对环境条件具有增强抗性的光纤装置及方法

专利名称：对环境条件具有增强抗性的光纤装置及方法
技术领域：
本发明涉及光纤装置的制造，更特别涉及一种对外部环境条件具有增强的内在抗性的光纤装置的制造方法。
背景技术：
光纤网络和系统的广泛和全球性的应用要求光纤设备和部件能够在长时间内可靠地工作，这一要求对在该网络和系统中使用的不同光纤设备和部件提出了严格的性能要求。在这一方面，因为光纤设备和部件预计要可靠地工作数十年或更长时间，所以在被使用之前，该部件一般要通过一系列的用来检测其长期稳定性的机械和环境测试。
在某些情况下故障的代价特别高昂(如潜艇)，保证长期的运行就特别重要。这些测试其中之一是湿/热浸渍试验，其中光纤设备或部件较长时间暴露于高温和高湿下(一般85℃的温度和85％的相对湿度)。在这种环境中的光纤耦合器会呈现一种逐步的插入损耗的漂移，最终，这种漂移将引起耦合器不能达到其预期的运行技术要求。
人们认为上述漂移的主要原因是水蒸汽或水蒸汽的某种成分、组分或副产物扩散进入该暴露的耦合器的玻璃芯内并改变了该耦合器的折光率。
为防止湿气迁移进入耦合区域，已知方法是为光学耦合器提供改进的包装，以达到消除暴露于外部环境的目的。例如，现有技术方法包括将光纤耦合器和其它光纤部件包装在金属管道中并用聚合材料，如硅基材料或环氧树脂封闭管道的末端。这些类型的包装对防止上述问题的效能并未得到证明。
其它现有技术手段着重于在制造过程中减少水蒸汽的介入，这些尝试包括热源的使用，如只使用固态加热器，它在耦合器的生产中引入的氢/水比使用明火热源引入的要少。但是，这些尝试也失败了。这些方法是不完善的，因为现在发现，生产中水和水相关物质的引入不是湿热加速老化环境下光学特性长期漂移的主要原因。参看Maack et.al，Confirmation of aWater Diffusion Model for Splitter Coupling Ration Drift Using Long TermReliability Data.并参看Cryan et.al，Long Term Splitting Ration Drifts inSinglemode Fused Fiber Optic Splitters，Proc.Nat.Fiber Opt.Eng.Conf.June18-22，1995.

发明内容
本发明的一实施例提供了一种制造光学装置的方法，其包括使用氘过程处理该光学装置的一片段的步骤。优选地，该氘过程包括在氘气燃烧产生的火焰存在下处理该片段。优选地，一化学制剂可被加到该氘气中。优选地，氧可被加到该氘气中。
在一不同的实施例中，该方法进一步包括保持第一光纤和第二光纤沿该片段相互接近并使用该氘过程把该片段熔合在一起以形成一耦合区域的步骤，所说的第一光纤和第二光纤可具有不同的传播常数。可改变该第一光纤的直径以改变与其伴随的传播常数。该第一光纤的直径可通过加热第一光纤同时拉伸第一光纤以减小其纵向片段直径而改变。优选地，加热包括以氘气燃烧产生火焰。
本发明的另一优选实施例提供一种包含至少一个用一氘过程处理的片段的光学装置。优选地，氘过程包括在含氘气的混合物燃烧产生的火焰存在下加热所说的至少一个片段。优选地，光学装置在CWDM谱E波段区不呈现高的额外损耗。例如，光学装置在接近1380nm的CWDM谱不呈现高的额外损耗。
在另一实施例中，该发明提供了一种包括至少两个具有各自的纵向片段的光纤的光学设备，其中该纵向片段用一氘过程融合到一起。该光学设备在CWDM谱的一波段不呈现高的额外损耗。


