专利名称：液晶显示面板的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示面板，可改善当共同电位有抖动现象，此抖动也不会影 响到像素的关闭状况，如此可避免像素的误放电等不良状况且其储存电容能提供高电场强 度，以达到更佳的多域液晶倾斜效果。
背景技术：
液晶显示器(IXD)具有低辐射、低耗量等优点，已逐渐成为显示器的主流。液晶 显示器中的液晶面板包括像素阵列，此像素阵列由多个像素单元排列而成。各像素单元原 则上包括当成开关的TFT (薄膜晶体管)，储存电容(storage capacitor, Cs)与液晶电 容。储存电容的种类包括栅极线上储存电容(Cs on Gate)与共同线上储存电容(Cs on Common)。在应用共同线上储存电容的液晶面板中，共同线上储存电容耦接于共同电极与像 素电极之间。当扫描线被打开时，共同线上储存电容的跨压约+5V。如此，因电场强度不足， 不易达到多域配向液晶模式中利用共同电极当做辅助配向功效的液晶光学特性。另一方面，在应用栅极线上储存电容的液晶面板中，栅极线上储存电容耦接于像 素画极与下一条扫描线之间。所以，当扫描线被打开时，栅极线上储存电容的跨压约为 +15V。如此，电场强度虽然足够，但当共同电位抖动(toggle)时，易造成像素电极的电压抖 动。此抖动电压易透过储存电容而影响到下一条扫描线，使得下一条扫描线的低电位不稳 定，进而造成下一条扫描线的相对应TFT会误漏电或有不良影响。
发明内容
本发明有关于一种液晶显示面板，其具有新的储存电容架构，以使得储存电容能 提供更好的电场强度，以达到更佳的广视角效果与液晶倾斜效果。本发明有关于一种液晶显示面板，其具有储存电容充电控制开关，即使共同电位 有抖动，此抖动也不会影响到像素的关闭状况，以避免像素的误放电等不良状况。本发明之一例提供一种显示面板，包括像素阵列，包括多个像素单元，各像素单 元至少包括储存电容；多条扫描线，耦接至该些像素单元；以及多个储存电容充电晶体管， 各储存电容充电晶体管分别耦接至该些像素单元的相对应像素单元的该些储存电容以及 该些扫描线的两条扫描线，该些储存电容充电晶体管用以对该些像素单元的该些储存电容 充电。本发明另一例提供一种显示面板，包括至少一像素单元，至少包括一储存电容， 该储存电容包括第一端与第二端；第一扫描线，耦接至该像素单元；第二扫描线；以及至少 一储存电容充电晶体管，包括第一端，耦接至该像素单元的该储存电容的该第一端；第二 端，耦接至该第一扫描线；以及第三端，耦接至该第二扫描线。本发明又另一例提供一种显示面板，包括至少一第一有源元件；以及多个像素 单元。各该像素单元包括数据线；扫描线；像素电极；第二有源元件，具有第一端，耦接至该扫描线；第二端，耦接至该数据线；以及第三端，耦接至该像素电极；以及电极，沿着该像 素电极、该扫描线与该数据线设置，该电极耦接至该第一有源元件，该电极与该像素电极定 义储存电容。 为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明 如下
图1显示本发明实施例的像素阵列等效电路图。 图2显示扫描线G1被打开时，液晶面板的操作示意图, 图3显示扫描线G2被打开时，液晶面板的操作示意图, 图4显示扫描线G3被打开时，液晶面板的操作示意图, 图5显示扫描线G4被打开时，液晶面板的操作示意图, 图6A、6B和6C为本实施例的第一种像素单元结构图。 图7A、7B和7C为本实施例的第二种像素单元结构图。 图8A、8B和8C为本实施例的第三种像素单元结构图。 图9A、9B和9C为本实施例的第四种像素单元结构图。 附图标记说明 100 液晶面板
T1 T4 储存电容充电晶体管 TP 有源元件
