铜条、带镀敷的铜条以及引线框的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种可形成反射率更高的表面镀敷层的铜条、带镀敷的铜条以及引线框。一种具有基底镀敷层生长面的铜条，按照基底镀敷层的生长速度在铜条的基底镀敷层生长面成为面内均匀的方式，在基底镀敷层生长面，形成有非晶质的区域或由微细的晶粒形成的区域中的至少任一个。
【专利说明】铜条、带镀敷的铜条以及引线框
【技术领域】
[0001] 本发明涉及优选用于引线框的铜条、带镀敷的铜条以及引线框。
【背景技术】
[0002] 近年来，发光二极管（LED,Light Emitting Diode)通过具备使用铜条而形成的引 线框、以及搭载于引线框上的LED芯片等发光元件而构成。在这样的铜条上形成有例如作 为基底镀敷层的铜（Cu)镀敷层或镍（Ni)镀敷层中的至少任一个、以及作为表面镀敷层的 将源自发光元件的光反射的银（Ag)镀敷层。Ag镀敷层生长在铜条的搭载发光元件的一侧 的面上。Ag镀敷层在整个可见光波长区域中的反射率优异。由此，当设置Ag镀敷层时，则 从发光元件发出了的光被Ag镀敷层反射，从而可将源自发光元件的光向外部高效地出射。 其结果是可进一步提高LED (LED模块）的发光输出（光度）、光束、亮度等光学性能。
[0003] 关于LED的光学性能的评价，例如利用通过使用积分球测定出的整个光束来进 行。即，关于LED的光学性能，通过向积分球中施加样品光源，以由传感器接受光的方式进 行测定从而评价。因此，LED的光学性能较大地受到LED所具备的Ag镀敷层等表面镀敷层 的表面状态的影响。例如，Ag镀敷层等的表面的光泽度低、产生了光泽不均匀时，则通过积 分球法测定出的整个光束变低，评价为光学性能低。即，在Ag镀敷层等的表面产生了光泽 不均匀时，则Ag镀敷层的反射率降低，LED的光学性能降低。
[0004] 因此，例如提出了如下的技术，即，按照使得形成于金属基材（例如铜条）的表面 的加工变质层的厚度为规定值以下的方式，去除加工变质层（例如参照专利文献1)。由此， 在对这样的金属基材上实施了 Ag镀敷时，抑制镀敷的异常析出。因此，可抑制Ag镀敷层的 反射率的降低。
[0005] 现有技术文献 [0006] 专利文献
[0007] 专利文献1 :日本特开2007-39804号公报
【发明内容】
[0008] 发明所要解决的课题
[0009] 近年来，LED的使用用途在扩大。由此，要求进一步提高LED的光学性能。即，要 求使Ag镀敷层等表面镀敷层的反射率变得更高。但是，在以往那样的提高Ag镀敷层的反 射率的方法中，难以满足所要求的Ag镀敷层的反射率。
[0010] 本发明的目的在于解决上述课题，提供可形成反射率更高的表面镀敷层的铜条、 带镀敷的铜条以及引线框。
[0011] 用于解决课题的方法
[0012] 为了解决上述课题，因而本发明如以下那样构成。
[0013] 本发明的第1实施方式提供一种铜条，其为具有基底镀敷层生长面的铜条，按照 前述基底镀敷层的生长速度在前述铜条的基底镀敷层生长面成为面内均匀的方式，在前述 基底镀敷层生长面，形成有非晶质的区域或由微细的晶粒形成的区域中的至少任一个。
[0014] 本发明的第2实施方式提供一种第1实施方式的铜条，其中，前述基底镀敷层生长 面是，通过利用EBSD法以测定区域为90 μ mX 120 μ m并且以测定间隔为0. 2 μ m进行测定 而获得的可靠性指数为〇. 1以下的测定点的比例为50%以上的面。
[0015] 本发明的第3实施方式提供一种铜条，其为具有基底镀敷层生长面的铜条，前述 铜条的基底镀敷层生长面是，通过利用EBSD法以测定区域为90 μ mX 120 μ m并且以测定间 隔为0. 2 μ m进行测定而获得的可靠性指数为0. 1以下的测定点的比例为50%以上的面。
[0016] 本发明的第4实施方式提供第2或第3实施方式的铜条，其中，前述可靠性指数的 测定是在利用化学蚀刻而去除了 50nm以上的前述基底镀敷层生长面之后进行的。
