专利名称：一种带槽基底及其形成方法
技术领域：
本发明涉及可用于喷墨打印头及类似物体的基底。
一种典型的热喷墨打印头包括若干设置在半导体基底上的薄膜电阻器。喷嘴板和隔离层覆盖在基底上并在每个电阻器附近形成加热室。通过电阻器流入的电流或“喷射信号”使得相应加热室中的墨水受热并通过适当的喷嘴喷射出去。
墨水一般通过在半导体基底中加工出来的输送槽送到加热室中。基底通常是矩形的，输送槽纵向布置在其中。电阻器一般成排布置在输送槽两侧，并最好与输送槽隔开大致相等的距离，因此到每个电阻器的墨水通道长度是大致相等的。打印头走过所形成的打印宽度大约等于电阻器排列的长度，它又大约等于输送槽的长度。
输送槽一般是通过喷砂成孔(亦称“喷砂开槽”)形成的。这种方法是首选的方法，因为它是一种快速、相对简单且可规模生产(许多基底可以同时加工)的工艺。虽然喷砂开槽具有这些明显的好处，但它也是有缺点的，因为它会在半导体基底中引起微裂纹而大大降低基底的断裂强度，结果由于晶片断裂使收得率受到严重损失。较低的断裂强度也限制了基底长度，这转而又对打印行的高度和整体打印速度产生不利影响。
其它方法包括超声波金刚石钻头钻孔、喷砂研磨、钇铝石榴石激光器加工、氢氧化钾蚀刻、氢氧化四甲铵蚀刻和干式等离子体蚀刻。
超声波金刚石钻头钻孔只适合于加工圆孔。此外，这种加工方法使通孔的输入和输出两侧的玻璃和硅产生大的破裂。这些裂纹太大(几百微米)使电阻器不能靠近墨水输送槽。
由于通槽输出侧周围的晶片存在裂纹，喷砂研磨也有破裂问题。裂纹引起两个不相关的问题。通常裂纹有几十微米大，会限制加热室接近输送槽边缘的程度。有时候裂纹较大，会引起制造过程中的收得率损失。当所需的输送槽长度增大而宽度减小时，裂纹问题将更加突出。在这种加工方法中，输送槽的最后形状受许多因素控制。输送槽边缘位置的变化会导致墨水流动阻力的变化。由于输送槽位置是在恶劣的环境中用机械方法来控制的，所以输送槽定位的精度和重复性被限制在大约+/-15微米。
钇铝石榴石(YAG)激光器加工也有缺点。这种激光系统购买和维护都非常昂贵。相对较小的激光束必须进行“窗格移动”，即围绕所要求的输送槽区域边界移动，而且需经过多遍才能切穿晶片。激光能量聚焦在一个小圆点上(直径大约为10至50微米)。这一很小的有效面积要求在激光产生脉冲的时候激光光点绕待切割区域的周边来回移动。在一个实施例中硅晶片的标称厚度是670微米，为切穿它需在每一周边位置多次产生激光脉冲。晶片加工时间一般为2至3小时，从而限制了系统的生产能力。当激光烧穿硅时，在切口周围区域的硅被熔化而不是被气化了。熔化了的硅溅射到开槽边缘周围并造成部分粘附的问题，所留下的熔滴或熔渣过后会脱落而阻塞墨水的输送路径。激光切割区周围的区域变得相当热而损坏薄膜和隔离材料。
氢氧化钾(KOH)蚀刻会破坏薄膜，因为氢氧化钾是一种能蚀刻硅的腐蚀性的碱性化学物质，而且还会侵蚀用于多种喷墨打印头的薄膜。为了防止氢氧化钾蚀刻剂侵蚀薄膜，必须在加工薄膜之前进行蚀刻。这种加工次序会产生问题，因为很多薄膜加工工具不能处理开了槽的晶片。对于各向异性的蚀刻，不同晶面的蚀刻速率是不一样的；因此蚀刻的几何形状是由晶面确定的。蚀孔倾角使输送槽背面的开口很大，因而限制了输送槽相互靠近的程度，也限制了输送槽靠近晶片边缘的程度。
