专利名称：获得包含带涂层的基底的材料的方法
获得包含带涂层的基底的材料的方法本发明涉及包含基底，尤其是玻璃基底的材料的领域，所述基底在其至少一面上带有包含至少一个薄层的永久涂层。通常，这样的材料必须经受旨在改进基底和/或永久涂层的性质的热处理。在玻璃基底的情况下，其可以例如是旨在通过在其表面中产生高压缩应力来机械增强基底的淬火热处理。这样的处理也可以改进永久涂层的某些性质，尤其是通过改进在该涂层内包含的薄层的结晶特性。例如，包含具有导电和低-E (低辐射)性质的银层的永久涂层在其结晶结构具有较高品质尺寸较小的晶粒、晶界减少等时出现这些改进的性质。这同样适用于透明导电氧化物，根据其英文名称常称作“TC0”，例如氧化铟锡(ΙΤ0)或镓-掺杂或铝-掺杂的氧化锌。关于二氧化钛，通过用于允许提高其在锐钛矿形式下的结晶度的热处理改进其光催化性质。如专利申请WO 2008/096089中所述，已知在淬火或退火炉中对带有这样的涂层的基底施以淬火或退火热处理，或例如使用火焰、等离子体炬或激光辐射施以快速退火处理。但是，永久涂层的某些层如果没有适当受保护，可能在热处理过程中劣化。例如，经受热淬火的TCO层必须暂时受保护以防氧化一任选使用氮化硅保护层。必须随后除去这种保护层，通常通过长时间和昂贵的蚀刻处理。可通过吸收红外辐射的层的存在改进某些层的快速退火处理，特别是在使用火焰或激光辐射处理的情况下如此。因此在永久涂层上布置包含这种吸收层的临时涂层是有用的。如果在退火过程中不除去临时涂层，其必须在处理后例如通过蚀刻法除去。本发明目的是通过提供更简单更便宜的方法来消除这些缺点。为此，本发明的一个主题是获得包含在其至少一面上带有包含至少一个薄层的永 久涂层的基底的材料的方法，所述方法包含下列步骤
-在所述基底的至少一面上沉积所述永久涂层；然后
-直接在所述永久涂层上沉积临时涂层，所述临时涂层包含至少一个可溶于溶剂中的薄层作为离基底最近的层，在该薄层上有至少一个功能层；然后-对如此涂覆的基底施以热处理；和然后
-用所述溶剂处理所述涂覆的基底以从所述基底的表面上除去所述临时涂层。直接在永久涂层上存在可溶于溶剂中的层允许在热处理后或在后继步骤过程中通过使用所述溶剂的简单洗涤除去整个临时涂层。可以有利地在基底运输、切割和装卸步骤后实施除去临时涂层的步骤，该临时涂层因此能保护基底表面免受划伤。本发明的另一主题是包含在其至少一面上带有永久涂层的基底的材料，临时涂层直接位于所述永久涂层上，所述临时涂层包含至少一个可溶于溶剂中的薄层作为离基底最近的层，在其上有至少一个功能层。这种材料作为本发明的方法的实施过程中的中间产物而获得。在说明书下文中出现的优选特征既适用于本发明的方法，在适当情况下又适用于本发明的中间产物。
该基底优选是玻璃板或玻璃-陶瓷板。其也可以是聚合材料板，例如聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的板。该基底优选是透明无色的(其这时是明亮玻璃或超明亮玻璃)或有色的，例如蓝色、灰色或青铜色。该玻璃优选是钠钙硅类型，但其也可以是硼硅酸盐或铝硼硅酸盐类型的玻璃。有利地，该基底具有至少一个等于或大于I米、甚至2米或甚至3米的维度。该基底的厚度通常为O. 5毫米至19毫米，优选O. 7至9毫米，尤其是2至8毫米，甚至4至6毫米不等。该基底可以是平面或曲面的或甚至柔性的。该玻璃基底优选为浮法玻璃类型，即能通过由将熔融玻璃倒到熔融锡浴(“漂浮”浴)上构成的方法获得。在这种情况下，要处理的层可以同样好地沉积在基底的“大气”面和沉积在“锡”面上。术语“大气面”和“锡面”分别被理解为是指已经与在浮浴中的大气接触的和与熔融锡接触的基底面。锡面在表面上含有已扩散到玻璃结构中的少量锡。