复合电磁波吸收片的制作方法

复合电磁波吸收片的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种复合电磁波吸收片，包括：(a)第一电磁波吸收膜(10a)，其具有塑料膜(11)和在塑料膜(11)的至少一面上设置的单层或多层的金属薄膜(12)，在所述金属薄膜(12)上以不规则的宽度及间隔在多个方向上形成有多个实质上平行且断续的线状痕(122)；(b)第二电磁波吸收膜(20)，其由分散有磁性粒子或非磁性导电性粒子的树脂或橡胶构成。
【专利说明】复合电磁波吸收片
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种虽然薄但在宽幅的频率范围内具有高电磁波吸收能力的复合电磁波吸收片。
【背景技术】
[0002]在移动电话、智能手机、无线电LAN等通信设备及计算机等电子设备中，对跨数MHz~数GHz这样宽的频率范围的信号进行处理，随之产生跨宽频率范围的电磁波噪声。不仅需要减少从通信设备、电子设备发出的电磁波噪声，并保护通信设备和电子设备的电路免受外部电磁波噪声，而且需要使从各个电路元件产生的电磁波噪声不对其他电路元件造成负面影响。
[0003]对于这种电磁波噪声，通常使用电磁屏蔽技术。电磁屏蔽技术是利用金属板覆盖噪声产生源及噪声接收元件的周围，从而遮蔽电磁波噪声的技术。例如，若在电通信设备、子设备的壳体内部配置金属制屏蔽板，则从通信设备、电子设备放射的电磁波噪声受到抑制，但并没有减少设备内部的电磁波噪声，因此对于安装部件而言不是充分的噪声对策。因此，不仅期望反射电磁波噪声的电磁波屏蔽，而且期望能吸收电磁波噪声的电磁波吸收片。
[0004]日本特开2010-153542号公开了一种电磁波噪声抑制片，其具有基材、通过涂敷导电性涂敷材料而形成的导电层、通过涂敷磁性涂敷材料而形成的磁性层。基材的具体例为纸、无纺布或织物、布、树脂片等。导电性涂敷材料含有铜、金、铝等金属或碳等导电性材料。磁性涂敷材料含有具有软磁性的铁素体等金属氧化物、铝硅铁粉、强磁性铁镍合金、非晶体合金等磁性金属的粒子。通过该电磁波噪声抑制片，能够利用导电层和磁性层这两方提高电磁波吸收能力。然而，通过这样的导电层和磁性层的组合无法获得足够的电磁波吸收能力。

【发明内容】

[0005]因此，本发明的目的在于提供一种虽然薄但在宽幅的频率范围内具有高电磁波吸收能力的复合电磁波吸收片。
[0006]【用于解决课题的手段】
[0007]鉴于上述目的而锐意研究的结果，本发明人发现，在组合:(a)具有以不规则的宽度及间隔在多个方向上形成有多个实质上平行且断续的线状痕的金属薄膜、或者以使具有规定的透光率及表面电阻的方式进行热处理而成的磁性金属薄膜的膜；(b)含有碳、金属等非磁性导电性粒子或者磁性金属、铁素体等磁性粒子的膜时，能够得到在较宽的频率范围内具有高电磁波吸收能力的复合电磁波吸收片，因而想到了本发明。
[0008]即，本发明的第一复合电磁波吸收片的特征在于，包括:(a)第一电磁波吸收膜，其具有塑料膜和设置在该塑料膜的至少一面上的单层或多层的金属薄膜，在所述金属薄膜上以不规则的宽度及间隔在多个方向上形成有多个实质上平行且断续的线状痕；(b)第二电磁波吸收膜，其由分散有磁性粒子或非磁性导电性粒子的树脂或橡胶构成。[0009]本发明的第二复合电磁波吸收片的特征在于，包括(a)第三电磁波吸收膜和(b)由分散有磁性粒子或非磁性导电性粒子的树脂或橡胶构成的第二电磁波吸收膜，所述第三电磁波吸收膜包括:(i)塑料膜；(ii)在该塑料膜的至少一面上设置的单层或多层的金属薄膜，在该金属薄膜上以不规则的宽度及间隔在多个方向上形成有多个实质上平行且断续的线状痕；(iii)形成在所述金属薄膜上的碳纳米管薄层。
[0010]优选所述碳纳米管薄层的以涂敷量来表示的厚度为0.01~0.5g/m2。优选所述碳纳米管为多层碳纳米管。 [0011 ] 优选，在所述第一及第二复合电磁波吸收片中，所述线状痕在二个方向上取向，其交叉角为30~90°。关于所述线状痕的宽度，优选，90%以上在0.1~100 μ m的范围内，平均为I~50 μ m，所述线状痕的横边方向间隔在I~500μπι的范围内，平均为I~200 μ m。
[0012]优选所述金属薄膜通过从由铝、铜、银、锡、镍、钴、铬及它们的合金构成的组中选择出的至少一种金属构成。
[0013]本发明的第三复合电磁波吸收片的特征在于，包括:(a)在塑料膜的至少一个面上通过蒸镀法形成磁性金属薄膜后以Iio~180°C的范围内的温度进行热处理而形成的第四电磁波吸收膜，所述磁性金属薄膜的透光率(波长660nm的激光束)为3~50%,在从所述第四电磁波吸收膜切出的IOcmXlOcm的正方形的试验片的磁性金属薄膜的对置边部上配置覆盖边整体的长度的一对电极，经由平坦的加压板施加3.85kg的负载而进行测定时的所述磁性金属薄膜的表面电阻为10~200Ω/ □ ； (b)第二电磁波吸收膜,其由分散有磁性粒子或非磁性导电性粒子的树脂或橡胶构成。
[0014]优选构成所述第四电磁波吸收膜的所述磁性金属为Ni或其合金。优选所述热处理为10分钟~I小时。
[0015]在所述第一~第三复合电磁波吸收片中，优选所述第二电磁波吸收膜中的所述磁性粒子或所述非磁性导电性粒子的含量为10~60体积％。此外，优选所述磁性粒子或所述非磁性导电性粒子的平均粒径为5~200 μ m。
[0016]在所述第一~第三复合电磁波吸收片中，优选所述第二电磁波吸收膜中的所述非磁性导电性粒子为非磁性金属或碳的粒子。
[0017]【发明效果】
[0018]本发明的电磁波吸收片组合:(a_l)第一电磁波吸收膜，其具有塑料膜和设置在该塑料膜的至少一面上的单层或多层的金属薄膜，在所述金属薄膜上以不规则的宽度及间隔在多个方向上形成有多个实质上平行且断续的线状痕、(a-2)第三电磁波吸收膜，其在所述第一电磁波吸收膜的金属薄膜上形成有碳纳米管薄层、或者、(a-3)在塑料膜的至少一个面上通过蒸镀法形成磁性金属薄膜后以110~180°C的范围内的温度进行热处理而形成的第四电磁波吸收膜，所述磁性金属薄膜的透光率(波长660nm的激光束)为3~50%,在从所述第四电磁波吸收膜切出的IOcmXlOcm的正方形的试验片的磁性金属薄膜的对置边部上配置覆盖边整体的长度的一对电极，经由平坦的加压板施加3.85kg的负载而进行测定时的所述磁性金属薄膜的表面电阻为10~200Ω/ □ ； (b)第二电磁波吸收膜,其由分散有磁性粒子或非磁性导电性粒子的树脂或橡胶构成，由此，能够为薄型并且在宽幅的频率范围内发挥单独由第一~第四电磁波吸收膜无法获得的高电磁波吸收能力。具有这样的优点的本发明的薄型的复合电磁波吸收片适于要求小型化、轻型化及低成本化的各种通信设备或电子设备。
【专利附图】

【附图说明】