本发明可以以特定的部件和部件排列呈现物质形态，在说明书中将对本发明的一优选实施例进行详细的阐述并在作为说明书一部分的附图中加以说明，其中图1为拉伸前光纤的优选实施例的示意图。
图2为一用于拉伸光纤的装置的优选实施例示意图。
图3为完成预先细化操作之后的光纤优选实施例的放大示意图。
图4为一设备和一耦合器的优选实施例的放大立体图。
图5显示分裂损耗随时间的变化。
图6显示各种光学装置的故障时间中值。
图7显示在85℃/85％RH时分裂损耗变化率的概率分布。
图8为TTF试验的数据表。
图9显示标准的Gould 50％WIC的典型波长依赖插入损耗。
图10为氘Gould 50％WIC的典型波长依赖插入损耗。
图11显示用常规的氢焊炬方法制造的2通道CWDM耦合器的波长依赖损耗。
图12显示本发明的用改进的氘过程制造的2通道CWDM耦合器的波长依赖损耗。
具体实施例方式
在该领域中，名词“光装置”或“光学装置”一般指主动的元件或设备，而名词“光部件”或“光学部件”一般指被动的元件或设备。本发明对光纤装置和光纤部件都能应用，相应地，如在此所用的名词“光装置”或“光学装置”应同时指光学装置和光学部件。
此外，应当理解虽然这里对本发明的描述特别指向光纤耦合器，可以预见，本发明也可应用于其它光学装置。
如本领域技术人员所知，光纤耦合器是一种在两个或更多的光纤之间被动地分裂或合并光的装置，渐逝波耦合器是一种其中的光能量通过在两纤维芯之间的电磁场交迭从一个光纤转移到另一光纤的装置。因为光纤的渐逝场是一指数衰减场，这两个纤维芯必须靠得很近。
构造渐逝波耦合器的一个常用方法是采用称为熔合双锥形细化(FBT)的技术。在熔合双锥形细化中，耦合器通过加热两个光纤直到它们接合成一复合波导结构而制造，在光纤被加热时，它们被慢慢拉伸细化，这导致纤维中的光足以传播到该复合结构使其能耦合到另一光纤。
使用这种FBT技术可将任意数目的光纤耦合到一起，另外，被耦合的各种光纤可以相互相似或不相似，例如，一个或多个纤维可以具有不同的内在传播常数，在某些情况下，一个或多个纤维也可被预先细化或不预先细化，在另外的情况下，各种纤维包括不同的传播常数与预先细化的混合。通常，该公开的制造光学装置的方法使用时可不考虑涉及的纤维的数目和/或特性。
早已知道，单模耦合器的波长依赖可通过制造具有不同传播常数的光纤的耦合器加以改变。组成耦合器的两个纤维的传播常数误配可通过预先选择具有不同传播常数的两个纤维而简单地引入。但是，因为所有的纤维在某种程度上存在差异，所以一对特定的纤维的成功结果并不能保证另一对纤维获得相似的结果。
因为预先选择具有不同传播常数的两个纤维存在的局限性，预先细化一个或多个光纤可被用来改变一个或多个纤维的传播常数。用这种方式，可以制造波长展平耦合器和非波长依赖耦合器，另外，当特意制造高波长依赖的装置，如WDM时，预先细化也可被使用。
在一实例中，制造具有降低的波长依赖的单模渐逝波耦合器的方法可被概括为下列步骤(a)准备具有基本相同传播常数的第一和第二单模光纤；(b)改变该第一光纤的直径，例如通过沿第一纵向片段加热第一光纤并拉伸该第一光纤以减小该第一纵向片段的直径，该减小的直径沿该第一纵向片段基本均衡(称作“预先细化”)；
(c)沿该第一纵向片段的一部分保持该第一和第二光纤相互平行并列；及(d)将该第一和第二光纤保持平行并列的部分熔合在一起以构成一耦合区域。
上述方法的详细描述可在美国专利4798438和4632513中找到。在这里将这些专利全文引用作为参考。
