专利名称：晶片的分割方法及分割装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种晶片分割方法，该晶片分割方法将在表面上以格子状形成多个分割预定线、并在由该多个分割预定线划分的多个区域中形成有器件的晶片，沿该多个分割预定线分割成单个芯片。
背景技术：
在半导体器件制造工序中，在近似圆板形状的半导体晶片的表面，由以格子状排列的称为分割道(street)的分隔预定线划分了多个区域，在此划分的区域中形成LC、LSI等电路。并且，通过沿分割预定线切断半导体晶片来分割形成有电路的区域来制造单个的半导体芯片。此外，通过沿规定的分割预定线切断在蓝宝石基板的表面层叠氮化钾类化合物半导体等的光器件晶片，来分割成单个的发光二极管、CCD等光器件，这广泛利用于电气设备中。
沿上述的半导体晶片和光器件晶片等分割预定线的切断，通常由称为划片机(dicer)的切削装置来执行。此切削装置具备保持半导体晶片和光盘晶片等的被加工物的卡盘台；用于切削被该卡盘台保持的被加工物的切削单元；以及使卡盘台和切削装置相对地移动的切削进单元。切削单元包含旋转心轴和旋转驱动安装于旋转心轴上的切削刀片及旋转心轴的驱动机构。切削刀片由圆盘状的基台和安装在该基台的侧面外周部的环状的刀刃组成，例如，刀刃通过电铸将粒径3μm左右的金刚石磨粒固定在基台上，形成20μm左右的厚度。
然而，由于蓝宝石基板、碳化硅基板等由于莫氏(モ_ス)硬度高，所以不一定容易地被上述切削刀片切断。并且，由于切削刀片具有20μm左右的厚度，所以划分器件的分割预定线的宽度需要为50μm左右，存在分割道的占有面积比例变高且生产效率降低的问题。
另一方面，近年来，作为分割半导体晶片等板状被加工物的方法，还尝试了激光加工方法，该方法使用透射该被加工物的脉冲激光光线，对需要分割的区域的内部对准聚光点来照射脉冲激光光线。使用该激光加工方法的分割方法，从被加工物一侧的侧面向内部对准聚光点，照射对被加工物具有透射性的红外光区域的脉冲激光光线，在被加工物的内部沿分割预定线连续地形成变质层，通过沿着因形成此变质层而强度下降的分割预定线施加外力，来分割被加工物。(例如，参照专利文献1。)[专利文献1]特许第3408805号公报如上所述，沿着沿分割预定线形成变质层的晶片分割预定线施加外力，将晶片分割成单个的芯片时，为了不使被分割出的芯片分散，将晶片粘贴在保持带上。并且，为了使粘贴在保持带上的晶片在分割成单个芯片后容易进行焊接工序，将其背面粘贴在保持带上。因此，晶片成为暴露表面的状态。
而且，沿形成有变质层的分割预定线施加外力分割晶片时，微细的碎片会飞溅，该细微碎片附着在器件上，在引线键合时就会成为引起断线的原因。此外，在器件为发光二极管或CCD等光器件时，若附着微细碎片，则存在品质显著下降的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述事实而做出的，其主要技术课题是提供一种晶片的分割方法及分割装置，在沿形成有变质层的分割预定线施加外力来分割晶片时，使飞溅的微细碎片不会附着在器件上。
为了解决上述主要课题，根据本发明，提供一种晶片分割方法，将在表面上以格子状形成有多个分割预定线、并且在由多个分割预定线划分的多个区域形成器件、在内部沿多个分割预定线形成有变质层的晶片，在将该晶片的背面粘贴在环状框架上所安装的保持带上的状态下，沿多个分割预定线断裂，其特征在于，在通过保持带以晶片的表面为下侧保持了支持晶片的环状框架的状态下，沿形成有变质层的分割预定线对晶片施加外力，沿分割预定线断裂晶片。
最好对在环状框架上安装的保持带上粘贴了背面的晶片的表面供给经离子化的空气，去除晶片上所带的静电。
此外，最好沿分割预定线对在环状框架上所安装的保持带上粘贴了背面的晶片施加的外力是通过扩张保持带来施加的。
此外，根据本发明，提供一种晶片分割装置，将在表面上以格子状形成有多个分割预定线、并且在由多个分割预定线划分的多个区域形成器件、在内部沿多个分割预定线形成有变质层的晶片，在将该晶片的背面粘贴在环状框架上所安装的保持带上的状态下，沿多个分割预定线断裂，其特征在于，包括框架保持单元，保持该环状框架；带扩张单元，扩张被该框架保持单元保持的环状框架上所安装的保持带；以及除静电单元，从粘贴在保持带上的晶片的下方供给经离子化的空气，去除晶片所带的静电，所述保持带安装在被该框架保持单元保持的环状框架上。