[0019]图1是表示本发明的第一复合电磁波吸收片的局部剖视图。
[0020]图2是表示本发明的第二复合电磁波吸收片的局部剖视图。
[0021]图3是表示本发明的第三复合电磁波吸收片的局部剖视图。
[0022]图4(a)是表示本发明的第一复合电磁波吸收片中使用的第一电磁波吸收膜的一个例子的剖视图。
[0023]图4(b)是表示图4(a)的第一电磁波吸收膜的线状痕的详细情况的局部俯视图。
[0024]图4 (C)是图4 (b)的A-A剖视图。
[0025]图4(d)是表示图4(C)的部分C的放大剖视图。
[0026]图4(e)是表示第一电磁波吸收膜的另一例的剖视图。
[0027]图4(f)是表示图4(e)的部分D的放大剖视图。
[0028]图5(a)是表示在第一电磁波吸收膜的金属薄膜上形成的线状痕的另一例的局部俯视图。
[0029]图5(b)是表不在第一电磁波吸收膜的金属薄膜上形成的线状痕的又一例的局部俯视图。
[0030]图5(c)是表不在第一电磁波吸收膜的金属薄膜上形成的线状痕的又一例的局部俯视图。
[0031]图6(a)是表示具有形成有线状痕及微小孔的金属薄膜的第一电磁波吸收膜的局部俯视图。
[0032]图6 (b)是图6 (a)的B-B剖视图。
[0033]图7(a)是表示在金属薄膜表面上形成有碳纳米管薄层并设置有保护层的第三电磁波吸收膜的一个例子的剖视图。
[0034]图7(b)是表示在金属薄膜表面上形成有碳纳米管薄层并设置有保护层的第三电磁波吸收膜的另一例的剖视图。
[0035]图8(a)是表示线状痕的形成装置的一个例子的立体图。
[0036]图8(b)是表示图8(a)的装置的俯视图。
[0037]图8 (C)是图8 (b)的C-C剖视图。
[0038]图8(d)是用于说明相对于复合膜的行进方向倾斜的线状痕的形成原理的局部放大俯视图。
[0039]图8(e)是表示在图8(a)的装置中，图案辊及按压辊相对于复合膜的倾斜角度的局部俯视图。
[0040]图9是表示线状痕的形成装置的另一例的局部剖视图。
[0041]图10是表示线状痕的形成装置的又一例的立体图。
[0042]图11是表示线状痕的形成装置的又一例的立体图。
[0043]图12是表示线状痕的形成装置的又一例的立体图。
[0044]图13是表示本发明的第三复合电磁波吸收片中使用的第四电磁波吸收膜的剖视图。[0045]图14是表示图13所示的第四电磁波吸收膜的磁性金属薄膜的详细情况的局部剖视图。
[0046]图15(a)是表示测定金属薄膜的表面电阻的装置的立体图。
[0047]图15(b)是表示使用图15(a)的装置测定金属薄膜的表面电阻的情况的俯视图。
[0048]图15 (C)是图15 (b)的D-D剖视图。
[0049]图16(a)是表示评价复合电磁波吸收片的电磁波吸收能力的系统的俯视图。
[0050]图16(b)是表示评价复合电磁波吸收片的电磁波吸收能力的系统的局部剖面主视图。
[0051]图17是表示测定复合电磁波吸收片的内部去耦率的方法的局部剖面示意图。
[0052]图18是表示测定复合电磁波吸收片的相互去耦率的方法的局部剖面示意图。
[0053]图19是表示参考例I的第三电磁波吸收膜的传送衰减率Rtp、S11及S21与频率的关系的曲线图。
[0054]图20是表示参考例I的第三电磁波吸收膜的噪声吸收率频率的关系的曲线图。
[0055]图21是表示参考例I的第三电磁波吸收膜的内部去耦率Rda与频率的关系的曲线图。
[0056]图22是表示参考例I的第三电磁波吸收膜的相互去耦率Rde与频率的关系的曲线图。
[0057]图23(a)是表示对蒸镀有磁性金属薄膜的塑料膜进行热处理的装置的剖视图。
[0058]图23 (b)是表示使用图22 (a)的装置对磁性金属蒸镀膜进行热处理的情况的俯视图。
[0059]图24是表示参考例2的第四电磁波吸收膜的传送衰减率Rtp、S11及S21与频率的关系的曲线图。
[0060]图25是表示参考例2的第四电磁波吸收膜的噪声吸收率频率的关系的曲线图。
[0061]图26是表示参考例2的第四电磁波吸收膜的内部去耦率Rda与频率的关系的曲线图。
[0062]图27是表示参考例2的第四电磁波吸收膜的相互去耦率Rde与频率的关系的曲线图。
[0063]图28是表示比较例I的磁性噪声抑制片(第二电磁波吸收膜)的传送衰减率Rtp、S11及S21与频率的关系的曲线图。
[0064]图29是表不比较例I的磁性噪声抑制片(第二电磁波吸收膜)的噪声吸收率P1()SS/Pin与频率的关系的曲线图。
[0065]图30是表示比较例I的磁性噪声抑制片(第二电磁波吸收膜)的内部去耦率Rda与频率的关系的曲线图。
[0066]图31是表示比较例I的磁性噪声抑制片(第二电磁波吸收膜)的相互去耦率Rde与频率的关系的曲线图。
[0067]图32是表示比较例2的磁性噪声抑制片(第二电磁波吸收膜)的传送衰减率Rtp、S11及S21与频率的关系的曲线图。[0068]图33是表不比较例2的磁性噪声抑制片(第二电磁波吸收膜)的噪声吸收率P1()SS/Pin与频率的关系的曲线图。
[0069]图34是表示比较例2的磁性噪声抑制片(第二电磁波吸收膜)的内部去耦率Rda与频率的关系的曲线图。
[0070]图35是表示比较例2的磁性噪声抑制片(第二电磁波吸收膜)的相互去耦率Rde与频率的关系的曲线图。
[0071]图36是表示实施例1的第二复合电磁波吸收片的传送衰减率Rtp、Sn及S21与频率的关系的曲线图。
[0072]图37是表示实施例1的第二复合电磁波吸收片的噪声吸收率P1()SS/Pin与频率的关系的曲线图。
[0073]图38是表示实施例1的第二复合电磁波吸收片的内部去耦率Rda与频率的关系的曲线图。
[0074]图39是表示实施例1的第二复合电磁波吸收片的相互去耦率Rde与频率的关系的曲线图。
[0075]图40是表示实施例2的第一复合电磁波吸收片的传送衰减率Rtp、S11及S21与频率的关系的曲线图。
[0076]图41是表示实施例2的第一复合电磁波吸收片的噪声吸收率P1()SS/Pin与频率的关系的曲线图。
[0077]图42是表示实施例2的第一复合电磁波吸收片的内部去耦率Rda与频率的关系的曲线图。
[0078]图43是表示实施例2的第一复合电磁波吸收片的相互去耦率Rde与频率的关系的曲线图。
[0079]图44是表示实施例3的第三复合电磁波吸收片的传送衰减率Rtp、S11及S21与频率的关系的曲线图。
[0080]图45是表示实施例3的第三复合电磁波吸收片的噪声吸收率P1()SS/Pin与频率的关系的曲线图。
[0081]图46是表示实施例3的第三复合电磁波吸收片的内部去耦率Rda与频率的关系的曲线图。
[0082]图47是表示实施例3的第三复合电磁波吸收片的相互去耦率Rde与频率的关系的曲线图。
【具体实施方式】
