专利名称：图像显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种可进行高灵敏度的光信号输入的图像显示装置。
背景技术：
以下，使用图19对现有技术进行说明。
首先，对现有例的结构进行说明。图19是使用了现有技术的可进行光信号输入的液晶显示器的电路结构图。设置在显示部210的各像素由像素开关202和液晶电容201构成。像素开关202的栅极与栅极线扫描电路212相连接，像素开关202的另一端与信号输出电路211相连接。
另外，在显示部210设置有光传感器元件203，该光传感器元件203由在上下具有栅极的TFT(Thin-Film-Transistor)形成。光传感器元件203的源极-漏极路径的一端被接地，下栅极与底栅扫描电路214相连接，上栅极与顶栅扫描电路215相连接，光传感器元件203的源极-漏极路径的另一端与预充电电路216和光信号读出电路213相连接。另外，信号输出电路211、栅极线扫描电路212、光信号读出电路213、底栅扫描电路214、顶栅扫描电路215由控制电路217控制。
此外，作为控制电路217的结构，使用例如逻辑IC芯片，该逻辑IC芯片使用了门阵列。另外，控制电路217和光信号读出电路213之间的双向信号线280传输用于由控制电路217控制读出电路213的控制信号、和从读出电路213输出到控制电路217的光检测信号，信号线281传输控制信号输出电路211的控制信号。
接着，对现有例的动作进行说明。
当通过栅极线扫描电路212使所选择的预定的像素开关202导通时，从信号输出电路211输出的显示信号经由所选择的像素开关202而被写入到预定的像素的液晶电容201，由此，能够在显示部210显示影像。另外，当由底栅扫描电路214和顶栅扫描电路215所选择的光传感器元件203的光信号输出被读出到由预充电电路216预充电的布线时，该光信号由光信号读出电路213读出，能够检测出被输入到显示部210的写入光信号图形。
根据这种现有技术，除了能在显示部210上显示影像，还能使用显示部210来检测二维的光信号图形。这种现有技术的例子在例如日本特开2000-259346号公报(参照专利文献1)等被更详细地记载。
专利文献1日本特开2000-259346号公报上述现有技术的显示器还残留着难以进行高灵敏度的光信号读出这个课题。特别是在液晶显示器的情况下，背光灯的影响强，因情况，导致入射到显示部的光的数十倍以上强度的背光灯的光入射到光传感器元件。因此，从光传感器元件所读出的光信号输出的S/N变得非常小，高灵敏度、高速的读出很困难。另外，在EL显示器(Electro-Luminescence)和有机EL(Organic Light Emitting Diode)显示器等应用本技术的情况下，也会由杂散光的影响引起S/N的恶化变大，显示图像且进行高灵敏度、高速的光信号的读出很困难。
发明内容
上述课题这样来解决在图像显示装置中，具有显示部，排列有多个显示像素；显示信号写入单元，在显示像素写入显示信号；多个光检测像素，用于检测排列在显示部的光输入；光信号读出单元，用于读取从光检测像素输出的光信号，另外，还具有光信号加总单元，加总从由光检测像素选择单元所选择的多个光检测像素输出的光信号，光信号读出单元具有读出由光信号加总单元加总光信号后得到的加总光信号的功能。
根据本发明，能够提供一种可进行高灵敏度、高速的光信号的读出的图像显示装置。
图1是第一实施例的液晶显示器的电路结构图。
图2是第一实施例的传感器栅极线选择电路的电路结构图。
图3是第一实施例的起始和结束地址译码器的电路结构图。
图4是第一实施例的传感器栅极线驱动电路的电路结构图。
图5是第一实施例的符合(identity)逻辑门“X”的逻辑关系图。
图6是第一实施例中的使用方法说明图。
图7是第一实施中的栅极线以及传感器栅极线的时序图。
图8是第一实施例的光电二极管和传感器开关的剖面结构图。
图9是第二实施例的液晶显示器的电路结构图。
图10是第三实施例的液晶显示器的电路结构图。
图11是第三实施例的传感器栅极线组选择电路的电路结构图。
图12是第三实施例中的使用方法说明图。
图13是第三实施例的栅极线和传感器栅极线块的时序图。
