驱动电路和显示设备的制作方法

专利名称：驱动电路和显示设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及适用于例如使用有机电致发光(EL)元件的显示设备的驱动电路。本 发明还涉及具有该驱动电路的显示设备。
背景技术：
近年来，在显示图像的显示设备领域中，已经开发了使用发光强度根据流动的电 流的值而变化的电流驱动型光学元件(例如，有机EL元件)作为像素的发光元件这样的显 示设备，并且正在进行其商品化。与液晶设备等相比，有机EL元件是自发光元件。因此，在 使用有机EL元件的显示设备(有机EL显示设备)中，通过控制在有机EL元件中流动的电 流的值来实现色彩的浓淡度(gradation)。作为有机EL显示设备中的驱动系统，和液晶显示器一样，存在简单(无源)矩阵 系统和有源矩阵系统。前者结构简单，但是例如具有难以实现大的高分辨率的显示设备这 样的问题。因此，目前，有源矩阵系统的开发比较活跃。在这种系统中，通过驱动晶体管来 控制在针对每个像素布置的发光元件中流动的电流。在上述驱动晶体管中，存在这样的情况，即阈值电压Vth或迁移率μ随时间变化， 或者由于制造工艺的不同而在像素间不同。当阈值电压Vth或迁移率μ在像素间不同时， 在驱动晶体管中流动的电流的值在像素间不同，因此，即使相同的电压被施加于驱动晶体 管的栅极，有机EL元件的发光强度也不同，从而损害画面的均勻性。因此，已经开发了一种 结合了用于处理阈值电压Vth或迁移率μ的变化的校正功能的显示设备(例如，参见日本 未审查专利申请公报No. 2008-083272)。用于处理阈值电压Vth或迁移率μ的变化的校正由针对每个像素提供的像素电路 执行。例如，如图7中所示，该像素电路包括控制在有机EL元件111中流动的电流的驱动 晶体管Tr1，将信号线DTL的电压写入驱动晶体管Tr1的写入晶体管Tr2,以及保持电容Cs， 因此，该像素电路具有2TrlC电路结构。驱动晶体管Tr1和写入晶体管Tr2例如各自由η沟 道MOS薄膜晶体管(TFT)形成。图6图示出施加于像素电路的电压的波形的示例以及驱动晶体管的栅极电压和 源极电压中的每一个的变化的示例。在图6的部分㈧中，图示出信号电压Vsig和偏置电压 Vtrfs被施加于信号线DTL的状态。在图6的部分⑶中，图示出用于接通驱动晶体管的电压 Vdd和用于关断驱动晶体管的电压Vss被施加于写入线WSL的状态。在图6的部分(C)中， 图示出高电压ν。。Η*低电压Vd被施加于电源线PSL的状态。此外，在图6的部分⑶和 (E)中，图示出驱动晶体管Tr1的栅极电压Vg和源极电压Vs响应于这些电压对电源线PSL、 信号线DTL和写入线WSL的施加而随时间变化的状态。从图6中，发现WS脉冲Pl在IH内被施加于写入线WSL两次，通过第一 WS脉冲Pl 执行阈值校正，而通过第二 WS脉冲Pl执行迁移率校正和信号写入。换而言之，在图6中， WS脉冲Pl不仅用于信号写入，还用于驱动晶体管Tr1的阈值校正和迁移率校正。以下，将描述驱动晶体管Tr1的阈值校正和迁移率校正。通过施加第二 WS脉冲Ρ1，信号电压Vsig被写入驱动晶体管Tr1的栅极。结果，驱动晶体管Tr1被接通并且电流在驱动 晶体管Tr1中流动。此时，当对有机EL元件111施加反向偏置时，从驱动晶体管Tr1流出的 电荷充入保持电容Cs和有机EL元件111的元件电容(未示出)，引起源极电压Vs上升。当 驱动晶体管Tr1的迁移率高时，在驱动晶体管Tr1中流动的电流大，因此，源极电压Vs迅速 上升。相反，当驱动晶体管Tr1的迁移率低时，在驱动晶体管Tr1中流动的电流小，因此，源 极电压Vs上升得比当驱动晶体管Tr1的迁移率高时慢。因此，可以通过调节用于校正迁移 率的时间段来校正迁移率。

