发光器件的制作方法

专利名称：发光器件的制作方法
发明的背景1.发明的领域本发明涉及到OLED平板，其中制作在衬底上的有机发光器件(OLED)被包围在衬底与覆盖元件之间。本发明还涉及到OLED模块，其中控制器IC等被安装在OLED平板上。注意，在本说明书中，OLED平板和OLED模块通常被称为发光器件。本发明还涉及到采用此发光器件的电子设备。
2.相关技术的描述OLED自身发光，因而具有高清晰度。OLED不需要液晶显示器(LCD)所必须的后照光，适合于减小发光器件的厚度。OLED还没有视角限制。因此，作为一种代替CRT或LCD的显示器，OLED近来受到了注意。
OLED包括含有有机化合物(有机发光材料)的层(以下称为有机发光层)、阳极层和阴极层，在含有有机化合物的层中获得了借助于施加电场而产生的发光(电致发光)。从单重激发态返回基态过程中的光发射(荧光)和从三重激发态返回基态过程中的光发射(磷光)，为有机化合物的发光形式。本发明的发光器件可以采用上述发光中的一种或二者。
注意，在本说明书中，提供在OLED的阳极与阴极之间的所有的层，被定义为有机发光层。此有机发光层具体包括发光层、空穴注入层、电子注入层、空穴输运层、电子输运层、等等。OLED基本上具有阳极/发光层/阴极顺序层叠的结构。除了这种结构之外，OLED可以具有阳极/空穴注入层/发光层/阴极顺序层叠的结构或阳极/空穴注入层/发光层/电子输运层/阴极顺序层叠的结构。
在发光器件的实际使用中，目前一个严重的问题是，伴随着包含在有机发光层中的有机发光材料的退化，OLED的亮度下降。
有机发光层中的有机发光材料容易受到潮气、氧、光和热的影响，这些因素促进了有机发光材料的退化。具体地说，有机发光层的退化速度受到用来驱动发光器件的器件结构、构成有机发光层的有机发光材料的特性、电极材料、制造工艺条件、驱动发光器件的方法等等的影响。
即使当恒定的电压从成对的电极被施加到有机发光层时，OLED的亮度也由于有机发光层的退化而降低。若OLED的亮度降低，则显示在发光器件上的图象变得不清楚。注意，在本说明书中，从一对电极施加到有机发光层的电压被定义为OLED驱动电压(Ve1)。
而且，在使用对应于R(红)、G(绿)、B(蓝)的三种OLED的彩色显示模式中，构成有机发光层的有机发光材料依赖于对应的OLED的颜色而不同。因此，可能存在着OLED的有机发光层根据相应的颜色而以不同的速度退化的情况。在这种情况下，OLED的亮度依赖于颜色而随时间不同。于是，无法在发光器件上显示所需的颜色。
而且，OLED的亮度具有很强的温度依赖性质，于是在恒压驱动中存在着显示亮度和色调随温度变化的问题。
发明的概述考虑到上述情况，提出了本发明，因此，本发明的目的是提供一种发光器件，其中OLED的亮度变化被抑制，且即使当有机发光层稍许退化或当环境温度变化时，也能够稳定地执行所需的彩色显示。
在具有恒定OLED驱动电压的光发射与具有恒定电流流过OLED的光发射之间，本发明人将注意力放在退化造成的OLED亮度下降在后者中较小的事实上。注意，在本说明书中，流过OLED的电流被称为OLED驱动电流(Ie1)。
图2示出了OLED驱动电压恒定的情况与OLED驱动电流恒定的情况之间的OLED亮度的变化。如图2所示，在恒定OLED驱动电流的OLED中，退化造成的亮度变化较小。这是因为不仅直线L-I的倾斜变小(见

图18B)，而且曲线I-V本身在OLED退化时向下侧移动(见图18A)。
于是，本发明人发明了一种发光器件，其中OLED驱动电压能够被修正成即使OLED驱动电流由于退化等而变化，也使OLED驱动电流总是保持恒定。
具体地说，本发明的发光器件包括用来测量象素部分OLED的OLED驱动电流的第一装置、用来根据测得的数值而计算施加到OLED的电压的第二装置、以及用来实际控制电压数值的第三装置。
注意，第二装置可以是用来比较测得的电流数值与参考电流数值的装置，而第三装置可以是用来控制可变电源以缩小测得数值与参考数值之间的差异，并修正显示器象素的OLED(以下称为显示器OLED或第一OLED)的OLED驱动电压的装置，在存在差异的情况下是监视器OLED。
注意，在本说明书中，可变电源指的是馈送到电路或元件的电压不是恒定的而是可变的一种电源。
当象素部分OLED的OLED驱动电流被测量时，监视器的图象根据监视器的视频信号(以下称为监视器视频信号)被显示在象素部分上。但此监视器视频信号在各自包括灰度信息这一点上与视频信号相同，只是它们之间待要显示的图象的系统不同。监视器图象可以是静态图象或动态图象。而且，可以在所有象素中显示相同的灰度。
注意，电流的参考数值不必总是固定在同一个数值。预备了多个具有不同参考电流数值的监视器图象，并可以对每个监视器选择监视器图象。当然，也可以预备具有同一个参考电流数值的几种监视器图象。
在本发明的发光器件中，利用上述结构，即使有机发光层有退化，也能够抑制OLED亮度的下降。结果，能够显示清楚的图象。
而且，在使用对应于R(红)、G(绿)、B(蓝)的三种OLED的彩色显示模式中，可以提供对应于各个颜色的监视器象素部分，并可以对各个颜色的每个OLED测量OLED驱动电流，从而修正OLED驱动电压。利用这种结构，防止了失去各个颜色中的亮度平衡，且即使OLED的各个有机发光层根据对应的颜色以不同的速度退化，也能够显示所需的颜色。
而且，有机发光层的温度受到外部温度、OLED平板本身产生的热等等的影响。通常，当OLED以恒定的电压被驱动时，流动的电流的数值随温度而变化。图3示出了有机发光层的温度被改变时的OLED电压-电流特性的变化。当电压恒定时，若有机发光层的温度升高，则OLED驱动电流升高。由于OLED驱动电流与OLED亮度之间的关系基本上是正比关系，故OLED亮度随OLED驱动电流升高而升高。在图2中，恒压亮度示出了大约24小时的垂直周期。这是因为反映了白天和黑夜之间的温差。但在本发明的发光器件中，借助于修正OLED驱动电压，即使有机发光层的温度被改变时，OLED驱动电流也能够总是保持恒定。因此能够获得恒定的亮度，而不受温度变化的影响，且还能够防止伴随着温度升高的功耗增大。
而且，在温度改变时，OLED驱动电流的变化程度通常依赖于有机发光材料的种类而不同。于是在颜色显示中，可能根据温度而分别改变各个颜色的OLED的亮度。但在本发明的发光器件中，能够得到恒定的亮度而不受温度变化的影响。于是，防止了失去各个颜色中亮度的平衡，从而能够显示所需的颜色。
顺便说一下，本发明对数字时间灰度驱动的有源矩阵发光器件特别有用，还可用于模拟灰度驱动的有源矩阵发光器件。而且，本发明能够适用于无源发光器件。
附图的简要说明在附图中图1是本发明的发光器件的方框图；图2示出了恒流驱动或恒压驱动中退化造成的亮度变化；图3示出了电流随有机发光层温度的变化；图4是本发明的发光器件的象素电路图；图5示出了电压根据修正的变化；图6是修正电路的方框图；图7示出了偏离电流与修正电压之间的关系；图8是本发明的发光器件的象素电路图；图9示出了本发明的发光器件的驱动方法；图10A和10B是驱动电路的方框图；图11A-11C示出了本发明的发光器件的外貌；图12示出了本发明的发光器件的外貌；图13A-13D示出了本发明的发光器件的制造方法；图14A-14C示出了本发明的发光器件的制造方法；图15A-15B示出了本发明的发光器件的制造方法；图16A-16B示出了本发明的发光器件的制造方法；图17A-17H示出了采用本发明的发光器件的电子设备；而图18A-18B示出了退化造成的OLED的电压-电流特性和电流-亮度特性的变化。
优选实施方案的详细描述以下将描述本发明的结构。
图1是本发明的OLED平板的结构方框图。参考号101表示象素部分，其中多个象素102被制作在矩阵中。参考号103表示源线驱动电路，而参考号104表示栅线驱动电路。
注意，虽然在图1中，源线驱动电路103和栅线驱动电路104被制作在其上制作象素部分101的衬底上，但本发明不局限于这种结构。源线驱动电路103和栅线驱动电路104也可以被制作在不同于其上制作象素部分101的衬底的衬底上，并可以通过诸如FPC之类的连接件被连接到象素部分101。而且，在图1中，提供了一个源线驱动电路103和一个栅线驱动电路104，但本发明不局限于这种结构。源线驱动电路103和栅线驱动电路104的数目可以由设计者任意设定。
而且，在图1中，源线S1-Sx、电源线V1-Vx、和栅线G1-Gy被提供在象素部分101中。注意，源线的数目和电源线的数目不总是相同的。而且，除了这些线之外，可以提供不同的线。
各个OLED 105分别被提供在各个象素102中。各个OLED 105具有阳极和阴极。在本说明书中，在阳极被用作象素电极(第一电极)的情况下，阴极被称为反电极(第二电极)，而在阴极被用作象素电极的情况下，阳极被称为反电极。
各个象素102的各个OLED 105的象素电极，通过一个TFT或多个TFT，被连接到电源线V1-Vx之一。电源线V1-Vx都通过电流表107被连接到可变电源106。而且，各个OLED 105的反电极都被连接到可变电源106。注意，各个OLED 105的反电极可以通过一个元件或多个元件被连接到可变电源106。
注意，在本说明书中，可变电源指的是馈送到电路或元件的电压是可变的这样一种电源。在图1中，可变电源106被连接成使电源线侧保持在高电位(Vdd)而反电极侧保持在低电位(Vss)。但本发明不局限于这种结构，可变电源106也可以被连接成使流过OLED 105的电流具有正向偏压。
顺便说一下，在图1中，所有的电源线V1-Vx被串联连接到电流表107。但某些电源线V1-Vx可以通过电流表107被连接到可变电源106，而其余的电源线V1-Vx可以不通过电流表107而被连接到可变电源106。
而且，提供电流表107的位置不必位于可变电源106与电源线之间。此位置可以位于可变电源106与反电极之间。
参考号108表示修正电路，它根据电流表107测得的电流数值(测量值)来控制从可变电源106馈送到反电极和电源线V1-Vx的电压。