[0017] 本发明的第5实施方式提供一种带镀敷的铜条，其中，在前述第1至第4中任一个 实施方式的铜条的基底镀敷层生长面，作为基底镀敷层，通过生长而形成有Cu镀敷层或Ni 镀敷层中的至少任一个。
[0018] 本发明的第6实施方式提供第5实施方式的带镀敷的铜条，其中，在前述基底镀敷 层上，作为将光反射的表面镀敷层，通过生长而形成有Ag镀敷层。
[0019] 本发明的第7实施方式提供一种引线框，其通过使用第5或第6实施方式的带镀 敷的铜条而形成。
[0020] 发明的效果
[0021] 根据本发明的铜条、带镀敷的铜条以及引线框，可形成反射率更高的表面镀敷层。
【专利附图】
【附图说明】
[0022] 图1为本发明的一个实施方式的带镀敷的铜条的概略截面图。
[0023] 图2所示为本发明的一个实施方式的铜条和带镀敷的铜条的制造工序的流程图。
[0024] 图3为本发明的一个实施例的铜条的基底镀敷层生长面的IPF图。
[0025] 图4所示为本发明的一个实施例的CI值与CI值的累计比例的关系的曲线图。
[0026] 图5所示为本发明的一个实施例的形成于铜条的Ag镀敷层的照射光的波长与反 射率的关系的曲线图。
[0027] 图6中（a)为本发明的一个实施例的形成于铜条的Ag镀敷层的表面的SEM图像， (b)为本发明的一个比较例的形成于铜条的Ag镀敷层的表面的SEM图像。
[0028] 图7为以往的形成于铜条的Ag镀敷层的表面的SEM图像。
[0029] 附图标记说明
[0030] 1带镀敷的铜条
[0031] 2 铜条
[0032] 3基底镀敷层
[0033] 4表面镀敷层
【具体实施方式】
[0034] (发明人等所获得的见解）
[0035] 首先，在说明本发明的实施方式之前，对发明人等所获得的见解进行说明。
[0036] 根据本发明人等的深入研究可知，上述那样的形成于铜条的作为将光反射的表面 镀敷层的Ag镀敷层的反射率降低的主要原因是，例如如图7所示那样，形成于Ag镀敷层的 表面的山脉那样的凸部（山脉状凸部）。图7为以往的形成于铜条的Ag镀敷层表面的SEM 图像。图7所示的SEM图像如下那样拍摄：对于具备铜条、作为基底镀敷层的Cu镀敷层或Ni 镀敷层中的至少任一个、以及作为表面镀敷层的Ag镀敷层的试样，S卩，对于带镀敷的铜条， 在纸面的上下方向上倾斜70度地从Ag镀敷层的一侧拍摄。这是因为，从试样的正上方拍 摄时，则不易观察到山脉状凸部。在图7中，纸面的左右方向成为铜条的轧制方向。根据图 7可确认，沿着铜条的轧制方向而形成有山脉状凸部。例如可确认，在轧制方向以IOyn!? 30 μ m的长度而连续地形成有山脉状凸部。另外可确认，在与铜条的轧制方向正交的方向上 以30 μ m?100 μ m间隔形成有多个山脉状凸部。
[0037] 可知，这样的山脉状凸部是起因于铜条的生长基底镀敷层的面（基底镀敷层生长 面）的结晶组织的结晶取向而形成的。一般而言，铜条通过反复进行规定次数的轧制加工 和退火加工而形成。在该过程中，关于铜条的轧制面的结晶组织，具有与轧制方向相同的取 向的结晶取向、与轧制方向接近的取向的结晶取向的晶粒倾向于发生连接。作为基底镀敷 层的Cu镀敷层或Ni镀敷层的生长依赖于铜条的轧制面、S卩，基底镀敷层生长面的晶粒的结 晶取向。由此，基底镀敷层的生长速度根据基底镀敷层生长面的晶粒的结晶取向而不同。这 是因为，在铜条中使用的铜（Cu)与基底镀敷层中使用的铜（Cu)、镍（Ni)是相同的FCC金 属，并且，在基底镀敷层中使用的Cu、Ni的平均粒径与在铜条中使用的Cu的粒径是大致同 程度，因此基底镀敷层容易接受铜条的基底镀敷层生长面的晶粒（Cu)的结晶取向而外延 地生长。由此，在基底镀敷层生长面，基底镀敷层不面内均匀地生长，从而在基底镀敷层生 长面上生长（电沉积）的基底镀敷层的成膜量（生长量）的方面会产生差异。即，沿着铜 条的轧制方向，会生成基底镀敷层的厚度为厚的地方和薄的地方。由此，在基底镀敷层的表 面会形成山脉状凸部。其结果可知，在基底镀敷层上生长而形成的Ag镀敷层的表面会形成 山脉状凸部，Ag镀敷层的反射率会降低。予以说明，在基底镀敷层生长面，存在有在进行轧 制加工时转印自轧制辊的表面的筋等凹凸。但是，在轧制加工之时通过轧制辊而转印于基 底镀敷层生长面的凹凸与形成于Ag镀敷层的表面的山脉状凸部没有直接关系。