Cst 储存电容 VI V4、VP1 VP4 电压 VGH、VGL、VS1、VS3 电位 615、715、815、915 电极 810 凸起物
G1 G4 扫描线 S1 S3 数据线 Clc 液晶电容 VC0M 共同电位 PE 像素电极
610 穿孔
910:像素电极穿孔
具体实施例方式本发明实施例提供新的储存电容架构，可改善即使共同电位有抖动现象，此抖动 也不会影响到像素的关闭状况，如此可避免像素的误放电等不良状况，此外，由于储存电容 能提供更好的电场强度，可以达到更佳的多域液晶倾斜效果。图1显示根据本发明实施例的像素阵列的等效电路图。如图1所示，液晶面板100 包括由多个像素单元所组成的像素阵列、多个储存电容充电晶体管、多条扫描线与多条数 据线。为简化起见，在图1中，只显示出4条扫描线G1 G4、4个储存电容充电晶体管T1 T4、3条数据线S1 S3、与12个像素单元。本领域一般技术人员当知本发明并不受限于此。 在本实施例中，储存电容是一种栅极线上储存电容(Cs on gate)的架构。如图1所示，各像素单元包括有源元件(如TFT)TP、液晶电容Clc与储存电容 Cst。有源元件TP包括耦接至扫描线的栅极、耦接至数据线的源极；以及耦接至储存电容 Cst与液晶电容Clc的漏极。液晶电容Clc耦接于共同电位VC0M与有源元件TP的漏极之 间。储存电容Cst耦接于有源元件TP的漏极与储存电容充电晶体管的一端(源极)之间。
在本实施例中，在每条扫描线的一端(如末端)配置一个储存电容充电晶体管，比 如，在扫描线G1的末端配置储存电容充电晶体管T1。储存电容充电晶体管包括耦接至本 身扫描线的栅极、耦接至储存电容Cst的源极；以及耦接至下一条栅极信线号的漏极。当 然，本发明并不受限于储存电容充电晶体管的配置位置。接下来，请参考图2 图5，以了解本实施例的电路操作。在图2 图5中，VI V4为节点电压而VP1 VP4则为像素电极的电压。图2 图5分别显示当扫描线G1 G4 依序被打开时，本实施例的液晶面板100的电路操作。如图2所示，当扫描线G1被打开时(亦即扫描线G1处于高电位VGH)，有源元件TP 与储存电容充电晶体管T1皆为导通状态。因为有源元件TP为导通状态，节点电压VP1的电 位为数据线S3的电位VS3 ；而因为储存电容充电晶体管T1为导通状态且扫描线G2未被打 开(亦即扫描线G2处于低电位VGL)，节点电压VI的电位为VGL。故而，此时，储存电容Cst 的跨压为VS3-VGL。假设VS3为+5V而VGL为-10V,则储存电容Cst的跨压为+5V-(-10V) =+15V。如此，电场强度已足够使得液晶呈现所需的光学特性。储存电容Cst在扫描线G1的导通时间内完成充电；以及，储存电容Cst的跨压即 为此像素单元的写入电压。此时，由于储存电容充电晶体管T2 T4皆为关闭，所以，节点电压V2 V4处于 浮接状态。接着，请参考图3，其显示当扫描线G2被打开时，本实施例的液晶面板100的电路 操作。如图3所示，当扫描线G2被打开时(亦即扫描线G2处于高电位VGH)，有源元件TP 与储存电容充电晶体管T2皆为导通状态，使得节点电压VP2的电位为VS1 (数据线S1的电 位)且节点电压V2的电位为VGL。此时，由于储存电容充电晶体管Tl、T3与T4皆为关闭，所以，节点电压VI、V3与 V4处于浮接状态。即使共同电位VC0M有抖动，且此抖动电压甚至透过液晶电压Clc与储存 电容Cst而影响到电压VI。但因为储存电容充电晶体管T1为关闭，所以，此抖动电压无法 影响到处于低电压VGL的扫描线G1，故而，扫描线G1所对应的像素单元的关闭状况也不会 受到此抖动电压的影响。同理可证，在图4中，即使共同电位VC0M有抖动，且此抖动电压透过液晶电压Clc 与储存电容Cst而影响到电压V2。