单模渐逝波耦合器应用两个单模纤维制造，各纤维具有一芯和覆盖区，在很多情况下，该覆盖区包含两个具有不同折射率的同心覆盖层，内覆盖层具有比纤维芯低的折射率，外覆盖层，有时被称为基层，具有比内覆盖层高的折射率但不一定等于芯的折射率。这种类型的纤维一般被该领域技术人员称为“压缩覆层”纤维。应该注意的是其它类型的纤维没有折射率较高的外覆盖层或基层。这些纤维被称为“匹配覆层”纤维。此外，这只是可制造的耦合器的一个例子。
现在参照附图，其说明只是为了揭示本发明的优选实施例，并不对本发明形成限制。下面对本发明的制造光学装置的一示范性方法进行说明。
图1为一光纤的侧面示意图。光纤100包括一片段102，在某些情况下，该片段大约3-4厘米，但片段102可以更长或更短。光纤100优选包含一保护性缓冲层108且在片段102中该保护性缓冲层108优选被除去。许多不同的已知方法可被用于除去保护层108，包括机械的或化学的技术。然后纤维100的该暴露片段102优选进行化学清洁和冲洗，所获得的如图1所示的纤维100具有一缓冲区104和暴露区106。注意缓冲区104包括保护层108。
一般，多于一个的纤维被用来构成一光纤装置，所以去除纤维保护层的步骤可被用在适当的纤维上。
图2为一用来预先细化和拉伸光纤的设备200的示意图。设备200包括一基座202和一第一移动台204和一第二移动台206。优选分别置于第一移动台204和第二移动台206之间的是一加热元件208。为便于说明，第一移动台204和第二移动台206沿基座202的纵向轴布置，加热元件208优选可沿多个方向移动，例如，加热元件208可沿纵向双向移动，也就是说，既可向第一移动台204移动也可向第二移动台206移动，且加热元件208也可横向移动，也就是说，垂直于纵向。
第一台204和第二台206能够移动。在图2所示的实施例中，第一台204可作朝向和远离加热元件208的移动，也可作朝向和远离第二台206的移动，同样地，第二台206可作朝向和远离加热元件208和第一台204的移动。第一台204包括一第一夹持部分210，且第二台206包括一第二夹持部分212，第一和第二夹持部分被设计用来夹住并保持一光纤214。
因为这种排列，第一台204和第二台206能够在它们之间保持一或多个纤维，且它们的移动能被用来影响被保持的纤维。在一实例中，需要进行一或多个纤维的预先细化，纤维214的直径可通过装载纤维214到可移动台204和206上并用加热元件208加热纤维214的一部分而改变。一可移动的产生火焰的气焊炬208优选用作加热元件208。
当加热元件208相对于纤维214移动时，第一台204和第二台206慢慢地向相反方向移动，在这种情况下，互相远离，以拉伸纤维214并减小其直径。这一加热过程也被称作“火焰刷过程”。任何时候焊炬火焰被用于纤维上，氘可被用作火焰燃料，这包括上面讨论的预先细化过程。在预先细化操作中用常规的氢作燃料然后在制造工艺的其它阶段用氘也是可能的。但是，优选在所有的制造工艺步骤中用氘作焊炬燃料。
纤维214按这种方式被拉伸和加热后的典型外形如图3所示。纤维214包括一个在一相当大的长度上具有一基本上恒定的已减小了的直径304的受热段302，纤维214还包括一第一非拉伸部分308和一第二非拉伸部分310。受热段302逐渐过渡到非拉伸部分308和310的原始纤维直径306，纤维21 4在受热段302的最终直径受纤维214被拉伸的量控制。在某些情况下，纤维214和加热元件208(参见图2)之间的等速相对移动被用于沿纤维214的受热段302获得一恒定纤维直径。用这种方法，制得一用氘处理的预先细化的纤维214。
在上述拉伸过程的一替代方法中，一纤维覆层和芯的直径可按照蚀刻过程改变。虽然可以使用许多已知的蚀刻技术，但一适用的蚀刻技术是受热蚀刻技术，在这一技术中，纤维被贴近以热电组件加热的蚀刻台放置，一定量的蚀刻剂，通常一滴左右，被放在蚀刻台的顶部以蚀刻纤维的纵向部分。在纤维被蚀刻到所需直径后，该纤维用水冲洗以防止进一步的蚀刻。
