一种具有籽晶层的锆钛酸钡钙薄膜及其制备方法和应用
【专利摘要】本发明属于功能材料与器件领域，具体涉及一种具有籽晶层的锆钛酸钡钙薄膜及其制备方法。所述锆钛酸钡钙薄膜包括基片层、籽晶层和薄膜层，所述籽晶层在所述基片层和薄膜层之间，所述籽晶层和薄膜层的化学通式为Ba(1?x)CaxTi(1?y)ZryO3，其中x=0.01～0.16，y=0.02～0.12。所述制备方法使用低浓度前驱体溶液制备籽晶层，然后再用高浓度前驱体溶液制备锆钛酸钡钙薄膜，解决了锆钛酸钡钙薄膜制备过程中开裂的问题，提高无铅薄膜的压电性和介电性，且低成本和可控，制得的具有籽晶层的锆钛酸钡钙薄膜平整度高，均匀性好，无裂纹，质量高，使其在微机电系统、铁电存储系统或多功能集成器件中得到实际应用。
【专利说明】
一种具有籽晶层的锆钛酸钡钙薄膜及其制备方法和应用
技术领域
[0001]本发明属于功能材料与器件领域，具体涉及一种具有籽晶层的锆钛酸钡钙薄膜及其制备方法和应用。
【背景技术】
[0002]压电铁电材料在信息的检测、转换、处理、显示和存储等方面具有广泛的应用，是重要的高技术功能材料，但目前占压电材料主导地位的仍然是铅含量高达70%的铅基压电材料锆钛酸铅(PZT)。铅基材料在制备、使用和废弃过程中对生态环境和人类健康造成严重危害，因此，研制无铅压电铁电材料，是关系到我国电子技术可持续发展的紧迫任务之一。在上世纪90年代，随着微加工技术的发展及人们对精密微位移器件的需求，电可调机敏应变材料成为了微电子技术材料研究的一个热点。近年来，对压电薄膜材料与器件的需求日益增加，无铅压电薄膜研究显得尤为重要。锆钛酸钡钙材料自2009年以来由于其较低的矫顽场和极高的压电性能而备受关注，人们大量研究了其块体材料的结构和性能。但是，锆钛酸钡钙薄膜材料的研究确鲜有见闻，其主要原因是该体系薄膜和基底之间由于热失配和晶格失配而存在较大的内应力，从而使得薄膜在制备过程中发生开裂现象，难以制备结构优良的薄膜材料。
[0003]薄膜的制备方法与工艺过程对其结构及性能有着十分重要的影响，通过选择合适的制备方法和优化的工艺过程得到组分均匀、结晶完全、致密及低粗糙度的目标薄膜始终是薄膜材料研究的一个主要内容。然而，由于薄膜制备方法及工艺过程的选择又受到成膜物质的制约，因此，虽然薄膜的制备方法已经较为成熟，有多种方法可供选择，但受到铅基材料易挥发及毒性等因素的影响，目前主要有三种方法被报道用来制备压电薄膜，分别是:溶胶-凝胶法(So 1-Ge I)，派射法(sputtering)及脉冲激光沉积法(PLD)，其中溶胶-凝胶法是利用溶质在溶剂中发生水解反应，形成胶体，然后再涂敷在基底表面，经一定温度处理下成膜，该方法的优点是:(I)能实现薄膜化学组分的精确控制，易于进行离子掺杂；(2)易于大面积成膜；(3)设备简单，成本低廉；(4)与半导体工艺兼容性好。但这种方法也具有其本身难以克服的缺点，如重复性差、易开裂、不适宜制备厚度大于Um的薄膜。但由于这种方法低廉的成本及精确的组分控制，是当前薄膜常用的制备方法，被用来合成不同组分的压电薄膜，且通过选取适当的工艺过程得到了基本无裂纹的目标薄膜。对于锆钛酸钡钙体系的薄膜而言，如何通过改进溶胶-凝胶工艺制备高质量的压电薄膜，提高压电性能具有非常重要的社会价值和经济意义。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是克服现有技术中的不足，提供一种具有籽晶层的锆钛酸钡钙薄膜及其制备方法和应用，所述制备方法解决了锆钛酸钡钙薄膜制备过程中开裂的问题，提高无铅薄膜的压电性和介电性，且低成本和可控，制得的具有籽晶层的锆钛酸钡钙薄膜平整度高，均匀性好，无裂纹，质量高，使其在多功能集成器件中得到实际应用。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本发明第一方面提供一种锆钛酸钡钙薄膜，所述锆钛酸钡钙薄膜包括基片层、籽晶层和薄膜层，所述籽晶层在所述基片层和薄膜层之间，所述籽晶层和薄膜层的化学通式为1^(11仙\1';[(1—7)2503，其中1 = 0.01?0.16，如0.01?0.08、0.08?0.10或0.10?0.16，y=0.02?0.12，如0.02?0.05、0.05?0.10或0.10?