顺便说一下，电流表107、可变电源106、修正电路108可以被制作在不同于其上制作象素部分101的衬底的衬底上，并可以通过连接件之类被连接到象素部分101。若有可能，上述的各个元件可以如象素部分101那样被制作在相同的衬底上。
而且，在彩色显示模式中，可以为每个颜色提供可变电源和电流表，并可以在各个颜色的OLED中修正OLED驱动电压。注意，此时可以为各个颜色提供修正电路，或可以为多个颜色的OLED提供公共的修正电路。
图4示出了象素的详细结构。图4中的象素具有源线Si(i＝1-x)、栅线Gj(j＝1-y)、电源线Vi、开关TFT 110、驱动TFT 111、电容器112、以及OLED 105。图4所示的象素结构仅仅是一个例子，象素的线和元件数目、其种类、以及连接，不局限于图4所示的结构。只要各个象素的OLED的OLED驱动电压能够被可变电源106控制，本发明的发光器件可以具有任何结构。
在图4中，开关TFT 110的栅电极被连接到栅线Gj。开关TFT 110的源区和漏区之一被连接到源线Si，而另一个被连接到驱动TFT 111的栅电极。驱动TFT 111的源区和漏区之一则被连接到电源线Vi，而另一个被连接到OLED 105的象素电极。电容器112被制作在驱动TFT 111的栅电极与电源线Vi之间。
在图4所示的象素中，栅线Gj的电位受栅线驱动电路104控制，而源线Si被源线驱动电路103输入视频信号或监视器视频信号。当开关TFT 110被开通时，输入到源线Si的视频信号或监视器视频信号，通过开关TFT 110被输入到驱动TFT 111的栅电极。然后，当驱动TFT 111根据此视频信号或监视器视频信号被开通时，OLED驱动电压被可变电源106施加于OLED 105的象素电极与反电极之间。OLED105于是发光。
当OLED 105发光时，用电流表107测量电流。测得的数值作为数据被送到修正电路108。测量电流的周期根据电流表107的性能而不同，此周期的长度必须等于或大于测量得以执行的周期。而且，用电流表107使测量周期内流动的电流的平均值或最大值被读出。
在修正电路108中，测得的电流值与预定的电流值(参考值)被比较。在测得的数值与参考值之间存在着某些差异的情况下，修正电路108则控制可变电源106，并修正电源线V1-Vx与反电极之间的电压。于是，各个象素102的OLED中的OLED驱动电压被修正，OLED驱动电流从而以所需的大小流动。
注意，借助于控制电源线侧的电位，可以修正OLED驱动电压，或可以借助于控制反电极侧处的电位来修正。而且，可以借助于控制电源线侧的电位和反电极侧的电位二者，来修正OLED驱动电压。
图5示出了在彩色发光器件中，电源线侧的电位被控制的情况下，各个颜色的OLED的OLED驱动电压的变化。在图5中，Vr表示红色OLED中修正之前的OLED驱动电压，而Vr0表示修正之后的OLED驱动电压。同样，Vg表示绿色OLED中修正之前的OLED驱动电压，而Vg0表示修正之后的OLED驱动电压。Vb表示蓝色OLED中修正之前的OLED驱动电压，而Vb0表示修正之后的OLED驱动电压。
在图5的情况下，反电极的电位(反电位)在所有的OLED中被固定在同一个水平。对各个颜色的每个OLED测量OLED驱动电流，且电源线的电位(电源电位)被可变电源控制，从而修正OLED驱动电压。
在本发明的发光器件中，利用上述结构，能够获得与图2中OLED驱动电流保持恒定时得到的相同的亮度变化。
根据本发明，利用上述的结构，即使有机发光层退化，也能够抑制OLED的亮度下降。结果，能够显示清晰的图象。而且，在采用对应于各个颜色的OLED的彩色显示发光器件的情况下，防止了失去各个颜色中的亮度平衡，从而即使当OLED的有机发光层根据颜色而以不同的速度退化时，也能够显示所需的颜色。
而且，即使有机发光层的温度受到外界温度、OLED平板本身产生的热等的影响，也能够抑制OLED的亮度变化。还能够防止伴随着温度升高的功耗上升。而且，在具有彩色显示的发光器件的情况下，能够抑制各个颜色的OLED的亮度变化而不受温度变化的影响。于是，防止了失去各个颜色中的亮度平衡，从而能够显示所需的颜色。[实施方案]以下描述本发明的各个实施方案。[实施方案1]在此实施方案中，描述本发明的发光器件的修正电路的详细结构。
图6是此实施方案中的修正电路的结构方框图。修正电路203包括A/D转换器电路204、实测值的存储器205、计算电路206、参考值的存储器207、和控制器208。
电流表201测得的电流值(实测值)，被输入到修正电路203的A/D转换器电路204。在A/D转换器电路204中，模拟实测值被转换成数字值。被转换的实测值的数字数据被输入到实测值的存储器205保持。
另一方面，称为参考值的理想实测值的数字数据，被保持在参考值的存储器207中。在计算电路206中，保持在实测值存储器205中的实测值的数字数据以及保持在参考值的存储器207中的参考值的数字数据，被读出进行比较。
然后，根据实测值的数字数据与参考值的数字数据之间的比较，可变电源202被控制，以便使实际流经电流表201的电流值靠近参考值，从而修正电源线V1-Vx与反电极之间的电压。结果，各个象素的OLED中的OLED驱动电压被修正，从而流动所需大小的OLED驱动电流。
当假设实测值与参考值之间的电流差是偏离电流，且根据电源线V1-Vx与反电极之间的修正而改变的电压量是修正电压时，偏离电流与修正电压之间的关系被示于例如图7中。在图7中，当偏离电流以恒定的宽度变化时，修正电压每次变化恒定的大小。
注意，偏离电流与修正电压之间的关系可以不必与图7所示的曲线相符。偏离电流与修正电压只需具有这样一种关系，使实际流经电流表的电流值变得靠近参考值即可。例如，偏离电流与修正电压之间的关系可以具有线性。偏离电流也可以正比于修正电压的二次方。
注意，此实施方案中所示的修正电路的结构仅仅是一个例子，本发明不局限于这种结构。只要用于本发明的修正电路具有用来比较实测值与参考值的装置以及用来根据电流表的实测值而执行某些计算处理并修正OLED驱动电压的装置即可。当偏离电流变成等于或大于某个固定数值时，可能仅仅需要规定计算处理方法，而不是用存储在存储器中的电流参考值来执行修正。[实施方案2]在此实施方案中，描述本发明的发光器件中与图4不同的象素的结构。
图8示出了此实施方案中的象素的结构。在此实施方案的发光器件的象素部分中，象素300被提供在矩阵中。象素300具有源线301、第一栅线302、第二栅线303、电源线304、开关TFT 305、驱动TFT306、擦除TFT 309、以及OLED 307。
开关TFT 305的栅电极被连接到第一栅线302。开关TFT 305的源区和漏区之一被连接到源线301，而另一个被连接到驱动TFT 306的栅电极。
擦除TFT 309的栅电极被连接到第二栅线303。擦除TFT 309的源区和漏区之一被连接到电源线304，而另一个被连接到驱动TFT 306的栅电极。
驱动TFT 306的源区被连接到电源线304，而驱动TFT 306的漏区被连接到OLED 307的象素电极。电容器308被制作在驱动TFT 306的栅电极与电源线304之间。
电源线304通过电流表310被连接到可变电源311。而且，OLED307的反电极都被连接到可变电源311。注意，在图8中，可变电源311被连接成使电源线侧保持在高电位(Vdd)而反电极侧保持在低电位(Vss)。但本发明不局限于这种结构。只要可变电源311被连接成使流过OLED 307的电流具有正向偏压即可。
电流表310不一定要提供在可变电源311与电源线304之间，可以提供在可变电源311与反电极之间。
参考号312表示修正电路，它根据电流表310测得的电流值(实测值)而控制从可变电源311馈送到反电极和电源线304的电压。
注意，电流表310、可变电源311、和修正电路312可以被制作在不同于其上制作象素部分的衬底的衬底上，并可以通过连接件等被连接到象素部分。如果可能，上述的元件可以如象素部分那样被制作在相同的衬底上。
而且，在彩色显示模式中，可以为每个颜色提供可变电源和电流表，并可以在每个颜色的OLED中修正OLED驱动电压。注意，此时可以为每个颜色提供修正电路，或可以为多个颜色的各个OLED提供公共的修正电路。
在图8所示的象素中，第一栅线302和第二栅线303的电位受不同的栅线驱动电路控制。源线301被源线驱动电路输入视频信号或监视器视频信号。
当开关TFT 305被开通时，输入到源线301的视频信号或监视器视频信号，通过开关TFT 301被输入到驱动TFT 306的栅电极。然后，当驱动TFT 306根据此视频信号或监视器视频信号被开通时，OLED驱动电压被可变电源311施加到OLED 307的象素电极与反电极之间。OLED 307于是发光。
然后，当擦除TFT 309被开通时，驱动TFT 306的源区与栅电极之间的电位差变得靠近0，驱动TFT 306被关断。OLED 307于是不发光。
在本发明中，当OLED 307发光时，电流在电流表310中被测量。测得的数值作为数据被送到修正电路312。
在修正电路312中，测得的电流值与固定的电流值(参考值)被比较。在测得的数值与参考值之间存在着某些差异的情况下，可变电源311则被控制以修正电源线304与反电极之间的电压。于是，象素300的OLED 307中的OLED驱动电压被修正，OLED驱动电流从而以所需的大小流动。
注意，借助于控制电源线侧的电位，可以修正OLED驱动电压，或可以借助于控制反电极侧的电位来修正。而且，可以借助于控制电源线侧的电位和反电极侧的电位二者，来修正OLED驱动电压。
此实施方案所示的象素结构仅仅是一个例子，且本发明不局限于这种结构。注意，借助于与实施方案1进行自由组合，能够实现此实施方案。[实施方案3]在此实施方案中，描述在本发明的发光器件中执行电流修正过程中显示在象素部分上的监视器图象。
在本发明中，可以在预先设定的预定时间进行电流修正。用户也可以任意确定修正时间。