图4显示本发明的多个纤维被耦合的另一实施例。虽然为清楚起见，在图4的实例中只显示了两个纤维，应用该过程可耦合任意数目的纤维。多于两个纤维的实施例当然是可预见的。本发明的原理可被应用在任何时候应用焊炬火焰涉及到N个纤维的情况。例如，被转让于本发明同一受让人的美国专利5355426号传授了M×N耦合器，在此全文引用作为参考。本发明可被用于美国专利5355426号公开的M×N耦合器，也可被用于任何其它的具有任意数目的被耦合纤维的耦合器。
再看图4，一第一纤维402和一第二纤维404被互相贴近放置并由夹持具410和412保持。夹持具410和412可以是任何能够固定保持并夹住光学装置的装置。优选夹持具410和412如图2所示被安装到移动台。在如图4所示的实施例中，第一纤维402和第二纤维404开始时被绕在一起以构成一耦合区域406。
参照图4，当耦合区域406被加热和形成时，纤维402和404优选保持相互贴近。在一示范实施例中，纤维402和404保持平行并列，耦合区域被熔合以构成一耦合器，在这种情况下，通过加热耦合区域406发生熔合同时夹持具410和412拉伸纤维402和404。应该理解，纤维402和402可在加热和拉伸之前沿其长度的一部分被缠绕在一起。
按照本发明的一实施例，热源如上所述优选为一气焊炬热源414。但是按照本发明，热源414应用氘气(D2)作为燃料供应416以产生火焰418，这将在下面进一步说明。当纤维402和404轴向张紧时热源416可在耦合区域406移动，热源416可被使用直到纤维402和404在贯穿耦合区域406的希望长度被熔合到一起。相应地，氘处理的光耦合器被生产出来。
应该明白，上面描述的耦合器制造方法是示范性的，应用热源制造耦合器的替代方法为本领域技术人员所熟知。本发明适于与这些替代制造方法结合使用，其中热源被作适当改变以提供一由氘气燃烧产生的火焰。
另外，应该明白，被加热和熔合以构成耦合器的纤维可能包括相同的纤维，如具有相同的传播常数，或者纤维也可能是失配纤维，如具有不同的传播常数。此外，以氘作为燃料供应的加热方法使用时可不考虑被耦合的各纤维的数目、性质和/或其相似性或差异。
按照本发明，被用作产生火焰的气焊炬热源的燃料的常规气体，通常为氢气(H2)，被氘气(D2)取代。火焰由氘气燃烧产生而不是常规气体，通常为氢气。氘，作为氢的同位素，在所有实用目的方面具有与氢的化学相似性，但是，氘比氢重，为适应氢和氘之间的轻微的重量差异，在制造过程中可做各种变化，例如，按照用于氢气的气体流速改变氘气的气体流速以优化燃烧，并获得一适宜的牵引信号。在某些实施例中，使用氘气和另一种气体的混合物。
在一实施例中，氘火焰在常压(约1atm)常温(约20℃)下使用。对于标准波长展平50％耦合器氘气流速大约为215sccm，但会在不同装置之间出现变化。氧，还有其它元素，也可按配方要求作为焊炬燃料添加。
通常，大多数典型的装置通过只向焊炬提供氢气制得。如本发明的其它部分表明的，典型的流速应为215sccm氘。因为没有氧被作为燃料添加到焊炬中，这可被称作100％氘混合物，但当然环境氧在燃烧中被消耗，环境氧参与到燃烧过程中。
在另外的实施例中，添加氧到焊炬中，这可作为控制火焰温度和大小的一种方法。也可添加氧以控制燃烧完全度，而且，也可添加氧以控制燃烧率。
下面是添加氧到氘燃料中的一个实施例，特定种类的微耦合器用85sccm氢和30sccm氧进行典型牵引。
添加氧到氘中的另一实施例为使用一80微米付出纤维(一减少覆层纤维，RC1300)的一种耦合器。该配方包括一系列精细的步骤，其中氢/氧混合物发生很大变化。
