电磁波吸收板及其制造方法和包含其的电子设备的制造方法

文档序号:8909605阅读:347来源:国知局
电磁波吸收板及其制造方法和包含其的电子设备的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种电磁波吸收板及其制造方法,尤其,涉及一种电磁波吸收板及其 制造方法和包含其的电子设备(ELECTROMAGNETIC WAVE ABSORBING SHEET, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING SAME),所述电磁波吸收板为薄 膜且廉价的同时具有优秀的电磁波吸收率。
【背景技术】
[0002] 最近,有关数码电子设备对于电子装置的电路信号处理速度的高速化、高功能化、 小型化并且产品形态的纤薄化的要求进一步加速化。安装于印刷电路板(PCB)的各种半导 体元件的数据处理速度逐渐高速化,从而安装于印刷电路板(PCB)的有源元件和无源元件 的部件安装密度逐渐提高。
[0003] 如上所述的元件由于高速信号而伴随有电压、电流急剧变化,由此产生感应性噪 音并成为高频率噪音的产生源。如有源元件及无源元件一样的部件位于与印刷电路上的印 刷电线非常近的位置,从而由于小型数码电子设备内部元件之间或者元件与电线之间的电 子结合而引起串扰(cross talk)问题,或者向设备外部放射电磁波而引起对其他设备产生 影响的EMI (Electro Magnetic Interference:电磁波障碍或者电磁波干扰)问题。
[0004] 此外,从电子设备产生的电磁波长期向人体泄露的情况,将对人体造成青光眼、生 殖能力下降等影响。
[0005] 作为针对所述EMI的对策而提出的电磁波屏蔽(Electro Magnetic Shielding) 是指不使从电子设备内部产生的电磁波噪音放射至壳外部,并且还吸收或阻断从外部侵入 的电磁波噪音。
[0006] 对于设备内部有富余空间的数码电子设备,采取以下EMI解决方法:将过滤器 (filter)连接至产生感应性噪音的电路,从而消除噪音或拉远电路间的距离,或者利用电 磁波屏蔽材料进行屏蔽(shield)并进行接地(grounding)等。
[0007] 但是,对于小型数码电子设备,当电子部件以高密度的方式安装在印刷电路板 (PCB)上,从而使用上述提到的利用过滤器等的噪音解决方法,所述方法不但需要安装空 间,而且为实现小型化、纤薄化还需要从设计步骤考虑,因此不适合作为针对寿命短的产品 的紧急的噪音解决方法。
[0008] 因为所述的理由,最近为了抑制在小型数码电子设备的电路基板中由于有源部件 而产生的感应性电磁波噪音,在输入/输出端使用约0. 2_以上的比较厚的软磁性复合磁 性体板(sheet),所述有源部件为主要噪音源。
[0009] 所述的复合磁性体板材料的导磁率包括实数部分导磁率成分和虚数部分导磁率 成分,并且噪音的抑制效率随着想要抑制的电磁波噪音频带中的虚数部分导磁率越大或复 合磁性体的厚度越厚,则抑制效果越大。
[0010] 另外,数码电子设备的大小的趋势为更加小型化,因此要求所述的复合磁性体的 厚度更薄的同时电磁波的抑制效果也优秀的产品。此外,随着电子设备的小型化趋势,要求 上述的准微波频带中使用的解决噪音用复合磁性体板的纤薄化。
[0011] 复合磁性体板的情况,其利用由磁性损失致使噪音减小的效果,为了实现纤薄化, 从而应使得虚数部分导磁率更大。目前的磁性材料存在以下问题:在比约10~100MHZ低 的频带或者比其高的频带,无法同时满足厚度薄和传导噪音抑制效果。
[0012] 在韩国登记专利10-0755775号中提出了复合结构的噪音抑制膜及其制造方法, 其为了实现厚度约为25至100 ym的薄型的同时增大电磁波减小效果,在绝缘性高分子基 体内,板状的电阻体粉末和板状的软磁性体粉末相互背向,以便体现形状异方性,并且根据 电阻损失和磁性损失而具有电磁波减小效果,并且极大地提升在1GHz以上的频率中的电 磁波减小效果。
[0013] 所述韩国登记专利10-0755775号,结构为作为电阻体粉末的板状的碳粉末和作 为软磁性体粉末的板状的铁硅铝软磁(sendust)粉末在绝缘性高分子基体内相互背向, 因此减少厚度是有限度的,与其他种类的磁性板相比时,导磁率相对低,虚数部分导磁率也 低,由此作为电磁波吸收体而言导磁率低,并且因使用高价的软磁性粉末,板的价格也随之 上升。