[0083]参照附图对本发明的实施方式进行详细说明，如果没有特别说明，则与一个实施方式相关的说明也可以适用于其他实施方式。此外，下述说明并非限定性的说明，在本发明的技术思想的范围内可以进行各种变更。
[0084][I]第一复合电磁波吸收片
[0085]如图1及图4所示，第一复合电磁波吸收片Ia包括:(a)第一电磁波吸收膜10a，其具有塑料膜11和设于其至少一面上的单层或多层的金属薄膜12，在金属薄膜12上以不规则的宽度及间隔在多个方向上形成有多个实质上平行且断续的线状痕122 ;(b)第二电磁波吸收膜20，其由分散有磁性粒子或非磁性导电性粒子的树脂或橡胶构成。
[0086](I)第一电磁波吸收膜
[0087]如图4(a)所示，第一电磁波吸收膜IOa具有在塑料膜11的至少一面上形成有单层或多层的金属薄膜12的结构。图4(a)?图4(d)示出在塑料膜11的一面整体上形成的金属薄膜12上沿两个方向形成有实质上平行且断续的多个线状痕122 (122a、122b)的例子。
[0088](a)塑料膜
[0089]形成塑料膜11的树脂只要具有绝缘性和足够的强度、挠性及加工性，则没有特别的限制，例如可以举出聚酯(聚对苯二甲酸乙二醇酯等)、聚芳基硫醚(聚苯硫醚等)、聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚砜、聚醚醚酮、聚碳酸酯、丙烯酸树脂、聚苯乙烯、聚烯烃(聚乙烯、聚丙烯等)等。从强度及成本的观点考虑，优选聚对苯二甲酸乙二醇酯。塑料膜11的厚度为10?100 μ m左右即可，优选10?30 μ m。
[0090](b)金属薄膜
[0091]形成金属薄膜12的金属只要具有导电性则没有特别的限定，从耐蚀性及成本的观点考虑优选铝、铜、银、锡、镍、钴、铬及它们的合金，特别优选铝、铜、镍及它们的合金。金属薄膜的厚度优选0.01 μ m以上。厚度的上限没有特别的限定，从实用性来说10 μ m左右即足够。当然，也可以使用超过IOym的金属薄膜，但高频率的电磁波的吸收能力基本没有变化。金属薄膜的厚度更优选0.01?5 μ m,最优选0.01?I μ m。金属薄膜12可以通过蒸镀法(真空蒸镀法、溅射法、离子电镀法等物理蒸镀法、或等离子体CVD法、热CVD法、光CVD法等化学气相蒸镀法)、镀敷法或箔接合法形成。
[0092]在金属薄膜12为单层的情况下，金属薄膜12从导电性、耐蚀性及成本的观点考虑优选由铝或镍构成。此外，在金属薄膜12为多层的情况下，可以一方由非磁性金属形成而另一方由磁性金属形成。作为非磁性金属可以举出铝、铜、银、锡或它们的合金，作为磁性金属可以举出镍、钴、铬或它们的合金。磁性金属薄膜的厚度优选为0.01 μ m以上，非磁性金属薄膜的厚度优选为0.1 μ m以上。厚度的上限没有特别的限定，但从实用性来说两者均为10 μ m左右即可。更优选,磁性金属薄膜的厚度为0.01?5 μ m,非磁性金属薄膜的厚度为
0.1?5μπι。图4(e)及图4(f)示出在塑料膜11上形成有双层的金属薄膜121a、121b的第一电磁波吸收膜10a’。
[0093](c)线状痕
[0094]如图4(b)?图4(d)所示，在金属薄膜12上以不规则的宽度及间隔在两个方向上形成有多个实质上平行且断续的线状痕122a、122b。需要说明的是，为了进行说明，在图4(c)及图4(d)中夸张示出线状痕122的深度。在两个方向上取向的线状痕122具有各种的宽度W及间隔I。如后述那样，线状痕122通过具有随机附着的硬质微粒子(金刚石微粒子)的图案辊的滑动接触而形成，因此线状痕的横边方向间隔I由图案辊上的硬质微粒子的间隔决定，长边方向间隔I由硬质微粒子的间隔及图案辊与复合膜的相对周速决定。以下对横边方向间隔I进行说明，该说明对于长边方向间隔也适用。线状痕122的宽度W由与线状痕形成前的金属薄膜12的表面S相当的高度求出，线状痕122的间隔I由与线状痕形成前的金属薄膜12的表面S相当的高度求出。线状痕122由于具有各种的宽度W及间隔I，因此复合电磁波吸收片能够高效地吸收跨宽范围的频率的电磁波。[0095]线状痕122的宽度W的90%以上优选在0.1?100 μ m的范围内，更优选在0.5?50 μ m的范围内，最优选在0.5?20 μ m的范围内。线状痕122的平均宽度Wav优选为I?50 μ m,更优选为I?10 μ m,最优选为I?5 μ m。
[0096]线状痕122的横边方向间隔I优选在I?200 μ m的范围内，更优选在I?100 μ m的范围内，最优选在I?50 μ m的范围内，特别优选在I?30 μ m的范围内。此外，线状痕122的横边方向平均间隔Iav优选为I?100 μ，更优选为5?50 μ m，最优选为5?30 μ m。
[0097]线状痕122的长度L由滑动接触条件(主要是辊及膜的相对周速、以及复合膜向辊的卷绕角度)决定，只要滑动接触条件不变，则大部分长度基本相同(平均长度基本相等)。线状痕122的长度没有特别的限定，从实用性来说为I?IOOmm左右即可，优选为2?IOmm0
[0098]线状痕122a、122b的锐角侧的交叉角(以下没有特别说明则也简称“交叉角”)Θ s优选为10?90°，更优选为30?90°。通过调整复合膜和图案辊的滑动接触条件(滑动接触方向、周速比等)，能够如图5(a)?图5(c)所示那样获得各种的交叉角Θ s的线状痕122。图5(a)表示具有三个方向的线状痕122a、122b、122c的例子，图5(b)表示具有四个方向的线状痕122a、122b、122c、122d的例子，图5(c)表示具有正交的线状痕122a，、122b，的例子。
[0099](d)微小孔
[0100]如图6 (a)及图6 (b)所示，在金属薄膜12上，除了线状痕122以外还可以随机的设置多个微小贯通孔13。微小孔13可以通过向金属薄膜12按压在表面具有高硬度微粒子的辊而形成。如图6(b)所示，微小孔13的开口径D由与线状痕形成前的金属薄膜12的表面S相当的高度求出。微小孔13的开口径D优选其90%以上在0.1?IOOOym的范围内，更优选在0.1?500 μ m的范围内。此外，微小孔13的平均开口径Dav优选在0.5?100 μ m的范围内，更优选在I?50 μ m的范围内。
[0101](2)第一电磁波吸收膜的线状痕的形成
[0102]图8 (a)?图8(e)表示在塑料膜上的金属薄膜上沿二个方向形成线状痕的装置的一个例子。该装置具有:(a)卷绕放出金属薄膜-塑料复合膜100的卷轴21 ； (b)以与复合膜100的宽度方向不同的方向配置在金属薄膜12侧的第一图案辊2a ； (c)在第一图案辊2a的上游侧配置在金属薄膜12的相反侧的第一按压辊3a ； (d)配置在相对于复合膜100的宽度方向与第一图案辊2a相反的方向上且配置在金属薄膜12侧的第二图案辊2b ；(e)在第二图案辊2b的下游侧配置在金属薄膜12的相反侧的第二按压辊3b ； (f)在第一及第二图案辊2a、2b之间配置在金属薄膜12侧的电阻测定机构4a ； (g)在第二图案辊2b的下游侧配置在金属薄膜12侧的电阻测定机构4b ;(h)卷绕带线状痕的金属薄膜-塑料复合膜I的卷轴24。此外，在规定的位置配置有多个导辊22、23。为防止挠曲，各图案辊2a、2b由背承辊(例如橡胶辊)5a、5b支承。
