专利名称：单晶硅片的清洗工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及光伏技术领域的单晶硅片生产工艺，具体地说是一种单晶硅片的清洗工艺。
背景技术：
随着全球范围内绿色能源的推广和近年来半导体产业的飞速发展，对硅片的要求也越来越苛刻。作为硅片上游生产的关键技术，近年来崛起的新型硅片清洗工艺具有清洗表面质量高、清洗效率高等优点。现有的硅片清洗工艺一般包括脱胶、清洗及甩干步骤，但由于清洗时间和水温的控制不当，在生产过程中稳定性比较差，第一批次和第三批次硅片的清洗液残留相差30%，而且第三批次后洗出来的硅片往往出现花污片，合格率有时仅仅只有80%左右，造成了极大的损失。
发明内容
本发明针对上述现有技术的不足，提供一种稳定性高、合格率高的单晶硅片的清洗工艺。按照本发明提供的技术方案一种单晶硅片的清洗工艺，包括如下步骤
(1)预冲洗将切割完的单晶硅片放入花篮中，依次推入四槽脱胶机的四个槽，在1号、 2号槽中进行预冲淋，纯水温度为45 50°C，时间为6-7分钟，在3号槽中进行超声清洗， 超声6-7分钟，水温55-60°C，超声频率为45-50赫兹，在4号槽中加入3%_5%体积浓度的乳酸或草酸或柠檬酸，超声清洗6-7分钟，水温55-60°C，超声频率为45-50赫兹；
(2)脱胶将预冲洗后的硅片浸泡在水中，水温50 60°C，自然倒状，人工撕掉胶片，脱胶完毕后将硅片装入清洗片盒中；
(3)超声波清洗将装好的片盒浸入六槽式超声波清洗机的第一、第二槽清水中各粗洗 6-7分钟，水温45 50°C;将粗洗后的硅片浸入六槽式超声波清洗机的第三、第四槽的清洗液中各精洗6-7分钟，水温60 65°C ；将精洗后的硅片浸入六槽式超声波清洗机的第五、 第六槽的清水中各漂洗6-7分钟，同时打开溢流阀，水温55 60°C ；
(4)甩干将清洗后的硅片在离心甩干装置中进行离心甩干，温度55°C，转速400转，时间6-7分钟；
(5)检验将甩干后的硅片进行外观检测，检测合格后转入其他工序。所述清洗液的配制首先将常州君合厂家提供的JH-15硅片专用清洗剂的A剂与 B剂按照1 2的体积比混合均勻制成混合物，然后将上述混合物与去离子水按3:100的重量比混合并搅拌均勻，配制成清洗液。本发明与已有技术相比具有以下优点清洗效果好，合格率大幅提高，极大地提高了机器的工作效率。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步的说明。实施例1
一种单晶硅片的清洗工艺，包括如下步骤
(1)预冲洗将切割完的单晶硅片放入花篮中，依次推入四槽脱胶机的四个槽，在1号、 2号槽中进行预冲淋，纯水温度为45°C，时间为6分钟，在3号槽中进行超声清洗，超声6分钟，水温55°C，超声频率为45赫兹，在4号槽中加入3%体积浓度的乳酸，超声清洗6分钟， 水温55 °C，超声频率为45赫兹；
(2)脱胶将预冲洗后的硅片浸泡在水中，水温50°C，自然倒状，人工撕掉胶片，脱胶完毕后将硅片装入清洗片盒中；
(3)超声波清洗将装好的片盒浸入六槽式超声波清洗机的第一、第二槽清水中各粗洗 6分钟，水温45°C ；将粗洗后的硅片浸入六槽式超声波清洗机的第三、第四槽的清洗液中各精洗6分钟，水温60°C ；将精洗后的硅片浸入六槽式超声波清洗机的第五、第六槽的清水中各漂洗6分钟，同时打开溢流阀，水温55°C ；
(4)甩干将清洗后的硅片在离心甩干装置中进行离心甩干，温度55°C，转速400转，时间6分钟；
(5)检验将甩干后的硅片进行外观检测，要求外观均勻、无油脂、杂质、色差、水迹、过腐蚀发黑等不良现象，外观质量好，检测合格后转入其他工序。超声波清洗中清洗液的配制首先将常州君合厂家提供的JH-15硅片专用清洗剂的A剂与B剂按照1 2的体积比混合均勻制成混合物，然后将上述混合物与去离子水按 3:100的重量比混合并搅拌均勻，配制成清洗液。硅片清洗剂的A剂与B剂为市售产品。实施例2
一种单晶硅片的清洗工艺，包括如下步骤
(1)预冲洗将切割完的单晶硅片放入花篮中，依次推入四槽脱胶机的四个槽，在1号、 2号槽中进行预冲淋，纯水温度为50°C，时间为7分钟，在3号槽中进行超声清洗，超声7分钟，水温60°C，超声频率为50赫兹，在4号槽中加入5%体积浓度的草酸，超声清洗7分钟， 水温60°C，超声频率为50赫兹；