图14是第四实施例的液晶显示器的电路结构图。
图15是第四实施例的光检测用TFT以及传感器开关的剖面结构图。
图16是第五实施例的液晶显示器的电路结构图。
图17是第六实施例的有机EL显示器的电路结构图。
图18是第七实施例的TV/录像图像显示装置的结构图。
图19是使用了以往的技术的液晶显示器的电路结构图。
具体实施例方式
针对本发明的图像显示装置的实施例，以下参照附图进行详细地说明。
实施例1下面依次使用图1～图8，说明本发明的图像显示装置的第一实施例的结构和动作。
图1是表示本发明的第一实施例的液晶显示器的电路结构图。在显示部10所设置的各像素由像素开关2和液晶电容1构成。像素开关2的栅极经由栅极线22与栅极线扫描电路12相连接，像素开关2的源极-漏极路径的一端经由信号线21与信号输出电路11相连接，另一端经由电容1与公用线相连接。
另外，在显示部10设置有由传感器开关5、光电二极管3以及电荷蓄积电容4形成的光检测像素。光电二极管3和电荷蓄积电容4的一端与接地端9相连接，传感器开关5的栅极经由传感器栅极线24与传感器栅极线选择电路14相连接，光电二极管3和电荷蓄积电容4的另一端经由传感器开关5的源极-漏极路径和信号线21与读出电路13相连接。
另外，信号输出电路11、栅极线扫描电路12、读出电路13、传感器栅极线选择电路14由控制电路17控制。在这里，特别是从控制电路17至传感器栅极线选择电路14，输入起始地址输入线20A和结束地址输入线20B。此外，作为控制电路17的结构，使用逻辑IC芯片，该逻辑IC芯片使用了门阵列。另外，控制电路17和读出电路13之间的双向信号线80传输用于由控制电路17控制读出电路13的控制信号、和从读出电路13输出到控制电路17的光检测信号，信号线81传输控制信号输出电路的控制信号。
接着，针对本发明的第一实施例的动作进行说明。
当由栅极线扫描电路12经由栅极线22使所选择的预定的像素开关2导通时，从信号输出电路11所输出的显示信号经由信号线21和所选择的像素开关2而被写入到预定的像素的液晶电容1。通过对全部像素反复进行该写入动作，能够在由多个像素构成的显示部10显示由显示信号生成的影像。
另外，当光入射到光电二极管3时，在光电二极管3产生与入射光对应的光信号电荷，该光信号电荷被蓄积到各光检测像素的电荷蓄积电容4。在这里，以预定的时序，当控制电路17经由传感器栅极线选择电路14而使连续的多个传感器栅极线24同时接通时，被蓄积到所选择的各光检测像素的光信号电荷同时被读出到对应的信号线21，与同一个信号线21相连接的光检测像素的光信号电荷在信号线21上被加总。按信号线21加总的光信号电荷由读出电路13读出。由此，能够检测被输入到显示部10的写入光信号图形。
此外，在检测光信号图形时，信号输出电路11的输入端被置为高阻抗，另外，在信号输出电路11向信号线21输出显示信号时，读出电路13的输入端被置为高阻抗。在信号输出电路11和读出电路13的输入端的阻抗控制上，采用切换开关。
接着，使用图2～图5对第一实施例中的传感器栅极线选择电路14更详细地进行说明。
图2是第一实施例的传感器栅极线选择电路14的电路结构图。
传感器栅极线选择电路14由起始地址译码器30A、结束地址译码器30B、传感器栅极线驱动电路30C构成。从控制电路17输入的起始地址输入线20A、结束地址输入线20B分别被输入到起始地址译码器30A、结束地址译码器30B。另外，在传感器栅极线驱动电路30C，连接有从起始地址译码器30A以及结束地址译码器30B引出的地址线31，从传感器栅极线驱动电路30C，对应于各地址线31连接有传感器栅极线24。
另外，当将选择起始地址从控制电路17经由起始地址输入线20A输入到起始地址译码器30A时，起始地址译码器30A将与选择起始地址对应的地址信号31AH输入到传感器栅极线驱动电路30C。
另外，当将选择结束地址从控制电路17经由结束地址输入线20B输入到结束地址译码器30B时，结束地址译码器30B将与选择结束地址对应的地址信号31BH输入到传感器栅极线驱动电路30C。
接受了与选择起始地址对应的地址信号31AH和与选择结束地址对应的地址信号31BH的传感器栅极线驱动电路30C据此选择与选择起始地址至选择结束地址对应的连续的传感器栅极线24H。由此，选择与控制电路17输出的选择起始地址和选择结束地址对应的、连续的传感器栅极线24H，从而同时选择与该传感器栅极线24H连接的所有的光检测像素。