也可以通过在两个辊之间辊轧获得玻璃板，该技术特别能在玻璃表面上压印图案。特别对于在光伏领域中的应用，在永久涂层包含透明导电氧化物(TCO)层时，该基底优选由超明亮或极明亮玻璃制成，即其光透射或能量透射等于或大于90%，尤其是 90. 5%，更尤其是91%，甚至91. 5%。通常缩写为“TL”的光透射根据ISO 9050 (2003)标准计算并换算至3. 2毫米的玻璃厚度。缩写为“TE”的能量透射也根据ISO 9050 (2003)标准计算并换算至3. 2毫米的玻璃厚度。这样的玻璃通常使用贫铁的原材料获得，以使在最终玻璃中的氧化铁含量为最多O. 02%，尤其是O. 01%。为了进一步优化这种透射，玻璃的氧化还原水平(r6dox)(即以FeO表示的亚铁重量含量与以Fe2O3表示的总铁重量含量的比率)优选等于或小于20%，优选10%，甚至O。特别可通过使用氧化锑或氧化铈将铁氧化或通过如专利申请FR-A-2 921 356和FR-A-2 921 357中所教导地将重量含量O.1至2%的氧化钨和/或重量含量1. 5至10%的氧化钾添加到玻璃中来获得这样的氧化还原水平或透射水平。也可以如国际专利申请WO 2009/115725中所教导地在精制步骤后将氧化气体鼓入熔融玻璃中。在光伏应用中，玻璃基底的尺寸通常如下对于1. 6至6 mm,尤其2.9至4 mm的厚度时，O. 6 X1. 2 m2 或1.1 X1. 3 m2 或 2. 2 X 2. 6 m2。永久涂层优选包含至少一个基于或由选自透明导电氧化物(TC0)、银和二氧化钛的材料构成的薄层。在TCO中，可以提到基于混合氧化铟锡(称作ΙΤ0)、基于混合氧化铟锌(称作ΙΖ0)、基于镓-掺杂或铝-掺杂的氧化锌、基于铌-掺杂的氧化钛、基于锡酸镉或锡酸锌或基于氟-掺杂和/或锑-掺杂的氧化锡的薄层。这些不同层用在其中需要透明性和导电性的许多系统中液晶显示器(LCD)、光电或太阳能集热器、电致变色或电致发光器件等。与掺杂剂氧化物重量除以总重量对应的掺杂水平通常小于10%，或甚至5%。在铝掺杂的氧化锌的情况下，掺杂水平(即氧化铝重量除以总重量)优选小于3%。在氧化镓的情况下，掺杂水平可更高，通常5至6%。TCO层的厚度优选为2至1000纳米，尤其是50至800纳米，更尤其是150至600纳米。该永久涂层从玻璃基底开始可包含充当碱金属迁移阻隔的下层(尤其基于介电材料，如硅或铝的氮化物、氧化物或氮氧化物或它们的任何混合物)和随后TCO层。该下层尤其防止碱金属离子在淬火或退火热处理过程中或在光电池工作过程中在电场下的迁移的有害作用。薄银膜可以以如下身份使用通过反射红外、热或太阳辐射，它们赋予该材料低辐射性或日光控制功能；导电性，它们还能获得导电材料，例如加热窗玻璃或电极。为了防止银氧化，介电层在永久涂层内围绕银层。所述银层或各银层的物理厚度优选为6至20纳米。该永久涂层优选从基底开始包含含有至少一个第一介电层的第一涂层、至少一个银层、任选的上阻隔层和含有至少一个第二介电层的第二涂层。该上阻隔层用于在后继层的沉积过程中(例如如果后继层在氧化或氮化气氛中沉积)和在可能的淬火或弯曲类型热处理过程中保护银层。银层也可以沉积在上阻隔层上并与上阻隔层接触。该叠层因此可包含围绕所述银层或各银层的上阻隔层和/或下阻隔层。阻隔层(下阻隔层和/或上阻隔层)通常基于选自镍、铬、钛、铌或这些各种金属的合金的金属。特别可提到镍-钛合金(尤其是包含大约50重量％每种金属的那些)或镍-铬合金(尤其是包含80重量％镍和20重量％铬的那些)。上阻隔层也可以由几个叠加层 构成，例如，从基底开始，钛层和然后镍合金(尤其是镍-铬合金)层，或相反。所提到的各种金属或合金也可以部分氧化，尤其具有亚化学计量氧(例如TiOx或NiCrOx)。