(2)脱胶将预冲洗后的硅片浸泡在水中，水温60°C，自然倒状，人工撕掉胶片，脱胶完毕后将硅片装入清洗片盒中；
(3)超声波清洗将装好的片盒浸入六槽式超声波清洗机的第一、第二槽清水中各粗洗 7分钟，水温50°C ；将粗洗后的硅片浸入六槽式超声波清洗机的第三、第四槽的清洗液中各精洗7分钟，水温65°C ；将精洗后的硅片浸入六槽式超声波清洗机的第五、第六槽的清水中各漂洗7分钟，同时打开溢流阀，水温60°C ；
(4)甩干将清洗后的硅片在离心甩干装置中进行离心甩干，温度55°C，转速400转，时间7分钟；
(5)检验将甩干后的硅片进行外观检测，要求外观均勻、无油脂、杂质、色差、水迹、过腐蚀发黑等不良现象，外观质量好，检测合格后转入其他工序。实施例3
一种单晶硅片的清洗工艺，包括如下步骤
(1)预冲洗将切割完的单晶硅片放入花篮中，依次推入四槽脱胶机的四个槽，在1号、
42号槽中进行预冲淋，纯水温度为48°C，时间为6. 5分钟，在3号槽中进行超声清洗，超声 6. 5分钟，水温58°C，超声频率为57赫兹，在4号槽中加入4%体积浓度的柠檬酸，超声清洗 6. 5分钟，水温58 °C，超声频率为48赫兹；
(2)脱胶将预冲洗后的硅片浸泡在水中，水温57°C，自然倒状，人工撕掉胶片，脱胶完毕后将硅片装入清洗片盒中；
(3)超声波清洗将装好的片盒浸入六槽式超声波清洗机的第一、第二槽清水中各粗洗 6. 5分钟，水温48°C ；将粗洗后的硅片浸入六槽式超声波清洗机的第三、第四槽的清洗液中各精洗6. 5分钟，水温62°C ；将精洗后的硅片浸入六槽式超声波清洗机的第五、第六槽的清水中各漂洗6. 5分钟，同时打开溢流阀，水温58°C ；
(4)甩干将清洗后的硅片在离心甩干装置中进行离心甩干，温度55°C，转速400转，时间6. 5分钟；
(5)检验将甩干后的硅片进行外观检测，要求外观均勻、无油脂、杂质、色差、水迹、过腐蚀发黑等不良现象，外观质量好，检测合格后转入其他工序。
权利要求
1.一种单晶硅片的清洗工艺，其特征是，包括如下步骤(1)预冲洗将切割完的单晶硅片放入花篮中，依次推入四槽脱胶机的四个槽，在1号、 2号槽中进行预冲淋，纯水温度为45 50°C，时间为6-7分钟，在3号槽中进行超声清洗， 超声6-7分钟，水温55-60°C，超声频率为45-50赫兹，在4号槽中加入3%_5%体积浓度的乳酸或草酸或柠檬酸，超声清洗6-7分钟，水温55-60°C，超声频率为45-50赫兹；(2)脱胶将预冲洗后的硅片浸泡在水中，水温50 60°C，自然倒状，人工撕掉胶片，脱胶完毕后将硅片装入清洗片盒中；(3)超声波清洗将装好的片盒浸入六槽式超声波清洗机的第一、第二槽清水中各粗洗 6-7分钟，水温45 50°C;将粗洗后的硅片浸入六槽式超声波清洗机的第三、第四槽的清洗液中各精洗6-7分钟，水温60 65°C ；将精洗后的硅片浸入六槽式超声波清洗机的第五、 第六槽的清水中各漂洗6-7分钟，同时打开溢流阀，水温55 60°C ；(4)甩干将清洗后的硅片在离心甩干装置中进行离心甩干，温度55°C，转速400转，时间6-7分钟；(5)检验将甩干后的硅片进行外观检测，检测合格后转入其他工序。
2.按照权利要求1所述的单晶硅片的清洗工艺，其特征是所述清洗液的配制首先将硅片清洗剂的A剂与B剂按照1 2的体积比混合均勻制成混合物，然后将上述混合物与去离子水按3:100的重量比混合并搅拌均勻，配制成清洗液。
全文摘要
本发明涉及一种单晶硅片的清洗工艺，包括如下步骤(1)预冲洗将单晶硅片依次在四槽脱胶机的四个槽中进行清洗；(2)脱胶将预冲洗后的硅片进行人工脱胶；(3)超声波清洗将脱胶后的硅片浸入六槽式超声波清洗机中清洗；(4)甩干将清洗后的硅片在离心甩干装置中进行离心甩干；(5)检验将甩干后的硅片进行外观检测，检测合格后转入其他工序。本发明清洗效果好，合格率大幅提高，极大地提高了机器的工作效率。
文档编号B08B3/12GK102327882SQ20111023094
公开日2012年1月25日 申请日期2011年8月12日 优先权日2011年8月12日
发明者孙亮湖 申请人:无锡尚品太阳能电力科技有限公司