[0038] 因此，本发明人等认为，根据铜条的基底镀敷层生长面的结晶组织的状态，需要将 Ag镀敷层的表面变得更平整。即认为，为了形成反射率更高的Ag镀敷层，因而需要调整铜 条的基底镀敷层生长面的结晶组织（晶粒）的状态。本发明是基于发明人等所发现的上述 见解而提出的。
[0039] (1)铜条以及带镀敷的铜条的构成
[0040] 首先，关于本发明的一个实施方式的铜条以及带镀敷的铜条的构成，主要使用图1 进行说明。图1为本实施方式的带镀敷的铜条1的概略截面图。
[0041] 如图1所示那样，带镀敷的铜条1通过具备铜条2、基底镀敷层3、表面镀敷层4而 构成。在铜条2的至少任一个主表面上，通过生长而形成了基底镀敷层3。铜条2兼具良好 的机械强度和电传导性。这样的铜条2通过对铜、铜合金等的铸块进行轧制处理、退火处理 等而形成。
[0042] 作为铜条2的形成材料，可使用含有铁（Fe)、镍（Ni)、钴（Co)等的铜合金。例如， 作为铜条2的形成材料，使用含有Fe和磷（P)的Cu-Fe-P系的铜合金即可。作为Cu-Fe-P 系的铜合金，例如广泛地知晓含有〇. 〇5wt%?0. 15wt%的Fe以及0. 025wt%?0. 04wt% 的 P 的铜合金（C19210)，含有 2. Iwt % ?2. 6wt % 的 Fe、0. 015wt % ?0· 15wt % 的 P 以及 0.05wt%?0.20wt%的锌（Zn)的铜合金（C19400)。此外，例如，作为铜条2的形成材料， 也可使用无氧铜（OFC，Oxyger Free Copper)、含有锫（Zr)的Cu-Zr系的铜合金（例如 C15150)、分别含有规定量的Zn和Ni和P以及硅（Si)的科森（Corson)系的铜合金等。这 样地，认为本实施方式中，使用铜合金而形成的铜合金条也包含于铜条2中。
[0043] 关于铜条2的生长基底镀敷层的面（在以下，亦简称为"基底镀敷层生长面")、即， 铜条2的轧制面，按照基底镀敷层3的生长速度在基底镀敷层生长面成为面内均匀的方式 形成。即，在基底镀敷层生长面，形成有非晶质的区域或由晶粒粒径为非常小的（微细的） 晶粒（例如按照直径换算为IOnm左右以下的晶粒）形成的区域（以下，亦称为"微细晶粒 区域"）中的至少任一个。另外，非晶质的区域或微细晶粒区域中的至少任一个在基底镀敷 层生长面内均匀地分布即可。由此，作为基底镀敷层3的例如铜（Cu)镀敷层、镍（Ni)镀敷 层的生长速度在基底镀敷层生长面内成为面内均匀。因此，基底镀敷层3的厚度在基底镀 敷层生长面成为面内均匀，基底镀敷层3的表面成为平整。其结果是如后所述，基底镀敷层 3上形成的作为表面镀敷层4的将光反射的银（Ag)镀敷层的表面变为平整，因而可提高表 面镀敷层4的反射率。
[0044] 关于基底锻敷层生长面，通过利用 EBSD (Electron Back Scattering Diffracted Pattern，电子背散射图案）法以测定区域（观察区域）为90 μ mX 120 μ m并且以测定间隔 (步长）为〇· 2 μ m进行测定而获得的可靠性指数（Cl值，Confidence Index值）为0· 1以 下的测定点的比例为50%以上，优选为68%以上的面即可。
[0045] CI值为0. 1以下的测定点的比例是指测定区域中的CI值为0. 1以下的测定点相 对于测定点总数的比例。例如，测定区域为90 μ mX 120 μ m、步长为0. 2 μ m的情况下，测定 区域内的测定点的总数为270, 000点。因此，在此情况下，Cl值为0. 1以下的测定点的比 例为50 %以上是指CI值为0. 1以下的测定点的数量为135, 000点以上。