第一和/或第二介电层通常是由氧化物(尤其是氧化锡)或优选氮化物，尤其是氮化硅(特别对于离基底最远的第二介电层而言)制成。薄二氧化钛膜具有使自洁的特征，有利于通过紫外辐射(光催化现象)的作用降解有机化合物和通过水流动作用除去无机尘埃(粉尘)。以锐钛矿形式结晶的二氧化钛在有机化合物降解方面比非晶二氧化钛或以金红石或板钛矿形式结晶的二氧化钛有效得多。二氧化钛可任选被金属离子，例如过渡金属离子，或被氮原子、碳原子、氟原子等掺杂。该二氧化钛也可以是亚化学计量或超化学计量的。在最终材料(在除去临时涂层后)中，二氧化钛层的整个表面优选与外界接触以使氧化钛完全能实现其自洁功能。但是，可以有利地用薄亲水层(尤其基于二氧化硅)涂覆二氧化钛层。为了进一步改进这些层的结晶，可以直接在二氧化钛层下方提供具有促进氧化钛的晶体生长(尤其是锐钛矿形式)的作用的下层。这特别是如专利申请WO 02/40417中所述的由ZrO2制成的下层或如例如专利申请WO 2005/040058中所述的促进锐钛矿形式的氧化钛的异质外延生长的下层，尤其是BaTiO3或SrTiO3层。可以在基底与二氧化钛层之间插入其它下层。其可例如是防止碱金属迁移的阻隔层，尤其是基于Si02、Si0C、氧化铝Al2O3或氮化硅Si3N4的层。它们也可以是具有热功能(日光控制或低辐射的层或叠层，尤其是包含至少一个银层的类型)或光学功能(例如减反射层或叠层)的层或叠层。无论永久涂层的性质是什么，与带有所述永久涂层的那面相对的基底面可以是裸的或可以被一个或多个薄层覆盖。其尤其可以是基于二氧化钛的层或具有热功能(日光控制或低辐射层或叠层，尤其是包含至少一个银层的类型)或光学功能(例如减反射层或叠层)的薄层。在光伏应用中，当永久涂层包含TCO层时，该相对的面有利地带有减反射涂层。这种涂层可包含一个层(例如基于具有低折光指数的多孔二氧化硅)或数个层在后一种情况下，基于使低和高折光指数层交替的介电材料的并以具有低折光指数的层结束的叠层是优选的。它尤其是如专利申请WO 01/94989或WO 2007/077373中所述的叠层。该减反射涂层还可包含如专利申请WO 2005/110937中教导的基于光催化的氧化钛的自洁和防污层作为最终层。可由此获得随着时间持久的低反射。可通过任何类型的薄层沉积法获得永久涂层和临时涂层。该方法可以例如是下列类型方法溶胶-凝胶；热解(液体或固体);化学气相沉积(CVD)，尤其是等离子体增强的化学气相沉积(APCVD)、任选大气压等离子体增强的化学气相沉积(AP-PECVD);和蒸发。这些涂层之一或两者，尤其是两者，通过阴极溅射，尤其是磁增强的阴极溅射(磁控管法)获得。在这种方法中，在高真空中在包含要沉积的化学元素的靶附近产生等离子体。等离子体的活性物类通过轰击靶剥除所述元素，使它们沉积在基底上以形成所需薄层。在该层由从靶剥除的元素与在等离子体中所含的气体之间的化学反应产生的材料构成时，这种方法是所谓“反应性”方法。这种方法的主要优点在于通过通常在同一个装置中使基底先后在各种靶下行进来在同一个生产线上沉积层的极复杂叠层的可能性。溶剂优选是水基的。在临时涂层下方的层因此可溶于水，其可简单地通过水洗除去。其它溶剂也可行，尤其是醇，但由于环境和成本原因，它们是较不优选。洗涤，尤其是水洗，可以以已知方式进行，例如借助洗 涤机。可以在切割玻璃后，在临转换步骤(例如通过将该材料整合到窗玻璃中)前，可进行用溶剂，尤其水的清除步骤。在这种情况下，该可溶层可在加工步骤过程中保护该材料免受机械侵袭，例如划伤。也可以在热处理后立即进行清除步骤。水溶性薄层有利地基于或由选自金属卤化物和金属硫酸盐的材料构成。金属卤化物尤其选自NaCl和SnF2。