发明内容
顺便提及，在采用有源矩阵系统的显示设备中，驱动信号线的水平驱动电路和顺 次选择每个像素的写入扫描电路中的每一个被配置为主要包括移位寄存器(未示出)，并 且针对每一级具有一个缓冲器电路，每一级对应于每列或每行像素。例如，扫描电路中的缓 冲器电路通常被配置为使得如图8中所示，两个反相器电路210和220相互串联连接。在 图8中的缓冲器电路200中，反相器电路210具有ρ沟道MOS晶体管和η沟道MOS晶体管 相互并联连接这样的电路结构。另一方面，反相器电路220被插在被施加高电平电压的高 压线Lh和被施加低电平电压的低压线k之间。然而，在缓冲器电路200的COMS晶体管中，例如如图9中所示，当ρ沟道MOS晶体 管的阈值电压Vthl变化Δ Vthl时，输出OUT的电压ν-上升的定时偏移At1O此外，在缓冲 器电路200的COMS晶体管中，例如如图10中所示，当η沟道MOS晶体管的阈值电压Vth2变 化Δ Vth2时，输出OUT的电压V-上升的定时偏移At2。因此，存在这样的问题，当例如输出 OUT的电压V-上升的定时变化并且迁移率校正时段Δ T变化At1或At2时，发光时的电 流Ids例如如图11中所示变化AIds，并且该变化导致强度的变化。顺便提及，图11图示出 迁移率校正时段ΔΤ和发光强度之间的关系的示例。顺便提及，阈值电压Vth变化的问题不仅出现在显示设备的扫描电路中，同样也出 现在其它设备中。鉴于以上所述，希望提供能够减少输出电压中上升定时的变化的驱动电路和包括 该驱动电路的显示设备。根据本发明的一个实施例，提供一种驱动电路，该驱动电路包括相互串联连接并 且被插在高压线和低压线之间的输入侧反相器电路和输出侧反相器电路。输出侧反相器电 路包括三个晶体管。第一个晶体管是双栅第一导电型第一晶体管，其漏极连接到所述高压 线侧并且其源极连接到所述输出侧反相器电路的输出侧。第二个晶体管是双栅第二导电型 第二晶体管，其漏极连接到所述高压线侧并且其源极连接到所述输出侧反相器电路的输出 侧。第三个晶体管是第三晶体管，其漏极连接到所述低压线侧并且其源极连接到所述输出 侧反相器电路的输出侧。根据本发明另一实施例，提供一种显示设备，该显示设备包括显示部件，该显示部 件包括按行布置的多个扫描线、按列布置的多个信号线和按行和列布置的多个像素。该显 示设备还包括驱动部件，该驱动部件驱动这些像素中的每一个像素。该驱动部件包括多个 驱动电路，这多个驱动电路中的每一个驱动电路针对这些扫描线中的每一个扫描线而设 置，并且该驱动部件中的每一个驱动电路包括与上述驱动电路的元件相同的元件。
在上述实施例的驱动电路和显示设备中，双栅晶体管被结合到相互串联连接的输 入侧反相器电路和输出侧反相器电路中的输出侧反相器电路中。因此，控制栅极电压中的 一个并且从而改变晶体管特性使得可以校正晶体管的阈值电压使得阈值电压变成某一值。根据上述实施例的驱动电路和显示设备，双栅晶体管的栅极电压被控制以使得该 晶体管的阈值电压可以被校正而变成某一值。这使得可以减少驱动电路的输出电压中的上 升定时的变化。因此，例如，在有机EL显示设备中，可以减少发光时在有机EL元件中流动 的电流的变化，并且因此可以提高强度的均勻性。从以下描述将更全面地显示本发明的其它和更多目的、特征和优点。