[0046] 另外，CI值是表示通过利用EBSD法、S卩，使用EBSD装置将基底镀敷层生长面的晶 粒的结晶取向进行测定并且解析得到的结果的可靠性（测定精度）的值。通过使用EBSD 法，可获得铜条2的仅仅顶面的信息。例如，在将加速电压设为20kV的情况下，可仅仅获得 从基底镀敷层生长面到30nm?50nm左右的深度为止的信息。另外，可对每个测定点测定 CI值。在EBSD法中，不易正确地测定非晶质的区域、在1个测定点中包含具有不同结晶取 向的多个微细的晶粒（例如按照直径换算为IOnm左右以下的晶粒）的区域（即微细晶粒 区域）的晶粒的结晶取向。因此，在这样的测定点上，基于EBSD法的解析结果的可靠性降 低，CI值变低。即，关于CI值为0. 1以下的测定点，判定为存在有利用EBSD法而没有正确 地测定晶粒的结晶取向的可能性。因此，将CI值为0. 1以下的测定点判定为非晶质的区域 或微细晶粒区域。与此相对，关于CI值超过0. 1的测定点，判定为利用EBSD法而正确地测 定晶粒的结晶取向，进行了解析。即，将CI值超过0. 1的测定点判定为结晶化进行、结晶性 高的区域（不是非晶质的区域或微细晶粒区域的区域）。予以说明，CI值的测定方法见后 述。
[0047] 如上述那样，基底镀敷层生长面是在规定的测定区域内CI值为0. 1以下的测定点 的比例为50%以上、优选为68%以上的面即可。如果是这样的基底镀敷层生长面，那么实 质性地，具有相同的结晶取向的晶粒不会沿着铜条2的轧制方向以10 μ m?30 μ m的长度 而连续地形成。因此，基底镀敷层3在铜条2的基底镀敷层生长面上生长而形成时，可使基 底镀敷层3的生长速度在基底镀敷层生长面为面内均匀。由此，基底镀敷层3在基底镀敷 层生长面上面内均匀地生长，使基底镀敷层3的表面成为平整。其结果是可将在基底镀敷 层3上形成的表面镀敷层4的表面成为平整，可提高表面镀敷层4的反射率。
[0048] 另外，CI值为0. 1以下的测定点在测定区域内尽可能均匀地分布即可。由此，可 使基底镀敷层3的生长速度在基底镀敷层生长面进一步面内均匀。
[0049] 关于CI值的测定，例如在利用化学蚀刻而去除了 50nm以上优选为50nm以上 IOOnm以下的基底镀敷层生长面（即测定面）之后进行即可。由此，可去除在基底镀敷层生 长面上形成的自然氧化膜、附着于基底镀敷层生长面的污染物质。因此，例如，可抑制将结 晶性高的区域判定为非晶质的区域或微细晶粒区域的情况。其结果是可更准确地进行基底 镀敷层生长面的CI值的测定。
[0050] (Cl值的测定方法）
[0051] 以下，对通过利用EBSD法测定铜条2的基底镀敷层生长面从而获得基底镀敷层生 长面的CI值的方法进行说明。
[0052] 首先，使用例如EBSD装置，将电子射线照射于铜条2的基底镀敷层生长面上的多 个测定点（照射点），从而在各测定点获得衍射图案（电子背散射衍射像）。作为EBSD装 置，可使用例如安装于株式会社High-Technologies制的扫描型电子显微镜（SU-70)的株 式会社 TSL Solutions 制的结晶取向解析（OIM，Orientation Imaging Microscopy)装 置。将电子射线照射于铜条2的基底镀敷层生长面时，铜条2以例如70°的倾斜角度而保 持。另外，将EBSD装置的加速电压设为例如20kV。由此，可仅仅获得从基底镀敷层生长面 到30nm?50nm左右的深度为止的信息。
[0053] 接着，基于所获得的各测定点的衍射图案，确定各测定点中的晶粒的结晶取向。 艮P，例如通过电脑而解析各测定点的衍射图案，通过电脑而选择判断为可靠性最高的结晶 取向。而且，将该选择出的结晶取向确定为各测定点中的结晶取向。此时，基底镀敷层生长 面为非晶质的区域时则无法获得衍射图案。另外，基底镀敷层生长面为微细晶粒区域的情 况下，即使是利用高分辨能力TEM而获得晶格像的晶粒，有时也无法在EBSD装置中获得衍 射图案。即，基底镀敷层生长面为微细晶粒区域时，则在1个测定点中包含有结晶取向不同 的多个微细的晶粒，因而与非晶质的区域同样地无法获得衍射图案。由此，例如通过电脑而 解析衍射图案时，在基底镀敷层生长面的非晶质的区域、微细晶粒区域，电脑在无法获得衍 射图案的状况下在每个测定点选择无规的结晶取向。
