一种发光低温共烧led陶瓷粉的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种发光低温共烧LED陶瓷粉，由以下份数的组分煅烧组成：60-80份纳米氧化钙，80-100份氧化铝，50-65份氢氧化铝，30-45份氢氧化镁，20-25份四水硝酸钙，12-15份四乙氧基硅烷，10-18份甲基三乙氧基硅烷，8-10份硅酸钠，5-6份激发剂，4-8份氧化镝，3-5份卤化银，3-5份氯化银。该发光低温共烧LED陶瓷粉的烧结温度低，介电常数可控，介电损耗低，机械强度高，且同时具有一定的发光强度。
【专利说明】一种发光低温共烧LED陶瓷粉
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种陶瓷材料，尤其涉及一种发光低温共烧LED陶瓷粉。
【背景技术】
[0002]近年来，在半导体技术飞速发展的带动下，电子元器件不断向小型化、集成化和高频化方向发展。选择适当的能与银等导电材在不超过900度的温度下低温共烧的陶瓷，从而制作多层元件或把无源器件埋入多层电路基板中，成为上述趋势的必然要求，作为无源集成元件主要介质材料的低温共烧陶瓷也因此成为一种重要的发展趋势。
[0003]目前，低温共烧陶瓷材料主要是将适量烧结助剂引入介质陶瓷系统后，利用液相烧结机制促进材料的致密化，所述烧结助剂通常为低熔点氧化物或低熔点玻璃。
[0004]然而，低温共烧陶瓷材料的技术应用主要领域是半导体照明技术，但是当目前尚无即满足低温共烧陶瓷材料工艺要求用能发光的材料。
【发明内容】
[0005]本发明是为了要克服现有技术的缺陷，目的在于提供一种发光低温共烧LED陶瓷粉，该发光低温共烧LED陶瓷粉的烧结温度低，介电常数可控，介电损耗低，机械强度高，且同时具有一定的发光强度。
[0006]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种发光低温共烧LED陶瓷粉，由以下份数的组分煅烧组成:60-80份纳米氧化钙，80-100份氧化铝，50-65份氢氧化铝，30-45份氢氧化镁，20-25份四水硝酸钙，12-15份四乙氧基硅烷，10-18份甲基三乙氧基硅烷，8-10份硅酸钠，5-6份激发剂，4-8份氧化镝，3-5份齒化银，3-5份氯化银。
[0007]进一步的，由以下份数的组分煅烧组成:60份纳米氧化钙，80份氧化铝，50份氢氧化铝，30份氢氧化镁，20份四水硝酸钙，12份四乙氧基硅烷，10份甲基三乙氧基硅烷，8份硅酸钠，5份激发剂，4份氧化镝，3份卤化银，3份氯化银。
[0008]或者是，由以下份数的组分煅烧组成:80份纳米氧化钙，100份氧化铝，65份氢氧化铝，45份氢氧化镁，25份四水硝酸钙，15份四乙氧基硅烷，18份甲基三乙氧基硅烷，10份硅酸钠，6份激发剂，8份氧化镝，5份卤化银，5份氯化银。
[0009]综上所述，本发明的发光低温共烧LED陶瓷粉的烧结温度低，介电常数可控，介电损耗低，机械强度高，且同时具有一定的发光强度。
【具体实施方式】
[0010]实施例1
本发明实施例1所描述的一种发光低温共烧LED陶瓷粉，由以下份数的组分煅烧组成:60份纳米氧化钙，80份氧化铝，50份氢氧化铝，30份氢氧化镁，20份四水硝酸钙，12份四乙氧基硅烷，10份甲基三乙氧基硅烷，8份硅酸钠，5份激发剂，4份氧化镝，3份齒化银，3份氯化银。
[0011]实施例2
本发明实施例2所描述的一种发光低温共烧LED陶瓷粉，由以下份数的组分煅烧组成:80份纳米氧化妈，100份氧化铝，65份氢氧化铝，45份氢氧化镁，25份四水硝酸妈，15份四乙氧基硅烷，18份甲基三乙氧基硅烷，10份硅酸钠，6份激发剂，8份氧化镝，5份齒化银，5份氯化银。
[0012]上述实施例仅为本发明的若干较佳实施例，并非依此限制本发明的保护范围，故:凡依照本发明的原理等所做的各种等效变化，均应涵盖在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种发光低温共烧LED陶瓷粉，其特征在于，由以下份数的组分煅烧组成:60-80份纳米氧化妈，80-100份氧化铝，50-65份氢氧化铝，30-45份氢氧化镁，20-25份四水硝酸妈，12-15份四乙氧基硅烷，10-18份甲基三乙氧基硅烷，8-10份硅酸钠，5-6份激发剂，4_8份氧化镝，3-5份齒化银，3-5份氯化银。
2.根据权利要求1所述的一种发光低温共烧LED陶瓷粉，其特征在于，由以下份数的组分煅烧组成:60份纳米氧化钙，80份氧化铝，50份氢氧化铝，30份氢氧化镁，20份四水硝酸钙，12份四乙氧基硅烷，10份甲基三乙氧基硅烷，8份硅酸钠，5份激发剂，4份氧化镝，3份齒化银，3份氯化银。
3.根据权利要求1所述的一种发光低温共烧LED陶瓷粉，其特征在于，由以下份数的组分煅烧组成:80份纳米氧化钙，100份氧化铝，65份氢氧化铝，45份氢氧化镁，25份四水硝酸钙，15份四乙氧基硅烷，18份甲基三乙氧基硅烷，10份硅酸钠，6份激发剂，8份氧化镝，5份卤化银，5份氯化银。
【文档编号】C04B35/10GK104496427SQ201410772312
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2014年12月16日 优先权日:2014年12月16日
【发明者】冯挺 申请人:广东华辉煌光电科技有限公司