图3是上述起始地址译码器30A和结束地址译码器30B的电路结构图。由于起始地址译码器30A和结束地址译码器30B具有相同的结构，所以在这里示出一个结构30A。起始地址译码器30A和结束地址译码器30B，在每根地址线31具有和电阻串联连接的TFT(Thin-Film-Transistor)，在这里，n型和p型的TFT混装。
另外，在上述电阻一端输入低电压VL，在TFT一端输入高电压VH。如图3所示，在各TFT的栅极输入起始地址输入线20A或者结束地址输入线20B(20A/20B)。起始地址输入线20A或者结束地址输入线20B成为对要选择的地址进行指定的地址总线。
在地址总线为H(高)电平的情况下，n型TFT导通，在为L(低)电平的情况下，p型TFT导通，所以如图所示，通过组合n型和p型的TFT，从而起始地址输入线20A或者结束地址输入线20B能够选择与任意的地址对应的地址线。
此外，在这里，图3中的起始地址输入线20A或者结束地址输入线20B，为了使附图简化而省略为3根，但实际上按照480根地址线31，起始地址输入线20A或者结束地址输入线20B的地址总线分别设置有9根。9根地址总线通过发送9位的地址，从而可控制到512个地址。此外，图3所示的(111)～(100)，是表示在为了简化附图而将地址总线简化为3位的情况下输入地址的情况的例子。
图4是传感器栅极线驱动电路30C的电路结构图。在传感器栅极线驱动电路30C并联输入有各地址线31，另外，与此对应，设置有符合逻辑门“X”32。各符合逻辑门“X”32的输出与传感器栅极线24相连接的同时，也被输入到下级的符合逻辑门“X”32。另外，在初级的符合逻辑门“X”32输入有逻辑L电平。
在这里，在图5表示符合逻辑门“X”32的逻辑关系。从图5可知，符合逻辑门“X”32，相对两个输入IN1、IN2，在输入逻辑为L电平或者H电平一致的情况下，输出L电平，在输入逻辑为L电平和H电平不一致的情况下，输出H电平。
传感器栅极线驱动电极30C通过具有上述的逻辑结构，能够将从某个地址线31为H电平的地址开始到其他的地址线31为H电平的地址为止的传感器栅极线24同时控制为导通状态即H电平。
针对本第一实施例的液晶显示器的使用方法，下面使用图6进行说明。图6是作为第一实施例的液晶显示器的使用方法说明图。图6表示在液晶显示部10显示出预定的图像的状态，和“选择A或B”的字符一起，实现记载为“A”或者“B”的开关状显示。这是等待由用户选择性地触摸“A”或者“B”的开关进行输入的状态，用户触摸画面上的记载有“A”或者“B”的开关状显示部，使通过利用读出电路13读出来自光检测像素的光信号电荷输出来检测的。
在这里，由用户进行的触摸输入有效的区域是实现记载为“A”“B”的开关状显示的区域，所以控制电路17经由传感器栅极线选择电路14，从传感器栅极线24中选择实现记载为“A”“B”的开关状显示的区域的多个传感器栅极线24H，并使它们同时接通。因此，被蓄积到所选择各光检测像素的光信号电荷被同时读出到对应的信号线21，与同一信号线21相连接的光检测像素的光信号电荷在信号线21上被加总。因此，通过光信号电荷的加总，能进行S/N大的高灵敏度的信号检测。
此外，在第一实施例的液晶显示器中，需要同时进行这样的由手指等的触摸带来的光信号变化的检测和图像输出。由于信号线21用于对像素的显示信号写入、光信号电荷的加总和读出，所以两者需要在时间上分离。下面，使用图7对这种动作顺序进行说明。
图7是栅极线22、同时被选择接通的传感器栅极线24H、未被选择的传感器栅极线24的时序图。此外，在这里，在栅极线22，从第1行至第n行，标上从(1)至(n)的序码，但在本实施例中，n＝480。
在1帧(1FRM)期间内，依次扫描从第1行至第n行的栅极线22，在显示部10内的各像素写入显示信号后，在垂直消隐(V-BLK)期间，传感器栅极线24接通，进行一组的光信号电荷的加总和读出。此时未被选择的传感器栅极线24总是断开。