[0103]如图8(c)所示，各按压辊3a、3b在比与各图案辊2a、2b的滑动接触位置低的位置与复合膜100相接，因此复合膜100的金属薄膜12被各图案辊2a、2b按压。通过保持满足该条件地调整各按压辊3a、3b的纵向位置，能够调整各图案辊2a、2b向金属薄膜12的按压力，此外,还能够调整与中心角θι成比例的滑动接触距离。
[0104]图8(d)表示线状痕122a相对于复合膜100的行进方向倾斜形成的原理。由于图案辊2a相对于复合膜100的行进方向倾斜，因此图案辊2a上的硬质微粒子的移动方向(旋转方向)a与复合膜100的行进方向b不同。因此，如X所示，当在任意的时刻图案辊2a上的点A处的硬质微粒子与金属薄膜12接触而形成痕B时，在规定的时间后硬质微粒子移动至点A’，痕B移动至点B’。在硬质微粒子从点A移动至点A’硬质微粒子的期间，由于痕连续地形成，因此形成从点B’延伸至点A’的线状痕122a。
[0105]由第一及第二图案辊2a、2b形成的第一及第二线状痕组122A、122B的方向及交叉角Θ s通过变更各图案辊2a、2b相对于复合膜100的角度及/或各图案辊2a、2b相对于复合膜100的行走速度的周速度来调整。例如，当增大图案辊2a相对于复合膜100的行走速度b的周速度a时，如图8 (d)的Y所示，能够使线状痕122a如线段C’ D’那样相对于复合膜100的行进方向为45°。同样地，当改变图案辊2a相对于复合膜100的宽度方向的倾斜角Θ 2时，能够改变图案辊2a的周速度a。这对于图案辊2b也是同样。因此，通过进行两图案辊2a、2b的调整，能够将线状痕122a、122b的方向如图4(b)及图5(c)所例示的那样变更。
[0106]由于各图案辊2a、2b相对于复合膜100倾斜，因此复合膜100因与各图案辊2a、2b的滑动接触而受到宽度方向的力。因此，为了防止复合膜100的折曲(横向的偏移)，优选调整各按压辊3a、3b相对于各图案辊2a、2b的纵向位置及/或角度。例如，当适当地调节图案辊2a的轴线与按压辊3a的轴线的交叉角Θ 3时，能够以抵消宽度方向的力的方式获得按压力的宽度方向分布，因此能够防止折曲。此外，图案辊2a与按压辊3a的间隔的调整也有助于折曲的防止。为了防止复合膜100的折曲及断破，优选相对于复合膜100的宽度方向倾斜的第一及第二图案辊2a、2b的旋转方向与复合膜100的行进方向相同。
[0107]如图8(b)所示，辊形的各电阻测定机构4a、4b隔着绝缘部40而具有一对电极41、41，在它们之间测定带线状痕的金属薄膜12的电阻。反馈由电阻测定机构4a、4b测定的电阻值，从而调整复合膜100的行走速度、图案辊2a、2b的旋转速度及倾斜角Θ 2、按压辊3a、3b的位置及倾斜角θ3等运转条件。
[0108]为了增大图案辊2a、2b相对于复合膜100的按压力，优选如图9所示那样在图案辊2a、2b之间设置第三按压辊3c。通过第三按压辊3c使与中心角Θ i成比例的金属薄膜12的滑动接触距离增大，线状痕122a、122b变长。若调整第三按压辊3c的位置及倾斜角，也有助于防止复合膜100的折曲。
[0109]图10示出如图5(a)所示那样形成在三个方向上取向的线状痕122a、122b、122c的装置的一个例子。该装置与图8(a)?图8(e)所示的装置的不同点在于，在第二图案辊2b的下游配置有与复合膜100的宽度方向平行的第三图案辊2c及第三按压辊3c。第三图案辊2c的旋转方向也可以与复合膜100的行进方向相同，也可以相反，但为了高效地形成线状痕而优选为相反方向。与宽度方向平行配置的第三图案辊2c形成沿复合膜100的行进方向延伸的线状痕122c。第三按压辊3c设置在第三图案辊2c的上游侧，但也可以设置在下游侧。也可以在第三图案辊2c的下游侧设置电阻测定辊4c。需要说明的是，不局限于图示的例子，也可以将第三图案辊2c设置在第一图案辊2a的上游侧、或者第一及第二图案辊2a、2b之间。
[0110]图11表示形成如图5(b)所示那样在四个方向上取向的线状痕122a、122b、122c、122d的装置的一个例子。该装置与图10所示的装置的不同点在于，在第二图案辊2b与第三图案辊2c之间设有第四图案辊2d、在第四图案辊2d的上游侧设有第四按压辊3d。通过减慢第四图案辊2d的旋转速度，如在图8(d)中由Z所示那样，能够使线状痕122a'的方向(线段E’ F’ )与复合膜100的宽度方向平行。
[0111]图12表示形成如图5(c)所示那样在正交的二个方向上取向的线状痕122a’、122b’的装置的另一例。该装置与图8(a)?图8(e)所示的装置的不同点在于，第二图案辊32b配置成与复合膜100的宽度方向平行。因此，以下仅说明与图8(a)?图8(e)所示的装置的不同部分。第二图案辊32b的旋转方向可以与复合膜100的行进方向相同，也可以相反。此外，第二按压辊33b可以在第二图案辊32b的上游侧，也可以在下游侧。如在图8(d)中由Z所示那样，该装置使线状痕122a'的方向(线段E’F’)为复合膜100的宽度方向，适于形成图5(c)所示的线状痕。
[0112]不仅是线状痕的倾斜角及交叉角，决定它们的深度、宽度、长度及间隔的运转条件为复合膜100的行走速度、图案辊的旋转速度及倾斜角及按压力等。复合膜的行走速度优选为5?200m/分，图案辊的周速优选为10?2，OOOm/分。图案辊的倾斜角Θ 2优选为20°?60°，特别优选为约45°。复合膜100的张力(与按压力成比例)优选为0.05?5kgf/cm 平方。
[0113]在线状痕形成装置中使用的图案辊优选为在表面具备具有锐角的角部且莫氏硬度5以上的微粒子的辊，优选例如记载于日本特开2002-59487号中的金刚石辊。线状痕的宽度由微粒子的粒径决定，因此金刚石微粒子的90%以上优选具有I?1，000 μ m的范围内的粒径，更优选5?200 μ m的范围内的粒径。金刚石微粒子优选在辊面上以50%以上的面
积率附着。
[0114]可以通过日本专利第2063411号中记载的方法来在具有线状痕122的金属薄膜12上形成多个微小孔13。用于形成微小孔13的辊本身与线状痕形成用辊相同即可。微小孔13通过使复合膜100以相同的周速通过与线状痕形成用辊同样地在表面附着有具有锐角的角部且莫氏硬度5以上的多个微粒子的辊与平滑面的辊之间的间隙而形成。
[0115](3)第二电磁波吸收膜