[0054] 具体而言，在各测定点的结晶取向的确定按照以下记载的方式而进行。例如，利用 EBSD法测定结晶取向而解析的面（即基底镀敷层生长面）是铜（Cu)等FCC金属的情况下， EBSD装置（EBSD装置所具备的0頂解析软件）通常从各测定点的衍射图案分别检测7条 带（检测线）。而且，从检测出的7条带选择3条带，根据角度关系而推定结晶取向。从7 条带选择3条带的组合为35种。因此，对于35种全部的组合中的每个组合推定结晶取向。 并不限定为在各组合中推定的结晶取向全都成为相同的取向。S卩，在各组合中推定的结晶 取向不限定为1个，存在有推定多个结晶取向的情况。在对于35种全部的组合中的每个组 合而推定出的结晶取向之中，将最多地推定出的结晶取向确定为测定点中的结晶取向。
[0055] 接着，基于所获得的各测定点中的结晶取向，算出相邻的测定点中的结晶取向的 取向差。如果该取向差小于容许角度（Tolerance Angle)(例如5° )，那么视为相同的晶 粒，如果该取向差为容许角度（例如5° )以上，那么视为不同的晶粒。
[0056] 根据所获得的结晶取向进行晶粒的区分，获得IPF(lnverse Pole Figure，反极 图）图。此时，对于具有相同的结晶取向的晶粒，赋予相同的颜色。即，在IPF图中，关于结 晶化的区域，根据其晶粒的尺寸（粒径）而示出相同颜色的区域。
[0057] 接着，通过算出而获得了各测定点的可靠性指数（Cl值）。以下，以从上述的7条 带选择3条带并且确定各测定点中的结晶取向的情况为例子，对算出CI值的方法进行说 明。即，在35种的各组合中推定出的结晶取向之中，将推定出的结晶取向的次数称为例如 Vote数。可以说，最大的Vote数与第二大的Vote数之差越大，则推定出的结晶取向的可靠 性越高。关于CI值，基于这样的见解，根据下述（式1)算出。
[0058] (式 1)
[0059] CI 值=(Vl_V2)/Videal
[0060] 此处，Vl为最大的Vote数，V2是第二大的Vote数，Videal是组合数。例如从7条 带选择3条带时，V ideal为35。
[0061] CI值采用0. 0到1. 0的值。例如，具有35种的组合的情况下，在Vl = 35、V2 = 0 之时Cl值=1.0,可靠性最高。与此相对，在Vl = V2之时Cl值=0.0,可靠性最低。
[0062] 一般而言，在例如Cu等FCC金属中，在CI值为0. 2?0. 3以上的测定点时，可以 说是以90%以上的概率正确地测定结晶取向而选择。与此相对，在CI值为0. 1以下的测 定点时，存在有最多地推定出的（Vote数为最大的）结晶取向与第二多地推定出的（Vote 数第二大的）结晶取向是以相同的程度的概率选择的可能性，因而选择出的结晶取向的可 靠性低。即，CI值为0.1以下的测定点是无法获得衍射图案的非晶质的区域或微细晶粒区 域。按照这样的次序，在全部测定点分别算出CI值。
[0063] 而且可知，将IPF图与全部测定点的CI值的分布进行比较来看时，则在测定区域 内，越是CI值为0. 1以下的测定点多的地方，越是非晶质的区域或微细晶粒区域多的地方。
[0064] 如上述那样，在铜条2的基底镀敷层生长面上，通过生长而形成了基底镀敷层3。 作为基底镀敷层3,通过生长而形成有例如铜（Cu)镀敷层或镍（Ni)镀敷层中的至少任一个 即可。如上述那样，在形成基底镀敷层3的铜条2的基底镀敷层生长面，形成有非晶质的区 域或微细晶粒区域中的至少任一个。由此，基底镀敷层3的生长速度在铜条2的基底镀敷 层生长面上成为面内均匀。因此，基底镀敷层3在基底镀敷层生长面进行面内均匀地生长， 使得基底镀敷层3的表面成为平整。即，可提高基底镀敷层3的表面的平滑度。
[0065] 在基底镀敷层3上，通过生长而形成了表面镀敷层4。作为表面镀敷层4,通过生 长而形成有反射率（光反射率）高的例如银（Ag)镀敷层即可。关于表面镀敷层4,例如通 过电镀进行生长而形成即可。这样地，表面镀敷层4形成于表面是平整的（即平滑度高的） 基底镀敷层3上。由此，表面镀敷层4在基底镀敷层3上面内均匀地生长，因而使得表面镀 敷层4的表面成为平整。即，可提高表面镀敷层4的表面的平滑度。因此，可提高表面镀敷 层4的光泽度，可提高反射率。