氢氧化四甲铵(TMAH)是另一种用于硅的各向异性的蚀刻剂。氢氧化四甲铵蚀刻技术在硅的<100>晶面上产生的蚀孔倾角使输送槽背面的开口很大，因而限制了输送槽相互靠近的程度，也限制了输送槽靠近晶片边缘的程度。作为一种各向异性的蚀刻方法，不同晶面上的氢氧化四甲铵蚀刻速率是不一样的，因此蚀刻几何形状是由晶面确定的。每分钟的蚀刻速率大约只有1微米。如果从两面进行蚀刻，晶片的蚀刻时间一般大约为8小时，如果从单面蚀刻大约为12小时。晶片可以进行批量加工。由于蚀刻时间延长，遮蔽膜片出现严重底切部分。这些膜片会破裂并变成可移动的污染物，从而阻塞打印头组合件中的墨水流动。晶片边缘周围阻挡蚀刻的氧化物在晶片的加工过程中被刮掉和损坏。在晶片上氧化物层已损坏的地方会发生蚀刻，造成晶片脆弱和在随后工序操作中的问题。晶片中的输送槽会使隔离材料变薄。
干式等离子体蚀刻方法的蚀刻速率相对较慢。每分钟的蚀刻速率大约只有2微米。如果从两面进行蚀刻，晶片的蚀刻时间一般大约为3小时，如果从单面蚀刻大约为6小时。晶片不能进行批量加工。长时间的蚀刻对用于喷墨的薄膜造成损坏。干式等离子体刻蚀机非常昂贵。晶片中的输送槽使隔离材料变薄。
根据本发明的一个特征，断开槽是通过蚀刻加工形成的。在优选实施例中，蚀刻过程是在薄膜结构中加上隔离层之前进行的。
通过下面对附图所示实施例的详细说明，将使本发明的这些及其它的特征和优点变得更加清楚，其中图1A是在打印头制造过程第一步之后，也即硅基底上已经形成喷墨薄膜结构之后的打印头结构顶视平面图；图1B是图1A中的打印头结构在下一步制造过程，即已经完成氢氧化四甲铵蚀刻过程产生断开槽之后的横断面视图。
图2A是制造过程的第一个替代实施例的基底薄膜制造步骤完成之后的基底顶面顶视平面图，图2B是图2A中替代实施例的氢氧化四甲铵蚀刻过程完成之后的打印头结构横断面视图。
图3A是打印头制造过程的第二个替代实施例的基底薄膜制造步骤完成之后的基底顶面顶视平面图，图3B是图3A中的打印头结构在氢氧化四甲铵蚀刻过程已经完成产生断开槽之后的横断面视图。
图4A是打印头制造过程的第三个替代实施例的基底薄膜制造步骤完成之后的基底顶面顶视平面图，图4B是图4A中的打印头结构在氢氧化四甲铵蚀刻过程已经完成产生断开槽，并且加上了隔离层之后的横断面视图。
图5A是打印头制造过程的第四个替代实施例的基底薄膜制造步骤完成之后的基底顶视平面图，图5B是图5A中的打印头结构在氢氧化四甲铵蚀刻过程已经完成而产生断开槽，并且加上了隔离层之后，沿图5A中5B-5B剖面的横断面视图。图5C是图5A中的打印头结构在氢氧化四甲铵蚀刻过程已经完成而产生断开槽，并且加上了隔离层之后，沿图5A中5C-5C剖面的横断面视图。
图6A是基底另一个实施例的示意性顶视图，其中用作止裂条的槽在拐角处没有连接。图6B是沿图6A中6B-6B剖面的横断面视图。
图7A是断开槽加工方法另一个实施例的顶视图，除了省去顶边止裂条和底边止裂条之外，类似于图6A中的实施例；图7B是沿图7A中7B-7B剖面的横断面视图。
具体实施例方式
在具有本发明特征的加工方法实施例中，采用了至今在喷墨打印头制造中使用的薄膜材料和加工方法。对加工方法的改变包括重新设计光掩模组上的图模，使得硅晶片中要进行氢氧化四甲铵(TMAH)蚀刻的区域不被覆盖住，从而形成具有根据本发明特征的槽。氢氧化四甲铵是硅的各向异性蚀刻剂。进行各向异性的蚀刻，不同晶面上的蚀刻速率是不一样的，因此蚀刻几何形状是由晶面确定的。断开槽的蚀刻发生在完成薄膜加工之后、加上隔离材料之前。氢氧化四甲铵蚀刻过程包括以下几个步骤1.通过背面氧化腐蚀(BOE)进行晶片表面清理。