[0116]如图1所示，构成第一复合电磁波吸收片Ia的第二电磁波吸收膜20由分散有磁性粒子或非磁性导电性粒子的树脂或橡胶构成。
[0117](a)磁性粒子或非磁性导电性粒子
[0118]在磁性粒子中有磁性金属粒子及磁性非金属粒子。作为磁性金属粒子可以举出纯铁、Fe-Si合金、Fe-Al合金、铝硅铁粉等Fe-S1-Al合金、强磁性铁镍合金、非晶合金等的粒子。作为磁性非金属粒子可以举出N1-Zn铁素体、Cu-Zn铁素体、Mn-Zn铁素体等铁素体的粒子。
[0119]在非磁性导电性粒子中有非磁性金属粒子及非磁性导电性非金属粒子。作为非磁性金属可以举出铜、银、金、铝等。作为非磁性导电性非金属粒子可以举出石墨粒子及炭黑。
[0120]为了防止磁性粒子及非磁性导电性粒子的腐蚀，提高向树脂或橡胶的分散性，并且确保第二电磁波吸收膜的电阻，优选将磁性粒子及非磁性导电性粒子由硅烷耦合剂等覆
至JHL ο
[0121]优选磁性粒子及非磁性导电性粒子的平均粒径为5?200μπι。当平均粒径小于5 μ m时，难以向树脂或橡胶分散。此外，当平均粒径超过200 μ m时，难以向树脂或橡胶均匀地分散，难以进行分散有磁性粒子或非磁性导电性粒子的树脂或橡胶的向膜的成形加工。磁性粒子及非磁性导电性粒子的平均粒径更优选10?100 μ m。
[0122](b)树脂或橡胶
[0123]形成第二电磁波吸收膜20的树脂只要具有磁性粒子及非磁性导电性粒子的分散性及绝缘性、足够的强度、挠性以及加工性，则没有特别的限制，例如可以举出聚酯(聚对苯二甲酸乙二醇酯等)、聚芳基硫醚(聚苯硫醚等)、聚酰胺、聚碳酸酯、丙烯酸树脂、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚烯烃(聚乙烯、聚丙烯等)等。
[0124]作为橡胶可以举出例如氯丁二烯橡胶、乙烯-丙烯-二烯橡胶、丙烯腈橡胶、乙烯-醋酸乙烯酯共聚体、聚氨酯、苯乙烯-丁二烯橡胶等。
[0125](C)组成
[0126]第二电磁波吸收膜20中的磁性粒子或非磁性导电性粒子的含量优选为10?60体积％。若磁性粒子或非磁性导电性粒子的含量小于10体积％，则第二电磁波吸收膜20无法发挥足够的电磁波吸收能力。另一方面，若超过60体积％，则磁性粒子或非磁性导电性粒子难以向树脂或橡胶分散。磁性粒子或非磁性导电性粒子的含量更优选为30?50体积％。
[0127](d)厚度
[0128]通常，第二电磁波吸收膜20越厚而越能发挥高电磁波吸收能力，但若过厚则难以向小型的电子设备及通信设备内的电路配置。因此，第二电磁波吸收膜20的厚度优选为Imm以下,更优选为0.5mm以下。第二电磁波吸收膜20的厚度的下限从实用性来说为0.1mm左右。
[0129][2]第二复合电磁波吸收片
[0130]如图2所示，第二复合电磁波吸收片Ib除了在金属薄膜12上依次形成有碳纳米管薄层14以外与第一复合电磁波吸收片Ia相同。图7(a)示出形成有碳纳米管薄层14的金属薄膜12为单层的例子，图7(b)示出形成有碳纳米管薄层14的金属薄膜12为双层的金属薄膜121a、121b的例子。在图示的例子中，在碳纳米管薄层14上设有塑料保护层15。
[0131](I)碳纳米管薄层
[0132]碳纳米管本身也可以为单层结构，也可以为多层结构。多层碳纳米管优选具有IOnm?数IOnm的外径，不仅容易不凝结地形成均匀的薄层，而且导电性优越。碳纳米管薄层14优选具有0.01?0.5g/m2的厚度(涂敷量)。若碳纳米管薄层14比0.01 g/m2薄，则电磁波吸收能力的提高及均匀化效果不充分，此外，若比0.5g/m2厚，则难以防止碳纳米管的凝结，碳纳米管薄层14不均匀化。碳纳米管薄层14的厚度更优选为0.02?0.2g/m2，最优选为0.04?0.1 g/m2。
[0133]基于碳纳米管薄层14的电磁波吸收能力的提高理由未必明确，但在远小于线状痕122的碳纳米管存在于线状痕122中及线状痕122之间时，吸收电磁波的结构被微细化，其结果是，可以认为产生电磁波吸收能力的提高及均匀化。线状痕122及碳纳米管均具有随机的尺寸及分布，因此微观上来说形成不均匀的电磁波吸收结构，但通过不同的无数电磁波吸收结构的存在而在宏观上发挥均匀的电磁波吸收能力。
[0134]在具有线状痕122的金属薄膜12上涂敷碳纳米管的分散液，并进行自然干燥，由此形成碳纳米管薄层14。分散液中的碳纳米管的浓度优选为0.1?2质量％。若碳纳米管的浓度小于0.1质量％，则无法获得足够的涂敷量，此外，若超过2质量％，则碳纳米管可以在分散液中凝结，无法获得均匀的碳纳米管薄层。碳纳米管优选的浓度为0.2?I质量％。在碳纳米管足够长的情况下，碳纳米管分散液也可以含有粘合剂树脂。此外，碳纳米管分散液也可以含有对碳纳米管的导电性几乎不造成影响的分散剂。
[0135]以使碳纳米管薄层14具有0.01?0.5g/m2的厚度的方式根据浓度决定碳纳米管分散液的涂敷量。分散碳纳米管的溶剂只要具有较好的挥发性则不受限定，例如水、甲醇、乙醇、异丙醇、苯、甲苯、甲基乙基甲酮等。碳纳米管分散液的涂敷方法没有限定，为了获得均匀的薄层14而优选采用喷墨印刷法等。碳纳米管分散液的涂敷无需仅限一次，为了获得尽可能均匀的碳纳米管薄层14，可以分多次进行。
[0136](2)保护层
[0137]为了便于第一电磁波吸收膜IOa的处理且保护金属薄膜12及碳纳米管薄层14，如图7(a)及图7(b)所示，也可以在金属薄膜12上形成塑料保护层15。塑料保护层15用的塑料膜也可以与成为基体的塑料膜11相同。保护层15的厚度优选为5?30μπι左右，更优选为10?20μπι左右。塑料保护层15优选通过热层压形成塑料膜。在塑料保护层用塑料膜为PET膜的情况下，热层压温度为110?150°C即可。
[0138][3]第三复合电磁波吸收片
[0139]如图3所示，第三复合电磁波吸收片Ic与第一复合电磁波吸收片Ia的不同点在于，代替第一电磁波吸收膜IOa而使用第四电磁波吸收膜10c。因此，以下详细地说明第四电磁波吸收膜10c。
[0140](I)磁性金属薄膜
[0141]如图13所示，第四电磁波吸收膜IOc在通过蒸镀法在塑料膜11的一个面上形成磁性金属薄膜12a后，以110?180°C的范围内的温度进行热处理，(a)使磁性金属薄膜12a的透光率(波长660nm的激光束)为3?50%，(b)在从第四电磁波吸收膜IOc切出的IOcmXlOcm的正方形的试验片的磁性金属薄膜的对置边部配置覆盖边整体的长度的一对电极，经由平坦的加压板施加3.85kg的负载而进行测定时的磁性金属薄膜12a的表面电阻为10?200 Ω / 口。
[0142]作为磁性金属薄膜12a用的磁性金属可以举出N1、Fe、Co或它们的合金，从蒸镀的容易性、导电性及透磁率的观点考虑优选为Ni或其合金。磁性金属薄膜12a可以通过溅射法、真空蒸镀法等公知的方法形成。