[0066] 这样的带镀敷的铜条1优选用于例如引线框等。例如，使用模具等对带镀敷的铜 条1进行冲压加工，从而形成例如引线框。
[0067] (2)铜条以及带镀敷的铜条的制造方法
[0068] 接着，关于本实施方式的铜条2以及带镀敷的铜条1的制造方法的一个实施方式， 主要使用图2进行说明。图2是表示本实施方式的铜条2以及带镀敷的铜条1的制造工序 的流程图。
[0069] (铸造工序（SlO))
[0070] 如图2所示那样，首先，使用例如坩埚式熔解炉、沟道式熔解炉等电炉，熔解作为 母材的铜（Cu)而制造铜的熔液。予以说明，在铸造铜合金的铸块的情况下，向铜的熔液中 添加规定量的规定元素，制造铜合金的熔液。然后，通过将该铜的熔液或铜合金的熔液供给 于铸模，从而铸造厚度为150mm?250mm左右、宽度为400mm?IOOOmm左右并且具有矩形 截面的铜或铜合金的铸块（块体（cake))。
[0071] (热轧工序（S20))
[0072] 铸造工序（SlO)结束后，将铸造出的块体加热至规定温度而进行热轧处理，形成 规定厚度的热轧材料。即，将块体搬入于加热至规定温度（例如800°C以上KKKTC以下） 的加热炉中。然后，在加热炉中以规定时间（例如30分钟以上）保持块体而将块体加热。 经过规定时间后，将块体从加热炉搬出，使用热轧机，例如在室温下将块体按照成为规定厚 度（例如IOmm?15mm)的方式乳制而形成热乳材料。在热乳处理结束后，尽可能迅速地将 热轧材料冷却至例如室温左右即可。
[0073] 热轧处理的处理温度、S卩，加热炉的加热温度根据铜合金的化学组成而调整即可。 例如，在析出了添加于铜合金中的添加物的铜合金（析出型铜合金）中，使热轧处理的处理 温度（特别是热轧处理的开始温度）为添加于铜合金中的元素发生固溶的温度即可。由 此，通过热轧处理从而可减低形成于热轧材料表面的氧化膜（氧化皮）。即，热轧处理的处 理温度过高时，则形成于热轧材料表面的氧化皮有时会增大。
[0074] (面削工序（S3O))
[0075] 热轧工序（S20)结束后，通过进行面削，从而削去因热轧处理而形成于热轧材料 表面的氧化膜（氧化皮），将氧化膜去除。
[0076] (冷轧工序、退火工序（S40、S50))
[0077] 面削工序（S30)结束后，对于热轧材料，反复进行规定次数的规定的加工度的冷 轧处理（冷轧工序（S40))以及在规定温度加热规定时间的退火处理（退火工序（S50))，形 成规定厚度的被称作底料的冷轧材料。通过赋予热轧材料以由冷轧处理导致的加工应变， 从而可提高铜条2的强度。予以说明，退火处理也可包含时效处理。
[0078](抛光（buffing)工序（S60))
[0079] 反复进行规定次数的冷轧工序（S40)和退火工序（S50)后，进行将冷轧材料的轧 制面、即，成为基底镀敷层生长面的面进行研磨的抛光处理。关于抛光处理，按照在铜条2 的基底镀敷层生长面（即轧制面）形成非晶质的区域或微细晶粒区域中的至少任一个的方 式进行。即，关于抛光处理，按照使得通过利用EBSD法以测定区域为90 μ mX 120 μ m并且 以步长为0. 2 μ m进行测定而获得的基底镀敷层生长面的Cl值为0. 1以下的测定点的比例 为50%以上、优选为68%以上的方式进行即可。关于抛光处理，例如通过使用在表面附着 有研磨磨料的圆筒状的抛光轮（buff)而进行。而且，通过将这样的抛光轮在铜条2的基底 镀敷层生长面上旋转规定方向（例如钟表旋转方向），利用抛光轮的表面上的研磨磨料，研 磨铜条2的基底镀敷层生长面的表面，在基底镀敷层生长面形成非晶质的区域或微细晶粒 区域中的至少任一个。此时，作为研磨磨料，可使用具有番号为#600?#3000相当的粒径 的研磨磨料。
[0080] (精轧制工序（S70))