接着，使用图8来说明光电二极管3和传感器开关5的结构。图8是光电二极管3和传感器开关5的剖面结构图。通过对在玻璃衬底25上所形成的多晶硅薄膜掺杂P型和N型的杂质，从而形成作为光电二极管3和传感器开关5的TFT的沟道层。光电二极管3的一端通过金属布线与接地端9相连接，另一端通过光检测像素内金属布线29与传感器开关5的一端相连接，传感器开关5的另一端与信号线21相连接。传感器开关5的栅电极为传感器栅极线24。此外，在这里，I层是表示杂质浓度为多晶硅薄膜的陷阱能级密度以下的低浓度的标记。另外，光电二极管3和传感器开关5被层间绝缘膜26和保护膜27覆盖。
此外，在第一实施例中，如图8所示，光电二极管3和传感器开关5采用多晶硅薄膜形成，但是并不限于多晶硅，也能将其他的有机/无机半导体薄膜用于晶体管。
实施例2下面，使用图9对本发明的第二实施例进行说明。图9是本发明第二实施例的液晶显示器的电路结构图。本实施例的液晶显示器的结构和动作基本上和第一实施例相同。和第一实施例比较时的不同点是像素开关2的一端经由信号线专用线36与信号输出电路11相连接、传感器5的一端经由传感器专用线37与读出电路13相连接、另外在传感器专用线37的左右连接有光检测像素，因此，下面仅对此进行说明。
第二实施例的动作基本上和第一实施例的动作一样，但是因为第一实施例中的信号线21被分离为信号线专用线36和传感器专用线37，所以能经由信号线专用线36向像素写入显示信号，同时经由传感器专用线37读取光信号电荷。因此，能以独立的时序使两者进行动作。另外，在第一实施例中，光信号电荷的加总仅能在列方向进行，但是在第二实施例中，由于在传感器专用线37的左右连接有光检测像素，所以也可同时进行行方向的光信号电荷的加总，可进行S/N较大的高灵敏度的信号检测。
此外，在第二实施例中，在传感器专用线37连接着左右的光检测像素，但作为该想法的延伸，也实现在行方向将多个光检测像素连接在一根传感器专用线37上的结构。此时，可进行S/N更大的高灵敏度的信号检测。
另外，在第二实施例中，在传感器专用线37的左右连接有光检测像素，但是，不言而喻，也可以是第一实施例中的在信号线21的左右连接光检测像素那样的结构。
实施例3以下，使用图10～图13对本发明的第三实施例进行说明。图10是作为本发明的第三实施例的液晶显示器的电路结构图。本实施例的液晶显示器的结构和动作基本上和第一实施例一样。和第一实施例比较时的不同点是取代传感器栅极线选择电路14而设置有传感器栅极线组选择电路40。从控制电路17至传感器栅极线组选择电路40，输入有传感器栅极控制线20。下面，仅对此进行说明。
关于第三实施例中的传感器栅极线组选择电路40，使用图11～图13进行详细地说明。
图11是传感器栅极线组选择电路40的电路结构图。传感器栅极线组选择电路40由传感器栅极线组驱动电路40C构成，从控制电路17所输入的传感器栅极控制线20被输入到传感器栅极线组驱动电路40C。另外，在传感器栅极线组驱动电路40C连接有传感器栅极线24，但是传感器栅极线24预先被分割为24-1至24-m的m个块，在传感器栅极线组选择电路40中，各块公用地被连接。此外，在本实施例中，m的数量为3。
针对第三实施例的液晶显示器的利用方法，以下使用图12进行说明。图12是第三实施例中的利用方法的说明图，示出在液晶显示器10显示出预定的图像的状态。和“选择一个”的字符一起，实现记载为“A”“B”“C”或者“D”的开关状显示。这是等待由用户选择性地触摸“A”“B”“C”或者“D”的开关进行输入的状态。用户触摸画面上的记载为“A”“B”“C”或者“D”的开关状的显示部，是通过由读出电路13读出来自光检测像素的光信号电荷输出来检测的。在这里，由用户进行的触摸输入有效的区域是实现记载为“A”“B”“C”“D”的开关状显示的区域，但是在这里，如图12所示，“B”“C”“D”以及“A”的区域与24-1、24-2、24-3的块对应地被显示。
控制电路17经由传感器栅极线组选择电路40，与24-1、24-2、24-3的块对应地使传感器栅极线24接通。由于各块内的传感器栅极线24同时接通，所以被蓄积在由此选择的各光检测像素的光信号电荷被同时读出到对应的信号线21。由于与同一信号线21相连接的光检测像素的光信号电荷在信号线21上被加总，所以通过光信号的加总，也可在本实施例中进行S/N大的高灵敏度的信号检测。
