专利名称：太阳电池硅片残酸碱水清洗装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及太阳能电池技术领域，尤其是一种太阳电池硅片残酸碱水清洗装置。
背景技术：
在太阳电池的制备过程中，常采用酸或碱溶液对硅片进行刻蚀，以防止PN结正面与背面产生短路，而经过酸或碱溶液的硅片表面都会残留有部分酸碱，如果不将残留的酸碱清洗干净，容易给硅片带来污染，导致电流降低以及外观不良，但目前对硅片残酸碱所采用的水清洗效果并不很理想，清洗后硅片干净度与所要求的存在差别。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术中之不足，提供一种清洗效果更佳、更干净的太阳电池硅片残酸碱水清洗装置。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种太阳电池硅片残酸碱水清洗装置，包括存水槽，所述的存水槽上部设有对硅片进行喷淋的喷淋管，存水槽底部分别设有用于向存水槽内补水的溢流进水管和可快速排放已清洗过的水流的快排出水管。为调节水流排放频率，所述的存水槽外壁设有控制存水槽中水流排放频率的控制
ο本实用新型的有益效果是本实用新型采用对太阳电池硅片上方喷淋加下部溢流补水以及清洗过的水流快速排放的方式，循环进行，可将硅片上残留的酸碱清洗更加干净， 达到较为理想的清洗效果。
以下结合附图和实施方式对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图。图中1.存水槽2.喷淋管3.溢流进水管4.快排出水管5.控制器6.硅片具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步的说明。这些附图均为简化的示意图仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。如
图1所示的一种太阳电池硅片残酸碱水清洗装置，包括存水槽1，所述的存水槽 1上部设有对硅片6进行喷淋的喷淋管2，喷淋管2从上方向硅片6进行喷淋，可确保水流最大程度地喷到硅片6上，存水槽1底部分别设有用于向存水槽1内补水的溢流进水管3 和可快速排放已清洗过的水流的快排出水管4，快排出水管4的口径大于溢流进水管3的口径。为调节水流排放频率，所述的存水槽1外壁设有控制存水槽1中水流排放频率的控制器5，可根据工艺需要设置水流排放的循环频率。本实用新型采用喷淋加溢流进水加快速排水的方式冲洗硅片6，当硅片6进入存水槽后，通过喷淋管2从硅片6上方进行喷淋加上存水槽1底部溢流进水管3溢流进水的方式，使存水槽1快速存满水，存满水后，溢流进水管3继续溢流进水一定时间，具体时间可由工艺要求设置，使得硅片6上残留的酸碱充分洗净，然后由快排出水管4快速排放已清洗过硅片6的水流，而后再通过喷淋管2喷淋和溢流进水管3进水，快速将存水槽1补满水， 如此循环进行，从而使硅片6上残留的酸碱得到彻底的清洗，达到硅片6更加干净和较为理想的清洗效果，其中循环次数根据工艺要求调整。上述实施方式只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并加以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围，凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围内。
权利要求1.一种太阳电池硅片残酸碱水清洗装置，包括存水槽(1)，其特征是所述的存水槽 (1)上部设有对硅片(6)进行喷淋的喷淋管0)，存水槽(1)底部分别设有用于向存水槽 ⑴内补水的溢流进水管⑶和可快速排放已清洗过的水流的快排出水管G)。
2.根据权利要求1所述的太阳电池硅片残酸碱水清洗装置，其特征是所述的存水槽 (1)外壁设有控制存水槽(1)中水流排放频率的控制器(5)。
专利摘要本实用新型公开了一种太阳电池硅片残酸碱水清洗装置，包括存水槽，所述的存水槽上部设有对硅片进行喷淋的喷淋管，存水槽底部分别设有用于向存水槽内补水的溢流进水管和可快速排放已清洗过的水流的快排出水管。本实用新型采用对太阳电池硅片上方喷淋加下部溢流补水以及清洗过的水流快速排放的方式，循环进行，可使硅片清洗更加干净，达到较为理想的清洗效果。
文档编号B08B3/02GK202162156SQ20112022736
公开日2012年3月14日 申请日期2011年6月30日 优先权日2011年6月30日
发明者叶权华 申请人:常州天合光能有限公司