[0143](a)透光率
[0144]由于磁性金属薄膜12a非常薄，如图14所示，其厚度不均匀，具有形成得厚的区域12a’和形成得薄的区域或完全未形成的区域12b’。因此，难以正确地测定磁性金属薄膜12a的厚度。因此，在本发明中将磁性金属薄膜12a的厚度由波长660nm的激光束的透射率(简称“透光率”。)表示。透光率通过对磁性金属薄膜12a的任意多个位置的测定值取平均而求出。在测定位置数为5以上时，透光率的平均值稳定。当塑料膜11的厚度为30μπι以下时，塑料膜11自身的透光率几乎为100%，因此第四电磁波吸收膜IOc的透光率与磁性金属薄膜12a的透光率一致。但是，在塑料膜11比这更厚的情况下，从第四电磁波吸收膜IOc的透光率减去塑料膜11的透光率所得的值为磁性金属薄膜12a的透光率。
[0145]磁性金属薄膜12a的透光率需要在3?50%的范围内。若透光率小于3%,则磁性金属薄膜12a过厚而显现金属箔那样的举动，电磁波反射率高，电磁波噪声的吸收能力低。另一方面，若透光率超过50%，则磁性金属薄膜12a过薄而电磁波吸收能力不充分。磁性金属薄膜12a的透光率优选为5?45%，更优选为8?30%。
[0146](b)表面电阻
[0147]已知透光率为3?50%这样薄的磁性金属薄膜12a的表面电阻因测定方法的不同而显著不同。因此，以使磁性金属薄膜12a与电极的接触面积尽可能地大，并使磁性金属薄膜12a与电极尽可能均匀地紧贴的方式，使用图15所示的装置，利用加压下的直流二端子法(简称“加压二端子法”)测定表面电阻。具体地说，在硬质的绝缘性平坦面上以磁性金属薄膜12a在上的方式载置的IOcmX IOcm的第四电磁波吸收膜IOc的正方形试验片TPl的对置边部上载置由长度IOcmX宽度IcmX厚度0.5mm的电极主体部16a和从电极主体部16a的中央侧部延伸的宽度IcmX厚度0.5_的电极延长部16b构成的一对电极16、16，以完全覆盖试验片TPl和两电极16、16的方式在它们之上载置IOcmX IOcmX厚度5mm的透明丙烯板17，在透明丙烯板17之上载置直径IOcm的圆柱状重量物18(3.85kg)，然后由在两电极延长部16b、16b间流动的电流求出表面电阻。
[0148]热处理后的磁性金属薄膜12a的表面电阻需要在O?200 Ω / □的范围内。若表面电阻小于10Ω/ □，则磁性金属薄膜12a过厚而显现金属箔那样的举动，电磁波噪声的吸收能力低。另一方面，若表面电阻超过200Ω/ □，则磁性金属薄膜12a过薄而电磁波吸收能力仍然不充分。热处理后的磁性金属薄膜12a的表面电阻优选为15?150Ω/ □，更优选为20?120 Ω / 口，最优选为30?100 Ω / 口。
[0149](2)热处理
[0150]透光率为3?50%且表面电阻为10?200 Ω / □这样非常薄的磁性金属薄膜12a如图14所示那样整体上存在厚度不均，具有比较厚的区域12a’和比较薄的(或没有薄膜的)区域12b’。比较薄的区域12b’作为磁间隙及高电阻区域发挥作用，可以认为通过近场噪声使在磁性金属薄膜12a内流动的磁通及电流衰减。然而，已知这样的薄的磁性金属薄膜12a的状态根据制造条件而有很大差异，稳定地形成具有恒定的透光率及表面电阻的磁性金属薄膜12a是非常困难。因此，锐意研究结果发现，对于通过蒸镀法形成的磁性金属薄膜12a，当以能够产生塑料膜11的热收缩的超过100°C的温度进行热处理，磁性金属薄膜12a的表面电阻稍微降低并且稳定化，实质上没有经时变化。相对于延伸的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜这样能够产生热收缩的塑料膜以超过100°C的温度进行热处理在以往是完全无法考虑的。然而，若以110?180°C的范围内的温度进行短时间(例如10分钟?I小时)热处理，则塑料膜11仅略微热收缩，磁性金属薄膜12a的表面电阻略微降低且稳定化，因此电磁波噪声吸收能力也稳定化。在此，电磁波噪声吸收能力的稳定化不仅表示实质上没有电磁波噪声吸收能力的经时变化，而且意味着减少因制造条件产生的差别及制造批量间的差别。
[0151]通过改变热处理条件能够调整表面电阻。例如，相对于表面电阻高的磁性金属薄膜12a，通过提高热处理温度或加长热处理时间，能够使表面电阻降低成期望的值。相反地，相对于表面电阻低的磁性金属薄膜12a，通过降低热处理温度或缩短热处理时间，能够抑制表面电阻的降低。
[0152]即使是具有相同的表面电阻的蒸镀膜，在未热处理的蒸镀膜和经过了热处理的蒸镀膜之间，电磁波吸收能力也存在显著的差异，可知通过热处理调整成期望的表面电阻的蒸镀膜具有更高的电磁波吸收能力。其理由尚不明确。这是因为，评价非常薄的磁性金属薄膜的状态(特别是组织)的基于热处理产生的变化是非常困难的。实验的结果表明，磁性金属薄膜的电磁波吸收能力根据热处理温度而变化，因此在本发明中通过热处理温度来规定磁性金属薄膜的组织状态。
[0153]热处理温度为110?180°C的范围内。若热处理温度小于110°C，则实质上无法得到基于热处理产生的电磁波吸收能力的提高及偏差的减少效果。另一方面，若热处理温度超过180°C，则不仅产生磁性金属薄膜12a的表面氧化，而且在不具有足够的耐热性的塑料膜中会导致热收缩过大。热处理温度优选为120?170°C，更优选为130?160°C。热处理时间根据热处理温度而不同，通常优选10分钟?I小时，更优选20?40分钟。
[0154]优选通过在经过热处理的磁性金属薄膜12a的表面层叠保护膜，确保磁性金属薄膜12a的保护及绝缘性。作为保护膜可以使用与塑料膜11相同的材料。
[0155][4]电磁波吸收膜的电磁波吸收能力
[0156](I)传送衰减率
[0157]如图16(a)及图16(b)所示，传送衰减率Rtp使用由50 Ω的微带线MSL(64.4mmX4.4mm)、支承微带线MSL的绝缘基板220、与绝缘基板220的下表面接合的接地电极221、与微带线MSL的两端连接的导电性销222、222、网络分析器NA、将网络分析器NA与导电性销222、222连接的同轴电缆223、223构成的系统，通过粘结剂在微带线MSL上粘贴复合电磁波吸收片的试验片TP2，相对于0.1?6GHz的入射波测定反射波S11的功率及透射波S21的功率，通过下述式⑴:
[0158]Rtp = -10 X log [10s21/10/(1-1Osn710)] *..⑴
[0159]来求出传送衰减率Rtp。
[0160](2)噪声吸收率
[0161]在图16(a)及图16(b)所示的系统中，入射的功率Pin =反射波S11的功率+透射波S21的功率+吸收的功率(功率损失)Pltjss是成立的。因此，通过从入射的功率Pin减去反射波S11的功率及透射波S21的功率，从而求出功率损失Pltjss，通过Pltjss除以入射功率Pin从而求出噪声吸收率P1()SS/Pin。