在预先设定的预定时间进行电流修正的情况下，从方便的观点看，最好防止待要显示的图象违背用户的意向而改变。例如，在便携式电话的情况下，设定成仅仅当等待的图象显示时才执行修正。在个人计算机(PC)的情况下，设定成仅仅在防止屏幕烧毁的屏幕保护开始时才执行修正。当各个屏幕被显示时，电流参考值被存储在修正电路中，从而能够执行修正，致使防止待要显示的图象违背用户的意向而改变。
而且，修正进行时显示的图象可以被原封不动地用作监视器图象，并可以使用具有不同参考电流值的监视器图象。在这种情况下，视频信号也被输入到修正电路，并在计算电路等中计算参考值。在不使用监视器图象的情况下，不必使用监视器视频信号，当然，待要显示的图象不违背用户的意向而改变。
借助于与实施方案1或2进行自由组合，能够实现此实施方案。[实施方案4]在此实施方案中，参照图9来描述图1和图4中的本发明的发光器件的驱动方法。注意，在图9中，水平轴表示时间，垂直轴表示连接到栅线的象素的位置。
首先，当写入周期Ta开始时，电源线V1-Vx的电源电位被保持在与OLED 105的反电极电位相同的水平上。然后，连接到栅线G1的所有象素(第一线的象素)各自的开关TFT 110根据经栅线驱动电路104输出的选择信号被开通。
然后，被源线驱动电路103输入到各个源线(S1-Sx)的第一位的数字视频信号(以下称为数字视频信号)，通过开关TFT 110被输入到驱动TFT 111的栅电极。
接着，第一线各个象素的开关TFT 110被关断。与第一线象素相似，连接到栅线G2的第二线各个象素的开关TFT 110被选择信号开通。接着，来自各个源线(S1-Sx)的第一位的数字视频信号，通过第二线各个象素的开关TFT 110，被输入到驱动TFT 111的栅电极。
然后，第一位的数字视频信号被顺序输入到所有线的象素。第一位的数字视频信号被输入到所有线的象素的周期，是写入周期Ta1。注意，在此实施方案中，数字视频信号被输入到象素意味着数字视频信号通过开关TFT 110被输入到驱动TFT 111的栅电极。
写入周期Ta1完成，然后开始显示周期Tr1。在显示周期Tr1中，电源线的电源电位变成其与反电极的电位差，其大小使当电源电位施加到OLED的象素电极时，OLED发光。
在此实施方案中，在数字视频信号具有“0”信息的情况下，驱动TFT 111处于关断状态。于是，电源电位不被提供给OLED 105的象素电极。结果，输入了具有“0”信息的数字视频信号的象素的OLED105不发光。
相反，在数字视频信号具有“1”信息的情况下，驱动TFT 111处于开通状态。于是，电源电位被提供给OLED 105的象素电极。结果，输入了具有“1”信息的数字视频信号的象素的OLED 105发光。
如上所述，在显示周期Tr1中，OLED 105处于发射状态或不发射状态，且所有的象素执行显示。象素执行显示的周期被称为显示周期Tr。确切地说，借助于将第一位的数字视频信号输入到象素而开始的显示周期，被称为显示周期Tr1。
显示周期Tr1完成，则开始写入周期Ta2。电源线的电源电位再次成为OLED反电极的电位。与写入周期Ta1的情况相似，所有的栅线被顺序选择，且第二位数字视频信号被输入到所有的象素。将第二位数字视频信号输入到所有线的象素的显示周期，被称为写入周期Ta2。
写入周期Ta2完成，然后开始显示周期Tr2。电源线的电源电位变成其与反电极的电位差，其大小使当电源电位施加到OLED的象素电极时，OLED发光。然后，所有的象素执行显示。
上述的操作被重复执行，直至第n位数字视频信号被输入到各个象素并交替地出现写入周期Ta和显示周期Tr。当所有的显示周期(Tr1-Trn)完成时，就能够显示一个图象。在本说明书中，显示一个图象的周期被称为一帧周期(F)。一帧周期完成，则开始下一帧周期。然后再出现写入周期Ta1，并重复上述操作。
在通常的发光器件中，每秒最好提供60个或更多个帧周期。若每秒显示的图象的数目少于60，则图象的闪烁可能变得显而易见。
在此实施方案中，所有写入周期的长度之和必须小于一帧周期，且显示各个周期长度的比率Tr1∶Tr2∶Tr3∶…∶Tr(n-1)∶Trn＝20∶21∶22∶…∶2(n-2)∶2(n-1)。上述显示周期的组合使得能够显示2n灰度中所需的灰度。
OLED在一帧周期中发光时的各个显示周期长度的总和被找到，从而确定象素在一帧周期中显示的灰度。例如，在n＝8的情况下，假设在所有显示周期中象素发光的情况下的亮度为100％。当象素在Tr1和Tr2中发光时，能够表现1％的亮度。当选择Tr3、Tr5和Tr8时，能够表现60％的亮度。
而且，显示周期Tr1-Trn可以按任何顺序出现。例如，在一帧周期中，显示周期可以按Tr1、Tr3、Tr5、Tr2、…的顺序出现。
注意，虽然在此实施方案中，电源线的电源电位在写入周期与显示周期之间变化，但本发明不局限于此。电源电位与反电极电位二者可以总是具有电位差，其范围使当电源电位被施加到OLED的象素电极时，此OLED发光。在这种情况下，能够使OLED在写入周期中也发光。于是，涉及到的一帧周期内象素显示的灰度，根据OLED在一帧周期中发光过程中的写入周期与显示周期长度的总和而被确定。注意，在此情况下，对应于各个位的数字视频信号的写入周期和显示周期长度的总和的比率，必须是(Ta1+Tr1)∶(Ta2+Tr2)∶(Ta3+Tr3)∶…∶(Ta(n-1)+(Tr(n-1))∶(Tan+Trn)＝20∶21∶22∶…∶2(n-2)∶2(n-1)。
注意，此实施方案所示的驱动方法仅仅是一个例子，图1和图4中的本发明的发光器件的驱动方法不局限于此实施方案中的驱动方法。图1和图4中的本发明的发光器件能够以模拟视频信号执行显示。
注意，借助于与实施方案1-3进行自由组合，能够实现此实施方案。[实施方案5]此实施方案描述用来驱动本发明发光器件的象素部分的栅线驱动电路和源线驱动电路的具体结构。
图10用方框图示出了发光器件的驱动电路。在图10A中，参考号601是一种源信号线驱动电路，它具有移位寄存器602、锁存器(A)603和锁存器(B)604。
时钟信号(CLK)和开始脉冲(SP)被输入到源信号线驱动电路601中的移位寄存器602。移位寄存器602根据时钟信号(CLK)和开始脉冲(SP)顺序产生时间信号，此时间信号通过缓冲器(图中未示出)被一个接一个地馈送到下游电路。
注意，来自移位寄存器602的时间信号可以被诸如缓冲器的电路缓冲放大。由于许多电路和元件被连接到布线，故时间信号所馈送到的布线的负载电容(寄生电容)很大。为了防止大的负载电容产生的时间信号上升与下降迟钝，制作了缓冲器。此外，不总是必须制作缓冲器。
被缓冲放大的时间信号，被馈送到锁存器(A)603。锁存器(A)603具有多个用来处理数字视频信号的锁存级。锁存器(A)603写入并保持由源信号线驱动电路601外部在输入上述时间信号同时顺序馈送的数字视频信号。
注意，当数字视频信号被锁存器(A)603取得时，此数字视频信号可以被依次输入到锁存器(A)603的多个锁存级。但本发明不局限于这种结构。可以执行一种所谓的分割驱动，亦即，锁存器(A)603的多个锁存级被分割成若干组，数字视频信号则被同时并行输入到各个组。注意，此时组的数目被称为分割数。例如，若锁存电路被分成4级，则称为4分支分割驱动。
完成将数字视频信号写入到锁存器(A)603的所有锁存级中所需的时间，被称为行周期。实际上，上面定义的行周期加上水平回扫周期也可以称为行周期。
在完成一行周期之后，锁存信号被馈送到锁存器(B)604。此时，被锁存器(A)603写入并保持的数字信号，被立即送到锁存器(B)604，被其所有锁存级写入并保持。
在完成将数字视频信号送到锁存器(B)604之后，根据来自移位寄存器602的时间信号，再次进行数字视频信号到锁存器(A)603的顺序写入。
在此第二次一行周期中，写入并保持在锁存器(B)604中的数字视频信号被输入到源信号线。
图10B是方框图，示出了栅信号线驱动电路的结构。
此栅信号线驱动电路605分别具有移位寄存器606和缓冲器607。根据情况，可以提供电平移位器。
在栅信号线驱动电路605中，时间信号从移位寄存器606被馈送到缓冲器607，并被馈送到相应的栅信号线。一行部分象素的开关TFT的栅电极被连接到各个栅信号线。一行部分象素的所有开关TFT必须被同时置于开通状态，因而使用其中能够通大电流的缓冲器。
注意，此实施方案所示的驱动电路仅仅是一个例子，且借助于与实施方案1-4进行自由组合，能够实现此实施方案。[实施方案6]在此实施方案中，参照图11A-11C描述本发明的发光器件的外貌。
图11A是发光器件的俯视图，图11B是沿图11A中A-A’线的剖面图，而图11C是沿图11A中B-B’线的剖面图。
密封元件4009被提供来包围制作在衬底4001上的象素部分4002、源线驱动电路4003以及第一和第二栅线驱动电路4004a和4004b。而且，密封元件4008被提供在象素部分4002、源线驱动电路4003以及第一和第二栅线驱动电路4004a和4004b上。这样，象素部分4002、源线驱动电路4003以及第一和第二栅线驱动电路4004a和4004b，就被衬底4001、密封元件4009和密封元件4008与填充材料4210一起密封起来。
而且，提供在衬底4001上的象素部分4002、源线驱动电路4003以及第一和第二栅线驱动电路4004a和4004b，具有多个TFT。在图11B中，典型地示出了包括在源线驱动电路4003中的驱动电路TFT(此处图中示出了一个n沟道TFT和一个p沟道TFT)4201以及包括在制作在基底膜4010上的象素部分4002中的驱动TFT(用来控制到OLED的电流的TFT)4202。
在此实施方案中，用已知方法制造的p沟道TFT或n沟道TFT被用作驱动电路TFT 4201，且用已知方法制造的p沟道TFT被用作驱动TFT 4202。而且，象素部分4002配备有连接到驱动TFT 4202栅电极的存储电容器(未示出)。