0.12ο
[0006]优选的，所述基片层为Pt/Ti/Si02/Si衬底、单晶Si衬底、单晶SrT13衬底或单晶LaAlO3 衬底。
[0007]优选的，所述籽晶层的厚度为8?40nm，如8?20nm、20?30nm或30?40nm，所述薄膜层的厚度为150?600nm，如150?360nm或360?600nm。
[0008]本发明第二方面提供一种上述锆钛酸钡钙薄膜的制备方法，包括如下步骤:
[0009]a)按上述化学通式中元素的化学计量比称取原料:含Ba化合物、含Ca化合物、含Ti化合物和含Zr化合物，将原料溶于乙酸和乙二醇乙醚或乙酸和乙二醇甲醚，用乙酰丙酮为络合剂配制前驱体溶液一和前驱体溶液二，所述前驱体溶液一的浓度为0.05?0.15M，如0.05?0.IM或0.I?0.15M，所述前躯体溶液二的浓度为0.2?0.4M，如0.2?0.3M或0.3?0.4M；
[0010]b)在基片上旋转涂覆所述前驱体溶液一，然后进行热处理；
[0011]c)依据籽晶层的厚度选择重复步骤b)的次数，得到籽晶层的基片；
[0012]d)将步骤c)得到的基片在籽晶层上旋转涂覆所述前驱体溶液二，然后进行热处理；
[0013]e)依据薄膜层的厚度选择重复步骤d)的次数，然后进行退火，得到所述锆钛酸钡钙薄膜。
[0014]所述前驱体溶液一和前躯体溶液二的的浓度是指以化学通式Ba(1—x)CaxTi(1一 y)ZryO3计的摩尔浓度。
[0015]所述含Ba化合物为乙酸钡或硝酸钡。
[0016]所述含Ca化合物为乙酸钙或硝酸钙。
[0017]所述含Ti化合物为异丙醇钛或钛酸四丁酯。
[0018]所述含Zr化合物为丙醇锆或异丙醇锆。
[0019]优选的，乙酰丙酮的摩尔量与化学通式的摩尔量的比值为1:1?1: 2，如1:1?1:
1.5或1:1.5?1:2。
[0020]优选的，乙二醇乙醚占前驱体溶液体积的30?40 %，如30?35 %或35?40 %。乙二醇乙醚占前驱体溶液体积的30?40%是指:乙二醇乙醚占前驱体溶液一体积的30?40%，乙二醇乙醚占前驱体溶液二体积的30?40 %。
[0021 ] 优选的，乙酸占前驱体溶液体积的50?60%，如50?55%或55?60%。乙酸占前驱体溶液体积的50?60%是指:乙酸占前驱体溶液一体积的50?60%，乙酸占前驱体溶液二体积的50?60%。
[0022]前驱体溶液一和前驱体溶液二的浓度可以分别控制籽晶层和薄膜的厚度，比如
0.05M的前驱体溶液一单层8nm，0.1M的前驱体溶液一单层10nm，0.2M的前躯体溶液二单层3011!11，0.31的前躯体溶液二单层6011111，根据所需籽晶层和薄膜的厚度控制甩膜的层数，即旋转涂覆的次数。
[0023]优选的，步骤b)中，旋转涂覆的条件:转速为2000?3000转/秒，如2000?2500转/秒或2500?3000转/秒，时间为20?30秒，如20?25秒或25?30秒。
[0024]优选的，步骤b)中，热处理的条件:依次100?200°C处理2?3分钟，如100?150°C或150?200 °C，300?400 °C处理2?5分钟，如300?350 °C或350?400 °C; 2?3分钟或3?5分钟，600?700 °C处理5?10分钟，如600?650 °C或650?700°C，5?8分钟或8?10分钟。所述热处理工艺可以全部在管式炉中进行，减少了操作步骤和仪器成本。
[0025]优选的，步骤b)中，在基片上旋转涂覆之前，先对所述基片进行预处理。
[0026]更优选的，所述预处理的条件:600?700°C预处理10?20分钟，如600?650°C或650?700°C，10?15分钟或15?20分钟。