2.去离子水冲洗。
3.氢氧化四甲铵蚀刻。
4.去离子水冲洗。
接着使晶片经受现有的加工方法处理以完成打印头结构的制造过程。将研磨成孔工艺调到符合断开槽设计所要求的形状和尺寸。制造打印头的简化工艺流程中的每个步骤如下所示。
1.制作喷墨薄膜结构2.进行氢氧化四甲铵蚀刻加工3.对薄膜进行电子测试4.加上隔离层并使其形成图案5.用研磨加工制作墨水输送槽6.安装喷嘴7.分割晶片8.将打印头固定到软性电路上步骤1和3-8是上面描述的目前工艺中的加工步骤。步骤2是上面描述的新的断开槽蚀刻步骤。
本发明解决了下面这些问题。通常由于研磨加工方法所引起的开裂被周边蚀刻槽抑制和阻挡。在很多情况下，蚀刻槽限定了裂缝位置。因此能够将输送槽边缘更加移近电阻器而产生更快的墨水再填充速率，并且能降低废品率而且输送槽的宽度和长度不再重要。
通过照相平版法和确定槽形状的硅晶面能够精确和重复地确定输送槽或槽的形状。不同晶面上的氢氧化四甲铵蚀刻速率有很大差别。由于这个原因，对于从硅晶片表面上<100>晶面开始的蚀刻，会在晶片中一直向下进行直至碰到<111>晶面。<111>晶面与<100>晶面成53度角，因此会蚀刻出一个横截面为“V”形的凹槽。在<100>晶面上，<111>晶面之间以90度角相交，因此对于具有“V”形横断面的槽，能够很容易地在分子水平上形成正方形或矩形的图案。用来确定槽位置的照相平版法也使得槽或输送槽的边缘位置可以精确和重复地加以设定。
硅蚀刻出的槽很浅，因而蚀刻相对较快。对于一批25个晶片，其蚀刻时间一般为20-50分钟。晶片的研磨成孔时间一般是50-70分钟。蚀刻时间相当短，因此不会对晶片边缘产生明显破坏。这个过程不会产生足够的热量来损坏周围的薄膜或喷墨材料。
由于这项加工技术中所用的蚀刻槽很窄而且相对较浅，所以能使隔离层的变薄减小到最低程度。氢氧化四甲铵蚀刻和相对较短的蚀刻时间可以防止对喷墨打印头的薄膜造成损坏。对蚀刻槽外面裂纹的控制使得因裂纹引起的薄膜损坏减到最低程度。
在图1A-7B中示出了一些示范性的断开槽设计，其中相同的标号代表相同的部件，并在下面加以介绍。利用断开槽的输送槽实施例(图1A-1B)在断开槽实施例中，在研磨成孔加工之前先环绕墨水输送槽区域的周边蚀刻出一“V”形槽。该槽作为裂缝起始位置来控制研磨加工的穿透位置，在本实施例中的研磨加工是研磨成孔加工。此外，该槽还阻挡了在研磨开孔加工中出现的浅层裂纹的扩展。
图1A是在制造过程的第一步之后，也即硅基底上已经形成喷墨薄膜结构之后的打印头结构100的顶视平面图。图1B是打印头结构100在氢氧化四甲铵蚀刻过程已经完成产生断开槽，并且加上了隔离层112之后的横断面视图。
打印头结构100包括硅基底102，其上已形成具有一定图案的各层以制造薄膜结构，整体如图1B中的101所示。薄膜结构的细节会因具体的打印头设计而变化。图1A-1B以简化形式示出了构成当作示例的薄膜结构的一些带图案的层。包括场氧化层104、多晶硅层106、由碳化硅和氮化硅层组成的钝化层108、用来形成打印头加热电阻器的钽层110。还有未示出的，比如构成连接迹线的铝层。