层间绝缘膜(匀平膜)4301被制作在驱动电路TFT 4201和驱动TFT 4202上，并在其上制作电连接到驱动TFT 4202的漏的象素电极(阳极)4203。功函数大的透明导电膜被用于象素电极4203。氧化铟和氧化锡的化合物、氧化铟和氧化锌的化合物、氧化锌、氧化锡、或氧化铟可以被用于透明导电膜。也可以采用加入了镓的上述透明导电膜。
然后在象素电极4203上制作绝缘膜4302，并在象素电极上制作具有窗口部分的绝缘膜4302。在此窗口部分中，在象素电极4203上制作有机发光层4204。已知的有机发光材料或无机发光材料可能被用于有机发光层4204。而且，作为有机发光材料，存在着低分子量(单体)材料和高分子量(聚合物)材料，二者都可以使用。
已知的蒸发技术或涂敷技术可以被用作形成有机发光层4204的方法。而且，借助于自由组合空穴注入层、空穴输运层、发光层、电子输运层和电子注入层，有机发光层的结构可以有叠层结构或单层结构。
由具有遮光性质的导电膜制成的阴极4205(典型是含有铝、铜、或银作为其主要组分的导电膜，或由上述导电膜和另一个导电膜组成的叠层膜)被制作在有机发光层4204上。而且，希望尽可能多地清除存在于阴极4205与有机发光层4204之间的界面上的潮气和氧。因此，器件的有机发光层4204必须在氮气或稀有气体气氛中制作，然后制作阴极4205而不暴露于氧和潮气。在此实施方案中，利用多工作室型(集团工具型)薄膜制作装置，能够获得上述的薄膜淀积。此外，预定的电压被施加到阴极4205。
如上所述，就形成了由象素电极(阳极)4203、有机发光层4204、和阴极4205构成的OLED 4303。而且，在绝缘膜4302上制作保护膜4209，以便覆盖OLED 4303。在防止氧和潮气等渗入OLED 4303方面，此保护膜4209是有效的。
参考号4005a表示待要连接到电源线的布线牵引，此布线4005a被电连接到驱动TFT 4202的源区。此牵引布线4005a通过密封元件4009与衬底4001之间，并通过各向异性导电膜4300被电连接到FPC4006的FPC布线4301。
玻璃材料、金属材料(典型是不锈钢材料)、陶瓷材料、或塑料材料(包括塑料膜)，能够被用于密封材料4008。FRP(玻璃纤维加固的塑料)板、PVF(聚氟乙烯)膜、Mylar膜、聚酯膜、或丙烯酸树脂膜，可以被用作此塑料材料。而且，也可以使用具有铝箔被PVF膜或Mylar膜夹在中间的结构的片。
然而，在光从0LED向着覆盖元件侧发射的情况下，覆盖元件必须是透明的。在此情况下，采用诸如玻璃板、塑料板、聚酯膜、或丙烯酸膜之类的透明物质。
而且，除了诸如氮气或氩气之类的惰性气体外，可以使用紫外固化树脂或热塑树脂作为填充材料4103，致使能够使用PVC(聚氯乙烯)、丙烯酸、聚酰亚胺、环氧树脂、硅酮树脂、PVB(聚丁缩醛乙烯)、或EVA(乙烯乙酸乙烯)。在此实施方案中，氮气被用于填充材料。
而且，在衬底4001侧上的密封材料4008的表面上提供凹陷部分4007，并在其中安置吸湿物质或能够吸收氧的物质4207，以便使填充材料暴露于吸湿物质(最好是氧化钡)或能够吸收氧的物质。然后用凹陷部分的盖子4208将吸湿物质或能够吸收氧的物质4207保持在凹陷部分4007中，致使吸湿物质或能够吸收氧的物质4207不分散。注意，凹陷部分盖子4208具有精细的网状形式，且其结构中渗透空气和潮气，而不渗透吸湿物质或能够吸收氧的物质4207。借助于提供吸湿物质或能够吸收氧的物质4207，能够抑制OLED 4303的退化。
如图11C所示，制作象素电极4203，并同时制作导电膜4203a，以便与牵引布线4005a接触。
而且，各向异性导电膜4300具有导电填充材料4300a。借助于对衬底4001和FPC 4006进行热压，衬底4001上的导电膜4203a和FPC 4006上的FPC布线4301，被导电填充材料4300a彼此电连接。
本发明的发光器件的电流表、可变电源、以及修正电路，被制作在不同于衬底4001的衬底(未示出)上，并通过FPC 4006被电连接到制作在衬底4001上的电源线和阴极4205。
注意，借助于与实施方案1-5进行自由组合，能够实现此实施方案。[实施方案7]在此实施方案中，描述一个例子，其中本发明的发光器件的电流表、可变电源、和修正电路，被制作在与其上制作象素部分的衬底不同的衬底上，并被连接到其上利用诸如布线键合方法或COG(玻璃上芯片)方法之类的方法制作象素部分的衬底上的布线。
图12是此实施方案的发光器件的外貌。密封元件5009被提供来包围制作在衬底5001上的显示象素部分5002、源线驱动电路5003以及第一和第二栅线驱动电路5004a和5004b。而且，密封元件5008被提供在象素部分5002、源线驱动电路5003以及第一和第二栅线驱动电路5004a和5004b上。这样，象素部分5002、源线驱动电路5003以及第一和第二栅线驱动电路5004a和5004b，就被衬底5001、密封元件5009和密封元件5008与填充材料(未示出)一起密封起来。
在衬底5001侧上的密封材料5008的表面上提供凹陷部分5007，并在其中安置吸湿物质或能够吸收氧的物质。
牵引在衬底5001上的布线(牵引布线)通过密封元件5009与衬底5001之间，并通过FPC 5006被连接到发光器件的外部电路和元件。
本发明的发光器件的电流表、可变电源、以及修正电路，被制作在不同于衬底5001的衬底(以下称为芯片)5020上。用COG(玻璃上芯片)方法之类的方法，将芯片5020固定到衬底5001上，并被电连接到制作在衬底5001上的电源线和阴极(未示出)。
在此实施方案中，用布线键合方法、COG方法等，将其上制作电流表、可变电源、以及修正电路的芯片5020固定到衬底5001上。于是发光器件能够基于一个衬底而被构造，因此，器件本身被做得紧凑，还改进了机械强度。
注意，已知的方法可以被用作将芯片连接到衬底上的方法。而且，电流表、可变电源、以及修正电路之外的电路和元件可以被固定到衬底5001上。
借助于与实施方案1-6进行自由组合，能够实现此实施方案。[实施方案8]在此实施方案中，利用EL材料能够明显地改进发光外量子效率，其中来自三重激发态的磷光能够被用来发光。结果，EL元件的功耗能够降低，寿命能够延长，重量能够减轻。
以下是利用三重激发态改善发光外量子效率的报道(T.Tsutsui，C.Adachi，S.Saito，Photochemical Processes in OrganizedMolecular Systems，ed.K.Honda，(Elsevier Sci.Pub.，Tokyo，1991)p.437)。
上述论文报道的EL材料(香豆素颜料)的分子式表示如下(化学式1) (M.A.Baldo，D.F.O’Brien，Y.You，A.Shoustikov，S.Sibley，M.E.Thompson，S.R.Forrest，Nature 395(1998)，p.151)上述论文报道的EL材料(Pt络合物)的分子式表示如下(化学式2) (M.A.Baldo，S.Lamansky，P.E.Burrows，M.E.Thompson，S.R.Forrest，Appl.Phys.Lett.，75(1999)p4)(T.Tsutsui，M.-J.Yang，M.Yahiro，K.Nakamura，T.Watanabe，T.Tsuji，Y.Fukuda，T.Wakimoto，S.Mayaguchi，Jpn.Appl.Phys.，38(12B)(1999)L1502)。
上述论文报道的EL材料(Ir络合物)的分子式表示如下(化学式3) 如上所述，若能够实际利用来自三重激发态的磷光，则理论上能够实现比来自单重激发态的荧光高3-4倍的发光外量子效率。
根据此实施方案的结构能够与实施方案1-11的任何一种结构进行自由组合。[实施方案9]此实施方案描述图13-15中的本发明的发光器件的制造方法的例子。在此实施方案中，根据各个步骤，同时描述象素部分的开关TFT、驱动器TFT、以及制作在象素部分周围的驱动器部分的制造方法。
首先，此实施方案使用由钡硼硅酸盐玻璃，典型是Corning#7059玻璃和#1737玻璃(Corning公司的产品)或铝硼硅酸盐玻璃制成的衬底900。对衬底材料没有限制，只要透光即可，可以使用石英衬底。塑料衬底若能够承受住此实施方案工艺温度的热，则也可以使用。
接着，如图13A所示，在衬底900上制作诸如氧化硅膜、氮化硅膜、和氮氧化硅膜之类的绝缘膜作为基底膜901。在此实施方案中，基底膜901具有二层结构，但也可以是单层或由上述绝缘膜组成的叠层。基底膜901的第一层是用等离子体CVD方法，用SiH4、NH3和N2O作为反应气体制作的氮氧化硅膜901a，其厚度为10-200nm(最好是50-100nm)。在此实施方案中，氮氧化硅膜901a(组分比为Si＝32％，O＝27％，N＝24％，H＝17％)的厚度为50nm。基底膜901的第二层是用等离子体CVD方法，用SiH4和N2O作为反应气体制作的氮氧化硅膜901b，其厚度为50-200nm(最好是100-150nm)。在此实施方案中，氮氧化硅膜901b(组分比为Si＝32％，O＝59％，N＝7％，H＝2％)的厚度为100nm。
在基底膜901上，制作半导体层902-905。借助于将结晶半导体膜图形化成所希望的形状，来制作半导体层902-905，此结晶半导体膜是借助于通过已知的方法(溅射、LPCVD、或等离子体CVD)形成具有非晶结构的半导体膜，然后对非晶膜进行已知的晶化处理(激光晶化、热晶化、或使用镍或其它催化剂的热晶化)而得到的。半导体层902-905的厚度各为25-80nm(最好是30-60nm)。虽然对结晶半导体膜的材料没有限制，但最好是硅、硅锗(SixGe1-x(x＝0.0001-0.02))合金等。在此实施方案中，用等离子体CVD方法来制作厚度为55nm的非晶硅膜，然后将含有镍的溶液置于非晶硅膜顶面上。非晶硅膜被脱水(500℃下1小时)，然后承受热晶化(550℃下4小时)，再承受激光退火处理以改善结晶性，从而获得结晶硅膜。此结晶硅膜接受光刻图形化处理，以便形成半导体层902-905。
