钛酸钡基y5p陶瓷介电材料及其制备方法

文档序号:1940111阅读:165来源:国知局
专利名称:钛酸钡基y5p陶瓷介电材料及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种钛酸钡基陶瓷介电材料及其制备方法,具体涉及一种 钛酸钡基Y5P陶瓷介电材料及其制备方法。
背景技术
以BaTiO胸瓷为代表的铁电体具有较高的介电常数,是制造铁电陶瓷 介电材料的基础材料,也是目前国内外应用最广泛的电子陶瓷材料。由于 体积小、等效串联电阻小、频率阻抗特性好、适合表面安装、环境因素对 性能影响小等特点,MLCC已经成为电容器的主流。MLCC的瓷料配方一般要 满足X7R (X7代表在工作温区的两个极限温度-55'C和+125T:, R代表电容 量的相对于室温25°(:时的变化率小于或等于±15%) 、 Y5P (Y5代表在工作 温区的两个极限纟显度-3(TC和+85'C, P代表电容量的相对于室温25"C时的 变化率小于或等于±10%) 、 Y5U (U代表电容量的相对于室温25。C时的变 化率-56% +22%)或Y5V (V代表电容量的相对于室温25。C时的变化率 -82% +22%)其中的一个标准。无论那一个标准,其组成主要成分是钛酸 钡(BaTi03),然后通过对其进行掺杂改性,达到符合个标准的条件。虽 然Y5P温度适用范围没有X7R的温度范围宽,但是其电容量相对于室温的变 化率远远小于X7R的容温变化率,Y5P独特的高温度稳定性为其在特定领域 的应用提供了广阔的前景。

发明内容
本发明提供了一种温度特性好、介电常数高、介质损耗小的高稳定性钛酸钡基Y5P陶瓷介电材料及制备方法。
为达到上述目的,本发明钛酸钡基Y5P陶瓷介电材料,包括质量百分 比90 99呢的BaTi03、 0. 05 6%的恥205和0 5%的微晶玻璃粉,所述的微晶 玻璃粉包括质量百分比30 459()的Si02、 5 15。/o的Al2()3、 15 30%的ZnO、 0 10%的8203、 0 1(m的Sn02、 2 5%的?205和0 1.5%的010。
上述钛酸钡基Y5P陶瓷介电材料按下述步骤制备
1) 微晶玻璃粉的制备
按质量百分比将30 45。/。的Si02、 5 15y。的AlA、 15 30。/。的ZnO、 0 10。/o的BA、 0 1(E的Sn02、 2 5%的&05和0 1. 5。/。的CuO在混料机中混合均 匀后置于高温电阻炉中于800 120(TC熔炼1 5小时,然后水淬,得到玻 璃渣,将玻璃渣干燥后置于球磨机球磨得微晶玻璃粉;
2) 按质量百分比将90 99。/。的BaTi03、 0. 05 6%的恥205和0 5%的微晶 玻璃粉混合,将混合物与去离子水混合后球磨3小时,烘干,再加入混合 物质量7yo ll。/。的粘结剂造粒过筛后在10 60Mpa下压制成圆片形成生坯;
3) 最后将生坯在高温电阻炉中经3 7小时自室温升温至600 80(TC 排胶,再经过2 3小时加热至1100。C 13(XrC保温3 5小时即得到钛酸钡 基Y5P陶瓷介电材料。
本发明主要是以BaTi03为基通过掺杂Nb205和微晶玻璃粉制备II类陶瓷 电容器。通过加入微晶玻璃粉, 一方面降低了烧结温度,减少资源浪费, 降低成本,同时对陶瓷微观结构造成影响,使得晶粒更加致密,显著改善 了该介电材料的电容变化率。本发明的钛酸钡基Y5P陶瓷介电材料介电常 数较高(、2500,,》3000),介质损耗较小(tgS(^,《6oxKTO,高温度 稳定性(AC/"《100/0),耐压弓艘大,性能优良,具有广阔的应用发展前景。
具体实施例方式
实施例l:按质量百分比将9鄉的BaTi03和19&的Nb20s混合,将混合物与 去离子水混合后球磨3小时,烘干,再加入混合物质量8%的粘结剂造粒过 筛后在10 60Mpa下压制成圆片形成生坯;最后将生坯在高温电阻炉中经3 小时自室温升温至700'C排胶,再经过2小时加热至110(TC保温5小时即得 到钛酸钡基Y5P陶瓷介电材料。