图1是图示出根据本发明一个实施例的缓冲器电路的示例的电路图；图2是图示出双栅晶体管中的背栅电压和电流之间的关系的示图；图3是图示出图1中的缓冲器电路的操作的示例的波形图；图4是作为根据该实施例的缓冲器电路的应用示例的示例的显示设备的示意结 构图；图5是图示出图4中的写入线驱动电路的示例和像素电路的示例的电路图；图6是图示出图4中的显示设备的操作的示例的波形图；图7是图示出现有技术中的显示设备的像素电路的示例的电路图；图8是图示出现有技术中的缓冲器电路的示例的电路图；图9是图示出图8中的缓冲器电路的操作的示例的波形图；图10是图示出图8中的缓冲器电路的操作的另一示例的波形图；以及图11是图示出迁移率校正时段和显示强度之间的关系的示例的示图。
具体实施例方式以下，将参考附图来详细描述本发明的实施例。顺便提及，将按照以下顺序来提供 描述。1.实施例(图1至图3)2.应用示例(图4至图6)3.现有技术描述(图7至图11)<实施例>[结构]图1图示出根据本发明实施例的缓冲器电路1 (驱动电路)的总体结构的示例。缓 冲器电路1从输出端OUT输出相位与输入输入端IN的脉冲信号大体一样的脉冲信号。缓冲 器电路1包括反相器电路10 (输入侧反相器电路)和反相器电路20 (输出侧反相器电路)。反相器电路10和20输出波形与输入脉冲信号的信号波形大体相反的脉冲信号。 反相器电路10和20相互串联连接。反相器电路10被与反相器电路20相关地布置在输入 端IN侧，并且反相器电路10的输入端对应于缓冲器电路1的输入端IN。另一方面，反相器 电路20被与反相器电路10相关地布置在输出端OUT侧，并且反相器电路20的输出端对应 于缓冲器电路1的输出端OUT。反相器电路10的输出端(与图中的A对应的点)连接到反相器电路20的输入端，并且缓冲器电路1被配置为使得反相器电路10的输出被输入反相 器电路20中。反相器电路10被插在高压线Lm和低压线k之间，并且反相器电路20被插在高 压线Lh2和低压线k之间。这里，高压线Lhi和高压线Lh2相互独立，并且相互不同的电压可 以被施加于高压线Lhi和高压线Lh2。反相器电路10包括第一导电型晶体管Tr11和第二导电型晶体管Tr12。晶体管Tr11 例如是P沟道金属氧化物半导体(MOS)晶体管，而晶体管Tr12例如是η沟道MOS晶体管。晶体管Tr11和Tr12相互并联连接。具体地，晶体管Tr11和Tr12各自的栅极相互连 接。此外，晶体管Tr11的源极或漏极与晶体管Tr12的源极或漏极相互连接。此外，晶体管 Tr11和Tr12各自的栅极连接到反相器电路10的输入端(缓冲器电路1的输入端IN)。晶体 管Tr11的源极和漏极与晶体管Tr12的源极和漏极之间的连接点A连接到反相器电路10的 输出端。在晶体管Tr11的源极和漏极中，未连接到晶体管Tr12那一个连接到高压线LH1。另 一方面，在晶体管Tr12的源极和漏极中，未连接到晶体管Tr11那一个连接到低压线K。顺便 提及，在反相器电路10中，可以在晶体管Tr11和晶体管Tr12之间、晶体管Tr11和高压线Lhi 之间或晶体管Tr12和低压线k之间提供某种元件。反相器电路20包括第一导电型晶体管Tr21 (第一晶体管)、第二导电型晶体管 Tr22 (第二晶体管)和第三导电型晶体管Tr23 (第三晶体管)。晶体管Tr21例如是ρ沟道MOS 晶体管，并且晶体管Ta2和TA3中的每一个例如是η沟道MOS晶体管。晶体管扑21和1^2中的每一个是双栅晶体管，并且具有两个栅电极。