[0027]优选的，步骤d)中，旋转涂覆的条件:转速为2000?3000转/秒，如2000?2500转/秒或2500?3000转/秒，时间为20?30秒，如20?25秒或25?30秒。
[0028]优选的，步骤d)中，热处理的条件:依次在100?200°C处理2?5分钟，如100?150°(:或150?200°C;2?3分钟或3?5分钟，400?500°C处理5?10分钟，如400?450°C或450?500 °C。所述热处理可以在管式炉中进行。
[0029]优选的，步骤e)中，退火的条件:700?750°C退火20?50分钟，如700?720°C或720?750°C，20?30分钟、30?40分钟或40?50分钟。
[0030]本发明第三方面提供一种上述锆钛酸钡钙薄膜的应用，应用于微机电系统，铁电存储系统或多功能集成器件，如:微位移器件，声传感器，铁电存储器等。
[0031 ]本发明的有益效果:采用溶胶-凝胶法，通过使用低浓度(0.05?0.15M)前驱体溶液制备8?40纳米厚度的籽晶层，然后再用高浓度(0.2?0.4)前驱体溶液制备150?600nm厚度的锆钛酸钡钙薄膜，薄膜和缓冲层同质、同构，薄膜均匀、致密、不开裂，应变达0.45nm，压电常数可达64pm/V，显著降低了低频介电损耗，最低为0.023。所述制备方法解决了锆钛酸钡钙薄膜制备过程中开裂的问题，提高无铅薄膜的压电性和介电性，且低成本和可控，制得的具有籽晶层的锆钛酸钡钙薄膜平整度高，均匀性好，无裂纹，质量高，使其在微机电系统，铁电存储系统和多功能集成器件中得到实际应用。
【附图说明】
[0032]图1是实施例1至4所得不同籽晶层厚度的锆钛酸钡钙压电薄膜的扫描电镜图。
[0033]图2是实施例1至4所得不同籽晶层厚度的锆钛酸钡钙压电薄膜电致应变随外加电场变化曲线图。
[0034]图3是实施例1至4所得不同籽晶层厚度的锆钛酸钡钙压电薄膜介电常数和介电损耗随频率变化曲线图。
【具体实施方式】
[0035]下面结合具体实施例进一步阐述本发明，应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的保护范围。
[0036]以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的【具体实施方式】加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
[0037]须知，下列实施例中未具体注明的工艺设备或装置均采用本领域内的常规设备或装置;所有压力值和范围都是指相对压力，使用的原料也均为本领域内的常规使用的原料。
[0038]此外应理解，本发明中提到的一个或多个方法步骤并不排斥在所述组合步骤前后还可以存在其他方法步骤或在这些明确提到的步骤之间还可以插入其他方法步骤，除非另有说明；还应理解，本发明中提到的一个或多个设备/装置之间的组合连接关系并不排斥在所述组合设备/装置前后还可以存在其他设备/装置或在这些明确提到的两个设备/装置之间还可以插入其他设备/装置，除非另有说明。而且，除非另有说明，各方法步骤的编号仅为鉴别各方法步骤的便利工具，而非为限制各方法步骤的排列次序或限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容的情况下，当亦视为本发明可实施的范畴。
[0039]实施例1:
[0040]在Pt/Ti/Si02/Si衬底上制备8纳米籽晶层后，制备锆钛酸钡钙压电薄膜。