[0014] 此外,所述的含有软磁性粉末的高分子(Polymer)磁性板的情况,为了改善低导 磁率而增加板的厚度时,随着厚度的增加,存在以下问题:材料费用更加提高并且难以应对 变薄的终端的趋势。进一步讲,所述噪音抑制膜逐渐以0. 2_以上的厚膜常用化,从而存在 用途上的存在限制。
[0015] 此外,韩国公开专利公报10-2011-92833号也提出了含有铁(Fe)基纳米结晶粒 软磁性粉末及碳(Co)基导电体粉末的电磁波吸收板,并且Fe基纳米结晶粒软磁性粉末作 为非晶合金,使用Fe-Si-B-Nb-Cu基合金,将此合金在350°C~500°C的温度下进行45分 钟~90分钟预备热处理,从而对粉末进行一次及二次破碎,为了破碎的粉末的粒子大小为 270目(mesh)以下,使用Fe基纳米结晶粒软磁性粉末,所述粉末具有筛选的纳米大小的结 晶粒。
[0016] 但是,所述电磁波吸收板为高分子板的一种,所述高分子板通过将具有纳米大小 的结晶粒的Fe基纳米结晶粒软磁性粉末与粘合剂(binder)混合,从而制造为0. 5mm厚度, 所述高分子板存在以下问题:厚度厚,随着混合粘合剂而板的导磁率低。
[0017] 韩国公开专利公报10-2005-37015号中提出了具有屏蔽低频率磁场功能的金 属及高分子复合体,所述复合体将作为金属合金的坡莫合金(permalloy)、铁硅铝软磁 (sendust)合金及快速凝固合金之中的一个作为主要成分,并为粉末状、薄片状或者纤维状 之中的某一形态,所述金属合金具有屏蔽低频率磁场功能,并且所述复合体包括:软质高分 子物质,其作为分散金属合金的基质(matrix);添加剂,其用于使金属合金和软质高分子 物质复合。但是,所述韩国公开专利公报10-2005-37015号中提出的板作为高分子板的一 种,从而存在导磁率低的问题。
[0018] 韩国公开专利公报10-2003-86122号中提出了利用高导磁率的金属箔带材的 电磁波屏蔽材料制造方法,其包括如下步骤:将从Ni-Fe-Mo、Fe-Si及镍铁高导磁率合金 (mumetal)之中选择的相对导磁率为1000以上的金属或者合金,根据快速凝固法以厚度 为1 ym至900 ym以下,宽度为1mm至90mm的范围制造金属箔带材,并且将金属箔带材在 700~1300°C的温度范围,氢气或者真空气氛下进行退火(annealing),并且在金属箔带材 的至少一面形成粘附层。
[0019] 此外,所述电磁波屏蔽材料制造方法还包括如下步骤:在金属箔带材的至少一面 通过电镀金或者真空蒸镀形成Cu、Ni、Ag、Al、Au、Sn或者其金属的组合的薄膜层。
[0020] 但是,根据所述韩国公开专利公报10-2003-86122号的制造方法制造的电磁波屏 蔽材料利用通过金属箔带材和金属膜来反射大部分电磁波的方法来屏蔽电磁波,所述金属 膜通过对金属箔带材进行镀金或者真空蒸镀而形成,并且存在无法利用吸收电磁波的方法 来实现屏蔽的问题。结果,在电子设备内部使用所述电磁波屏蔽材料时,产生以下问题:由 于从电磁波屏蔽材料反射出的电磁波而对邻近的其他电路元件造成影响。
[0021] 此外,韩国公开专利公报10-2009-123776号中公开了导电性发泡板制造方法,所 述导电性发泡板能够用作电磁波屏蔽衬垫(gasket)的材料。
[0022] 所述电磁波屏蔽衬垫用导电性发泡板包括:发泡板,其根据偶联剂(coupling agent)而带有极性;镍(nickel)镀金层,其利用非电解镀金方式,以1000A至3000A的厚 度形成在所述发泡板上;以及铜镀金层,其在1. 3至5. OA/dm2的电流密度条件下,利用电解 镀金方式,以〇. 5~3. 0 y m的厚度、表面电阻值为0. 02至0. 08 D /方(square)形成在所 述镍镀金层上。
[0023] 但是,所述韩国公开专利公报10-2009-123776号利用通过镍及铜镀金层将大部 分电磁波反射的方法来屏蔽电磁波,并且存在无法利用吸收电磁波的方法来实现屏蔽的问 题。结果,在电子设备内部使用所述导电性发泡板的情况,产生以下问题:由于从发泡板反 射出的电磁波而对邻近的其他电路元件造成影响。
[0024] 韩国公开专利公报10-2009-78620号中公开了电磁波屏蔽板,其包括:基材板,其 由合成树脂膜形成;金属蒸镀层,其喷镀(Sputtering)在基材板的表面,并且金属蒸镀层 包括由铜(Cu)、
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