这里，两个 栅电极之一是要输入到缓冲器电路1的输入端IN的输入信号的电极，并且对应于图1中的 栅电极gl和g3中的每一个。此外，这两个栅电极中的另一个是要输入用于改变晶体管的 特性的控制信号的电极，并且对应于图1中的栅电极g2和g4中的每一个。栅电极g2和 g4也称为背栅电极。例如，如图2中所示，当小的电压Vb被输入栅电极g2和g4中的每一 个栅电极时，可以增大晶体管Tr21和Ti^2中的每一个晶体管的阈值电压Vth。相反，例如，如 图2中所示，当大的电压Vb被输入栅电极g2和g4中的每一个栅电极时，可以减小晶体管 Tr21和Ti^2中的每一个晶体管的阈值电压Vth。以这种方式，通过控制施加于栅电极g2和 g4中的每一个栅电极的电压的大小，可以移动晶体管Tr21和Ti^2中的每一个晶体管的操作 点(operation point)。因此，通过调节输入晶体管Tr21和Ti^2中的每一个晶体管的控制 信号的大小，可以调节晶体管Tr21和TA2中的每一个晶体管的阈值电压。晶体管Tr21和Ti^3相互并联连接。具体地，晶体管Tr21和Ti^23各自的栅极相互连 接。此外，晶体管Tr21的源极或漏极与晶体管TrM的源极或漏极相互连接。此外，晶体管 Tr21和TrM各自的栅极被连接到反相器电路10的输出端。晶体管Tr21的源极或漏极与晶体 管TrM的源极或漏极之间的连接点B被连接到反相器电路20的输出端。在晶体管Tr21的 源极和漏极中，未连接到晶体管TrM那一个连接到高压线LH2。晶体管Ti^2的源极或漏极与 晶体管Ti^3的源极或漏极之间的连接点C连接到晶体管Ti^3的源极和漏极中未连接到低压 线k的那一个，并且连接点C也连接到反相器电路20的输出端。在晶体管Ti^2的源极和漏 极中，未连接到晶体管TA3的那一个连接到高压线LH2。在晶体管Ta3的源极和漏极中，未 连接到晶体管Tr21的那一个连接到低压线K。晶体管Tr21的背栅极连接到控制线Lbl。此 外，晶体管Ti^2的背栅极连接到控制线Lb2。顺便提及，在反相器电路20中，可以在晶体管
6Tr21和晶体管TrM之间、在晶体管Tr21和高压线Lh2之间或在晶体管TrM和低压线k之间 提供某种元件。[操作]接着，将描述本实施例中的缓冲器电路1的操作。以下，将主要描述缓冲器电路1 中的阈值校正(Vth补偿(cancel))。图3图示出缓冲器电路1的操作的示例。图3图示出对晶体管Tr21的栅源电压Vgs 中所包括的阈值电压Vth的补偿操作的示例。—开始，Vss被输入缓冲器电路1的输入端IN，并且连接点A(反相器电路10的输 出端)的电压是Vdd。因此，晶体管Tr21和Ti^2关断而晶体管Ti^3接通，因此，缓冲器电路1 的输出端OUT的电压为Vss。随后，输入端IN的电压从Vss上升为Vdd(T1)15然后，连接点A 的电压从Vdd下降为Vss。因此，晶体管Tr21和Ti^2接通并且晶体管IY23关断，并且因此，输 出端OUT的电压从Vss变为Vdd。随后，高压线Lh2的电压从Vdd变为Vss(T2)。然后，输出端 OUT的电压也从Vdd变为Vss。随后，输入端IN的电压从Vdd下降为Vss (T3)。然后，连接点A 的电压从Vss上升为Vdd。然而，高压线Lh2的电压已经是Vss，因此，晶体管Tr21和Ti^2保持 关断并且输出端OUT的电压维持在Vss。顺便提及，输出端OUT的电压的上升波形依赖于要输入输入端IN的电压的晶体管 Tr22的特性和要输入连接点A的电压的晶体管Tr21的特性。