[0041 ] a)按Ba0.92Ca0.()8Ti().95Zr().()503中兀素的化学计量比称取原料:乙酸钡、乙酸|丐、异丙醇钛和丙醇锆，将原料溶于乙酸和乙二醇乙醚，用乙酰丙酮为络合剂配制前驱体溶液一和前驱体溶液二，所述前驱体溶液一的浓度为0.05M，所述前躯体溶液二的浓度为0.2M，乙酸占前躯体溶液体积的60%，乙二醇乙醚占前驱体溶液体积的30% ,Ba0.92Ca0.08Ti0.95Zr0.05O3和乙酰丙酮的摩尔比为1:1;静置24小时后，用来制备锆钛酸钡钙籽晶层和薄膜层；
[0042]b)将Pt/Ti/Si02/Si衬底在600°C预处理10分钟，将0.05M的前驱体溶液一旋转涂覆在Pt/Ti/Si02/Si衬底上，转速为2000转/秒，时间为30秒;将涂覆好的凝胶依次在管式炉中200°C处理2分钟，300°C处理2分钟，600°C处理10分钟，获得8纳米厚的籽晶层；
[0043]c)在籽晶层上旋转涂覆0.2M的前驱体溶液二，转速为2000转/秒，时间为30秒;将涂覆好的凝胶依次在管式炉中200 0C处理3分钟，400 0C处理1分钟；
[0044]d)重复步骤c)即涂覆和热处理工艺4次，最后在700 °C退火20分钟，最后得到150纳米厚的薄膜层。
[0045]采用直流溅射的方法在薄膜表面溅射金电极，直径为0.5毫米，厚度为80纳米，测试电性能。
[0046]图1中(a)给出了8纳米籽晶层上锆钛酸钡钙压电薄膜的扫描电镜图像，晶粒约为100纳米，尺寸均匀，没有裂纹，图2中(a)给出了8纳米籽晶层上锆钛酸钡钙压电薄膜的应变随电压变化曲线，电场诱导形变量达0.4纳米，压电常数达39pm/V。图3(a)给出了 8纳米籽晶层上锆钛酸钡钙压电薄膜的介电常数和介电损耗随频率变化，低频介电损耗为0.112。实施例2:
[0047]在单晶Si衬底上制备20纳米籽晶层后，制备锆钛酸钡钙压电薄膜。
[0048]a)按Ba0.ggCa0.tnT1.gsZr0.0:^中元素的化学计量比称取原料:硝酸钡、硝酸钙、钛酸四丁酯和异丙醇锆，将原料溶于乙酸和乙二醇乙醚，用乙酰丙酮为络合剂配制前驱体溶液一和前驱体溶液二，所述前驱体溶液一的浓度为0.1M，所述前躯体溶液二的浓度为0.3M，乙酸占前躯体溶液体积的5 5 %，乙二醇乙醚占前驱体溶液体积的4 O %，Ba0.99Ca0.QiTi().98Zr().()203和乙酰丙酮的摩尔比为1: 1.5;静置24小时后，用来制备错钛酸钡I丐籽晶层和薄膜层；
[0049]b)将单晶Si衬底在650°C预处理15分钟，将0.1M的前驱体溶液一旋转涂覆在单晶Si衬底上，转速为2500转/秒，时间为25秒;将涂覆好的凝胶依次在管式炉中150°C处理2分钟，350 °C处理3分钟，650 °C处理5分钟；
[0050]c)重复步骤b)—次，获得20纳米厚的籽晶层；
[0051 ] d)在籽晶层上旋转涂覆0.3M的前驱体溶液二，转速为2500转/秒，时间为20秒，将涂覆好的凝胶依次在管式炉中150 °C处理5分钟，450 °C处理5分钟；
[0052]e)重复步骤d)即涂覆和热处理工艺五次；最后在720 V退火30分钟，获得360纳米厚的薄膜层。
[0053]采用直流溅射的方法在薄膜表面溅射电极，直径0.2为毫米，厚度为80纳米，测试电性能。
[0054]图1中(b)给出了20纳米籽晶层上锆钛酸钡钙压电薄膜的扫描电镜图像，晶粒约为100纳米，尺寸均匀，没有裂纹，图2中(b)给出了20纳米籽晶层上锆钛酸钡钙压电薄膜的应变随电压变化曲线，电场诱导形变量达0.45纳米，压电常数达64pm/V。图3(b)给出了 20纳米籽晶层上锆钛酸钡钙压电薄膜的介电常数和介电损耗随频率变化，低频介电损耗为0.052。
[0055]实施例3:
[0056]在单晶SrT13衬底上制备30纳米籽晶层后，制备锆钛酸钡钙压电薄膜。