金属硫酸盐可以是例如Al2 (SO4) 3。这样的层可耐受普通热处理。优选地，至少一个功能层(其在临时涂层内位于可溶层上)是防氧化的层或辐射吸收层，尤其是红外线吸收层。该功能层尤其可以是氮化物层，例如氮化硅层。这种层允许获得高抗氧化性并可例如在淬火或退火处理过程中保护TCO层。这些层的厚度通常为5至200纳米，尤其是10至100纳米。在使用火焰或红外激光辐射进行热处理时，吸收红外辐射的层特别有用。在可见光或UV中的激光辐射的情况下，该功能层会吸收这种辐射。通过吸收辐射和再发射热，这种层实际上能提高待处理的层接收的能量并因此能提高处理效率。吸收红外辐射的层可选自金属，如钛、碳(尤其是其无定形或石墨形式)和金属氮化物，如氮化铌。这些层的厚度通常为I至50纳米，尤其是2至20纳米。该临时涂层也可以在可溶层与功能层之间包含旨在防止可溶层受潮的层。这种层可以例如是由氧化物或氮化物制成，例如由二氧化硅或氮化硅制成的层。旨在改进该永久涂层的至少一个薄层的结晶的热处理优选选自淬火、退火和快速退火处理。可以通过结晶度(结晶材料的重量或体积比例)和/或晶粒尺寸(或通过X-射线衍射法测得的相干衍射域的尺寸)的提高来量化结晶的改进。也可以通过层性质的改进来间接验证结晶的这种改进。在TCO或银类型的层的情况下，层的电阻率及其辐射性相对降低优选至少5%，甚至至少10%或15%。在二氧化钛层的情况下，结晶的改进表现为光催化活性的提高。通常，通过监测模型污染物，如硬脂酸或亚甲蓝的降解评估该活性。通常在炉中，分别在淬火炉或退火炉中进行淬火或退火处理。将整个材料(因此包括基底)加热至高温，在退火的情况下加热至至少300°C，和在淬火的情况下加热至至少500°C或甚至 600°C。优选使用火焰、等离子体炬或激光辐射进行快速退火。在这种类型的方法中，建立在基底与装置(火焰、激光器、等离子体炬)之间的相对运动以处理该材料。通常，该装置是活动的，且该材料面对该装置行进以处理其表面。这些方法允许在极短时间内向待处理的层提供高能量密度，由此限制向基底的热扩散和因此所述基底的发热。在处理过程中，基底温度通常为最多100°C，甚至50°C和甚至30°C。薄层上的各点经受快速退火处理持续通常不超过I秒，甚至O. 5秒的时间。优选使用激光辐射，尤其是红外辐射进行快速退火热处理，功能层是吸收激光辐射的层，尤其如上所述的那样。辐射波长优选为530至1200纳米，或600至1000纳米，尤其是700至950纳米，更尤其是800至950纳米。优选使用二极管激光器，例如发射大约808纳米、880纳米、915纳米或9 40纳米或980纳米的波长。在二极管系统的形式中，可获得极高功率，允许达到大于20 kff/cm2或甚至30 kff/cm2的在待处理的涂层上的表面功率。激光辐射优选地来自成列(在下文中被称作“激光列”)的至少一个激光束，其同时照射该基底的全部或一部分宽度。这种方式是优选的，因为其避免使用昂贵的移动系统，这通常体积很大和维护困难。尤其可使用与聚焦光学器件结合的高功率二极管激光系统获得成列激光束。该列的厚度优选为O. 01至I毫米。该列的长度通常为5毫米至I米。该列的轮廓可尤其为高斯曲线或具有“礼帽”状。同时照射基底的全部或一部分宽度的激光列可以由单列(这时其照射基底的整个宽度)或多个任选分开的列构成。在使用多列时，优选安置它们以处理叠层的整个面积。所述列或各列优选以垂直于基底的行进方向安置或倾斜安置。所述不同列可同时或以在时间上延迟方式处理基底。重要的是处理整个表面。因此可移动该基底，尤其是相对于固定激光列平移行进，通常在其下方但任选在所述激光列上方。这种实施方案特别有利于连续处理。或者，基底可是固定的和激光是可移动的。