在此，针对作为第三实施例的液晶显示器的动作顺序，使用图13进行说明。图13是栅极线22和按块选择接通的传感器栅极线块24-1、24-2、24-3的时序图。此外，在这里，在栅极线22，从第1行至第n行，标上(1)至(n)的序码，但是在本实施例中，也是n＝480。
在1帧(1FRM)期间内，依次扫描从第1行至第n行的栅极线22，在显示部10的各像素写入显示信号后，在垂直消隐(V-BLK)期间内，传感器栅极线24按块24-1、24-2、24-3接通，进行一组的光信号电荷的加总和读出。
此外，在本实施例中，此时，未被选择的传感器栅极线24为没有接通，但是显然也可以根据情况使不需要选择的传感器栅极线块24-k总是断开。
实施例4下面，使用图14和图15，对本发明的第四实施例进行说明。图14是作为第四实施例的液晶显示器的电路结构图。本实施例的液晶显示器的结构和动作基本上和第一实施例一样。和第一实施例相比较时的不同点是光检测像素中的光电二极管3被置换为光检测用TFT53。因此，下面仅对此进行说明。
第四实施例，除了第一实施例中光电二极管3被置换为光检测用TFT53以外，和第一实施例的动作同样。光检测用TFT53是栅极与源极相连接的二极管连接，TFT的阈值为正电压值。因此，在没有照射光的状态下仅流过由暗电流引起的漏电流，而光入射时和一般的光电二极管同样生成与沟道中的光吸收量对应的光信号电流。
下面，针对本实施例中的光检测用TFT53和传感器开关5的结构，使用图15进行说明。图15是光检测用TFT53和传感器开关5的剖面结构图。在玻璃衬底25上以同一层结构形成光检测用TFT53的栅电极54和传感器开关5的传感器栅极线24，通过对在其上夹持栅极绝缘膜所形成的多晶硅薄膜掺杂N型的杂质，从而形成作为光检测用TFT53和传感器开关5的TFT的沟道层。光检测用TFT53和传感器开关5取逆交错结构(Inverted staggered structure)，光检测用TFT53的一端通过金属布线与接地端9相连接，另一端通过光检测像素内金属布线29与传感器开关5的一端相连接，传感器开关5的另一端与信号线21相连接。此外，在这里，光检测用TFT53和传感器开关5被层间绝缘膜26和保护膜27覆盖。
此外，在本实施例中，如图15所示，以将多晶硅薄膜逆交错结构形成光检测用TFT53和传感器开关5，但是，不限于多晶硅，也可以将其他有机/无机半导体薄膜用于晶体管，另外，也可如第一实施例那样使用共面(coplanar)结构。
在本实施例中，通过使用光检测用TFT53而不需要P型的半导体层，因此能够实现更低成本的液晶显示器。
实施例5下面，使用图16，对本发明的第五实施例进行说明。图16是第五实施例的液晶显示器的电路结构图。本实施例的液晶显示器的结构和动作基本上和第一实施例同样。和第一实施例相比较时的不同点是在读出电路13的输出级设置具有模拟存储器列60A和模拟存储器列60B的光信号差分电路60，因此，下面仅对此进行说明。
读出电路13检测在信号线21加总的光信号电荷，并将光信号电压输出到光信号差分电路60。光信号差分电路60将所输入的光信号电压写入并存储到模拟存储器列60A。当为下一帧时，读出电路13再次检测在信号线21所加总的光信号电荷，并将光信号电压输出到光信号差分电路60，但是，光信号差分电路60这次将所输入的光信号电压写入并存储到模拟存储器列60B，进而经由信号线80将预先写入到模拟存储器列60A的光信号电压与新写入到模拟存储器列60B的光信号电压的差输出到控制电路17。
进而，当为下一帧时，读出电路13检测在信号线21加总的光信号电荷，将光信号电压输出到光信号差分电路60，光信号差分电路60这次将所输入的光信号电压写入并存储到模拟存储器列60A，并将与新的光信号电压的差输出到控制电路17，反复进行上述动作。
第五实施例，如上所述，通过取帧之间的光信号电压的差，从而能够除去因环境光和温度分布等产生的种种误差原因，仅读出因手指触摸到显示器面板上而发生的变化，由此能进行S/N更大的高灵敏度的信号检测。