发明效果根据本发明的晶片分割方法，由于在通过保持带以晶片的表面为下侧保持了支持晶片的环状框架的状态下，沿形成有变质层的分割预定线对晶片施加外力，所以沿变质层断裂晶片时飞溅的微细碎片因自重落下，从而不会附着到形成于晶片的表面的器件上。此外，由于实施晶片断裂工序时，通过对半导体晶片的表面供给离子化的空气，能够去除晶片表面上所带的静电，所以沿变质层断裂晶片时飞溅的微细碎片也不会因静电而附着在器件上。
图1是利用本发明的晶片分割方法分割成单个芯片的半导体晶片的立体图。
图2是用于实施本发明的晶片分割方法的变质层形成工序的激光加工装置的主要部立体图。
图3是表示本发明的晶片分割方法的变质层形成工序的一实施方式的说明图。
图4是实施本发明的晶片分割方法的晶片支持工序的晶片的立体图。
图5是表示本发明的晶片分割方法的变质层形成工序的另一个实施方式的说明图。
图6是表示根据本发明构成的晶片分割装置的一实施方式的立体图。
图7是分解表示图6所示的晶片分割装置的构成材料的立体图。
图8是表示在构成图6所示的晶片分割装置的框架保持构件上保持环状框架的状态、和将保持于框架保持构件上的环状框架上安装的保持带用带夹持单元夹持的状态的说明图。
图9是表示操纵构成图6所示的晶片分割装置的扩张单元、并扩张保持带的状态的说明图。
附图标记说明2激光加工装置21激光加工装置的卡盘台22激光光线照射单元23摄像单元3环状框架30保持带4带扩张单元40固定基台5框架保持单元
51支持柱52环状的框架保持构件53夹子6带夹持单元61活动基台62第1夹持机构621支持臂622夹持构件623摩擦构件64第1移动机构641外螺纹杆643脉冲电机65第2移动机构651外螺纹杆653脉冲电机7带扩张单元71外螺纹杆73脉冲电机8除静电单元81离子化空气供给器82离子化空气喷出管10半导体晶片100半导体芯片101分割预定线102器件110变质层
具体实施例方式
下面，参照附图，详细说明本发明的晶片的分割方法及分割装置的优选实施方式。
在图1中示出了作为按照本发明分离成单个芯片的晶片的半导体晶片的立体图。图1所示的半导体晶片10由硅晶片制成，在表面10a上以格子状形成有多个分割预定线101。然后，在半导体晶片10的表面10a上，在由多个分割预定线101划分的多个区域形成有器件102。下面说明将该半导体晶片10分割成单个半导体芯片的分割方法。
在将半导体晶片10分割成单个半导体芯片时，对半导体晶片10沿多个分割预定线101照射具有透射性的脉冲激光光线，通过在半导体晶片10的内部沿多个分割预定线101形成变质层，来实施使强度沿分割预定线下降的变质层形成工序。
使用图2所示的激光加工装置2实施该变质层形成工序。图2所示的激光加工装置2具备保持被加工物的卡盘台21；对保持在该卡盘台21上的被加工物照射激光光线的激光光线照射单元22；以及摄像保持在卡盘台21上的被加工物的摄像装置23。卡盘台21构成为吸引保持被加工物，通过未图示的加工进给单元沿图2中箭头标记X所示的方向进行加工进给，并且利用未图示出的分度进给单元沿图2箭头标记Y所示方向进行分度进给。
上述激光光线照射装置22实质上从聚光器222照射脉冲激光光线，该聚光器222安装在水平配置的圆筒形状的盒子221的前端上。此外，在图示的实施方式中，构成上述激光光线照射装置12的盒子221的前端部所安装的摄像装置23，除利用可见光进行拍摄的常规的摄像元件(CCD)之外，还包括对被加工物照射红外线的红外线照明单元、捕获由该红外线照明单元照射的红外线的光学系统、输出与由该光学系统捕获的红外线对应的电信号的摄像元件(红外线CCD)等，该摄像装置23向后述的控制单元发送拍摄到的图像信号。
参照图2及图3，说明使用上述激光加工装置1实施的变质层形成工序。