优选地，基底与激光的各自速度之间的差大于或等于I米/分钟，或4米/分钟，或甚至6、8、10或15米/分钟，以确保高处理速率。在基底移动，尤其是平移时，其可使用任何机械传送装置，例如平移的带、辊或托盘进行移动。传送系统允许控制和调节行进速度。如果基底由柔性有机聚合物材料制成，其可以使用呈一连串辊形式的膜前进系统进行移动。也可以移动激光以调节其与基底的距离，这在基底是弯曲时特别有用，但不仅仅在这种情况下有用。实际上，优选将激光束聚焦到待处理的涂层上以使后者与焦平面的距离小于或等于I毫米。如果用于移动基底或移动激光的系统在基底与焦平面之间的距离方面不够精确，优选能调节激光与基底之间的距离。这种调节可以是自动的，尤其使用在该处理上游的距离测量进行调节。可以将激光辐射装置集成到沉积层的线上，例如磁场增强阴极溅射(磁控管方法)沉积线或化学气相沉积(CVD)线，尤其是在真空下或在大气压下(AP-PECVD)的等离子体增强(PECVD)的化学气相沉积线。通常，该线路包括基底搬运装置、沉积设备、光学控制装置和堆叠装置。例如，基底在传送辊上行进，先后经过各装置或各设备。激光辐射装置优选紧接在层沉积设备后，例如在沉积设备出口处。可由此在已沉积层后、在沉积设备出口处和在光学控制装置前、或在光学控制装置后并在基底堆叠装置前在线处理该涂覆的基底。也可以将激光辐射装置集成到沉积设备中。例如，可以将激光器引入溅射沉积设备的室之一中，尤其是大气稀薄的室中，尤其在10_6 mbar至10_2 mbar的压力下的室中。激光器也可位于沉积设备外，但以处理位于所述设备内的基底。为此，考虑对所用辐射的波长是透明的窗口是足够的，穿过它激光束可处理该层。因此可以在该相同设备中随后沉积另一层之前处理层(例如银层)。在吸收层是例如金属上层时，如果将基底置于真空室中时，可能阻碍其在处理过程中的氧化。在这种情况下可以在特殊室(控制其中的氧化气氛)中处理该叠层。无论激光辐射装置在沉积设备外还是集成到沉积设备中，这些“在线”法优于涉及离线操作的方法(proc6d6 en reprise),在离线操作方法中在沉积步骤与热处理之间必须堆叠玻璃基。但是，如果在与进行沉积的地点不同的地点，例如在进行玻璃转换的地点进行本发明的热处理时，涉及离线操作的方法是有利的。因此可以将辐射装置集成到不同于层沉积线的线中。例如，其可以集成到多层窗玻璃(尤其是双层或三层窗玻璃)生产线或集成到层压窗玻璃生产线中。在这些各种情况中，优选在制造多层玻璃或层压窗玻璃之前进行热·处理。上述各种特征可以彼此组合在一起，但没有明确描述这些组合以便不会不必要地使本文冗杂。但是，下面详细解释几种优选的组合。在第一优选实施方案中，基底是玻璃板，该永久涂层包含透明导电氧化物薄层(通常为ZnO = Al或ΙΤ0，几何厚度通常为100至800纳米)。沉积在永久涂层上并与永久涂层接触的临时涂层，从离基底最近的层开始，由水溶层(通常为氯化物，如NaCl，其几何厚度通常为5至50纳米)、接着保护层(通常由氮化物，如Si3N4制成)构成。所有这些层通过磁控管法沉积。如此涂覆的基底随后经受旨在使透明导电氧化物的薄层结晶以降低其电阻率的退火热处理。这种处理的温度通常为400至700°C。在这种热处理后，涂覆的基底在水中洗涤以除去临时涂层。在第二个优选实施方案中，基底是玻璃板且永久涂层包含至少一个在至少两个介电层之间的薄银层。它是旨在形成低辐射窗玻璃的玻璃板。沉积在永久涂层上并与永久涂层接触的临时涂层，从离基底最近的层开始，由水溶层(通常由氯化物，如NaCl制成，其几何厚度通常为5至50纳米)和接着吸收红外辐射的层(通常为金属钛层或石墨层)构成。所有这些层通过磁控管法沉积。如此涂覆的基底随后经受使用激光列(基底相对于该激光列行进)(或者激光可以在固定基底上方移动)的快速退火热处理。