实施例6下面，使用图17对本发明的第六实施例进行说明。图17是第六实施例的有机EL显示器的电路结构图。在显示部70所设置的各像素由像素开关72、存储电容75、驱动TFT73、以及有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode)74构成。像素开关72的栅极经由栅极线22与栅极线扫描电路12相连接，像素开关72的源极-漏极路径的一端经由信号线21与信号输出电路11相连接。另外，像素开关72的另一端与存储电容75的一端以及驱动TFT73的栅极相连接，驱动TFT73的漏极端经由有机发光二极管74而接地。驱动TFT73的源极端和存储电容75的另一端一起与电源线77相连接。电源线77与电源电路76相连接。
另外，在显示部70设置有用传感器开关5、光电二极管3以及电荷蓄积电容4形成的光检测像素。光电二极管3以及电荷蓄积电容4的一端与接地端9相连接，传感器开关5的栅极经由传感器栅极线24与传感器栅极线选择电路14相连接，传感器开关5的另一端经由信号线21与读出电路13相连接。另外，信号输出电路11、栅极线扫描电路12、读出电路13、传感器栅极线选择电路14由控制电路17控制。在这里，特别是从控制电路17至传感器栅极线选择电路14，输入起始地址输入线20A和结束地址输入线20B。这种光检测像素部分的结构和第一实施例一样。
接着，对本发明的第六实施例的动作进行说明。当通过栅极线扫描电路12使经由栅极线22所选择的预定的像素开关72接通时，从信号输出电路11所输出的显示信号经由信号线21和所选择的像素开关72被写入到预定的像素的存储电容75，对所有像素反复进行以上动作。被写入到像素的显示信号电压被施加在驱动TFT73的栅极-源极之间，所以驱动TFT73将与显示信号电压对应的有机EL驱动电流输入到有机发光二极管74，以预定的亮度使其发光。如上所述，本实施例的有机EL显示器能够在由多个像素构成的显示部70自发光显示由显示信号形成的影像。
另外，当光入射到光电二极管3时，在光电二极管3产生与入射光对应的光信号电荷，该光信号电荷被蓄积在各光检测像素的电荷蓄积电容4。在这里，以预定的时序，控制电路17经由传感器栅极线选择电路14使连续的多个传感器栅极线24同时接通时，被蓄积到所选择的各光检测像素的光信号电荷被同时读出到对应的信号线21，与同一信号线21相连接的光检测像素的光信号电荷在信号线21上被加总。
按信号线21加总的光信号电荷被读出电路13读出。因此，能够检测出被输入到显示部70的写入光信号图形。此外，在检测光信号图形时，信号输出电路11的输入端被置为高阻抗，另外，在信号输出电路11向信号线21输出显示信号时，读出电路13的输入端被置为高阻抗。在信号输出电路11和读出电路13的输入端的阻抗控制上，采用切换开关。这种光检测像素部分的动作和本发明的第一实施例一样。
本实施例由于有机发光二极管74进行自发光显示，所以不需要像液晶显示器那样的背光灯。因此，能够避免因背光灯的光入射到光检测像素而引起的光信号的S/N恶化，能够进行S/N更大的高灵敏度的信号检测。
此外，在第六实施例中，作为发光元件，并不限于有机发光二极管元件，显然也能应用无机EL元件和FED(Field-Emission Device)等一般的发光元件。另外，在本实施例中，由于不是发明的本质，所以省略发光层的详细的记载，但是显然作为有机发光二极管元件结构，也可以采用低分子型、高分子型等多种分子结构。
进而，在本实施例中，有机发光二极管74的对置电极接地，但是显然该电位未必需要是0V，另外，包括有机EL元件的极性，可进行适当变更。
实施例7下面，使用图18对本发明的第七实施例进行说明。图18是第七实施例的TV/录像图像显示装置100的结构图。从外部向接收地波数字信号等的无线接口电路WIF，输入压缩后的图像数据等作为无线数据，无线接口电路WIF的输出经由输入输出电路I/O与数据总线108相连接。除此之外，在数据总线108，还连接有微处理器MPU、显示面板控制器106、帧存储器MEM等。进而，显示面板控制器106的输出被输入到液晶显示器101。此外，在图像显示装置100内还设置有电压生成电路PWU。此外，在这里，液晶显示器101和先前叙述的第一实施例基本上具有相同的结构和动作，因此，在这里省略说明其内部的结构和动作。