在一初始的“预熔”步骤中，D2/O2混合物被设定为70sccm/250sccm(22％D2体积比)。在焊炬被放到纤维下后，气流设定变到124sccmD2/250sccm O2(33％D2体积比，总流速较高)。
在这一初始“预熔”步骤后，该耦合器以90sccm氘无氧牵引。
这些实例阐明了可能的D2/O2混合物的范围很宽，不仅百分比变化很大，而且总流速变化也很大。此外，氧可只在制造过程中的特定步骤添加，而在其它步骤中不添加。
另外，在任何常规使用氢的过程中，氘可被替换以产生该装置的一钝化形式。而且，如果需要也可添加其它元素或化合物。此外，如果需要氧可用其它化学制剂取代。
按照本发明，在耦合器制造当中拉伸纤维的控制参数可从使用氢气燃料供应的标准设置进行调整，例如，在制造50％波长展平光耦合器的情况下，控制参数的初级调整为预先细化设置。
在这种情况下，使用氘气燃料热源生产的光耦合器(在这里被称作“氘耦合器”)需要该预先细化的纤维具有明显大于使用氢气燃料热源制造的耦合器的预细化程度。据认为，“氘加热”法对折射率的影响可能不同于标准的“氢加热”法。
如下所示，初步的观察表明，使用氘气(D2)作为热源的燃料供应有效地使在85℃/85％相对湿度(RH)环境测试中装置的“故障时间”(TTF)中值加倍。
本发明将通过下述实施例作进一步说明实施例1
氘钝化湿热老化试验25个50％波长展平光耦合器(WFC)应用氘气燃料热源生产，以使耦合器达到对湿热老化的钝化(即进行处理以减少其表面的化学反应性)的目的。这些氘耦合器和11个用标准“氢加热”法生产的50％WFC在85℃和85％相对湿度(RH)下分别老化大约2000小时和1265小时。这11个标准耦合器作为对照组。
50％WFC氘耦合器的光纤参数D2流速215sccmO2流速0sccm台间隔40mm预先细化焊炬速度22mm/min预先细化火焰刷宽度11mm预先细化右台速度2.75mm/min牵引焊炬速度36mm/min牵引火焰刷宽度6.5mm牵引左台速度2.5mm/min牵引右台速度2.5mm/min牵引停止后阶差3.5％焊炬高度10.5mm
牵引距离7.16mm(平均)预先细化纤维直径117.85微米50％WFC标准耦合器的光纤参数D2流速215sccmO2流速0sccm台间隔40mm预先细化焊炬速度22mm/min预先细化火焰刷宽度11mm预先细化右台速度1.65mm/min牵引焊炬速度36mm/min牵引火焰刷宽度6.5mm牵引左台速度2.5mm/min牵引右台速度2.5mm/min牵引停止后阶差3.5％焊炬高度10mm牵引距离7.75mm(平均)预先细化纤维直径120.56微米过程耦合率(CR)数据被处理以修正检测系统的误差，特别是片段中断的出现。故障时间(TTF)用线性最小二乘法外推拟合到在测试期间未出现故障的装置的数据。故障标准为CR的0.2dB的改变。
结果图8包括一含有用氘气(D2)作为热源燃料供应生产的光耦合器(“氘耦合器”)和用常规的氢气作为热源燃料供应生产的光耦合器(“标准耦合器”)的TTF(故障时间中值)的排序表格。
据观察，氘耦合器的故障时间(TTF)中值大约为3300小时，相反，标准耦合器的故障时间中值大约为1000小时，TTF＞2000小时的氘耦合器的比率为18/25，而TTF＞2000小时的标准耦合器的比率为2/11。故障标准是分裂损耗变化0.2dB或更大。