在制作半导体层902-905之后，可以用少量杂质元素(硼或磷)对半导体层902-905进行掺杂，以便控制TFT的阈值。
若使用激光晶化来形成结晶半导体膜，则可以使用脉冲振荡型或连续波型准分子激光器、YAG激光器、或YVO4激光器。当使用这些激光器时，在辐照半导体膜之前，使用光学系统将激光振荡器发射的激光收集成线状束是恰当的。虽然晶化条件可以由操作人员适当地选择，但优选条件如下。当使用准分子激光器时，脉冲振荡频率被设定为300Hz，而激光能量密度被设定为100-400mJ/cm2(典型为200-300mJ/cm2)。当使用YAG激光器时，利用其二次谐波，脉冲振荡频率被设定为30-300Hz，而激光能量密度被设定为300-600mJ/cm2(典型为350-500mJ/cm2)。收集成线状束形状的激光的宽度为100-1000μm，例如400μm，故衬底整个表面被光束辐照。辐照过程中线性激光的重叠比被设定为50-90％。
接着，制作栅绝缘膜906，以便覆盖半导体层902-905。此栅绝缘膜906是用等离子体CVD或溅射方法制作的厚度为40-150nm的含硅的绝缘膜。在此实施方案中，用等离子体CVD方法制作厚度为110nm的氮氧化硅膜(组分比为Si＝32％，O＝59％，N＝7％，H＝2％)。当然，栅绝缘膜不局限于氮氧化硅膜，也可以是其它含硅绝缘膜组成的单层或叠层。
当使用氧化硅膜时，则采用等离子体CVD，其中用TEOS(原硅酸四乙酯)与O2的混合物形成放电，并将反应压力设定为40Pa，衬底温度为300-400℃，而高频(13.56MHz)功率密度为0.5-0.8W/cm2。这样制作的氧化硅膜若在400-500℃下接受后续的热退火，则能够提供极好的栅绝缘膜特性。
在栅绝缘膜906上，制作厚度为200-400nm(最好是250-350nm)用来形成栅电极的抗热导电层907。此抗热导电层907可以是单层或具有多个层的叠层结构，如有需要，例如二层结构或三层结构。抗热导电层包含选自Ta、Ti、W、或以上述元素作为其组成部分的合金、或上述元素组合成的合金膜。用溅射或CVD方法来制作抗热导电层。为了降低电阻，最好减少此层中所含的杂质的浓度。特别是氧浓度最好是30ppm或更低。在此实施方案中，制作了厚度为300nm的W膜。借助于用W作为靶进行溅射，或利用六氟化钨(WF6)的热CVD方法，可以制作W膜。不管怎么说，W膜的电阻必须低，以便用作栅电极，且W膜的电阻率最好被设定为20μΩcm或更低。借助于增大晶粒尺寸，能够降低W膜的电阻率，但若W膜中的诸如氧之类的杂质元素太多，则晶化被阻碍因而提高电阻率。因此，当利用溅射方法来制作W膜时，使用纯度为99.9999％的W靶，并要特别注意不使空气中的杂质混入到正在制作的W膜中。结果，W膜能够具有9-20μΩcm的电阻率。
抗热导电层907也可以是Ta膜，同样能够用溅射方法制作。当制作Ta膜时，用Ar作为溅射气体。若将适当数量的Xe或Kr加入到溅射气体中，则可减弱待要形成的膜的内应力，从而防止膜剥离。α相Ta膜的电阻率约为20μΩcm，因而可用作栅电极。另一方面，β相Ta膜的电阻率约为180μΩcm，因而不适合于用作栅电极。由于TaN膜的晶格结构接近α相Ta膜的晶格结构，故借助于形成一个TaN膜作为Ta膜的基底，能够容易地获得α相Ta膜。虽然图中未示出，但可以在抗热导电层907下方制作厚度约为2-20nm的掺磷(P)的硅膜。这改善了制作在其上的导电膜的粘附性并防止了导电膜的氧化，同时，防止了抗热导电层907中所含少量碱金属元素扩散进入第一形状栅绝缘膜906。在任何一种情况下，抗热导电层907的电阻率最好被设定为10-50μΩcm。
接着，用光刻技术制作抗蚀剂掩模908。然后进行第一腐蚀处理。在此实施方案中，使用ICP腐蚀器件，CF4和C12被混合作为腐蚀气体，并在1Pa的压力下提供3.2W/cm2的RF(13.56MHz)功率，以便产生等离子体。衬底侧(样品台)也接收224mW/cm2的RF(13.56MHz)功率，致使施加基本上负的自偏压。在这些条件下，W膜的腐蚀速率约为100nm/min。根据这一腐蚀速率，来估计腐蚀W膜所需的时间。估计的时间被延长20％，就成为第一腐蚀处理的腐蚀时间。
通过第一腐蚀处理，形成第一锥形导电层909-912。导电层909-912的锥形部分的角度为15-30度。为了腐蚀导电膜而不留下任何残留物，采用过度腐蚀，其中腐蚀时间被延长大约10-20％。W膜对氮氧化硅膜(栅绝缘膜906)的选择比是2-4(典型为3)，因而氮氧化硅膜被暴露的区域被过度腐蚀处理腐蚀掉大约20-50nm(图13B)。
接着，进行第一掺杂处理，以便用一种导电类型的杂质元素对半导体层进行掺杂。提供n型电导率的杂质元素被用于这一掺杂步骤中。已经被用来形成第一形状导电层的掩模908被保留原封不动，并用离子掺杂方法，以自对准方式，用第一锥形导电层909-912作为掩模，用提供n型电导率的杂质元素对半导体层进行掺杂。在掺杂过程中，剂量被设定为1×1013-5×1014原子/cm2，而加速电压被设定为80-160keV，以便提供n型电导率的杂质元素通过锥形部分和栅绝缘膜，到达栅电极边沿处锥形部分下方以及栅绝缘膜906下方的半导体层。用作提供n型电导率的杂质元素的是15族的元素，典型的是磷(P)或砷(As)。此处采用磷(P)。通过这一离子掺杂，第一杂质区914-917被制作成包含浓度为1×1020-1×1021原子/cm3的提供n型电导率的杂质元素(图13C)。
在这一步骤中，依赖于掺杂条件，杂质可以到达第一形状导电层909-912下方，致使第一杂质区914-917与第一形状导电层909-912重叠。
接着，如图13D所示，进行第二腐蚀处理。第二腐蚀处理也使用ICP腐蚀器件，用CF4和Cl2组成的混合气体作为腐蚀气体，在1.0Pa的压力下，以3.2W/cm2的RF功率(13.56MHz)进行腐蚀。在这些条件下，形成第二形状导电层918-921。导电层918-921在边沿处具有锥形部分，且层的厚度从边沿到内部逐渐增加。第二腐蚀处理过程中施加到衬底侧的偏置功率小于第一腐蚀处理的，且各向同性腐蚀比率被提高到使锥形部分的角度设定为30-60度。掩模908被腐蚀得失去边沿并成为掩模922。在图13D的步骤中，栅绝缘膜906的表面被腐蚀大约40nm。
然后，用提供n型电导率的杂质元素，在小于第一掺杂处理的剂量下，以高的加速电压，对半导体层进行掺杂。例如，加速电压被设定为70-120keV，而剂量被设定为1×1013原子/cm2，以便形成杂质浓度提高了的第一杂质区924-927以及与第一杂质区924-927接触的第二杂质区928-931。在这一步骤中，依赖于掺杂条件，杂质可以到达第二形状导电层918-921下方，致使第二杂质区928-931与第二形状导电层918-921重叠。第二杂质区中的杂质浓度被设定为1×1016-1×1018原子/cm3(图14A)。
然后，如图14B所示，在要形成p沟道TFT的半导体层902和905中，分别制作导电类型与上述导电类型相反的杂质区933(933a和933b)以及934(934a和934b)。在这种情况下，也用第二形状导电层918和921作为掩模，用提供p型电导率的杂质元素，对半导体层进行掺杂，以便以自对准的方式形成杂质区。在这一掺杂过程中，要形成n沟道TFT的半导体层903和904被抗蚀剂掩模932完全覆盖。此处利用离子掺杂方法，用双硼烷(B2H6)来形成杂质区933和934。在杂质区933和934中提供p型电导率的杂质元素的浓度被设定为2×1020-2×1021原子/cm3。
当更仔细地观察时，杂质区933和934可以被分成含有提供n型电导率的杂质元素的二个区域。第三杂质区933a和934a包含浓度为1×1020-1×1021原子/cm3的提供n型电导率的杂质元素。第四杂质区933b和934b包含浓度为1×1017-1×1020原子/cm3的提供n型电导率的杂质元素。然而，若杂质区933b和934b中提供p型电导率的杂质元素的浓度被设定为1×1019原子/cm3或更高，且若第三杂质区933a和934a包含的提供p型电导率的杂质元素的浓度比提供n型电导率的杂质元素的浓度高1.5-3倍，则第三杂质区作为p沟道TFT的源区和漏区不成问题。
然后，如图14C所示，在第二形状导电层918-921以及栅绝缘膜906上，制作第一层间绝缘膜937。第一层间绝缘膜937可以是氧化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜、或这些膜组合的叠层。在每一种情况下，第一层间绝缘膜937都由无机绝缘材料制作。第一层间绝缘膜937的厚度为100-200nm。当氧化硅膜被用作第一层间绝缘膜937时，采用等离子体CVD，其中用TEOS与O2的混合物来产生放电，并设定反应压力为40Pa，衬底温度为300-400℃，高频(13.56MHz)功率密度为0.5-0.8W/cm2。当氮氧化硅膜被用作第一层间绝缘膜937时，选择用等离子体CVD由SiH4、N2O和NH3来制作或用等离子体CVD由SiH4、N2O来制作。此时的薄膜制作条件包括设定反应压力为20-200Pa，衬底温度为300-400℃，而高频(60MHz)功率密度为0.1-1.0W/cm2。由SiH4、N2O和H2形成的含水氮氧化硅膜还被用作第一层间绝缘膜937。同样，可以用等离子体CVD方法，由SiH4和NH3来制作氮化硅膜作为第一层间绝缘膜。
然后，用于以各自浓度提供n型和p型电导率的掺杂过程中的各个杂质元素被激活。利用热退火方法，用退火炉来执行激活步骤。可以使用的其他激活方法包括激光退火和快速热退火(RTA)。热退火是在氮气氛中进行的，其氧浓度为1ppm或更低，最好是0.1ppm，温度为400-700℃，典型为500-600℃。在此实施方案中，在550℃的温度下对衬底进行热处理4个小时。但若使用抗热性差的塑料衬底作为衬底900，则激光退火较好。
