专利名称：高玻璃相含量微晶氧化锆陶瓷材料的制作方法
技术领域：
本发明步及一种高玻璃相含量微晶氧化锆陶瓷材料，属于氧化物陶瓷材料领域。
利用液相烧结不失为是可降低烧结温度的良好方法，然而在降至的1220～1450℃温度范围进行常压(无压)烧结，因温度仍相对偏高而需较长的烧结时间(通常需1～2小时)，烧结时间越长，晶粒增长则越难于控制，而且耗能大、经济性欠显。特别是用上述温度烧结所获得的氧化锆陶瓷材料的晶粒大小一般只能控制在0.5μm以上，这种材料便受到用途的制约，例如不能将其用于制作光纤陶瓷插芯，因为光纤陶瓷插芯材料的晶粒大小要求在0.3μm以下。
JP平-2-22170公开了一种高强度氧化锆陶瓷的制备方法，该方法旨在解决的技术问题是提高氧化锆陶瓷抗弯强度和热稳定性及耐酸性。其选用的烧结助剂为AL2O3-MgO系，烧结时间长达5小时。前述烧结时间越长，晶粒增长则愈难以拉制，因此该方法因烧结时间相对较长而无法抑制晶粒成长，造成烧结后的晶粒大小≥0.5μm。这种材料不适宜用作晶粒大小要求在0.3μm以下的光纤陶瓷插芯材料。
本发明包括以下具体实施方法(1)原料用共沉淀制备的超细氧化锆陶瓷粉体，其一次粒径为20～40nm；(2)稳定剂Y2O3，其加入量为1.8～4mol％；(3)烧结助剂MgO-AL2O3-SiO2系统的玻璃相为主成份，其加入量为10～30Wt％；
(4)混料将上述原料和稳定剂以及烧结助剂按比例球磨混合，经干燥、造粒得到成型原料；(5)成型采用干压、等静压或干压后再等静压成型，或者采用注射/注浆成型等；(6)烧结在空气气氛下置于1100～1300℃范围内常压烧结0.5小时；(7)性能检测用陶瓷材料常用的脆性材料检测法进行各项性能测定。
本发明由于对MgO-AL2O3-SiO2系统的玻璃相为主成份的烧结助剂的加入量作了改变，具有可降低烧结温度、缩短烧结时间、低化烧结成本、节省能耗、晶粒大小控制在＜0.2μm范围的优点。
附图
及图面说明附图为MgO-AL2O3-SiO2系统的玻璃相为主成份的烧结助剂，在氧化锆表面的铺展照片。
本表所示为超细氧化锆粉体在加入20Wt％的玻璃相烧结助剂所获得的氧化锆陶瓷材料的物理性能
实施例3仅将烧结助剂的加入量改为30Wt％，其余条件同实施例1，所制备的材料的物理性能见下表本表所示为超细氧化锆粉体在加入30Wt％的玻璃相烧结助剂所获得的氧化锆陶瓷材料的物理性能
权利要求
1.一种高玻璃相含量微晶氧化锆陶瓷材料，包括烧结助剂选择，其特征在于(1)原料共沉淀制备的超细氧化锆陶瓷粉体，其一次粒径为20～40nm；(2)稳定剂Y2O3，其加入量为1.8～4mol％；(3)烧结助剂MgO-AL2O3-SiO2系统的玻璃相为主成份，其加入量为10～30Wt％；(4)烧结温度1100～1300℃，时间0.5小时。
2.根据权利要求1所述的高玻璃相含量微晶氧化锆陶瓷材料，其特征在于烧结助剂的加入量为10Wt％。
3.根据权利要求1所述的高玻璃相含量微晶氧化锆陶瓷材料，其特征在于烧结助剂的加入量为20Wt％。
4.根据权利要求1所述的高玻璃相含量微晶氧化锆陶瓷材料，其特征在于烧结助剂的加入量为30Wt％。
全文摘要
一种高玻璃相含量微晶氧化锆陶瓷材料，属于氧化物陶瓷材料领域。它包括烧结助剂选择，特点是(1)原料共沉淀制备的超细氧化锆陶瓷粉体，其一次粒径为20～40nm；(2)稳定剂；Y
文档编号C04B35/64GK1472168SQ0313212
公开日2004年2月4日 申请日期2003年6月26日 优先权日2003年6月26日
发明者屈静江, 林彬 申请人:江苏天大亚舟高技术陶瓷有限责任公司