[0162](3)内部去耦率
[0163]内部去I禹率(intra.decoupling.ratio) Rda表示通过噪声抑制片使相同的印刷电路基板内的结合衰减了何种程度，如图17所示，通过在与网络分析器NA连接的一对环形天线301、302附近载置噪声抑制片的试验片TP，测定O?6GHz的高频信号从一方的环形天线301向另一方的环形天线302发送时的衰减率而求出内部去耦率。
[0164](4)相互去耦率
[0165]相互去稱率(inter decoupling ratio) Rde表示通过噪声抑制片使2个印刷电路基板间或部件间的结合衰减了何种程度，如图18所示，通过在与网络分析器NA连接的一对环形天线301、302之间载置噪声抑制片的试验片TP，测定O?6GHz的高频信号从一方的环形天线301向另一方的环形天线302发送时的衰减率而求出相互去耦率。
[0166]根据以下的实施例进一步详细地说明本发明，但本发明不局限于这些实施例。
[0167]参考例I[0168]使用具有电镀了粒径分布为50?80 μ m的金刚石微粒子的图案辊32a、32b的图12所示的结构的装置，在厚度16μπι的二轴延伸聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜11的一面上通过真空蒸镀法形成的厚度0.05 μ m的铝薄膜12上形成如图5 (c)所示那样在正交的二个方向上取向的线状痕122a’、122b’，由此制成第一电磁波吸收膜10a。从带线状痕的铝薄膜12的光学显微镜照片可知，线状痕122a’、122b’具有下述特性。
[0169]宽度W的范围:0.5?5 μ m
[0170]平均宽度Wav:2ym
[0171]间隔I的范围:2?30 μ m
[0172]平均间隔Iav:20 μ m
[0173]平均长度Lav:5_
[0174]锐角侧的交叉角Θ s:90°
[0175]通过喷枪将在甲基乙基甲酮中分散外径为10?15nm且长度为0.1?10 μ m的多层碳纳米管而成的浓度I质量％的碳纳米管分散液(含有I质量％的分散剂)涂敷到带线状痕的铝薄膜12上并使其自然干燥。形成的碳纳米管薄层14的厚度(涂敷量)为0.064g/m2。然后，在铝薄膜12上以120°C热层压厚度16μπι的PET膜保护层15，得到第三电磁波吸收膜IOb的样本。
[0176]通过粘结剂将从第三电磁波吸收膜IOb切出的试验片TP2(55.2mmX 4.7mm)粘贴到图16(a)及图16(b)所示的系统的微带线MSL上，并测定相对于0.1?6GHz的频率范围的入射功率Pin的反射波的功率S11及透射波的功率S21。根据段落[4]的⑴及⑵所记载的方法，求出0.1?6GHz的频率范围内的传送衰减率Rtp及噪声吸收率P1()SS/Pin。传送衰减率Rtp及噪声吸收率P1()SS/Pin分别在图19及图20中示出。
[0177]在图17所示的装置上载置第三电磁波吸收膜IOb的试验片TPJlJS O?6GHz的高频信号从一方的环形天线301向另一方的环形天线302发送时的衰减率，由此求出内部去耦率Rda。进而，在图18所示的装置上载置第三电磁波吸收膜IOb的试验片TP，测定O?6GHz的高频信号从一方的环形天线301向另一方方的环形天线302发送时的衰减率，由此求出相互去耦率Rde。O?6GHz的频率范围内的内部去耦率Rda及相互去耦率Rde分别在图21及图22中示出。
[0178]参考例2
[0179]通过真空蒸镀法在厚度16 μ m的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜11上形成目标透光率(波长660nm) 27.0%的Ni薄膜12a，制成长条的蒸镀膜。从长条的蒸镀膜的任意部分切取A4尺寸(210mmX 297mm)的样本S，如图23 (a)及图23 (b)所示，将各样本S以Ni薄膜12a在下的方式载置在加热装置240的热板241上，在载置A4尺寸且厚度3mm的特氟龙(登录商标)制隔热片242、以及A4尺寸且厚度2mm的铁板243后，以150°C进行30分钟热处理，得到第四电磁波吸收膜10c。通过热处理产生的热收缩为约1%。
[0180]从第四电磁波吸收膜IOc切出IOcmX IOcm的试验片TPl。使用株式会社基恩士制的透射式激光传感器(IB-05)以波长660nm的激光束对试验片TPl的任意5个位置的透光率进行测定，并取平均。此外，对试验片TPl的表面电阻如图15所示那样通过加压二端子法进行了测定。各电极16由长度IOcmX宽度IcmX厚度0.5mm的电极主体部16a和宽度IcmX厚度0.5mm的电极延长部16b构成,透明丙烯板17为IOcmX IOcmX厚度5mm,圆柱状重量物18具有IOcm的直径，为3.85kg。将两电极16、16与鹤贺电机株式会社制的电阻计(型号名:3565)连接，由得到的电流值求出表面电阻。其结果是，试验片TPl的平均透光率为26.7%。此外，平均表面电阻在热处理前为100?110 Ω/ □，热处理后为90 Ω / 口。
[0181]将从第四电磁波吸收膜IOc切取的试验片TP2(55.2mmX 4.7mm)通过粘结剂粘贴到图16(a)及图16(b)所示的系统的微带线MSL上，测定0.1?6GHz的频率范围内的反射波S11的功率及透射波S21的功率。根据段落[4]的⑴及⑵所记载的方法，求出0.1?6GHz的频率范围内的传送衰减率Rtp及噪声吸收率P1()SS/Pin。传送衰减率Rtp及噪声吸收率P1JPin分别在图24及图25中示出。
[0182]在图17所示的装置及图18所示的装置上分别载置第四电磁波吸收膜IOc的试验片TP，测定O?6GHz的高频信号从一方的环形天线301向另一方的环形天线302发送时的衰减率，求出内部去耦率Rda及相互去耦率Rde。O?6GHz的频率范围内的内部去耦率Rda及相互去耦率Rde分别在图26及图27中示出。
[0183]比较例I
[0184]作为第二电磁波吸收膜20，使用含有铁素体粒子的市售的厚度0.1mm的磁性噪声抑制片(NEC TOKIN株式会社制的“BUSTERAID”)，测出其0.1?6GHz的频率范围内的传送衰减率Rtp及噪声吸收率P1()SS/Pin、以及O?6GHz的频率范围内的内部去耦率Rda及相互去耦率Rde。结果分别在图28?图31中示出。
[0185]比较例2
[0186]作为第二电磁波吸收膜20，使用市售的厚度0.2mm的含碳导电性噪声抑制片，测定其0.1?6GHz的频率范围内的传送衰减率Rtp及噪声吸收率P1()SS/Pin、以及O?6GHz的频率范围内的内部去耦率Rda及相互去耦率Rde。结果分别在图32?图35中示出。
[0187]实施例1
