单晶硅片清洗装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了单晶硅片清洗装置，包括：一进料槽，一与进料槽顺次连接的第一药槽和第二药槽，以及一与第二药槽连接的自来水溢流槽，还包括一纯水供水系统，所述纯水供水系统包括一第一纯水槽，一第二纯水槽以及一第三纯水槽，所述第一纯水槽，第二纯水槽以及第三纯水槽相互连通，将通过第三纯水槽、第二纯水槽至第一纯水槽的纯水通过一溢流管通入纯水溢流槽，所述进料槽和自来水溢流槽均连接一自来水供水管。将硅片清洗工艺的改进优化与设备改造相结合，使我们现有的槽体较少，可以清洗（要求高，槽体多）单晶硅片，达到硅片表面质量干净，纯水消耗降低，生产成本降低，而最终实现生产效益提高的目的。
【专利说明】单晶硅片清洗装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及硅生产领域，具体涉及单晶硅片清洗装置。
【背景技术】
[0002]晶体硅作为太阳能电池的主要原料，在推动世界光伏产业的发展中起到了举足轻重的作用。在太阳能电池的制造中，晶体硅占整个电池制造成本的68.5%，其中硅片(切片后)占12.3%。因此提高晶体硅在各道加工工序中的成品率是降低太阳能电池成本的一个关键步骤。
[0003]在硅片加工过程中，所有与硅片接触的外部媒介都可能是硅片污染物的来源。由此可知，硅片表面的污染物来源主要有:加工器械带来的污染，加工液的污染、环境污染、操作人员带来的污染以及加工过程中硅片表面发生化学反应产生的污染等。
[0004]随着太阳能工业的发展，对硅片表面洁净度的要求也越来越高，这在一定程度上促进了硅片清洗技术的发展，也促进了人们对硅片清洗工艺的研究。
[0005]当前，湿法化学清洗技术在硅片表面清洗中仍处于主导地位。但在今后，由于化学试剂的存放以及环境问题，湿法化学清洗技术的使用会逐渐减少。据测算，目前某些工厂用于超纯水的费用将接近百万元。
实用新型内容
[0006]本实用新型要解决的技术问题是提供单晶硅片清洗装置，将硅片清洗工艺的改进优化与设备改造相结合，使我们现有的槽体较少，可以清洗(要求高，槽体多)单晶硅片，达到硅片表面质量干净，纯水消耗降低，生产成本降低，而最终实现生产效益提高的目的。
[0007]为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下:
[0008]单晶硅片清洗装置，包括:
[0009]一进料槽，
[0010]一与进料槽顺次连接的第一药槽和第二药槽，
[0011]以及一与第二药槽连接的自来水溢流槽，
[0012]还包括一纯水供水系统,所述纯水供水系统包括一第一纯水槽,一第二纯水槽以及一第三纯水槽，所述第一纯水槽，第二纯水槽以及第三纯水槽相互连通，将通过第三纯水槽、第二纯水槽至第一纯水槽的纯水通过一溢流管通入纯水溢流槽，
[0013]所述进料槽和自来水溢流槽均连接一自来水供水管，所述第一药槽，第二药槽，纯水溢流槽，第二纯水槽以及第三纯水槽均连接一纯水管。
[0014]在本实用新型的一个优选实施例中，所述进料槽由一空气鼓泡槽和一超声槽构成。
[0015]在本实用新型的一个优选实施例中，所述第二纯水槽的进水管上安装一进水控制阀。
[0016]在本实用新型的一个优选实施例中，所述第三纯水槽一侧还设置一烘干箱。[0017]通过上述技术方案，本实用新型的有益效果是:
[0018]增加溢流槽，节省了纯水的使用。通过后续的统计也证明了纯水的使用量大大的减少。通过生产验证改造后设备的性能大大的提高，使得硅片的清洗质量几乎很少存在问题，同时也减少了公司纯水的用量，且对清洗设备也不再用更换，节省了许多资金。
【专利附图】
【附图说明】
[0019]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0021]为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。
[0022]参照图1，单晶硅片清洗装置，包括:一进料槽，一与进料槽顺次连接的第一药槽1#和第二药槽2#，以及一与第二药槽2#连接的自来水溢流槽3#,
[0023]还包括一纯水供水系统,所述纯水供水系统包括一第一纯水槽5#,—第二纯水槽6#以及一第三纯水槽7#，所述第一纯水槽5#，第二纯水槽6#以及第三纯水槽7#相互连通，将通过第三纯水槽7#、第二纯水槽6#至第一纯水槽5#的纯水通过一溢流管通入纯水溢流槽4#，其中溢流管上安装一水箱，
[0024]所述进料槽和自来水溢流槽4#均连接一自来水供水管，所述第一药槽1#，第二药槽2#’纯水溢流槽4#，第二纯水槽6#以及第三纯水槽7#均连接一纯水管。
[0025]所述进料槽由一空气鼓泡槽和一超声槽构成。所述第二纯水槽6#的进水管上安装一进水控制阀。所述第三纯水槽7# 一侧还设置一烘干箱。
[0026]将清洗装置的进料槽由单工位改成双工位，其中前一个工位增加了鼓泡功能，后一个工位增加了超声功能，这样做可以使太阳能硅片进入清洗机时先得到一个初步超声鼓泡清洗使表面大颗粒物脱落同时也减小后面槽的清洗压力。
[0027]将药槽移至1#、2#槽，这样做可增加后续漂洗槽的数量，从而解决漂洗不净的问题。后续通过实验也证明通过这种方法使硅片的清洗质量得到了极大的改善。
[0028]将3#槽改为自来水溢流槽，不再使用纯水。将7#槽经6#槽流至5#槽的纯水不直接排放，而是溢流至水箱再通入4#槽，4#槽利用水箱的纯水进行溢流。这样就使溢流槽的数量增多，也节省了纯水的使用。通过后续的生产也证明了纯水的使用量大大的减少。
[0029]表I为改造前后硅片清洗质量对比
[0030]表I
【权利要求】
1.单晶硅片清洗装置，其特征在于，包括： 一进料槽， 一与进料槽顺次连接的第一药槽和第二药槽， 以及一与第二药槽连接的自来水溢流槽， 还包括一纯水供水系统，所述纯水供水系统包括一第一纯水槽，一第二纯水槽以及一第三纯水槽，所述第一纯水槽，第二纯水槽以及第三纯水槽相互连通，将通过第三纯水槽、第二纯水槽至第一纯水槽的纯水通过一溢流管通入纯水溢流槽， 所述进料槽和自来水溢流槽均连接一自来水供水管，所述第一药槽，第二药槽，纯水溢流槽，第二纯水槽以及第三纯水槽均连接一纯水管。
2.根据权利要求I所述的单晶硅片清洗装置，其特征在于：所述进料槽由一空气鼓泡槽和一超声槽构成。
3.根据权利要求I所述的单晶硅片清洗装置，其特征在于：所述第二纯水槽的进水管上安装一进水控制阀。
4.根据权利要求I所述的单晶硅片清洗装置，其特征在于：所述第三纯水槽一侧还设置一烘干箱。
【文档编号】B08B7/04GK203508507SQ201320588616
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2013年9月23日 优先权日:2013年9月23日
【发明者】牛龙, 王文, 童林剑, 张斌, 胡亚东, 董典谟, 樊帅 申请人:陕西天宏硅材料有限责任公司