但因为储存电容充电晶体管T2为关闭，所以，此抖动电 压无法影响到处于低电压VGL的扫描线G2，故而，扫描线G2所对应的像素单元的关闭状况 也不会受到此抖动电压的影响。同理可证，在图5中，即使共同电位VC0M有抖动，且此抖动电压透过液晶电压Clc 与储存电容Cst而影响到电压V3。但因为储存电容充电晶体管T3为关闭，所以，此抖动电 压无法影响到处于低电压VGL的扫描线G3，故而，扫描线G3所对应的像素单元的关闭状况 也不会受到此抖动电压的影响。由上述可知，在本发明实施例中，由于在扫描线的一端配置储存电容充电晶体管， 使得储存电容的跨压变大，以提供更好的电场强度，如此可以达到更佳的多域液晶倾斜效 果。此外，即使共同电位有抖动，此抖动也不会影响到像素的关闭状况，以避免像素的误放 电等不良状况。图6A显示根据本实施例的第一种像素单元的结构图。如图6A所示，此像素单元至少包括扫描线、数据线、像素电极PE、有源元件TP、电极615与穿孔610。当然，根据本 发明实施例，液晶显示面板尚可包括其他元件，比如对向设置的上基板与下基板、设于上基 板与下基板间的液晶层等。根据本发明实施例，像素单元形成于下基板之上，且其尚可包括 其他元件。为简化起见，这些元件于此不显示出。穿孔610用以耦接有源元件TP的源极至像素电极PE。电极615与像素电极PE共 同定义出本实施例的储存电容Cst。在图6A中，电极615为单H型，而且储存电容Cst也为 单H型。电极615沿着像素电极PE、扫描线与数据线而设置。电极615直接电性耦接至节 点VI与储存电容充电晶体管。图6B与图6C分别显示图6A中的像素电极PE与电极615 的示意图。在储存电容与相邻的扫描线之间，以及储存电容与相邻的数据线之间会出现电场 效应，如图6的箭头所示。此电场效应可提供多域(multi-domain)的液晶倾斜，因为在液晶 面板内会出现多种的液晶倾斜角度，使液晶显示器达到广视角效果，由于储存电容Cst的 跨压增强，所以可以提供更佳液晶倾斜效果。图7A显示根据本实施例的第二种像素单元的结构图。如图7A所示，电极715为 双H型，所以，储存电容Cst也为双H型。电极715沿着像素电极PE、扫描线与数据线设置。 电极715直接电性耦接至节点VI与储存电容充电晶体管。图7B与图7C分别显示图7A中 的像素电极PE与电极715的示意图。图8A显示根据本实施例的第三种像素单元的结构图。如图8A所示，在像素单元 内的像素电极上更配置有至少一个凸起物810。凸起物810比如但不受限于，为5层材料堆 叠而成。此凸起物810可当成凸块(bump)模拟物，使得液晶排列更整齐。图8B与图8C分 别显示图8A中的像素电极PE与电极815的示意图。电极815直接电性耦接至节点VI与 储存电容充电晶体管。在此，凸块是指CF (彩色滤光片)突起物，其可增强液晶倾斜效果。在本实施例中， 凸起物810可增强液晶倾斜效果，其为低成本，而且不会影响到液晶穿透率。图9A显示根据本实施例的第四种像素单元的结构图。如图9A所示，在像素单元 内的像素电极内更形成至少一个像素电极穿孔(via)910。像素电极穿孔910亦可模拟凸 块，使得液晶排列更整齐。类似地，像素电极穿孔910可达成已知技术的凸块效果(增强液 晶倾斜效果)。此外，应用像素电极穿孔910为低成本，而且不会影响到液晶穿透率。图9B 与图9C分别显示图9A中的像素电极PE与电极915的示意图。电极915直接电性耦接至 节点VI与储存电容充电晶体管。综上所述，虽然本发明已以实施例披露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所 属技术领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。 因此，本发明的保护范围当视权利要求界定为准。
权利要求