[0188]在参考例I中得到的第三电磁波吸收膜IOb上粘接含有铁素体粒子的市售的厚度0.1mm的磁性噪声抑制片(NEC TOKIN株式会社制的“BUSTERAID”)来作为第二电磁波吸收膜20，由此得到图2所示的第二复合电磁波吸收片lb。第二复合电磁波吸收片Ib的0.1?6GHz的频率范围内的传送衰减率Rtp及噪声吸收率P1()SS/Pin、以及O?6GHz的频率范围内的内部去耦率Rda及相互去耦率Rde分别在图36?图39中示出。由图36?图39可知，由第三电磁波吸收膜IOb和磁性噪声抑制片20构成的实施例1的第二复合电磁波吸收片Ib与第三电磁波吸收膜IOb单独(参考例I)及第二电磁波吸收膜20单独(比较例I)的情况相比具有更优越的电磁波吸收能力。
[0189]实施例2
[0190]使用具有电镀了粒径分布为50?80 μ m的金刚石微粒子的图案辊32a、32b的图12所示的结构的装置，在厚度16 μ m的二轴延伸聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜11的一面上通过真空蒸镀法形成的厚度0.05 μ m的铝薄膜12上形成如图5 (c)所示那样在正交的二个方向上取向的线状痕122a’、122b’，制成第一电磁波吸收膜10a。从带线状痕的铝薄膜12的光学显微镜照片可知，线状痕122a’、122b’具有下述特性。
[0191]宽度W的范围:0.5?5 μ m
[0192]平均宽度Wav:2ym
[0193]间隔I的范围:2?30 μ m[0194]平均间隔Iav:20 μ m
[0195]平均长度Lav:5_
[0196]锐角侧的交叉角Θ s:90°
[0197]在该第一电磁波吸收膜IOa上粘结含有铁素体粒子的市售的厚度0.1mm的磁性噪声抑制片(NEC TOKIN株式会社制的“BUSTERAID”)作为第二电磁波吸收膜20，由此得到图1所示的第一复合电磁波吸收片la。第一复合电磁波吸收片Ia的0.1?6GHz的频率范围内的传送衰减率Rtp及噪声吸收率P1()SS/Pin、以及O?6GHz的频率范围内的内部去耦率Rda及相互去耦率Rde分别在图40?图43中示出。如图40?图43可知，由第一电磁波吸收膜IOa和磁性噪声抑制片20构成的实施例2的第一复合电磁波吸收片Ia与第一电磁波吸收膜IOa单独及第二电磁波吸收膜20单独(比较例I)的情况相比具有更优越的电磁波吸收能力。
[0198]实施例3
[0199]在由参考例2得到的第四电磁波吸收膜IOc上粘接含有铁素体粒子的市售的厚度
0.1mm的磁性噪声抑制片(NEC TOKIN株式会社制的“BUSTERAID”)作为第二电磁波吸收膜20，由此得到图3所示的第三复合电磁波吸收片lc。第三复合电磁波吸收片Ic的0.1?6GHz的频率范围内的传送衰减率Rtp及噪声吸收率P1()SS/Pin、以及O?6GHz的频率范围内的内部去耦率Rda及相互去耦率Rde分别在图44?图47中示出。如图44?图47可知，由第四电磁波吸收膜IOc和磁性噪声抑制片20构成的实施例3的第三复合电磁波吸收片Ic与第四电磁波吸收膜IOc单独(参考例2)及第二电磁波吸收膜20单独(比较例I)的情况下相比具有更优越的电磁波吸收能力。
【权利要求】
1.一种复合电磁波吸收片，其特征在于， 包括:(a)第一电磁波吸收膜，其具有塑料膜和设置在该塑料膜的至少一面上的单层或多层的金属薄膜，在所述金属薄膜上以不规则的宽度及间隔在多个方向上形成有多个实质上平行且断续的线状痕；(b)第二电磁波吸收膜，其由分散有磁性粒子或非磁性导电性粒子的树脂或橡胶构成。
2.一种复合电磁波吸收片，其特征在于， 包括:(a)第三电磁波吸收膜；(b)第二电磁波吸收膜，其由分散有磁性粒子或非磁性导电性粒子的树脂或橡胶构成， 所述第三电磁波吸收膜包括:(i)塑料膜；(ii)在该塑料膜的至少一面上设置的单层或多层的金属薄膜，在该金属薄膜上以不规则的宽度及间隔在多个方向上形成有多个实质上平行且断续的线状痕；(iii)形成在所述金属薄膜上的碳纳米管薄层。
3.根据权利要求1或2所述的复合电磁波吸收片，其特征在于， 所述线状痕在二个方向上取向，其交叉角为30?90°。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的复合电磁波吸收片，其特征在于， 关于所述线状痕的宽度，90%以上在0.1?IOOym的范围内，平均为I?50 μ m，所述线状痕的横边方向间隔在I?500μπι的范围内，平均为I?200μπι。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的复合电磁波吸收片，其特征在于， 所述金属薄膜通过从由铝、铜、银、锡、镍、钴、铬及它们的合金构成的组中选择出的至少一种金属构成。
6.根据权利要求2所述的复合电磁波吸收片，其特征在于， 所述碳纳米管薄层的以涂敷量来表示的厚度为0.01?0.5g/m2。
7.一种复合电磁波吸收片，其特征在于， 包括:(a)在塑料膜的至少一个面上通过蒸镀法形成磁性金属薄膜后以110?180°C的范围内的温度进行热处理而形成的第四电磁波吸收膜，所述磁性金属薄膜的波长660nm的激光束的透光率为3?50%，在从所述第四电磁波吸收膜切出的IOcmX IOcm的正方形的试验片的磁性金属薄膜的对置边部上配置覆盖边整体的长度的一对电极，经由平坦的加压板施加3.85kg的负载而进行测定时的所述磁性金属薄膜的表面电阻为10?200Ω / □ ; (b)第二电磁波吸收膜，其由分散有磁性粒子或非磁性导电性粒子的树脂或橡胶构成。
8.根据权利要求7所述的复合电磁波吸收片，其特征在于， 所述热处理进行10分钟?I小时。
9.根据权利要求7或8所述的复合电磁波吸收片，其特征在于， 所述磁性金属薄膜由Ni或其合金构成。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的复合电磁波吸收片，其特征在于， 所述第二电磁波吸收膜中的所述磁性粒子或所述非磁性导电性粒子的含量为10?60体积％。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的复合电磁波吸收片，其特征在于， 所述磁性粒子或所述非磁性导电性粒子的平均粒径为5?200 μ m。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的复合电磁波吸收片，其特征在于， 所述非磁性导电性粒子为非磁性金属或碳的粒子。
【文档编号】B32B15/08GK103959927SQ201280059175
【公开日】2014年7月30日 申请日期:2012年11月29日 优先权日:2011年11月30日
【发明者】加川清二 申请人:加川清二