激活步骤之后，气氛被改变为包含3-100％的氢气，并在300-450℃下进行热处理1-12小时，从而使半导体层氢化。氢化步骤是为了用热激发的氢来终止半导体层中所含的浓度为1015-1018原子/cm3的悬挂键。也可以使用等离子体氢化方法(使用等离子体激发的氢)。无论在哪种情况下，半导体层902-905中的缺陷密度都如所希望的那样被降低到1016原子/cm3或更低，而为了将密度降低到这一水平，提供了大约0.01-0.1原子百分比的氢。
接着，由有机绝缘材料制作平均厚度为1.0-2.0μm的第二层间绝缘膜939。可以使用诸如聚酰亚胺、丙烯酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、BCB(苯并环丁烯)之类的有机树脂材料。例如，若采用涂敷到衬底之后被热聚合这种类型的聚酰亚胺，则利用在300℃洁净炉子中燃烧衬底的方法来形成此膜。若采用丙烯酸酯，则选择双容器型。在主要成分与固化剂混合之后，用甩涂机将树脂涂敷到衬底的整个表面，然后在80℃的热板上预热衬底60秒钟，在洁净炉子中于250℃下燃烧60分钟，从而形成绝缘膜。
当这样从有机绝缘材料制作第二层间绝缘膜939时，能够满意地匀平表面。由于有机树脂材料通常具有低的介电常数，故还能够减小寄生电容。然而，有机树脂材料是吸湿的，因此，如在此实施方案中那样，最好是将有机树脂膜与制作成第一层间绝缘膜937的氧化硅膜，或氮氧化硅膜，或氮化硅膜组合起来。
然后，制作具有给定图形的抗蚀剂掩模，并制作达及作为各个半导体层中的源区与漏区的杂质区的各个接触孔。这些接触孔是用干法腐蚀方法形成的。在这种情况下，首先用CF4、O2和He组成的混合气体作为腐蚀气体，来腐蚀由有机树脂材料组成的第二层间绝缘膜939。然后，腐蚀气体被改变为CF4和O2，以便腐蚀第一层间绝缘膜937。腐蚀气体被进一步转换成CHF3，以便提高相对于半导体层的选择比，并腐蚀栅绝缘膜570以形成接触孔。
利用溅射或真空蒸发方法，制作导电金属膜，并利用掩模对其进行图形化，然后腐蚀，以形成源布线940-943以及漏布线944-946。虽然图中未示出，但此实施方案中的布线是由厚度为50nm的Ti膜与厚度为500nm的合金膜(Al和Ti组成的合金膜)组成的叠层。
接着，在其上制作厚度为80-120nm的透明导电膜，并对其进行图形化以形成象素电极947(图15A)。在此实施方案中，氧化铟锡(ITO)膜或借助于混合2-20％的氧化锌(ZnO)和氧化铟而得到的透明导电膜，被用于透明电极。
象素电极947与漏布线946重叠并相接触。这样就形成了象素电极947与驱动TFT的漏区之间的电连接。
如图15B所示，制作了在对应于象素电极947的位置处有窗口部分的第三层间绝缘膜949。第三层间绝缘膜949不导电，用作堤坝。相邻的象素从而被第三层间绝缘膜949分隔开。在此实施方案中，抗蚀剂被用来制作第三层间绝缘膜949。
第三层间绝缘膜949被制作成厚度约为1μm。象素电极947越近，窗口部分就越宽。当然，第三层间绝缘膜949被制作成反锥形。借助于用掩模覆盖不制作窗口部分处，用紫外线辐照以暴光，然后用显影液清除被暴光的部分，来制作第三层间绝缘膜949。
当在下面步骤中制作有机化合物层时，由于有机化合物层被彼此相邻的象素分成多个部分，故即使有机化合物层与第三层间绝缘膜949之间的热膨胀系数不同，也能够抑制有机发光层破裂和剥脱。
在此实施方案中，虽然抗蚀剂制成的膜被用作第三层间绝缘膜，但在某些情况下，也可以使用诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸酯、BCB(苯并环丁烯)之类的有机树脂膜或氧化硅膜。若是不导电的材料，则有机和无机物质都能够被用作第三层间绝缘膜949。
接着，利用蒸发方法制作有机化合物层950。还用蒸发方法制作阴极(MgAg电极)951和保护电极952。在制作有机化合物层950和阴极951之前，最好对象素电极947进行热处理，以便从电极完全清除潮气。在此实施方案中，虽然发光元件的阴极是MgAg电极，但其它已知的材料也可以使用。
有机化合物层950可以由已知的材料制成。在此实施方案中，有机化合物层具有由空穴输运层和发光层组成的双层结构。有机化合物层还可以附加具有空穴注入层、电子注入层、或电子输运层。已经报道这些层的各种各样的组合，其中的任何一种都可以被使用。
在此实施方案中，空穴输运层是用蒸发方法淀积的聚苯乙烯。借助于蒸发具有30-40％分子弥散的PBD即1，3，4-噁二唑衍生物的聚乙烯咔唑，并用大约1％的香豆素6对得到的膜进行掺杂作为绿色发光中心，获得发光层。
保护电极952能够单独保护有机化合物层950免受潮气和氧的影响，但增加保护膜953更可取。在此实施方案中，保护膜953是厚度为300nm的氮化硅膜。保护电极和保护膜可以连续地制作而不使衬底暴露于空气。
保护电极952还防止了阴极951的退化。典型地说，含有铝作为其主要成分的金属膜被用于保护电极。当然可以使用其它的材料。有机化合物层950和阴极951的防潮性很差。因此，希望连续地制作有机化合物层950和阴极951以及保护电极952而不使衬底暴露于空气，以便保护它们免受外界空气的影响。
有机化合物层950的厚度为10-400nm(典型为60-150nm)。阴极951的厚度为80-200nm(典型为100-150nm)。
这样完成的是具有图15B所示结构的发光器件。象素电极947、有机化合物层950、阴极951重叠的部分954，对应于有机发光元件。
p沟道TFT 960和n沟道TFT 961是驱动电路的TFT，并构成一个CMOS。开关TFT 962和电流控制TFT 963是象素部分的TFT。驱动电路的各个TFT与象素部分的各个TFT可以被制作在同一个衬底上。
在采用有机发光元件的发光器件的情况下，其驱动电路可以用电压为5-6V，最高为10V的电源来工作。因此，热电子造成的TFT退化不是严重问题。由于驱动电路需要高速工作，故较小的栅电容对TFT较好。因此，在如本实施方案那样采用有机发光元件的发光器件的驱动电路中，TFT的半导体层的第二杂质区929和第四杂质区933b最好分别不与栅电极918和栅电极919重叠。
本发明的发光器件的制造方法不局限于此实施方案所述的方法。可以用已知的方法来制造本发明的发光器件的TFT。此实施方案可以与实施方案1-8自由组合。[实施方案10]此实施方案描述不同于实施方案9的制造发光器件的方法的例子。
直到制作第二层间绝缘膜939的各个步骤，与实施方案5相同。如图16A所示，在制作第二层间绝缘膜939之后，制作钝化膜981，使之与第二层间绝缘膜939接触。
在防止包含在第二层间绝缘膜939中的潮气通过象素电极947和第三层间绝缘膜982渗漏到有机化合物层950方面，钝化膜981是有效的。当第二层间绝缘膜939具有有机树脂材料时，由于材料包含大量潮气，故提供钝化膜981特别有效。
在此实施方案中，氮化硅膜被用作钝化膜981。
然后，制作具有给定图形的抗蚀剂掩模，并制作达及作为各个半导体层中的源区或漏区的杂质区的各个接触孔。这些接触孔是用于法腐蚀方法形成的。在这种情况下，首先用CF4、O2和He组成的混合气体作为腐蚀气体，来腐蚀由有机树脂材料组成的第二层间绝缘膜939。然后，腐蚀气体被改变为CF4和O2，以便腐蚀第一层间绝缘膜937。腐蚀气体被进一步转换成CHF3，以便提高相对于半导体层的选择比，并腐蚀第三形状栅绝缘膜570，以形成接触孔。
而且，利用溅射或真空蒸发方法，制作导电金属膜，并利用掩模对其进行图形化。然后腐蚀此膜，以形成源布线940-943以及漏布线944-946。虽然图中未示出，但此实施方案中的布线是由厚度为50nm的Ti膜与厚度为500nm的合金膜(Al和Ti组成的合金膜)组成的叠层。
在其上制作厚度为80-120nm的透明导电膜，并对其进行图形化以形成象素电极947(图16A)。此实施方案使用氧化铟锡(ITO)膜或借助于混合2-20％的氧化锌(ZnO)和氧化铟而得到的透明导电膜作为透明电极。
借助于形成象素电极，使之与漏布线946接触并重叠，象素电极947被电连接到驱动TFT的漏区。
接着，如图16B所示，制作了在与象素电极947重合的位置处有窗口的第三层间绝缘膜982。此实施方案利用干法腐蚀来形成窗口，从而使之成形为锥形侧壁。与实施方案5所示的情况不同，待要形成在第三层间绝缘膜982上的有机化合物层彼此不分隔开。因此，窗口的侧壁必须缓慢倾斜。否则，高程差引起的有机化合物层退化将成为严重的问题。
虽然在此实施方案中，氧化硅膜被用作第三层间绝缘膜982，但在某些情况下，可以使用诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸酯、BCB(苯并环丁烯)之类的有机树脂膜。
在第三层间绝缘膜982上制作有机化合物层950之前，最好在第三层间绝缘膜982的表面上执行使用氩的等离子体处理，从而提高第三层间绝缘膜982的表面密度。利用上述结构，防止了潮气从第三层间绝缘膜982渗漏到有机化合物层950中。
利用蒸发方法制作有机化合物层950。还用蒸发方法制作阴极(MgAg电极)951和保护电极952。在制作有机化合物层950和阴极951之前，最好对象素电极947进行热处理，以便从电极完全清除潮气。在此实施方案中，虽然发光元件的阴极是MgAg电极，但其它已知的材料也可以使用。
有机化合物层950可以由已知的材料制成。在此实施方案中，有机化合物层具有由空穴输运层和发光层组成的双层结构。有机化合物层还可以附加具有空穴注入层、电子注入层、或电子输运层。已经报道这些层的各种各样的组合，其中的任何一种都可以被使用。
在此实施方案中，空穴输运层是用蒸发方法淀积的聚苯乙烯。借助于蒸发具有30-40％分子弥散的PBD即1，3，4-噁二唑衍生物的聚乙烯咔唑，并用大约1％的香豆素6对得到的膜进行掺杂作为绿色发光中心，获得发光层。