实施例2: 1)微晶玻璃粉的制备按质量百分比将4(m的Si02、 15%的 A1A、 30。/。的ZnO、 10%的8203、 4. 5%的&05和0. 5%的010在混料机中混合均匀 后置于高温电阻炉中于120(TC熔炼1小时,然后水淬,得到玻璃渣,将玻 璃渣干燥后置于球磨机球磨得微晶玻璃粉;
2) 按质量百分比将9(m的BaTi03、 5%的吣205和5%的微晶玻璃粉混合, 将混合物与去离子水混合后球磨3小时,烘干,再加入混合物质量10%的粘 结剂造粒过筛后在10 60Mpa下压制成圆片形成生坯;
3) 最后将生坯在高温电阻炉中经5小时自室温升温至60(TC排胶,再 经过3小时加热至120(TC保温4小时即得到钛酸钡基Y5P陶瓷介电材料。
实施例3: 1)微晶玻璃粉的制备按质量百分比将45yo的Si02、 12%的 A1203、 20。/o的ZnO、 8%的8203和10%的31102和5%的&05在混料机中混合均匀后置 于高温电阻炉中于100(TC熔炼3小时,然后水淬,得到玻璃渣,将玻璃渣
干燥后置于球磨机球磨得微晶玻璃粉;
2) 按质量百分比将95。/。的BaTi03、 2%的恥205和3%的微晶玻璃粉混合, 将混合物与去离子水混合后球磨3小时,烘干,再加入混合物质量7%的粘 结剂造粒过筛后在10 60Mpa下压制成圆片形成生坯;
3) 最后将生坯在高温电阻炉中经7小时自室温升温至80(TC排胶,再经过2. 5小时加热至113(TC保温4. 5小时即得到钛酸钡基Y5P陶瓷介电材料。
实施例4: 1)微晶玻璃粉的制备按质量百分比将30。/。的Si02、 15%的 A1A、 30。/。的ZnO、 10%的8203、 1(F。的Sn02、 3. 5%的&05和1. 5。/。的CuO在混料机 中混合均匀后置于高温电阻炉中于80(TC熔炼5小时,然后水淬,得到玻璃 渣,将玻璃渣干燥后置于球磨机球磨得微晶玻璃粉;
2) 按质量百分比将93。/。的BaTi03、 6%的恥205和1%的微晶玻璃粉混合, 将混合物与去离子水混合后球磨3小时,烘干,再加入混合物质量9%的粘 结剂造粒过筛后在10 60Mpa下压制成圆片形成生坯;
3) 最后将生坯在高温电阻炉中经6小时自室温升温至63(TC排胶,再 经过3小时加热至130(TC保温3小时即得到钛酸钡基Y5P陶瓷介电材料。
实施例5: l)微晶玻璃粉的制备:按质量百分比将45。/。的Si02、5yo的Al203、 25呢的ZnO、 9%的8203、 10。/。的Sn02、 5%的&05和1%的010在混料机中混合均匀 后置于高温电阻炉中于1100。C熔炼2小时,然后水淬,得到玻璃渣,将玻 璃渣干燥后置于球磨机球磨得微晶玻璃粉;
2) 按质量百分比将96呢的BaTi03、 0. 05%的吣205和3. 95%的微晶玻璃粉 混合,将混合物与去离子水混合后球磨3小时,烘干,再加入混合物质量 11呢的粘结剂造粒过筛后在10 60Mpa下压制成圆片形成生坯;
3) 最后将生坯在高温电阻炉中经4小时自室温升温至76(TC排胶,再 经过2小时加热至127(TC保温3. 5小时即得到钛酸钡基Y5P陶瓷介电材料。
实施例6: 1)微晶玻璃粉的制备按质量百分比将45。/。的Si02、 15%的 A1203、 15。/。的ZnO、 10%的8203、 1(F。的Sn02、 4%的?205和1%的010在混料机中混 合均匀后置于高温电阻炉中于90(TC熔炼4小时,然后水淬,得到玻璃渣, 将玻璃渣干燥后置于球磨机球磨得微晶玻璃粉2) 按质量百分比将94。/。的BaTi03、 4%的他205和2%的微晶玻璃粉混合,将混合物与去离子水混合后球磨3小时,烘干,再加入混合物质量7%的粘结剂造粒过筛后在10 60Mpa下压制成圆片形成生坯;
3) 最后将生坯在高温电阻炉中经3小时自室温升温至72(TC排胶,再经过2小时加热至1180'C保温4小时即得到钛酸钡基Y5P陶瓷介电材料。