激光的典型波长可以为980纳米。该吸收层在钛的情况下被氧化，在石墨的情况下部分被除去。用水洗涤允许除去整个临时涂层和因此任何痕量的残留石墨或氧化钛。第三个优选的实施方案与第二实施方案的区别在于，永久涂层由任选沉积在对碱金属迁移的阻隔下层(例如由二氧化硅或氧碳化硅制成)上的二氧化钛层构成。该二氧化钛层可例如具有3至30纳米，尤其是5至20纳米的几何厚度。下列实施例例示本发明，而不限制本发明。在申请人以SGG Planilux为名出售的厚度4毫米的明亮玻璃基底上沉积各种低辐射叠层。在阴极溅射线(磁控管法)上(在其中基底在各种靶下方行进)以已知方式沉积
该叠层。使用由NaCl和石墨构成的靶在基底/Si3N4/ZnO/Ag/NiCr/ ZnO/Si3N4类型的叠层(永久涂层)上也通过磁控管法沉积能水溶的NaCl层。为使靶导电而添加石墨。然后在这种水溶层上沉积厚度150纳米的二氧化硅层，接着是厚度10纳米的吸收红外辐射的金属钛层。也通过在氩气氛中使用钛靶的磁控管阴极溅射进行沉积。该临时涂层因此由NaCl层和位于其上的SiO2层和钛层构成。使用发射波长为980纳米的辐射的成列激光器处理涂覆的基底，涂覆的基底相对于该成列激光器以10至25米/分钟的速度平移行进。
在这种快速退火处理后，使用湿布清洁涂覆的基底。这种洗涤操作允许完全除去 临时涂层。在热处理后，该银层的方电阻相对降低至少10%。
权利要求
1.获得包含基底的材料的方法，该基底在其至少一面上带有包含至少一个薄层的永久涂层，所述方法包含下列步骤-在所述基底的至少一面上沉积所述永久涂层；然后-在所述永久涂层上直接沉积临时涂层，所述临时涂层包含至少一个可溶于溶剂中的薄层作为离基底最近的层，在该薄层上有至少一个功能层；然后-对如此涂覆的基底施以热处理；然后-用溶剂处理所述被涂覆的基底以从所述基底的表面上除去所述临时涂层。
2.如权利要求1中所述的方法，其中所述基底是玻璃板或玻璃-陶瓷板。
3.如前述权利要求之一中所述的方法，其中所述永久涂层包含至少一个基于选自透明导电氧化物、银和二氧化钛的材料的薄层。
4.如前述权利要求之一中所述的方法，其中所述溶剂是水基的。
5.如前一权利要求中所述的方法，其中所述可溶于水的薄层基于选自金属卤化物和金属硫酸盐的材料。
6.如前述权利要求之一中所述的方法，其中至少一个功能层是防氧化层或辐射吸收层，尤其是红外线吸收层。
7.如前述权利要求之一中所述的方法，其中旨在改进永久涂层的至少一个薄层的结晶的所述热处理选自淬火、退火和快速退火处理。
8.如前一权利要求中所述的方法，其中用激光辐射，尤其是红外辐射进行所述快速退火热处理，所述功能层是吸收激光辐射的层。
9.包含在其至少一面上带有永久涂层的基底的材料，在所述永久涂层上直接有临时涂层，所述临时涂层包含至少一个可溶于溶剂中的薄层作为离基底最近的层，在其上有至少一个功能层。
10.如前一权利要求中所述的材料，其中所述可溶于溶剂中的薄层是可溶于水的。
全文摘要
本发明的主题是获得包含基底的材料的方法，该基底在其至少一面上带有包含至少一个薄层的永久涂层，所述方法包含下列步骤在所述基底的至少一面上沉积所述永久涂层；然后在所述永久涂层上直接沉积临时涂层，所述临时涂层包含至少一个可溶于溶剂中的薄层作为离基底最近的层，在该薄层上有至少一个功能层；然后对如此涂覆的基底施以热处理；和然后用所述溶剂处理所述涂覆的基底以从所述基底的表面上除去所述临时涂层。
文档编号C03C17/00GK103003214SQ201180036547
公开日2013年3月27日 申请日期2011年7月19日 优先权日2010年7月27日
发明者A.卡尔申科 申请人:法国圣戈班玻璃厂