一种分离元器件的切割框架的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种分离元器件的切割框架，它包括两组平行的矩形切割块（3），所述矩形切割块（3）放置在基底材料（2）中部，基底材料（2）外围与切割外边框（1）连接，基底材料（2）表面涂覆有一层用于阻隔紫外光及短波长可见光，在光照前粘度很大，光照之后粘度会变低的UV膜。本发明减少基底材料表面涂覆的UV膜用量，提高UV膜的利用率，节约生产成本，降低操作员工劳动强度。
【专利说明】一种分离元器件的切割框架
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种分离元器件的切割装置，特别是一种分离元器件的切割框架。
【背景技术】
[0002]在分离元器件的切割过程中，基于切割设备的空间尺寸大小，采用圆形的切割框架一般只能放置4个待切割的矩形切割块，同时涂覆的UV膜面积利用率也十分低下，生产成本被带高。
[0003]专利申请号:CN200880022969.1公开了一种高切割效率的切割框架，该切割框架包括用于以预定倾角从矩形基底材料上切割一种或更多种具有较小尺寸的矩形单元件的多个切割器，所述的切割器安装或形成在所述切割框架中，使得所述切割器与所述矩形单元件相对应，其中，所述切割器基于所述矩形单元件的阵列结构而安装或形成在所述切割框架中，使得除最上排矩形单元件和最下排矩形单元件以外的大多数剩余矩形单元件被布置为在每个矩形单元件的四条边处邻近不同的矩形单元件，并且相邻的四个矩形单元件的至少一些组合在其中心形成岛式剩余部。该发明主要是针对如何组合切割提高切割效率，其切割的需要的UV膜用量和UV膜的利用率未在其考虑范围内。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种分离元器件的切割框架，减少基底材料表面涂覆的UV膜用量，提高UV膜的利用率，节约生产成本，降低操作员工劳动强度。
[0005]本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:一种分离元器件的切割框架，它包括两组平行的矩形切割块，所述矩形切割块放置在基底材料中部，基底材料外围与切割外边框连接，基底材料表面涂覆有一层用于阻隔紫外光及短波长可见光，在光照前粘度很大，光照之后粘度会变低的UV膜。
[0006]具体的，两组并行放置的矩形切割块的四个面与切割外边框对应的四个边平行，每组矩形切割块包括四个小矩形切割块。
[0007]具体的，切割外边框包括多个用于放置框架和手持方便的缺口。
[0008]具体的，基底材料的四个转角均为圆角。
[0009]本发明的有益效果是:减少基底材料表面涂覆的UV膜的用量，提高UV膜的利用效率，同时有效降低接近一倍的生产成本，降低操作员工的劳动强度。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为本发明的结构示意图；
图2为圆形切割框架不意图；
图中，1-切割外边框，2-基底材料，3-矩形切割块。【具体实施方式】
[0011]下面结合附图进一步详细描述本发明的技术方案，但本发明的保护范围不局限于以下所述。
[0012]如图1所示，一种分离元器件的切割框架，它包括两组平行的矩形切割块3，所述矩形切割块3放置在基底材料2中部，基底材料2外围与切割外边框I连接，基底材料2表面涂覆有一层用于阻隔紫外光及短波长可见光，在光照前粘度很大，光照之后粘度会变低的UV膜。
[0013]两组并行放置的矩形切割块3的四个面与切割外边框I对应的四个边平行，每组矩形切割块3包括四个小矩形切割块。
[0014]如图2所示，当采用圆形切割框架，基底材料2上只能放置四个小矩形切割块，圆形切割框架贴膜时的矩形长为33cm，宽为28cm，其UV膜的利用面积比为:
料片面积 /UV 膜面积=250*70/ (280*330) =18.94%,
而根据切割机器的空间大小，在相同大小限定下的矩形的贴膜长为30cm，宽为30cm，该矩形切割框架的UV膜利用率为:料片面积/UV膜面积=250*70*2/ (300*300) =38.89%。
[0015]由此可见，矩形切割框架比圆形切割框架的UV膜利用率提高了 105.33%。
【权利要求】
1.一种分离元器件的切割框架，其特征在于:它包括两组平行的矩形切割块(3)，所述矩形切割块(3)放置在基底材料(2)中部，基底材料(2)外围与切割外边框(I)连接，基底材料(2)表面涂覆有一层用于阻隔紫外光及短波长可见光，在光照前粘度很大，光照之后粘度会变低的UV膜。
2.根据权利要求1所述的一种分离元器件的切割框架，其特征在于:两组并行放置的矩形切割块(3)的四个面与切割外边框对应的四个边平行。
3.根据权利要求1所述的一种分离元器件的切割框架，其特征在于:所述的切割外边框(I)设有多个用于放置框架和手持方便的缺口。
4.根据权利要求1所述的一种分离元器件的切割框架，其特征在于:所述的基底材料(2)的四个转角均为圆角。
【文档编号】B26D7/26GK103802160SQ201410071067
【公开日】2014年5月21日 申请日期:2014年2月28日 优先权日:2014年2月28日
【发明者】刘剑, 樊增勇, 许兵, 叶川, 罗天秀, 刘达 申请人:成都先进功率半导体股份有限公司, 乐山无线电股份有限公司