[0081] 抛光工序（S60)结束后，对于冷轧材料，以规定的加工度进行精轧制处理，形成规 定厚度（例如〇.2mm)的铜条2。予以说明，在精轧制工序（S70)结束后，不对铜条2进行退 火处理即可。在精轧制工序（S70)结束之后进行退火处理时，则铜条2的基底镀敷层生长 面的结晶组织有时会变化。即，形成于基底镀敷层生长面的非晶质的区域或微细晶粒区域 有时会变得不是非晶质的区域或微细晶粒区域。由此，制造本实施方式的铜条2。
[0082] (基底镀敷层形成工序（S80))
[0083] 精轧制工序（S70)结束后，在铜条2的基底镀敷层生长面（轧制面）上，形成规定 厚度的基底镀敷层3。作为基底镀敷层3,形成例如Cu镀敷层或Ni镀敷层中的至少任一个。
[0084] (表面镀敷层形成工序（S90))
[0085] 基底镀敷层形成工序（S80)结束的话，在基底镀敷层3上，作为将光反射的表面镀 敷层4,形成例如Ag镀敷层。由此，通过制造本实施方式的带镀敷的铜条1，从而结束该制 造工序。
[0086] (3)本实施方式的效果
[0087] 根据本实施方式，发挥以下所示的1个或者多个效果。
[0088] (a)根据本实施方式，在具有基底镀敷层生长面3的铜条2的基底镀敷层生长面， 按照基底镀敷层3的生长速度在基底镀敷层生长面成为面内均匀的方式，形成有非晶质的 区域或微细晶粒区域中的至少任一个。由此，基底镀敷层3在基底镀敷层生长面上面内均 匀地生长，因而基底镀敷层3的表面成为平整。其结果是在基底镀敷层3上生长而形成的 表面镀敷层4 (例如Ag镀敷层）的表面变为平整，表面镀敷层4的光反射率提高。
[0089] (b)根据本实施方式，基底镀敷层生长面是，通过利用EBSD法以测定区域为 90 μ mX 120 μ m并且以测定间隔为0. 2 μ m进行测定而获得的可靠性指数（Cl值）为0. 1以 下的测定点的比例为50%以上、优选为68%以上的面。即，基底镀敷层生长面是非晶质的 区域或微细晶粒区域的比例为50%以上、优选为68%以上的面。由此，在铜条2的基底镀 敷层生长面上，可生长表面更平整的基底镀敷层3而形成。因此，可使在基底镀敷层3上生 长而形成的表面镀敷层4的表面变得更平整，可进一步提高表面镀敷层4的光反射率。
[0090] (C)根据本实施方式，基底镀敷层生长面的CI值的测定是在利用化学蚀刻而去除 了 50nm以上的基底镀敷层生长面之后进行的。由此，可获得基底镀敷层生长面的更加准确 的CI值。
[0091] (d)根据本实施方式，带镀敷的铜条1通过具备铜条2而构成，所述铜条2具有形 成了非晶质的区域或微细晶粒区域中的至少任一个的基底镀敷层生长面。即，在铜条2的 基底镀敷层生长面上，从铜条2的一侧起依序地，分别生长基底镀敷层3和表面镀敷层4,从 而形成有带镀敷的铜条1。因此，在带镀敷的铜条1中，表面镀敷层4的表面变为平整，光反 射率变高。
[0092] (e)根据本实施方式，使用带镀敷的铜条1而形成引线框。由此，例如在引线框上 搭载发光元件而形成了发光二极管的情况下，可提高发光二极管的光取出效率。
[0093](本发明的其它实施方式）
[0094] 以上，具体说明了本发明的一个实施方式，但是本发明不受限于上述的实施方式， 可在不脱离其要旨的范围适当变更。
[0095] 例如，使用形成了基底镀敷层3以及表面镀敷层4的带镀敷的铜条1而形成引线 框，在引线框搭载发光元件而形成发光二极管（LED)的情况下，在铜条2与外部配线的连接 部，为了提高电连接的可靠性，因而也可进行镀敷处理。作为这样的镀敷处理，使用例如银 (Ag)、镍（Ni)、钯（Pd)等进行即可。
[0096] 另外，铜条2也可用于除了引线框以外的用途。例如，在铜条2的基底镀敷层生长 面上，如果通过生长而形成其它的含有FCC金属的镀敷层，则也可不形成基底镀敷层3和表 面镀敷层4。在此情况下，也可使镀敷层的表面平整，可提高光泽度。因此，可有效地应用于 重视镀敷层的表面的外观上的美观、光泽度的所有用途中。
[0097] 实施例
[0098] 下面，说明本发明的实施例，但本发明并不限定于此。
[0099] (实施例1)