[0057]a)按Ba0.84Ca0.16Ti().9()Zr().1()03中元素的化学计量比称取原料:乙酸钡、乙酸I丐、异丙醇钛和丙醇锆，将原料溶于乙酸和乙二醇甲醚，用乙酰丙酮为络合剂配制前驱体溶液一和前驱体溶液二，所述前驱体溶液一的浓度为0.15M，所述前躯体溶液二的浓度为0.3M，乙酸占前躯体溶液体积的60%，乙二醇甲醚占前驱体溶液体积的35%，Ba0.84Ca0.16T1.θοΖγο.10O3和乙酰丙酮的摩尔比为1:2;静置24小时后，用来制备锆钛酸钡钙籽晶层和薄膜层；
[0058]b)将单晶SrT13衬底在700°C预处理20分钟，将0.15M的前驱体溶液旋转涂覆在单晶SrT13衬底上，转速为3000转/秒，时间为20秒;将涂覆好的凝胶依次在管式炉中200 V处理2分钟，400 °C处理5分钟，700 °C处理8分钟。
[0059]c)重复步骤b)l次，获得30纳米厚的籽晶层；
[0060]d)在籽晶层上旋转涂覆0.3M的前驱体溶液，转速为3000转/秒，时间为20秒。将涂覆好的凝胶依次在管式炉中100 °C处理3分钟，400 0C处理1分钟。
[0061 ] e)重复步骤d)即涂覆和热处理工艺五次，最后在700 °C退火40分钟，获得360纳米厚度的薄膜层。
[0062]采用直流溅射的方法在薄膜表面溅射电极，直径0.2为毫米，厚度为80纳米，测试电性能。
[0063]图1中(c)给出了30纳米籽晶层上锆钛酸钡钙压电薄膜的扫描电镜图像，晶粒约为100纳米，尺寸均匀，没有裂纹，图2中(C)给出了30纳米籽晶层上锆钛酸钡钙压电薄膜的应变随电压变化曲线，电场诱导形变量达0.42纳米，压电常数达61pm/V。图3(c)给出了 30纳米籽晶层上锆钛酸钡钙压电薄膜的介电常数和介电损耗随频率变化，低频介电损耗为0.030。
[0064]实施例4:
[0065]在单晶LaAlO3衬底上制备40纳米籽晶层后，制备锆钛酸钡钙压电薄膜。
[0066]a)按Ba0.9oCa().1()Ti().88Zr().1203中兀素的化学计量比称取原料:乙酸钡、乙酸|丐、异丙醇钛和丙醇锆，将原料溶于乙酸和乙二醇甲醚，用乙酰丙酮为络合剂配制前驱体溶液一和前驱体溶液二，所述前驱体溶液一的浓度为0.05M，所述前躯体溶液二的浓度为0.4M，乙酸占前躯体溶液体积的50%，乙二醇甲醚占前驱体溶液体积的30%，Ba0.goCa0.1oT1.ssZr0.12Ο3和乙酰丙酮的摩尔比为1:2;静置24小时后，用来制备锆钛酸钡钙籽晶层和薄膜层；
[0067]b)将单晶LaAlO3衬底在700°C预处理10分钟。将0.05M的前驱体溶液一旋转涂覆在单晶LaAlO3衬底上，转速为3000转/秒，时间为20秒。将涂覆好的凝胶依次在管式炉中100 °C处理3分钟，300 °C处理3分钟，700 °C处理1分钟。
[0068]c)重复步骤b)4次，获得40纳米厚的籽晶层。
[0069]d)在籽晶层上旋转涂覆0.4M的前驱体溶液二，转速为3000转/秒，时间为20秒。将涂覆好的凝胶依次在管式炉中200°C处理2分钟，500°C处理10分钟。
[0070]e)重复步骤d)即涂覆和热处理工艺五次，最后在750 °C退火50分钟，获得600纳米厚度的薄膜层。
[0071]采用直流溅射的方法在薄膜表面溅射电极，直径0.2为毫米，厚度为80纳米，测试电性能。
[0072]图1中(d)给出了40纳米籽晶层上锆钛酸钡钙压电薄膜的扫描电镜图像，晶粒约为100纳米，尺寸均匀，没有裂纹，图2中(d)给出了40纳米籽晶层上锆钛酸钡钙压电薄膜的应变随电压变化曲线，电场诱导形变量达0.4纳米，压电常数达44pm/V。图3(d)给出了 40纳米籽晶层上锆钛酸钡钙压电薄膜的介电常数和介电损耗随频率变化，低频介电损耗为0.023。