进而，在微处理器MPU发出触摸面板输入命令的情况下，显示面板控制器106根据该指示驱动液晶显示器101的光检测电路，从控制电路17接收光检测输出，将预定的输出数据经由数据总线108输出到微处理器MPU。微处理器MPU根据该输出数据进行新的动作。
根据本实施例，能够提供一种相对触摸面板输入灵敏度高、使用方便的TV/录像图像显示装置。
此外，在本实施例中，作为图像显示设备使用了在第一实施例说明的液晶显示器，但显然除此之外，在不脱离本发明的主旨的范围内，也可以使用具有其他结构的显示面板。
权利要求
1.一种图像显示装置，具有显示部，排列有多个显示像素；显示信号写入单元，在该显示像素写入显示信号；多个光检测像素，用于检测出排列在该显示部的光输入；以及光信号读出单元，用于读取从上述光检测像素输出的光信号，图像显示装置的特征在于，还具有光检测像素选择单元，选择多个上述光检测像素；和光信号加总单元，加总从由上述光检测像素选择单元所选择的多个上述光检测像素输出的光信号，上述光信号读出单元具有读出由上述光信号加总单元加总光信号后得到的加总光信号的功能。
2.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于上述显示像素是液晶显示像素。
3.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于上述显示像素是EL显示像素。
4.根据权利要求3所述的图像显示装置，其特征在于上述显示像素是有机EL显示像素。
5.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于上述光检测像素是薄膜二极管。
6.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于上述光检测像素是薄膜晶体管。
7.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于上述光检测像素选择单元使用地址译码器而构成。
8.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于上述光检测像素选择单元使用移位寄存器而构成。
9.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于上述光信号加总单元使用作为显示信号写入单元的一部分的信号写入布线。
10.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于上述光信号加总单元使用作为光信号读出单元的一部分设置的光信号读出布线。
11.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于上述光信号加总单元具有加总显示部中的垂直方向的上述光检测像素的光信号的结构。
12.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于上述光信号加总单元具有加总显示部中的水平扫描线方向的上述光检测像素的光信号的结构。
13.一种图像显示装置，具有显示部，排列有多个显示像素；数据存储单元，存储显示信号数据；显示信号生成单元，使用上述显示信号数据生成显示信号；显示信号写入单元，在上述显示像素写入上述显示信号；多个光检测像素，用于检测排列在上述显示部的光输入；以及光信号读出单元，用于读取从该光检测像素输出的光信号，图像显示装置的特征在于，还具有光检测像素选择单元，选择多个上述光检测像素；和光信号加总单元，加总从由该光检测像素选择单元所选择的多个上述光检测像素输出的光信号，上述光信号读出单元具有读出由上述光信号加总单元加总光信号后得到的加总光信号的功能。
全文摘要
在现有技术的显示器、特别是液晶显示器，背光灯的影响强，高灵敏度的光信号的读出困难。本发明提供一种解决上述课题的图像显示装置，具有光信号加总单元，该光信号加总单元加总从多个光检测像素输出的光信号；光信号读出单元具有读出由光信号加总单元加总的加总光信号的功能。
文档编号G09F9/00GK101034236SQ20071000426
公开日2007年9月12日 申请日期2007年1月19日 优先权日2006年3月6日
发明者秋元肇, 宫本光秀 申请人:株式会社日立显示器