保护电极952能够单独保护有机化合物层950免受潮气和氧的影响，但增加保护膜953更可取。在此实施方案中，保护膜953是厚度为300nm的氮化硅膜。保护电极和保护膜可以连续地制作而不使衬底暴露于空气。
保护电极952还防止了阴极951的退化。典型地说，含有铝作为其主要成分的金属膜，被用于保护电极。当然可以使用其它的材料。有机化合物层950和阴极951的防潮性很差。因此，希望连续地制作有机化合物层950和阴极951以及保护电极952而不使衬底暴露于空气，以便保护它们免受外界空气的影响。
有机化合物层950的厚度为10-400nm(典型为60-150nm)。阴极951的厚度为80-200nm(典型为100-150nm)。
这样完成的是如图16B构成的发光器件。象素电极947、有机化合物层950、和阴极951重叠的部分954对应于发光元件。
p沟道TFT 960和n沟道TFT 961是驱动电路的TFT，并构成一个CMOS。开关TFT 962和驱动TFT 963是象素部分的TFT。驱动电路的各个TFT与象素部分的各个TFT可以被制作在同一个衬底上。
本发明的发光器件的制造方法不局限于此实施方案所述的方法。可以用已知的方法来制造本发明的发光器件的TFT。
此实施方案可以与实施方案1-9自由组合。[实施方案11]此发光器件是自发光型，故比之液晶显示器件，被显示的图象在明亮处具有更好的可识别性。而且，自发光器件具有更宽广的视角。因此，这种发光器件能够被用于各种各样电器的显示部分。
这种电器的例子包括摄象机、数码相机、风镜式显示器(头戴显示器)、导航系统、声音重放装置(汽车音响设备和音响等)、笔记本个人计算机、游戏机、便携信息终端(移动计算机、便携式电话、便携游戏机、电子记事本等)、包括记录媒质的放象设备(更具体地说是诸如数码碟盘机(DVD)之类的能够重放记录媒质的装置等，并包括用来显示重放图象的显示器)等。特别是在便携信息终端的情况下，由于便携式信息终端常常从倾斜方向被观察，常常要求宽广的视角，故采用此发光器件较好。图17A-17H分别示出了这些电器的各种具体例子。
图17A示出了一种电致发光显示器件，它包含机壳2001、支座2002、显示部分2003、扬声器部分2004、视频输入端子2005等。本发明可以用于显示部分2003。此发光器件是自发光型的，故无需后照光。其显示部分的厚度因而能够比液晶显示器更薄。此电致发光显示器件包括用来显示信息的所有显示器件，诸如个人计算机、电视广播接收机以及广告显示器。
图17B示出了一种数码静物摄影机，它包含主体2101、显示部分2102、图象接收部分2103、操作开关2104、外部连接端口2105、快门2106等。根据本发明的发光器件可以用于显示部分2102。
图17C示出了一种膝上(笔记本)计算机，它包含主体2201、机壳2202、显示部分2203、键盘2204、外部连接端口2205、鼠标2206等。根据本发明的发光器件可以用作显示部分2203。
图17D示出了一种移动计算机，包含主体2301、显示部分2302、开关2303、操作键2304、红外端口2305等。根据本发明的发光器件可用作显示部分2302。
图17E示出了一种包括记录媒质的放象机(更具体地说是DVD放象机)，它包含主体2401、机壳2402、显示部分A 2403、另一个显示部分B 2404、记录媒质(DVD等)读出部分2405、操作键2406、扬声器部分2407等。显示部分A 2403主要用来显示图象信息，而显示部分B 2404主要用来显示字符信息。根据本发明的发光器件可以用作显示部分A 2403和B 2404。包括记录媒质的放象机还包括游戏机等。
图17F示出了一种风镜式显示器(头戴显示器)，它包含主体2501、显示部分2502、镜臂部分2503。根据本发明的发光器件可以用作显示部分2502。
图17G示出了一种录象机，包含主体2601、显示部分2602、机壳2603、外部连接端口2604、遥控接收部分2605、图象接收部分2606、电池2607、声音输入部分2608、操作键2609等。根据本发明的发光器件可以用作显示部分2602。
图17H示出了一种移动电话(蜂窝电话)，它包含主体2701、机壳2702、显示部分2703、声音输入部分2704、声音输出部分2705、操作键2706、外部连接端口2707、天线2708等。根据本发明的发光器件可以用作显示部分2703。注意，借助于在黑色背景上显示白色字符，显示部分2703能够降低便携式电话的功耗。
倘若从有机化合物层发射的光的亮度将来能够更明亮，则根据本发明的发光器件将能够被用于正面或背面投影仪，其中包括输出图象信息的光被棱镜等放大以投影。
上述电子设备更多地被用来显示通过诸如互连网和CATV(有线电视系统)之类的通信线路传送的信息，特别是显示动画信息。由于有机化合物层具有高的响应速度，故此发光器件适合于显示动画。
发光器件发射光的那部分消耗功率，因此，最好以其中发光部分变得尽可能小的方式来显示信息。因此，当自发光器件被用于主要显示字符信息的显示部分时，例如被用于便携式信息终端，更确切地说是便携式电话或声音重放装置时，最好将发光器件驱动成字符信息由发光部分形成，而不发光部分对应于背景。
如上所述，本发明能够广泛地应用于所有领域的各种各样电器。利用其构造由实施方案1-10的结构自由组合的发光器件，能够获得本发明的电器。
根据本发明，利用容易实际使用的结构，即使有机发光层退化，OLED亮度下降也被抑制，结果是能够显示清晰的图象。而且，在使用具有对应于各个颜色的OLED的彩色显示的发光器件的情况下，防止了失去各个颜色中的平衡，即使OLED的有机发光层根据对应的颜色以不同的速度退化，也能够继续显示所需的颜色。
而且，即使有机发光层的温度受到外界温度、OLED平板本身产生的热等的影响，也能够抑制OLED的亮度变化。功耗随温度上升的增大也能够被抑制。而且，在具有彩色显示的发光器件的情况下，能够抑制各个颜色的OLED的亮度变化而不受温度变化的影响。这样就防止了失去各个颜色中的亮度平衡，从而能够显示所需的颜色。
权利要求
1.一种发光器件，它包含OLED；用来测量OLED的第一电极与第二电极之间流动的电流的装置；用来对测得的电流值与参考电流值进行比较的装置；以及用来根据测得的电流值与参考电流值之间的差值而修正OLED的第一电极与第二电极之间的电压，使OLED的第一电极与第二电极之间流动的电流的数值靠近参考电流值的装置。
2.根据权利要求1的器件，其中为OLED的各个相应颜色提供测量装置、比较装置、和修正装置。
3.根据权利要求1的器件，其中用数字视频信号来控制OLED发光的周期，以显示灰度。
4.根据权利要求1的器件，其中的比较装置包含计算电路。
5.一种发光器件，它包含各具有一个OLED的多个象素；用来测量提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间流动的总电流的装置；用来对测得的电流值与参考电流值进行比较的装置；以及用来根据测得的电流值与参考电流值之间的差值而修正提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间的电压，使提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间流动的总电流的数值靠近参考电流值的装置。
6.根据权利要求5的器件，其中为OLED的各个相应颜色提供测量装置、比较装置、和修正装置。
7.根据权利要求5的器件，其中用数字视频信号来控制OLED发光的周期，以显示灰度。
8.根据权利要求5的器件，其中的比较装置包含计算电路。
9.一种发光器件，它包含各具有一个OLED的多个象素；用来测量提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间流动的总电流的装置；用来对测得的电流值与参考电流值进行比较的装置；以及用来根据测得的电流值与参考电流值之间的差值而修正提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间的电压，使提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间流动的总电流的数值靠近参考电流值的装置；其中当测得的电流值与参考电流值之间的差值以恒定宽度被改变时，待要修正的电压每次以恒定的大小改变。
10.根据权利要求9的器件，其中为OLED的各个相应颜色提供测量装置、比较装置、和修正装置。
11.根据权利要求9的器件，其中用数字视频信号来控制OLED发光的周期，以显示灰度。
12.根据权利要求9的器件，其中的比较装置包含计算电路。
13.一种发光器件，它包含各具有象素部分中的一个OLED的多个象素；用来测量提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间流动的总电流的装置；用来对测得的电流值与参考电流值进行比较的装置；以及用来根据测得的电流值与参考电流值之间的差值而修正提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间的电压，使提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间流动的总电流的数值靠近参考电流值的装置；其中当提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间流动的总电流被测量时，特定的图象被显示在象素部分上。
14.根据权利要求13的器件，其中为OLED的各个相应颜色提供测量装置、比较装置、和修正装置。
15.根据权利要求13的器件，其中用数字视频信号来控制OLED发光的周期，以显示灰度。
16.根据权利要求13的器件，其中的比较装置包含计算电路。