因此，当晶体管Tr21和Ti^2中 的每一个晶体管的阈值电压Vth存在变化时，输出电压从Vss到Vdd的上升定时发生变化，使 得输出电压的脉冲宽度偏离希望的值。因此，当缓冲器电路1例如被应用于有机EL显示 器的扫描仪的输出级，并且迁移率校正时段用缓冲器电路1的输出电压的脉冲宽度来定义 时，迁移率校正时段变化并且因此发光时在有机EL元件中流动的电流变化。结果，出现强 度变得不均勻这样的问题。另一方面，在本实施例中，可以通过对栅电极g2和g4中的每一个栅电极施加控制 信号来将晶体管Tr21和TA2中每一个晶体管的阈值电压调节至所希望的值。因此，可以减 少缓冲器电路1的输出电压的上升定时的变化。因此，即使缓冲器电路1例如被应用于有 机EL显示设备的扫描仪的输出级，并且迁移率校正时段用缓冲器电路1的输出电压的脉冲 宽度来定义，迁移率校正时段的变化仍然很小，因此，可以减少发光时在有机EL元件中流 动的电流的变化。结果，可以提高强度的均勻性。〈应用示例〉图4图示出用作根据上述实施例的缓冲器电路1的应用示例的一个示例的显示设 备100的总体结构的示例。该显示设备100例如包括显示面板110(显示部件)和驱动电 路120(驱动部件)。(显示面板110)显示面板110包括显示区域110A，其中，发出相互不同的色彩的三种有机EL元件 111R、111G和IllB被二维地布置。显示区域110A是用于通过使用从有机EL元件111R、 IllG和IllB发出的光来显示图像的区域。有机EL元件IllR是发出红光的有机EL元件， 有机EL元件IllG是发出绿光的有机EL元件，有机EL元件IllB是发出蓝光的有机EL元 件。顺便提及，以下，在适当时将有机EL元件111R、111G和IllB统称为有机EL元件111。(显示区域110A)
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图5图示出显示区域IlOA中的电路结构的示例和稍后要描述的写入线驱动电路 124的示例。在显示区域IlOA中，与单独的有机EL元件111分别成对的多个像素电路112 被二维地布置。顺便提及，在本应用示例中，成对的有机EL元件111和像素电路112构成 一个像素113。更具体地，如图5中所示，成对的有机EL元件IllR和像素电路112构成一 个用于红色的像素113R，成对的有机EL元件IllG和像素电路112构成一个用于绿色的像 素113R，并且成对的有机EL元件IllB和像素电路112构成一个用于绿色的像素11!3B。此 外，相邻的三个像素113R、113G和11 构成一个显示像素114。每一个像素电路112例如包括用于控制在有机EL元件111中流动的电流的驱动 晶体管Tr1、将信号线DTL的电压写入驱动晶体管Tr1的写入晶体管Tr2和保持电容Cs，因 此，每个像素电路112具有2TrlC电路结构。驱动晶体管Tr1和写入晶体管Tr2每一个例 如由η沟道MOS薄膜晶体管(TFT)形成。驱动晶体管Tr1或写入晶体管Tr2可以是ρ沟道 MOSTFT。在显示区域IlOA中，按行布置多个写入线WSL (扫描线)并按列布置多个信号线 DTL0在显示区域IlOA中，还和写入线WSL—起按行布置多个电源线PSL(要被供给电源电 压的部件)。在每个信号线DTL和每个写入线WSL之间的交叉点附近，提供一个有机EL元 件111。每个信号线DTL连接到稍后描述的信号驱动电路123的输出端(未示出)，并且连 接到写入晶体管Tr2的漏电极和源电极(未示出)中的任一者。