硅原材料的清洗方法
【专利摘要】本发明公开了一种硅原材料的清洗方法，属于太阳能电池【技术领域】。其包括下述步骤：（1）采用洗液对硅原材料表面进行擦拭；所述洗液的重量组成为：硅片清洗剂25-35%、余量为纯水；（2）高压水枪冲洗3-8分钟；（3）超声清洗；超声清洗温度为35-45℃，时间为15-20分钟。本发明采用低碱洗液擦拭、高压水枪冲洗、超声清洗来实现硅原材料的全面清洗，避免使用强碱强酸化学腐蚀工艺带来的设备危害和环境污染，并且方法简单，易操作，清洗效果好。
【专利说明】硅原材料的清洗方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及太阳能电池【技术领域】。
【背景技术】
[0002]单晶硅片是制备太阳能电池的一种基础原料。太阳能行业用的单晶硅片，通常采用拉制法生产，制备好的单晶硅棒，然后经过截断、磨边、切片加工而成。
[0003]为了拉制单晶硅棒，需要对多晶硅原材料(简称硅原材料)进行去污去杂处理清洗。其清洗质量优劣与单晶硅棒的质量相关，若单晶原料中残留杂质过多会造成单晶硅棒拉制时产生断棱等问题的出现。清洗多晶硅料，通常选择强酸或强碱作为清洗剂来去除硅原材料表面杂质。虽然清洗效果比较好，但是强酸强碱会对设备造成损害，对硅片表面形成腐蚀，清洗合格率低，并且强碱强酸化学腐蚀工艺的废水排放给环境造成很大的负担，不符合环境保护与节能减排的政策方针。
【发明内容】
[0004]本发明提供一种硅原材料的清洗方法，采用低碱洗液擦拭、高压水枪冲洗、超声清洗来实现硅原材料的全面清洗，避免使用强碱强酸化学腐蚀工艺带来的设备危害和环境污染，并且方法简单，易操作，清洗效果好。
[0005]本发明所采取的技术方案是:
一种硅原材料的清洗方法，包括下述步骤:
(1)采用洗液对硅原材料表面进行擦拭；所述洗液的重量组成为:硅片清洗剂25-35%、余量为纯水；
(2)高压水枪冲洗3-8分钟；
(3)超声清洗；超声清洗温度为35-45°C，时间为15-20分钟。
[0006]优选的，高压水枪的压力为8_12Kg。
[0007]优选的，步骤(3)中超声清洗采用三面清洗式超声清洗机。
[0008]优选的，三面清洗式超声清洗机为底震、前震和后震式超声清洗机。
[0009]进一步优选的，洗液的重量组成为:硅片清洗剂30%、纯水70%。
[0010]更进一步优选的，硅片清洗剂型号为MT-480。
[0011]硅片清洗剂一般由碱、螯合物和表面活性剂等组成，将硅片清洗液稀释后使用，洗液属于低碱性，不会对硅片表面造成损伤。采用洗液对硅原材料表面擦拭的方法能去除表面残留的如:切割过程中的切削液、硅液等，利用高压水枪冲洗表面残留的杂质，利用超声清洗来去除残留在硅料缝隙内的杂质。
[0012]采用上述技术方案所产生的有益效果在于:
本发明采用低碱洗液擦拭、高压水枪冲洗、超声清洗来实现硅原材料的全面清洗，避免使用强碱强酸化学腐蚀工艺带来的设备危害和环境污染，并且方法简单，易操作，清洗效果好，清洗合格率在99%以上。【具体实施方式】
[0013]以下实施例中，硅片清洗剂采用大连三达奥克化学股份有限公司生产的MT-480娃片清洗剂。
[0014]实施例1
(1)采用洗液对硅原材料表面进行擦拭；所述洗液的重量组成为:硅片清洗剂25%、纯水 75% ；
(2)高压水枪冲洗3分钟，压力为12Kg；
(3)超声清洗；超声清洗温度为45°C，时间为15分钟；超声清洗机为底震、前震和后震式三面超声清洗机。
[0015]实施例2
(1)采用洗液对硅原材料表面进行擦拭；所述洗液的重量组成为:硅片清洗剂30%、纯水 70% ；
(2)高压水枪冲洗5分钟，压力为IOKg；
(3)超声清洗；超声清洗温度为35°C，时间为20分钟；超声清洗机为底震、前震和后震式三面超声清洗机。
[0016]实施例3
(1)采用洗液对硅原材料表面进行擦拭；所述洗液的重量组成为:硅片清洗剂35%、纯水 65% ；
(2)高压水枪冲洗8分钟，压力为8Kg；
(3)超声清洗；超声清洗温度为40°C，时间为18分钟；超声清洗机为底震、前震和后震式三面超声清洗机。
[0017]实施例4
(1)采用洗液对硅原材料表面进行擦拭；所述洗液的重量组成为:硅片清洗剂32%、纯水 68% ；
(2)高压水枪冲洗3分钟，压力为12Kg；
(3)超声清洗；超声清洗温度为45°C，时间为15分钟；超声清洗机为底震、前震和后震式三面超声清洗机。
【权利要求】
1.一种硅原材料的清洗方法，其特征在于包括下述步骤: (1)采用洗液对硅原材料表面进行擦拭；所述洗液的重量组成为:硅片清洗剂25-35%、余量为纯水； (2)高压水枪冲洗3-8分钟； (3)超声清洗；超声清洗温度为35-45°C，时间为15-20分钟。
2.根据权利要求1所述的硅原材料的清洗方法，其特征在于所述高压水枪的压力为8-12Kg。
3.根据权利要求1所述的硅原材料的清洗方法，其特征在于所述步骤(3)中超声清洗米用二面清洗式超声清洗机。
4.根据权利要求3所述的硅原材料的清洗方法，其特征在于三面清洗式超声清洗机为底震、前震和后震式超声清洗机。
5.根据权利要求1所述的硅原材料的清洗方法，其特征在于所述洗液的重量组成为:硅片清洗剂30%、水70%。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的硅原材料的清洗方法，其特征在于所述硅片清洗剂型号为MT-480。
【文档编号】B08B3/02GK104028503SQ201410236921
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2014年5月30日 优先权日:2014年5月30日
【发明者】刘彬国, 席骁, 何京辉, 曹祥瑞, 刘彬 申请人:邢台晶龙电子材料有限公司