17.一种发光器件，它包含各具有在象素部分中的一个OLED的多个象素；用来测量提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间流动的总电流的装置；用来对测得的电流值与参考电流值进行比较的装置；用来根据测得的电流值与参考电流值之间的差值而修正提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间的电压，使提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间流动的总电流的数值靠近参考电流值的装置；其中当提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间流动的总电流被测量时，参考电流值根据显示在象素部分上的图象而不同。
18.根据权利要求17的器件，其中为OLED的各个相应颜色提供测量装置、比较装置、和修正装置。
19.根据权利要求17的器件，其中用数字视频信号来控制OLED发光的周期，以显示灰度。
20.根据权利要求17的器件，其中的比较装置包含计算电路。
21.一种发光器件，它包含各具有在象素部分中的一个OLED的多个象素，象素部分配备有各具有一个OLED和至少一个TFT的多个象素的至少二个以及用来控制OLED发光的TFT；用来测量OLED的第一电极与第二电极之间流动的总电流的装置；用来对测得的电流值与参考电流值进行比较的装置；以及用来根据测得的电流值与参考电流值之间的差值而修正OLED的第一电极与第二电极之间的电压，使OLED的第一电极与第二电极之间流动的总电流的数值靠近参考电流值的装置。
22.根据权利要求21的器件，其中为OLED的各个相应颜色提供测量装置、比较装置、和修正装置。
23.根据权利要求21的器件，其中用数字视频信号来控制OLED发光的周期，以显示灰度。
24.根据权利要求21的器件，其中的比较装置包含计算电路。
25.一种发光器件，它包含OLED；可变电源；用来测量OLED的第一电极与第二电极之间流动的电流的电流表；以及用来对测得的电流值与参考电流值进行比较，并借助于控制可变电源而修正OLED的第一电极与第二电极之间的电压，使OLED的第一电极与第二电极之间流动的电流的数值靠近参考电流值的修正电路。
26.根据权利要求25的器件，其中为OLED的各个相应颜色提供可变电源、电流表、和修正电路。
27.根据权利要求25的器件，其中，其上制作修正电路或电流表的第二衬底，被固定到其上制作OLED的第一衬底上。
28.根据权利要求25的器件，其中用COG方法，将其上制作修正电路或电流表的第二衬底，固定到其上制作OLED的第一衬底上。
29.根据权利要求25的器件，其中用引线键合方法，将其上制作修正电路或电流表的第二衬底，固定到其上制作OLED的第一衬底上。
30.根据权利要求25的器件，其中用数字视频信号来控制OLED发光的周期，以显示灰度。
31.一种发光器件，它包含各具有一个OLED的多个象素；用来测量提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间流动的总电流的电流表；以及用来对测得的电流值与参考电流值进行比较，并借助于控制可变电源而修正提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间的电压，使提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间流动的总电流的数值靠近参考电流值的修正电路。
32.根据权利要求31的器件，其中为OLED的各个相应颜色提供可变电源、电流表、和修正电路。
33.根据权利要求31的器件，其中，其上制作修正电路或电流表的第二衬底，被固定到其上制作OLED的第一衬底上。
34.根据权利要求31的器件，其中用COG方法，将其上制作修正电路或电流表的第二衬底，固定到其上制作OLED的第一衬底上。
35.根据权利要求31的器件，其中用引线键合方法，将其上制作修正电路或电流表的第二衬底，固定到其上制作OLED的第一衬底上。
36.根据权利要求31的器件，其中用数字视频信号来控制OLED发光的周期，以显示灰度。
37.一种发光器件，它包含各具有一个OLED的多个象素；用来测量提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间流动的总电流的电流表；以及用来对测得的电流值与参考电流值进行比较，并借助于控制可变电源而修正提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间的电压，使提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间流动的总电流的数值靠近参考电流值的修正电路；其中当测得的电流值与参考电流值之间的差值以恒定宽度被改变时，待要修正的电压每次以恒定的大小改变。
38.根据权利要求37的器件，其中为OLED的各个相应颜色提供可变电源、电流表、和修正电路。
39.根据权利要求37的器件，其中，其上制作修正电路或电流表的第二衬底，被固定到其上制作OLED的第一衬底上。
40.根据权利要求37的器件，其中用COG方法，将其上制作修正电路或电流表的第二衬底，固定到其上制作OLED的第一衬底上。
41.根据权利要求37的器件，其中用引线键合方法，将其上制作修正电路或电流表的第二衬底，固定到其上制作OLED的第一衬底上。
42.根据权利要求37的器件，其中用数字视频信号来控制OLED发光的周期，以显示灰度。
43.一种发光器件，它包含各具有在象素部分中的一个OLED的多个象素；用来测量提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间流动的总电流的电流表；以及用来对测得的电流值与参考电流值进行比较，并借助于控制可变电源而修正提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间的电压，使提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间流动的总电流的数值靠近参考电流值的修正电路；其中当提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间流动的总电流被测量时，特定的图象被显示在象素部分上。
44.根据权利要求43的器件，其中为OLED的各个相应颜色提供可变电源、电流表、和修正电路。
45.根据权利要求43的器件，其中，其上制作修正电路或电流表的第二衬底，被固定到其上制作OLED的第一衬底上。
46.根据权利要求43的器件，其中用COG方法，将其上制作修正电路或电流表的第二衬底，固定到其上制作OLED的第一衬底上。
47.根据权利要求43的器件，其中用引线键合方法，将其上制作修正电路或电流表的第二衬底，固定到其上制作OLED的第一衬底上。
48.根据权利要求43的器件，其中用数字视频信号来控制OLED发光的周期，以显示灰度。
49.一种发光器件，它包含各具有在象素部分中的一个OLED的多个象素；用来测量提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间流动的总电流的电流表；以及用来对测得的电流值与参考电流值进行比较，并借助于控制可变电源而修正提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间的电压，使提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间流动的总电流的数值靠近参考电流值的修正电路；其中当提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间流动的总电流被测量时，参考电流值根据显示在象素部分上的图象而不同。
50.根据权利要求49的器件，其中为OLED的各个相应颜色提供可变电源、电流表、和修正电路。
51.根据权利要求49的器件，其中，其上制作修正电路或电流表的第二衬底，被固定到其上制作OLED的第一衬底上。
52.根据权利要求49的器件，其中用COG方法，将其上制作修正电路或电流表的第二衬底，固定到其上制作OLED的第一衬底上。
53.根据权利要求49的器件，其中用引线键合方法，将其上制作修正电路或电流表的第二衬底，固定到其上制作OLED的第一衬底上。
54.根据权利要求49的器件，其中用数字视频信号来控制OLED发光的周期，以显示灰度。
55.一种操作具有多个象素的发光器件的方法，其中每个象素具有一个OLED，它包含下列步骤测量提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间流动的总电流；对测得的电流值与参考电流值进行比较；根据测得的电流值与参考电流值之间的差值，修正提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间的电压，使提供在多个象素的至少二个中的OLED的第一电极与第二电极之间流动的总电流的数值靠近参考电流值。
全文摘要
提供了一种结构简单易行且无浪费的发光器件,其中OLED亮度的变化被抑制,且即使有机发光层有一些退化或环境温度被改变,也能够稳定地执行所需彩色的显示。象素部分的OLED的驱动电流被测量,且从可变电源馈送到象素部分的电压数值被修正成使测得的驱动电流取参考数值。当OLED的驱动电流被测量时,利用在显示图象方面与视频信号是不同系统的监视器视频信号,在象素部分上显示监视器图象。利用上述结构,能够抑制伴随有机发光层退化的亮度下降。结果,能够显示清晰的图象。
文档编号G09G3/32GK1372432SQ021025
公开日2002年10月2日 申请日期2002年1月29日 优先权日2001年1月29日
发明者犬饲和隆 申请人:株式会社半导体能源研究所