一种显示面板，包括像素阵列，包括多个像素单元，各像素单元至少包括一储存电容；多条扫描线，耦接至多个像素单元；以及多个储存电容充电晶体管，各储存电容充电晶体管分别耦接至多个像素单元的相对应像素单元的多个储存电容以及多条扫描线的两条扫描线，多个储存电容充电晶体管用以对多个像素单元的多个储存电容充电。
2.如权利要求1所述的显示面板，其中 该储存电容充电晶体管包括第一端，耦接至该像素单元的该储存电容； 第二端，耦接至多条扫描线的第一扫描线；以及 第三端，耦接至多个扫描线的第二扫描线；以及 该储存电容包括第一端，耦接至该储存电容充电晶体管的该第一端；以及A-Ap ■上山 弟一牺。
3.如权利要求2所述的显示面板，还包括多条数据线；以及 其中，各像素单元还包括有源元件，包括第一端，耦接至多条扫描线之一；第二端，耦接至多条数据线之一；以 及第三端，耦接至该储存电容的该第二端；以及液晶电容，包括第一端，耦接至该储存电容的该第二端；以及第二端，耦接至共同电位。
4.如权利要求3所述的显示面板，其中当多条扫描线的该第一扫描线被打开以维持于第一电位时且多条扫描线的该第二扫 描线被关闭以维持于第二电位时，该储存电容充电晶体管为导通，以使得该储存电容的该 第一端维持于该第二电位且该储存电容的该第二端维持于多条数据线的第一电位；以及当多条扫描线的该第一扫描线被关闭以维持于该第二电位时且多条扫描线的该第二 扫描线被打开以维持于该第一电位时，该储存电容充电晶体管为关闭，以使得该储存电容 的该第一端为浮接状态。
5.一种显示面板，包括至少一像素单元，至少包括储存电容，该储存电容包括第一端与第二端； 第一扫描线，耦接至该像素单元； 第二扫描线；以及至少一储存电容充电晶体管，包括第一端，耦接至该像素单元的该储存电容的该第一 端；第二端，耦接至该第一扫描线；以及第三端，耦接至该第二扫描线。
6.如权利要求5所述的显示面板，还包括至少一数据线；以及 其中，该像素单元还包括有源元件，包括第一端，耦接至该第一扫描线；第二端，耦接至该数据线；以及第三 端，耦接至该储存电容的该第二端；以及液晶电容，包括第一端，耦接至该储存电容的该第二端；以及第二端，耦接至共同电
7.如权利要求6所述的显示面板，其中当该第一扫描线被打开以维持于第一电位时且该第二扫描线被关闭以维持于第二电 位时，该储存电容充电晶体管为导通，以使得该储存电容的该第一端维持于该第二电位且 该储存电容的该第二端维持于该数据线的电位；以及当该第一扫描线被关闭以维持于该第二电位时且该第二扫描线被打开以维持于该第 一电位时，该储存电容充电晶体管为关闭，以使得该储存电容的该第一端为浮接状态。
8.一种显示面板，包括 至少一第一有源元件；以及 多个像素单元，各该像素单元包括 数据线；扫描线； 像素电极；第二有源元件，具有第一端，耦接至该扫描线；第二端，耦接至该数据线；以及第三 端，耦接至该像素电极；以及电极，沿着该像素电极、该扫描线与该数据线设置，该电极耦接至该第一有源元件，该 电极与该像素电极定义储存电容。
9.如权利要求8所述的显示面板，其中，该像素单元还包括 至少一凸起物，配置于该像素电极上。
10.如权利要求8所述的显示面板，其中，该像素单元还包括 至少一个像素电极穿孔，形成于该像素电极内。
全文摘要
本发明公开了一种液晶显示面板。该液晶显示面板包括多个像素单元，各像素单元包括储存电容；多条扫描线，耦接至该多个像素单元；以及多个储存电容充电晶体管，各储存电容充电晶体管分别耦接至相对应像素单元的该多个储存电容以及该多条扫描线的两条扫描线。该多个储存电容充电晶体管用以对该多个像素单元的该多个储存电容充电。
文档编号G09G3/36GK101852958SQ20091013114
公开日2010年10月6日 申请日期2009年4月3日 优先权日2009年4月3日
发明者王宏仁, 陈昱廷 申请人:胜华科技股份有限公司