本发明涉及硅片制造领域，尤其是一种提高硅片切割质量的方法。
背景技术：
硅片切割是半导体硅材料加工的一道重要工序，硅材料经过铸锭、开方、倒角后需要经过精细的切割技术才能转为被半导体及光伏行业所用的硅片，在此过程中，切割损失是限制硅片质量及价格的重要因素，切割损失与切割过程中使用的辅料----切割液密切相关。
目前，切割液主要成分为聚乙二醇、碳化硅(sic)颗粒及部分添加剂。聚乙二醇用来分散sic颗粒，并作为切割时的散热剂，sic颗粒作为切割磨料，用来切割硅锭。在目前的加工过程中，硅片切割主要是一个物理过程。
技术实现要素：
本发明要解决的技术问题是：提出一种提高硅片切割质量的方法。
本发明所采用的技术方案为：一种提高硅片切割质量的方法，该方法是将对硅片进行化学机械抛光的抛光液的成分加入到硅片切割工艺的切割液中，形成新的切割液对硅片进行切割。
其中所述的新的切割液由sio2悬浮颗粒物和碱性组分水溶液组成，所述的sio2悬浮颗粒物的浓度为切割液浓度的30％～40％；所述的碱性组分水溶液为koh水溶液或nh4oh水溶液，碱性组分水溶液的浓度为切割液浓度的60～70％；上述的百分比为质量百分比。
为了更好的切割硅锭，本发明所述的sio2悬浮颗粒物的粒度范围为80～150nm。
本发明所述的新的切割液中浸泡有切割丝，所述的切割丝为尼龙切割丝，所述的尼龙切割丝缠绕放置。
本发明的有益效果是：1.通过将cmp抛光液中有效成分导入切割工艺，提高加工速度，提高加工质量；2.使用新的尼龙切割丝代替旧的细钢丝，节约了成本，尼龙丝采用缠绕设计，能更好的携带切割浆料，提高了加工精度。
具体实施方式
现在结合实施例对本发明作进一步详细的说明。
一种提高硅片切割质量的方法，该方法是将对硅片进行化学机械抛光的抛光液的成分加入到硅片切割工艺的切割液中，形成新的切割液对硅片进行切割。新的切割液中浸泡有切割丝，切割丝为缠绕放置的尼龙切割丝。
实施例1
新的切割液由sio2悬浮颗粒物和碱性组分水溶液组成，sio2悬浮颗粒物的浓度为切割液浓度的30％；碱性组分水溶液为koh水溶液，浓度为切割液浓度的70％；上述的百分比为质量百分比。
sio2悬浮颗粒物的粒度范围为80nm。
实施例2
由sio2悬浮颗粒物和碱性组分水溶液组成，所述的sio2悬浮颗粒物的浓度为切割液浓度的40％；碱性组分水溶液为nh4oh水溶液，浓度为切割液浓度的60％；上述的百分比为质量百分比。
sio2悬浮颗粒物的粒度范围为150nm。
实施例3
由sio2悬浮颗粒物和碱性组分水溶液组成，所述的sio2悬浮颗粒物的浓度为切割液浓度的35％；碱性组分水溶液为nh4oh水溶液，浓度为切割液浓度的65％；上述的百分比为质量百分比。
sio2悬浮颗粒物的粒度范围为100nm。
以上说明书中描述的只是本发明的具体实施方式，各种举例说明不对本发明的实质内容构成限制，所属技术领域的普通技术人员在阅读了说明书后可以对以前所述的具体实施方式做修改或变形，而不背离本发明的实质和范围。