[0073]上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
【主权项】
1.一种锆钛酸钡钙薄膜，其特征在于，所述锆钛酸钡钙薄膜包括基片层、籽晶层和薄膜层，所述籽晶层在所述基片层和薄膜层之间，所述籽晶层和薄膜层的化学通式为Ba(1-X)0已\1';[(1-丫)2巧03，其中叉=0.01?0.16，y = 0.02?0.12。2.如权利要求1所述的锆钛酸钡钙薄膜，其特征在于，所述基片层为Pt/Ti/Si02/Si衬底、单晶Si衬底、单晶SrT13衬底或单晶LaAlO3衬底。3.如权利要求1所述的锆钛酸钡钙薄膜，其特征在于，所述籽晶层的厚度为8?40nm，所述薄膜层的厚度为150?600nm。4.一种如权利要求1所述的锆钛酸钡钙薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: a)按权利要求1所述的化学通式中元素的化学计量比称取原料:含Ba化合物、含Ca化合物、含Ti化合物和含Zr化合物，将原料溶于乙酸和乙二醇乙醚或乙酸和乙二醇甲醚，用乙酰丙酮为络合剂配制前驱体溶液一和前驱体溶液二，所述前驱体溶液一的浓度为0.05?0.15M，所述前躯体溶液二的浓度为0.2?0.4M; b)在基片上旋转涂覆所述前驱体溶液一，然后进行热处理； c)依据籽晶层的厚度选择重复步骤b)的次数，得到籽晶层的基片； d)将步骤c)得到的基片在籽晶层上旋转涂覆所述前驱体溶液二，然后进行热处理； e)依据薄膜层的厚度选择重复步骤d)的次数，然后进行退火，得到所述锆钛酸钡钙薄膜。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤b)中，旋转涂覆的条件:转速为2000?3000转/秒，时间为20?30秒。6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤b)中，热处理的条件:依次100?200°C处理2?3分钟，300?400°C处理2?5分钟，600?700°C处理5?10分钟。7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤b)中，在基片上旋转涂覆之前，先对所述基片进行预处理。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述预处理的条件:600?700°C预处理10?20分钟。9.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤d)中，旋转涂覆的条件:转速为2000?3000转/秒，时间为20?30秒。10.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤d)中，热处理的条件:依次在100?200°C处理2?5分钟，400?500°C处理5?10分钟。11.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤e)中，退火的条件:700?750°C退火20?50分钟。12.—种如权利要求1至3任一项所述的锆钛酸钡钙薄膜应用于微机电系统、铁电存储系统或多功能集成器件领域。
【文档编号】H01L41/43GK105977374SQ201610293378
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2016年5月5日
【发明人】李伟, 朱彦, 杨松, 李如月, 徐志军, 初瑞清, 沈圳, 仪鹏
【申请人】聊城大学