]双甲醇、2，2，-[[[乙基-IH-苯并三唑-1-基]甲基]亚胺基]双乙醇、[[[甲基-IH-苯并三唑-1-基]甲基]亚胺基]双羧酸、[[[甲基-IH-苯并三唑-1-基]甲基] 亚胺基]双甲胺、与2，2’ _[[[胺-IH-苯并三唑-1-基]甲基]亚胺基]双乙醇所组成的群组的一种或更多种。
6.根据权利要求1所述的水性清洗组成物，其用于清洗薄膜晶体管的通道。
7.根据权利要求6所述的水性清洗组成物，其中，薄膜晶体管的通道包括铜或铜合金配线。
8.一种清洗薄膜晶体管的通道的方法，其包含使用维持在20 80°C的根据权利要求 1所述的水性清洗组成物来清洗薄膜晶体管的通道10秒至10分钟的时间。
9.一种制造薄膜晶体管的方法，其包含使用维持在20 80°C的根据权利要求1所述的水性清洗组成物来清洗薄膜晶体管的通道10秒至10分钟的时间。
全文摘要
本发明涉及一种用于在制造平面显示器(FPD)期间自薄膜晶体管的通道去除污染物的水性清洗组成物，及使用所述清洗组成物的清洗方法。该水性清洗组成物能够很好地去除在薄膜晶体管的通道上所形成的有机污染物、金属-光阻沉积物、金属氧化物、与金属复合物，且有效地防止形成在基板上的金属配线的腐蚀，特别是，铜或铜合金配线、及绝缘层。此外，水性清洗组成物包括大量去离子水，如此易于处理且环境友善。
文档编号C11D3/28GK102498197SQ201080038137
公开日2012年6月13日 申请日期2010年9月10日 优先权日2009年9月11日
发明者尹嚆重, 房淳洪, 李承佣, 金圣植 申请人:东友Fine-Chem股份有限公司