该变质层形成工序中，首先，将半导体晶片10使背面10b朝上地安装到上述图2所示的激光加工装置2的卡盘台21上，在该卡盘台21上吸附保持半导体晶片10。吸引保持半导体晶片10的卡盘台21通过未图示的加工进给单元定位到摄像装置23的正下方。
当卡盘台21定位到摄像单元23的正下方时，由摄像单元23及未图示出的控制单元执行检测半导体晶片10的要激光加工的加工区域的对准作业。即，摄像单元23及未图示的控制单元执行图形配合等图像处理，并执行激光光线照射位置的对准，所述图形匹配用于进行在半导体晶片10的规定方向上形成的分割预定线101和沿该分割预定线101照射激光光线的激光光线照射装置22的聚光器222的位置对准。此外，对多个分割预定线101也同样执行激光光线照射位置的对准，该多个分割预定线101形成在与半导体晶片10上所形成的多个分割预定线101正交的方向上。此时，虽然半导体晶片10的形成有多个分割预定线101的表面10a位于下侧，但是摄像装置23如上所示具备由红外线照明单元、捕获红外线的光学系统、以及输出对应于红外线的电信号的摄像元件(红外线CCD)等构成的摄像装置，所以能够从背面10b透过，拍摄分割预定线101。
如上所述，若检测出卡盘台21上保持的半导体晶片10上所形成的分割预定线101，并执行激光光线照射位置的对准，就如图3(a)所示，使卡盘台21向激光光线照射装置22的聚光器222所在的激光光线照射区域移动，并使规定的分割预定线101的一端(图3(a)中左端)定位在激光光线照射单元22的聚光器222的正下方。然后，从聚光器222照射对半导体晶片具有透射性的波长的脉冲激光光线，同时使卡盘台21以规定的加工进给速度向图3(a)中箭头X1所示的方向移动。然后，如图3(b)所示，当激光光线照射装置22的聚光器222的照射位置到达分割预定线101的另一端(图3(b)中右端)的位置后，停止脉冲激光光线的照射，同时停止卡盘台21的移动。在该变质层形成工序中，在半导体晶片10的表面10a(下面)附近对准脉冲激光光线的聚光点P。结果，在半导体晶片10的表面10a(下面)暴露，并从表面10a向内部形成变质层110。该变质层110形成为熔化再硬化层。
上述变质层形成工序的加工条件，例如按如下设定。
光源LD激励Q开关NdYVO4激光器波长1064nm的脉冲激光脉冲输出10μJ聚光点直径 φ1μm重复频率100kHz加工进给速度100mm/秒上述变质层110也可以仅形成在内部，以便不暴露到表面10a及背面10b，此外，也可以通过阶段性地改变上述聚光点P多次执行上述的激光加工工序，来形成多个变质层110。然后，沿在半导体晶片2上形成的所有分割预定线101实施上述变质层形成工序。
若通过上述的变质层形成工序，在半导体晶片10的内部沿多个分割预定线101形成了变质层110，则实施晶片支持工序，该晶片支持工序将沿分割预定线形成了变质层的晶片的背面粘贴到安装在环状框架上的保持带上。即，如图4所示，将半导体晶片10的背面10b粘贴在保持带30的表面上，该保持带30的外周部安装为覆盖环状框架3的内侧开口部。再有，在上述图示的实施方式中，在上述保持带30的由厚度100μm的聚氯乙烯(PVC)形成的薄片基材的表面上，涂敷有厚度5μm左右的丙烯酸树脂类粘接剂。
再有，也可以在上述变质层形成工序前实施晶片支持工序，此时，在将半导体晶片10的背面10b粘贴在安装于环状框架3上的保持带30的表面上的状态下，实施上述的变质层形成工序。即，如图5(a)及图5(b)所示，在上述激光加工装置2的卡盘台21上承载半导体晶片10的保持带30侧。然后，通过使未图示的吸引装置工作，通过保持带30将半导体晶片10保持在卡盘台21上。再有，在图5(a)及(b)中，虽然省略了安装有保持带30的环状框架3，但环状框架3保持在配置在卡盘台21上的适当的框架保持单元上。然后，实施上述的激光光线照射位置的对准作业。接着，如图5(a)所示，使卡盘台21向激光光线照射单元22的聚光器222所在的激光光线照射区域移动，并使规定的分割预定线101的一端(图5(a)中左端)定位在激光光线照射装置22的聚光器222的正下方。然后，从聚光器222照射对半导体晶片具有透射性的波长的脉冲激光光线，同时使卡盘台21以规定的加工进给速度向图5(a)中箭头X1所示的方向移动。然后，如图5(b)所示，当激光光线照射单元22的聚光器222的照射位置到达分割预定线101的另一端(图5(b)中右端)的位置后，停止脉冲激光光线的照射，并停止卡盘台21的移动。在该变质层形成工序中，将脉冲激光光线的聚光点P对准半导体晶片10的背面10b(下面)附近。其结果，变质层110从背面10b向内部形成，并暴露在半导体晶片10的背面10b(下面)。