实施例7: 1)微晶玻璃粉的制备按质量百分比将4496的Si02、 14%的A1203、 28。/。的ZnO、 9Q/。的Sn02、 4. 5%的?205和0. 5%的010在混料机中混合均匀后置于高温电阻炉中于105(TC熔炼3.5小时,然后水淬,得到玻璃渣,将玻璃渣干燥后置于球磨机球磨得微晶玻璃粉;
2) 按质量百分比将93y。的BaTi03、 3%的恥205和4%的微晶玻璃粉混合,将混合物与去离子水混合后球磨3小时,烘干,再加入混合物质量11%的粘结剂造粒过筛后在10 60Mpa下压制成圆片形成生坯;
3) 最后将生坯在高温电阻炉中经7小时自室温升温至68(TC排胶,再经过3小时加热至1230'C保温3小时即得到钛酸钡基Y5P陶瓷介电材料。
实施例8: 1)微晶玻璃粉的制备按质量百分比将43。/。的Si02、 15%的A1203、 26y。的ZnO、 8%的8203、 5y。的Sn02、 2%的?205和1%的010在混料机中混合均匀后置于高温电阻炉中于95(TC熔炼2.5小时,然后水淬,得到玻璃渣,将玻璃渣干燥后置于球磨机球磨得微晶玻璃粉;
2) 按质量百分比将98y。的BaTi03、 1%的恥205和1%的微晶玻璃粉混合,将混合物与去离子水混合后球磨3小时,烘干,再加入混合物质量9%的粘结剂造粒过筛后在10 60Mpa下压制成圆片形成生坯;
3) 最后将生坯在高温电阻炉中经6小时自室温升温至80(TC排胶,再经过2小时加热至130(TC保温3小时即得到钛酸钡基Y5P陶瓷介电材料。
权利要求
1、一种钛酸钡基Y5P陶瓷介电材料,其特征在于,包括质量百分比90~99%的BaTiO3、0.05~6%的Nb2O5和0~5%的微晶玻璃粉,所述的微晶玻璃粉包括质量百分比30~45%的SiO2、5~15%的Al2O3、15~30%的ZnO、0~10%的B2O3、0~10%的SnO2、2~5%的P2O5和0~1.5%的CuO。
2、 钛酸钡基Y5P陶瓷介电材料的制备方法,其特征在于1) 微晶玻璃粉的制备按质量百分比将30 45y。的Si02、 5 15y。的AlA、 15 3(m的Zn0、 0 10%的8203、 0 10Q/。的Sn02、 2 5%的&05和0 1.5%的010在混料机中混合均 匀后置于高温电阻炉中于800 120(TC熔炼1 5小时,然后水淬,得到玻 璃渣,将玻璃渣干燥后置于球磨机球磨得微晶玻璃粉;2) 按质量百分比将90 99。/。的BaTi03、 0. 05 6%的吣205和0 5%的微晶 玻璃粉混合,将混合物与去离子水混合后球磨3小时,烘干,再加入混合 物质量7。/o ll。/。的粘结剂造粒过筛后在10 60Mpa下压制成圆片形成生坯;3) 最后将生坯在高温电阻炉中经3 7小时自室温升温至600 80(TC 排胶,再经过2 3小时加热至110(TC 130(rC保温3 5小时即得到钛酸钡 基Y5P陶瓷介电材料。
全文摘要
钛酸钡基Y5P陶瓷介电材料及制备方法,采用钛酸钡粉料与五氧化二铌、微晶玻璃粉料混合为主组成的配方和相应的烧结制度,可以获得晶粒均匀,高温度稳定性(ΔC/C<sub>25℃</sub>≤10%),介电常数较高(ε<sub>(25℃,1kHz)</sub>≥3000),介质损耗较小(tgδ<sub>(25℃,1kHz)</sub>≤60×10<sup>-4</sup>),耐压强度大,性能优良的高稳定性的Y5P陶瓷介电材料。适用于滤波、旁路、耦合等电子电路,可用于制作等效串联电阻小、频率阻抗特性好、适合表面安装的多层陶瓷片式电容器(MLCC),尤其在对温度稳定性要求非常高的电路中。
文档编号C04B35/468GK101492293SQ200910021449
公开日2009年7月29日 申请日期2009年3月9日 优先权日2009年3月9日
发明者杨公安, 王瑾菲, 蒲永平, 新 赵, 陈小龙 申请人:陕西科技大学
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