所要求的打印头输送槽位置在图1A中用标出输送槽周边的虚线120表示。在虚线120里面的打印头材料都要除去以形成打印头输送槽。在输送槽区域内的场氧化(FOX)层将用作氢氧化四甲铵蚀刻的掩模，虚线120附近区域122中的场氧化层已经被去掉，为氢氧化四甲铵槽蚀刻加工作好准备。在热喷墨打印头的制造过程中，一般要将场氧化物层去掉以接触到基底中的硅。然而在过去，场氧化物层保留在墨水输送槽区域内。氢氧化四甲铵不能蚀刻场氧化层，因此必须有选择地将场氧化物去掉，使硅基底的蚀刻可以发生。用于接触蚀刻的光掩模设计与先有技术相比有了改进，因此可以同时为了基底接触和断开槽将场氧化物层去掉。使该区域在后面的薄膜加工过程中保持不被复盖住，然后通过氢氧化四甲铵蚀刻加工来形成断开槽。
做为选择，可以用钝化层(氮化硅/碳化硅)来代替场氧化物层作为氢氧化四甲铵蚀刻加工的掩模。在一个示范性的替代实施例中，将钝化层延伸到与场氧化物层的边缘重叠大约3微米。
经氢氧化四甲铵蚀刻加工之后，在基底102中形成了断开槽124(图1B)。在一个示范实施例中，槽的宽度是80微米，预定深度是58微米，不过对于不同的输送槽尺寸或用途，槽的宽度和深度可以是不同的。现在可以进行制造过程中后面的步骤3-8。这些步骤包括薄膜结构的电子测试，以及加上隔离层112并使其形成图案(图2B)。隔离层通常是一个聚合物层。
当隔离层在打印头结构上设置好之后，通过研磨加工来形成墨水输送槽，在本例中从基底102的底侧(与薄膜层侧相反的一侧)沿开孔槽126进行研磨成孔。示范实施例中的研磨成孔加工使用了喷砂系统，它将细氧化铝磨料混入高压气流中。接着将磨料和空气的混合物从喷嘴喷出，喷嘴的大小与形状适合于在基底中形成所要求的开槽断面。对研磨开孔加工时间、加工压力和喷嘴与硅基底的距离要进行调整，以便在硅基底中得到适当的输送槽。
开孔槽126最好深入到槽124的底部。于是在开孔槽里面的基底材料，在图1A中表示为102A，与基底的其余部分完全分离，并可以将其移去以形成用于打印头的输送槽。
现在可以将打印头结构100送往后面的制造步骤，包括安装孔板、分割晶片、以及将打印头固定到软性电路上，其中软性电路通常是一种带式自动键合(TAB)电路，用来固定到打印头壳体上。利用断开槽和开孔导向槽的输送槽实施例(图2A-2B)在这个实施例中，沿一个较深的“开孔导向”槽发生初始穿透，然后发展到输送槽周边的蚀刻槽。输送槽周边的蚀刻槽主要起到阻挡裂纹的作用。因此，对于这种工艺过程，喷砂开槽加工将首先在槽中间处穿透晶片。接着喷砂开槽将连续进行，直至通槽增大到外侧的断开槽的尺寸。止裂特性是指裂纹穿过槽内壁时会终止从而阻挡浅裂纹的扩展。当裂纹或裂缝穿过内壁时，裂纹会因为不能通过间隙将应力传播而停止。
图2A是基底薄膜制造步骤完成之后的基底102顶面顶视平面图。图2A所示结构类似于图1A的，但位于输送槽中间位置的场氧化层也被去掉，因此122A处的硅基底表面也暴露出来。接着进行氢氧化四甲铵槽蚀刻加工，以形成沿着虚线120表示的轮廓(图2A)的周边蚀刻槽134，以及在中央区域122A的较深的开孔导向槽132。在一个示范实施例中，周边槽的宽度大约为60微米，最大深度处为43微米，开孔导向槽的宽度大约为80微米，最大深度处为53微米。
蚀刻掩模的宽度将决定由氢氧化四甲铵蚀刻产生槽的最终深度。这是因为硅晶体结构中<111>晶面的蚀刻速率很低。当<111>晶面以一个尖锐的“V”形终止时，较浅的周边槽将到达一个停止点。较宽的中央槽还没有到达该终止点，因而将继续以较高的蚀刻速率进行蚀刻。