若实施了上述的变质层形成工序及晶片支持工序，则实施晶片断裂工序，在该晶片断裂工序中，在将通过保持带支持晶片的环状框架保持为晶片位于下侧的状态下，对晶片沿形成有变质层的分割预定线施加外力，沿分割预定线断裂晶片。使用图6及图7所示的晶片分割装置实施该晶片断裂工序。在图6中示出了按照本发明构成的分割装置的一实施方式的立体图，在图7中示出了图6所示的分割装置的分解立体图。图6及图7所示的晶片分割装置4包括固定基台40；框架保持单元5，对该固定基台40的中央部上面配设的上述环状框架3进行保持；多个(在图示的实施方式中为4个)带夹持单元6，对保持在该框架保持单元5上的上述环状框架3上所安装的上述保持带30进行夹持；和多个(在图示的实施方式中为4个)的带扩张单元7，使该多个带夹持单元6向各个径向移动。
上述固定基台40形成为圆盘状，在其上面形成有通过中心部按直角交差的导向槽41、41。此外，形成有固定基台40的上述导向槽41、41的外周部向外方突出形成。
上述框架保持单元3包括配设在固定基台40的上面的4根支持柱51；和在该4根支持柱51的上端安装的环状的框架保持构件52。4根支持柱51分别配设在形成于固定基台40上的导向槽41和41之间。环状的框架保持构件42尺寸形成为与上述环状框架3大致对应，其上表面成为用于承载环状框架3的承载面521。如图7所示，该框架保持构件52的截面形状被形成为倒L字状，包括与上述承载面521平行的被支持面522和在外周侧垂下的规制部523。此外，在框架保持构件52中，在外周配设4个夹子53，它们在圆周方向具有彼此相等的角度。这样构成的框架保持构件52的被支持面承载在上述4根支持柱51的上端面上，通过未图示出的固定单元固定。
上述4个带夹持单元6配设在形成于上述固定基台40上的导向槽41、41上。即，4个带夹持单元6配设为在圆周方向上具有彼此相等的角度。这样配设的带夹持单元6包括分别形成为L字状的活动基台61；安装在该活动基台61上的、可在上下方向上移动的第1夹持机构62及第2夹持机构63；分别使该第1夹持机构62及第2夹持机构63在上下方向上移动的第1移动机构64及第2移动机构65。活动基台61包括移动部611、和自该移动部611的上面竖直设置而形成的支持部612。在移动部611的下面，设有嵌合在上述导向槽41内的被导向轨道611a，通过将该被导向轨道611a嵌合在该导向槽41内，活动基台61可在圆盘状的固定基盘40上，沿导向槽41在径向上移动。此外，在移动部611中贯通形成有内螺纹611b。在上述支持部612的内侧的面(彼此相对的一侧的面)设有在上下方向上延伸的导轨612a，在外侧的面上形成有在上下方向延伸的长槽612b。此外，在导轨612a上，从内侧的面到上述长槽612b形成有在上下方向上延伸的长孔612c。
上述第1夹持机构62包括沿上述活动基台61的支持部612上所设置的导轨612a可移动地配设的支持臂621；和安装在该支持臂621上的夹持构件622。在支持臂621的基端，设置有与上述导轨612a嵌合的被导向槽621a，通过将该被导向槽621a嵌合在导轨612a上，支持臂621在活动基台61的支持部612可沿导轨612a在上下方向上移动。此外，在支持臂621的基部，设有具备内螺纹621b的内螺纹块621c，穿通上述长孔612c配设该内螺纹块621c。上述夹持构件622形成为曲率半径比上述半导体晶片10的半径稍大，在其上端面(与后述的第2夹持机构63的夹持构件相对的面)安装橡胶等摩擦系数大的摩擦构件623。在这样构成的夹持构件622的背面固接有安装构件624，该安装构件624在支持臂631的前端可通过螺栓625拆装。