图5为在高温高湿环境中多个对照耦合器502和多个按照本发明的氘处理耦合器平均分裂损耗变化(以分贝dB为单位)对时间(以小时为单位)的曲线图。氘处理耦合器504对不利环境条件的耐受性明显较高。氘处理装置在分裂损耗变化小于0.20dB下能够运行的持续时间为常规光学装置的三倍多。这在图6中也有显示，其以条线图比较了对照组602和氘处理组604的平均故障时间。
图7显示了对照702和氘钝化耦合器704在85℃/85％RH分裂损耗变化率的概率分布。这些分布表明了氘钝化耦合器相对于对照装置的优势。如在图7中清楚表明的，前者的分裂损耗变化率相对于后者下降了约3.3倍，这使故障时间中值(MTF)延长约3.3倍，同时也导致老化率分布更窄。
对E波段OH(水)峰衰减的影响本发明的氘耦合器制造过程对E波段OH峰衰减有良好的影响。图9显示了标准的50％非波长依赖耦合器(WIC)的典型波长依赖插入损耗，图10为氘50％WIC的典型波长依赖插入损耗。注意图9显示的标准部件在约1380nm处明显的水峰，使用氘过程时这一特征就消失了(参见图10)。
ITU-TG.694.2标准规定地铁粗略波长除法多路复用(CWDM)波长网格的单独的20nm宽波段跨越1260-1625nm的全波长范围。CWDM的一个重要的应用是应用较低成本光源和设备的宽带接入网络。CWDM谱的1360-1460nm部分被称为E波段，其跨越5个单独的CWDM波段。纤维制造商通过制造允许使用包括E波段的全波长网格的“低水峰”光纤投入CWDM网络的应用。
对于需要使用E波段通道的应用，以常规过程生产的被动光纤部件因为在1380-1420nm范围存在一大的(约0.4dB)衰减峰而不适用。如图9中所示，该衰减峰是由氢火焰过程产生的，其在熔合区域提高OH浓度超过原来的纤维(约0.4dB/km)约10000倍。氢焊炬是这一衰减的来源，用本发明的氘火焰刷工艺制造的部件不存在此峰(参见图10)证实了这一观点。
因此，本发明的氘过程提供了一超越优良的湿热性能的另外的进步，该氘过程通过消除1380nm附近的高的额外损耗改进了E波段的性能。氘过程生产的部件与使用低水峰纤维的光学网络兼容。这种类型网络的一个实例是在零水峰纤维(ZWPF)上的利用全谱CWDM(粗略波长除法多路复用)的网络。该用法利用了在ITU-TG.694.2说明书中描述的所有通道，包括1380nm区的通道。
图11显示了用常规的氢焊炬方法制造的2通道CWDM耦合器的波长依赖损耗，在该装置中1390nm通道与其它通道相比呈现约0.7dB的额外损耗，这一额外损耗基本取消了使用ZWPF的效果。与此相比，图12显示了用本发明的改进的氘过程制造的2通道CWDM耦合器的波长依赖损耗，1390nm通道的额外损耗明显消失。
相应地，在约1380-1390nm处的额外损耗的消失使本发明相对于在耦合器制造中已知的使用氢过程具有竞争优势。但是应该注意，虽然不是所有的纤维制造商都使用焊炬，以焊炬为基础生产的氢过程被认为产生出最高质量的熔合双锥形细化(FBT)装置。当然，本发明的氘过程优于氢过程。
本发明的氘过程可被认为是一焊炬火焰刷过程，该氘过程燃烧氘而不是氢。应该注意的是，任何不使用氘的焊炬火焰刷过程都会呈现高的水峰损耗。
应该理解，本发明使用时可不考虑光学装置制造的其它特定细节(如牵引方式、夹持方式、纤维排列等)。在这种情况下，本发明适宜于与很多种耦合器制造方法和包装手段结合使用。另外，本发明可与其它改进光学装置的稳定性和性能的技术结合使用。
在阅读和理解本说明书的基础上，其他人会做其它的改变和转换。因此，应该理解，本发明的制造方法适用于任何在光学装置制造中采用火焰的加热技术，这意味着所有此类改变和转换应被包含在本发明的权利要求所要求保护的或其相当的保护范围之内。