在氢氧化四甲铵蚀刻过程已经完成，并形成了图2B所示的两个槽132、134之后，可进行制造过程中后面的步骤。沿开孔槽136进行研磨成孔，于是沿较深的开孔导向槽132发生硅基底102的初始穿透。接着材料的去除向周边蚀刻槽134发展。穿透槽的大小将由机械喷砂开槽加工过程决定。利用中间槽的输送槽实施例(图3A-3B)在这个实施例中，研磨孔槽的尺寸小到可以位于氢氧化四甲铵蚀刻槽的中心，槽的倾斜侧面用来抑制裂纹并确定输送槽的形状和位置。
图3A是基底薄膜制造步骤完成之后的基底102顶面顶视平面图。图3B示出了氢氧化四甲铵蚀刻加工已经完成且加上了隔离层112之后的基底102的横断面。图3A所示结构类似于图1A的，但是在输送槽中的场氧化层104也被去除到靠近边缘，只剩下场氧化层的边缘区域104C，因此在区域156的硅基底表面也是暴露的。接着进行氢氧化四甲铵槽蚀刻加工，按照虚线120表示的轮廓(图3A)形成蚀刻槽152。
在氢氧化四甲铵蚀刻过程已经完成，并形成了槽152之后，可进行制造过程中后面的步骤。沿开孔槽154进行研磨成孔，将开孔槽中的材料去掉后就形成了墨水输送槽。在某些应用中，这个实施例能够形成比前两个实施例更窄的输送槽。利用中间槽的多输送槽实施例(图4A-4B)这个实施例类似于图3A-3B中所述的中央槽实施例，但采用了多个小输送槽，因此有更多的硅留在打印头晶片的中心以增加晶片的强度。
图4A是基底薄膜制造步骤完成之后的基底102顶面顶视平面图。图4B是打印头结构170在氢氧化四甲铵蚀刻过程已经完成产生断开槽，并且加上了隔离层112之后的横断面视图。图4A所示结构类似于图3A的，在输送槽中的场氧化层104被去掉到靠近边缘，剩下场氧化层的边缘区域104C。虚线172A-172D表示所要求的多个墨水输送槽的周边。接着进行氢氧化四甲铵槽蚀刻加工，在区域178中形成一个蚀刻槽。
在氢氧化四甲铵蚀刻过程已经完成，并形成了槽174之后，可进行制造过程中后面的步骤。对于每个输送槽位置172A-172D都沿一个开孔槽进行研磨成孔，包括用于输送槽位置172C的开孔槽176C，将开孔槽中的材料去掉后就形成了多个墨水输送槽。因此，在单个加工步骤中就可以完成所要求的图案而生产出带有若干从单个来源输送墨水的输送槽的喷嘴。在一个示范实施例中，小矩形孔口大约200微米宽、1500微米长，喷嘴口之间隔开1500微米。因此喷嘴就带有一连串较小的输送槽。利用带孤立区槽的多输送槽实施例(图5A-5C)在这种设计中，墨水输送槽之间留有孤立区用来帮助支撑隔离层，增加晶片强度和促进气泡的排除。当气泡增大时，输送槽边缘的楔形孤立区迫使气泡向墨水输送槽移动。
图5A是基底薄膜制造步骤完成之后的基底102顶面顶视平面图。图5B是打印头结构190在氢氧化四甲铵蚀刻过程已经完成产生断开槽并且加上了隔离层112之后的横断面视图。除了场氧化层104的棱形孤立区104D1-104D3留在输送槽区域中之外，图5A所示结构类似于图4A的。这些孤立区将掩蔽下面的硅基底区域，使其不受氢氧化四甲铵的蚀刻。虚线172A-172D表示所要求的多个墨水输送槽的周边。
接着进行氢氧化四甲铵槽蚀刻加工，在区域178中形成一个具有一定图形的蚀刻槽192。
在氢氧化四甲铵蚀刻过程已经完成，并形成了槽192之后，可进行制造过程中剩余的步骤。当加上隔离层112时，隔离层将覆盖棱形孤立区104D1-104D3，如图5C所示。对于每个输送槽位置172A-172D都沿一个开孔槽进行研磨成孔，包括用于输送槽位置172C的开孔槽176C，将开孔槽中的材料去掉后就形成了多个墨水输送槽。