上述第2夹持机构63包括可沿上述活动基台61的支持部612上设置的导轨612a移动地配设的支持臂631；和安装在该支持臂631上的夹持构件632。在支持臂631的基端，设置有与上述导轨612a嵌合的被导向槽631a；通过将该被导向槽631a嵌合在导轨612a上，支持臂631能够在活动基台61的支持部612上沿导轨612a在上下方向上移动。此外，在支持臂631的基部设有具备内螺纹631b的内螺纹块631c，穿通上述长孔612c配设该内螺纹块631c。上述夹持构件632形成为曲率半径比上述半导体晶片10的半径稍大，在其下端面(与上述的第1夹持机构62的夹持构件622相对的面)安装有用于防止附着涂敷在保持带30的表面的浆料的聚四氟(代)乙烯等的塑料构件633。在这样构成的夹持构件632的背面固接有安装构件634，该安装构件634在支持臂631的前端可通过螺栓635拆装。
使上述第1夹持机构62在上下方向上移动的第1移动机构64包括外螺纹杆641，在形成于上述活动基台61的支持部612的长槽612b内，与导轨612a平行地配设，并与设在上述支持臂621的基部的内螺纹块621c的内螺纹621b螺合；轴承642，设在活动基台61的支持部612上，可旋转地支持配设在外螺纹杆641的一端部；脉冲电机643，连结在外螺纹杆641的另一端，用于旋转驱动外螺纹杆641。这样构成的第1移动机构64通过驱动脉冲电机643，使外螺纹杆641转动，由此能够使第1夹持机构62沿导轨612a在上下方向上移动。
使上述第2夹持机构63在上下方向上移动的第2移动机构65以与上述第1移动机构64相同的结构配设在第1移动机构64的上侧。即，第2移动机构65包括外螺纹杆651，在形成于上述活动基台61的支持部612的长槽612b内，与导轨612a平行地配设，设在上述支持臂631的基部的内螺纹块631c的内螺纹631b螺合；轴承652，配设在活动基台61的支持部612，可旋转地支持外螺纹杆651的一端部；和脉冲电机653，连结在外螺纹杆651的另一端，用于旋转驱动外螺纹杆651。这样构成的第2移动机构65，通过驱动脉冲电机653，使外螺纹杆651转动，能够使第2夹持机构63沿导轨612a在上下方向上移动。
沿上述固定基台40的导向槽41、41配设使上述4个带夹持单元6在各自径方向上移动的4个带扩张单元7。该带扩张单元7包括外螺纹杆71，与导向槽41平行地配设，与形成在上述活动基台61的移动部611中的内螺纹611b螺合；轴承72，配设在固定基台40上，可旋转地支持的外螺纹杆71的一端部；和脉冲电机73，连结在外螺纹杆71的另一端，用于旋转驱动外螺纹杆71。这样构成的带扩张单元7，通过驱动脉冲电机73，使外螺纹杆71转动，由此使带夹持单元6分别在径方向上移动。
图示的实施方式的晶片分割装置4包括除静电单元8，该除静电单元8从粘贴在保持带30上的晶片的下方供给离子化的空气，从而去除晶片上所带的静电，所述保持带30安装在被框架保持单元5保持的环状框架3上。除静电单元8包括离子化空气供给器81，送出经离子化的空气；离子化空气喷出管82，向粘贴在保持带30上的晶片喷出从离子化空气供给器81送出的离子化空气，所述保持带30安装在上述框架保持单元5上所保持的环状框架30上。
如上所述构成了图6及图7所示的实施方式的晶片分割装置4，下面参照附图8及图9说明使用该晶片分割装置4实施的晶片断裂工序。
将通过保持带30支持半导体晶片10的环状框架3，如图8(a)所示，以半导体晶片10为下侧承载在环状的框架保持构件52的承载面521上，通过夹子53固定在框架保持构件52上(晶片支持工序)，其中，如上述图1、图4所示，所述半导体晶片10沿分割预定线101形成有变质层110；所述环状的框架保持构件52构成上述框架保持单元5。此时，构成带夹持单元6的第1夹持机构62及第2夹持机构63被定位在图8(a)所示的待机位置。