上述对本发明的优选实施例的公开其目的是阐释和说明，并不意味着穷举或限制本发明到所公开的特定形式。在理解上述公开的基础上，在此描述的实施例的许多变化和修改对于本领域技术人员是显而易见的，本发明的范围只由所附的权利要求和其等效物确定。
更进一步，在描述本发明的代表实施例中，本说明书可能按特定的步骤次序提出了本发明的方法和/或过程，但是，方法或过程并不依赖于在此提出的特定的步骤次序，在这种意义上，该方法或过程不应被限定为所描述的特定的步骤次序。如本领域普通技术人员应该理解的，其它步骤次序是可能的，因此，在说明书中提出的特定的步骤次序不构成对权利要求的限制。另外，指向本发明的方法和/或过程的权利要求不应被限定为其步骤按所描述的次序执行，本领域技术人员很容易理解，次序可被改变而仍然保持在本发明的精神和范围之内。
权利要求
1.一种生产光学装置的方法，包括用一氘过程处理该光学装置的一片段。
2.如权利要求1所述的方法，其中所说的氘过程包括在氘气燃烧产生的火焰存在下处理该片段。
3.如权利要求2所述的方法，其中一化学制剂被加入所说的氘气中。
4.如权利要求2所述的方法，其中氧被加入所说的氘气中。
5.如权利要求1所述的方法，其中所说的氘过程包括在含氘的混合物燃烧产生的火焰存在下处理该片段。
6.如权利要求1所述的方法，进一步包括维持一个第一光纤和一个第二光纤沿该片段相互接近；并使用氘过程把该片段融合在一起以形成一耦合区域。
7.如权利要求6所述的方法，其中所说的第一光纤和第二光纤具有不同的传播常数。
8.如权利要求6所述的方法，其中调整该第一光纤的直径以改变与其伴随的传播常数。
9.如权利要求6所述的方法，其中该第一光纤的直径通过加热该第一光纤同时将该第一光纤拉伸以减小其纵向片段直径而改变。
10.如权利要求9所述的方法，其中该加热包括由氘气燃烧产生火焰。
11.一种光学装置，包括至少一个以一氘过程处理的片段。
12.如权利要求11所述的光学装置，其中所说的氘过程包括在含氘气的混合物燃烧产生的火焰存在下加热所说的至少一个片段。
13.如权利要求11所述的光学装置，其中所说的氘过程包括在氘气燃烧产生的火焰存在下加热所说的至少一个片段。
14.如权利要求11所述的光学装置，其中所说的光学装置在CWDM谱E波段区不呈现高的额外损耗。
15.如权利要求11所述的光学装置，其中所说的光学装置在接近1380nm的CWDM谱不呈现高的额外损耗。
16.一种光学装置，包括至少两个具有各自的纵向片段的光纤，其中所说的纵向片段通过一氘过程融合到一起；其中所说的光学装置在CWDM谱的一波段不呈现高的额外损耗。
17.如权利要求16所述的光学装置，其中所说的CWDM谱的一波段包括CWDM谱的1360nm到1460nm波段。
18.如权利要求16所述的光学装置，其中所说的光学装置在CWDM谱的1380-1390nm波段不呈现高的额外损耗。
19.如权利要求16所述的光学装置，其中所说的光学装置在接近1380nm的CWDM谱不呈现高的额外损耗。
20.如权利要求16所述的光学装置，其中所说的光学装置在接近1390nm的CWDM谱不呈现高的额外损耗。
全文摘要
本发明公开了一种对外部环境条件具有增强的内在抗性的纤维光学装置的制造方法及以该方法制造的纤维光学装置。该方法生产以氘处理的光学装置。该方法包括在氘气或含氘的混合物燃烧产生的火焰存在下处理和/或制造光学装置的步骤。
文档编号C03C25/60GK1479123SQ0313710
公开日2004年3月3日 申请日期2003年6月4日 优先权日2002年6月4日
发明者杰克·R·塔伦特, 亚瑟·J·霍夫曼, 撒义德·派勒瓦, 派勒瓦, J 霍夫曼, 杰克 R 塔伦特 申请人:古尔德光纤公司