这种带孤立区槽设计在场氧化层上采用了不同的图模(硬掩模)以便在墨水输送槽区域的中间形成孤立区图形。这种光掩模是用来在墨水输送槽区域的中间留下棱形孤立区，如图5A所示。与上述实施例一样，接着将隔离层叠合上去并形成需要的图案，在本例中，使隔离层材料覆盖在棱形孤立区的上面以帮助支撑稍后要加上去的孔板。与图4A-4B中的实施例一样还要进行开孔，于是在孤立区之间就形成了一些小的通槽，如图5B所示。通槽的横断面中的槽在孤立区中心时较浅，当靠近5B-5B所示横断面时会变深变宽。止裂条图6A-6B示意性地示出了另一个实施例，其中用作止裂条的槽在拐角处没有连接。图6A是打印头结构220在制造步骤2之后，即带有薄膜层的硅基底102已经经受了氢氧化四甲铵蚀刻加工而形成侧边槽226A、226B以及顶边槽和底边槽228A、228B之后的示意性顶视图。开孔槽用虚线222表示。在沿开孔槽232(图6B)进行的研磨加工过程中，位于虚线222里面的基底都要被去掉以形成输送槽。在一个示范实施例中，侧边槽80微米宽、8300微米长，而顶边槽和底边槽为160微米宽、80微米高。两侧边槽的外边的间距为260微米；顶槽和底槽的外边到外边的间距为8480微米。在这个实施例中的槽预定深度为58微米。
场氧化物区域104A和104E1-E4(图6A)构成了侧边槽226A-226B与顶和底边槽228A-228B之间的分隔界限。
图6A中的实施例具有一些优点。输送槽中间和两端之间的隔离层变薄的差别程度减小，因为输送槽两端的槽将不会象图1A实施例中蚀刻得那么深或那么宽。晶片各侧边仍然具有防止晶片裂纹的作用。一个可能的缺点是尖锐蚀刻拐角的增加会导致晶片强度的减小。侧槽方案图7A-7B示出了断开槽加工的另一个实施例，除了省去顶边止裂条和底边止裂条之外，类似于图6A-6B中的实施例。图7A是打印头结构240在制造步骤2之后，即带有薄膜层的硅基底已经经受了氢氧化四甲铵蚀刻加工而形成侧槽246A、246B之后的示意性顶视图。与图6A中一样，标准开孔槽由虚线222表示，在一个示范实施例中，其标称尺寸与图6A所述实施例中的相同。对于打印头结构240，只采用了侧边止裂条246A、246B，它们由场氧化层区域104F(图7A)隔开。因此，在输送槽区域的两侧形成蚀刻槽，但在输送槽的顶端和底端不会形成蚀刻槽。在一个示范实施例中，侧槽的宽度可以为80微米、长度可以为8430微米。在另一个示范实施例中，槽的长度为8100微米，稍短于输送槽以增加晶片的强度。在随后沿开孔槽250(图7B)进行的研磨加工过程中，位于虚线222里面的基底材料都要被去掉。
应当知道上述实施例只是作为代表本发明原理的某些特殊实施例的例证。在不违背本发明范围和精神的情况下，本领域的技术人员可以很容易地根据这些原理设计出其它的方法。
权利要求
1.一种制造喷墨打印头(100)的方法，包括制备打印头基底(102)；在所述基底上制造薄膜结构(101)；在其中要形成输送槽(120)的所述基底的表层区域中形成断开槽结构；接着对所述基底的断开槽进行研磨加工以形成所述输送槽。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制造薄膜结构的步骤包括在所述基底的第一表面上制造所述薄膜结构，所述形成断开槽结构的步骤包括在所述基底的所述第一表面中形成所述断开槽结构。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基底的研磨加工步骤包括从所述基底的第二表面对所述基底进行研磨成孔至所述第一表面中形成的所述断开槽结构。