[0100] 在实施例1中使用了铜合金（C194 :CDA NO.C19400)，其包含2. lwt%?2.6wt% 的铁（Fe)、0· 05wt%?0· 2wt%的锌（Zn)、0· 015wt%?0· 15wt%的磷（P)，并且剩余部分由 97wt%以上的铜（Cu)以及不可避免的杂质形成。此时，在铜合金中包含97wt%以上的Cu。 而且，使用坩埚式熔解炉，在氮气气氛下将上述铜合金熔解而制作出熔液。然后，将熔液供 给于铸模，以规定厚度而铸造了规定宽度的块体。
[0101] 接着，将块体加热至规定温度而进行热乳处理，制作出规定厚度的热乳材料。然 后，对于热轧材料，反复进行规定次数的规定的加工度的冷轧处理以及退火处理，制作出规 定厚度的冷轧材料。予以说明，退火处理在还原气氛下进行。
[0102] 然后，对于冷轧材料的轧制面、即，成为基底镀敷层生长面的面，在规定条件下进 行了抛光处理。关于抛光处理，按照在作为制作的试样的铜条的基底镀敷层生长面（即轧 制面）形成非晶质的区域或微细晶粒区域的方式进行。然后，对于进行了抛光处理的冷轧 材料，以规定的加工度进行精轧制处理，制作出厚度为0. 2mm的铜条。将其制成了实施例1 的试样。
[0103] (实施例2?9以及比较例1?8)
[0104] 在实施例2?9以及比较例1?8中，使铜合金的种类如表1所示，并且变更了抛 光处理条件。关于其它，与上述的实施例1同样地操作而制作出铜条。将它们分别制成了 实施例2?9以及比较例1?8的试样。
[0105] 予以说明，表1中的OFC是指，包含O.OOlOwt%以下的氧（0)，并且剩余部分由 99. 95wt%以上的Cu以及不可避免的杂质形成的铜（无氧铜）（CDA No. C10200)。另外， HCL02Z是指，包含0· 015wt%?0· 03wt%的锆（Zr)，并且Cu以及Zr的合计重量（Cu+Zr) 为99. 96wt%以上的铜合金（CDA No. C15150)。另外，HCL305被称作科森系的铜合金，是指 包含 I. 5wt%?2. Owt% 的锋（Zn)、2. 2wt%?2. 8wt% 的镇（Ni)、0· 015wt%?0· 06wt% 的 磷（P)、0. 3wt%?0. 7wt%的硅（Si)，并且剩余部分由Cu以及不可避免的杂质形成的铜合 金。
[0106] 表 1
[0107]
【权利要求】
1. 一种铜条，其特征在于，其为具有基底镀敷层生长面的铜条， 按照所述基底镀敷层的生长速度在所述铜条的基底镀敷层生长面成为面内均匀的方 式，在所述基底镀敷层生长面，形成有非晶质的区域或由微细的晶粒形成的区域中的至少 任一个。
2. 根据权利要求1所述的铜条，其特征在于， 所述基底镀敷层生长面是，通过利用EBSD法以测定区域为90 y mX 120 y m并且以测定 间隔为〇. 2 y m进行测定而获得的可靠性指数为0. 1以下的测定点的比例为50%以上的面。
3. -种铜条，其特征在于，其为具有基底镀敷层生长面的铜条， 所述铜条的基底镀敷层生长面是，通过利用EBSD法以测定区域为90 y mX 120 y m并且 以测定间隔为〇. 2 y m进行测定而获得的可靠性指数为0. 1以下的测定点的比例为50%以 上的面。
4. 根据权利要求2或3所述的铜条，其特征在于，所述可靠性指数的测定是在利用化学 蚀刻而去除了 50nm以上的所述基底镀敷层生长面之后进行的。
5. -种带镀敷的铜条，其特征在于， 在权利要求1?4中任一项所述的铜条的基底镀敷层生长面，作为基底镀敷层，通过生 长而形成有Cu镀敷层或Ni镀敷层中的至少任一个。
6. 根据权利要求5所述的带镀敷的铜条，其特征在于，在所述基底镀敷层上，作为将光 反射的表面镀敷层，通过生长而形成有Ag镀敷层。
7. -种引线框，其特征在于，其通过使用权利要求5或6所述的带镀敷的铜条而形成。
【文档编号】B32B15/01GK104339751SQ201410274659
【公开日】2015年2月11日 申请日期:2014年6月19日 优先权日:2013年8月5日
【发明者】小平宗男, 古德浩一, 山本佳纪, 青柳幸司 申请人:株式会社Sh铜业