如果将通过保持带30支持半导体晶片10的环状框架3保持在框架保持构件52上，则使第1移动机构64及第2移动机构65动作，该第1移动机构64及第2移动机构65在上下方向上移动构成带夹持单元6的第1夹持机构62及第2夹持机构63，从而使第1夹持机构62向上方动作，并且使第2夹持机构63向下方移动。其结果，如图8(b)所示，利用彼此相对配设的、安装在构成第1夹持机构62的夹持构件622上的摩擦构件623、和安装在构成第2夹持机构63的夹持构件632上的摩擦构件633，来夹持保持带30的环状框架3的内周和半导体晶片10之间的区域。然后，使上述除静电单元8的离子化空气供给器81动作，从离子化空气喷出管82向半导体晶片10的表面a(下面)供给离子化的空气，去除半导体晶片10的表面a上所带的静电。
如上所述，若用4个带夹持单元6夹持保持带30，则使上述带扩张单元7动作，使4个带夹持单元6在各自径方向上移动。因此，如图9所示，安装在环状框架3上的保持带30就被4个带夹持单元6以放射状扩张。此时，在图示的实施方式中，由于保持带30被安装在夹持构件622和632上的摩擦构件623和633所夹持，所以能够使作用于带夹持单元6的力确实地传递到保持带30。其结果，对在保持带30上粘贴的半导体晶片10以发射状作用拉伸力。这样，对半导体晶片10以放射状作用拉伸力时，由于能使沿各分割预定线101形成的变质层110的强度下降，所以能够将半导体晶片10沿变质层110断裂，分割成断开的单个的半导体芯片100。再有，根据本发明者的实验，在将保持带30拉伸5mm左右时，能够沿变质层110断裂半导体晶片10。由于像这样即使减少拉伸量也能够进行分割，所以能够降低保持带30的松弛。此后，通过未图示的拾取装置的拾取套爪拾取半导体芯片100，搬运到未图示的托盘或管芯焊接工序。
在上述晶片断裂工序中，由于以半导体晶片10的表面10a为下侧实施，所以半导体晶片10沿变质层110断裂时飞溅的微细破片会因自身重力而下落，进而不会附着在形成于半导体晶片10的表面10a上的器件102上。此外，在上述实施方式中，由于向半导体晶片10的表面10a供给离子化的空气，去除了半导体晶片10的表面10a上所带的静电，所以半导体晶片10沿变质层110断裂时飞溅的微细破片也不会因静电而附着到器件102上。
权利要求
1.一种晶片分割方法，将在表面上以格子状形成有多个分割预定线、并且在由多个分割预定线划分的多个区域形成器件、在内部沿多个分割预定线形成有变质层的晶片，在将该晶片的背面粘贴在环状框架上所安装的保持带上的状态下，沿多个分割预定线断裂，其特征在于，在通过保持带以晶片的表面为下侧保持了支持晶片的环状框架的状态下，沿形成有变质层的分割预定线对晶片施加外力，沿分割预定线断裂晶片。
2.根据权利要求1所述的晶片分割方法，其特征在于，对在环状框架上安装的保持带上粘贴了背面的晶片的表面供给经离子化的空气，去除晶片上所带的静电。
3.根据权利要求1所述的晶片分割方法，其特征在于，沿分割预定线对在环状框架上所安装的保持带上粘贴了背面的晶片施加的外力是通过扩张保持带来施加的。
4.一种晶片分割装置，将在表面上以格子状形成有多个分割预定线、并且在由多个分割预定线划分的多个区域形成器件、在内部沿多个分割预定线形成有变质层的晶片，在将该晶片的背面粘贴在环状框架上所安装的保持带上的状态下，沿多个分割预定线断裂，其特征在于，包括框架保持单元，保持该环状框架；带扩张单元，扩张被该框架保持单元保持的环状框架上所安装的保持带；以及除静电单元，从粘贴在保持带上的晶片的下方供给经离子化的空气，去除晶片所带的静电，所述保持带安装在被该框架保持单元保持的环状框架上。
全文摘要
本发明提供一种晶片的分割方法及分割装置，在沿形成有变质层的分割预定线施加外力来分割晶片时，使飞溅的微细碎片不会附着在器件上。本发明的晶片分割方法，将在表面上以格子状形成有多个分割预定线、并且在由多个分割预定线划分的多个区域形成器件、在内部沿多个分割预定线形成有变质层的晶片，在将该晶片的背面粘贴在环状框架上所安装的保持带上的状态下，沿多个分割预定线断裂，在通过保持带以晶片的表面为下侧保持了支持晶片的环状框架的状态下，沿形成有变质层的分割预定线对晶片施加外力，沿分割预定线断裂晶片。
文档编号B28D5/00GK101071791SQ20071010285
公开日2007年11月14日 申请日期2007年5月9日 优先权日2006年5月9日
发明者关家一马, 中村胜 申请人:株式会社迪斯科