4.根据前面任何权利要求所述的方法，其特征在于，所述形成断开槽结构的步骤包括通过蚀刻加工蚀刻出所述槽。
5.根据前面任何权利要求所述的方法，其特征在于，所述输送槽具有周边，形成所述断开槽的步骤包括环绕所述输送槽的所述周边形成一周边断开槽(134)。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，形成所述断开槽结构的步骤还包括在所述周边里面形成一导向槽(132)。
7.根据权利要求1-4中任何一个所述的方法，其特征在于，形成所述断开槽结构的步骤包括在所述输送槽的整个区域上形成一宽槽(152)。
8.根据权利要求1-4中任何一个所述的方法，其特征在于，所述墨水输送槽包括若干间隔的小输送槽(172A-172D)，形成所述断开槽结构的步骤包括形成若干小槽(174)，每一个对应于所述间隔开的小输送槽。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述基底的研磨加工步骤产生若干基底孤立区(104D1-104D3)，保留在隔开所述小输送槽的区域中。
10.根据权利要求1-4中任何一项所述的方法，其特征在于，形成所述断开槽结构的步骤包括在围绕所述待形成输送槽周边的附近形成不相连的止裂槽(226A、226B)。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述不相连的止裂槽包括邻界所述周边的长侧边的左边侧槽和右侧边槽(226A、226B)，和临界所述周边的顶边和底边的顶边槽和底边槽(246A、246B)。
12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述不相连的止裂槽包括邻界所述周边的长侧边的左侧槽和右侧槽(226A、226B)，但是在邻界所述周边的顶边和底边的地方没有槽。
13.根据前面任何权利要求所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在形成所述断开槽结构之后、在研磨加工所述基底之前，将一隔离层加到所述薄膜结构上。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，还包括将孔板结构固定到所述隔离层上。
15.根据前面任何权利要求所述的方法，其特征在于所述制备打印头基底的步骤包括制备一硅基底，且所述形成断开槽结构的步骤包括用氢氧化四甲铵(TMAH)蚀刻方法蚀刻所述硅基底。
全文摘要
一种制造喷墨打印头的技术方法,包括制备打印头基底(100),在基底上制作薄膜结构(101),在基底的要形成输送槽的表层区域中形成断开槽,接着通过研磨对基底上的断开槽加工而形成输送槽。在优选实施例中,可以在将隔离层加到薄膜结构上之前通过蚀刻加工方法来形成断开槽。
文档编号B41J2/16GK1357457SQ01143
公开日2002年7月10日 申请日期2001年12月5日 优先权日2000年12月5日
发明者T·S·霍斯泰特勒 申请人:惠普公司