每一个写入线WSL连接到 稍后描述的写入线驱动电路124的输出端(未示出)，并且连接到写入晶体管Tr2的栅电极 (未示出)。每个电源线PSL连接到稍后描述的电源线驱动电路125的输出端(未示出)， 并且连接到驱动晶体管Tr1的漏电极和源电极(未示出)中的任一者。在写入晶体管Tr2 的漏电极和源电极中，未连接到信号线DTL的那一个(未示出)连接到驱动晶体管Tr1的 栅电极(未示出)和保持电容Cs的一端。在驱动晶体管Tr1的漏电极和源电极中，未连接 到电源线PSL的那一个(未示出)以及保持电容Cs的另一端连接到有机EL元件111的阳 极(未示出)。有机EL元件111的阴极(未示出)例如连接到接地线GND。(驱动电路120)接着，将参考图4和图5来描述驱动电路120中的每个电路。驱动电路120包括 定时生成电路121、图像信号处理电路122、信号线驱动电路123、写入线驱动电路IM和电 源线驱动电路125。定时生成电路121执行控制使得图像信号处理电路122、信号线驱动电路123、写 入线驱动电路124和电源线驱动电路125以联锁方式操作。例如，定时生成电路121被配 置为根据外部输入的同步信号20Β (与之同步地)将控制信号121Α输出给上述电路中的每 一个电路。图像信号处理电路122对外部输入的图像信号120Α进行预定的校正，并且将校正 后的图像信号122Α输出至信号线驱动电路123。作为预定的校正，例如有伽马校正和过度 驱动校正。信号线驱动电路123根据控制信号121Α的输入(与之同步地)向每个信号线DTL 施加从图像信号处理电路122输入的图像信号122Α(信号电压Vsig)，从而执行对所要选择 的像素113的写入。顺便提及，写入是指对驱动晶体管Tr1的栅极施加预定电压。信号线驱动电路123被配置为例如包括移位寄存器(未示出)，并且针对一级包括一个缓冲器电路(未示出)，一级对应于每一列像素113。该信号线驱动电路123可以根 据控制信号121A的输入(与之同步地)向每个信号线DTL输出两种电压(V。fs，Vsig)。具体 地，信号线驱动电路123经由连接到每个像素113的信号线DTL向通过写入线驱动电路IM 选择的像素113顺次供应这两种电压(V。fs，Vsig)。这里，偏置电压V。fs是比有机EL元件111的阈值电压Vel低的值。此外，信号电压 Vsig是与信号线122A对应的电压值。信号线Vsig的最小电压是比偏置电压Vtrfs低的电压值， 并且信号电压Vsig的最大电压是比偏置电压V。fs高的电压值。写入线驱动电路1 被配置为例如包括移位寄存器(未示出)，并且针对每一级包 括一个缓冲器电路1，每一级对应于每一行像素113。写入线驱动电路IM可以根据控制信 号121A的输入(与之同步地)向每个写入线WSL输出两种电压(Vdd，Vss)。具体地，写入线 驱动电路1 经由连接到每个像素113的写入线WSL向要被驱动的像素113供应这两种电 压(Vdd，Vss)，从而控制写入晶体管Tr2。这里，电压Vdd是等于或高于写入晶体管Tr2的接通(ON)电压的值。Vdd是在消光 时或在稍后描述的阈值校正时从写入线驱动电路124输出的电压的值。Vss是比写入晶体 管Tr2的接通电压低并且也比Vdd低的值。电源线驱动电路125被配置为例如包括移位寄存器(未示出)，并且例如针对每一 级包括一个缓冲器电路(未示出)，每一级对应于每一行像素113。该电源线驱动电路125 以根据控制信号121A的输入(与之同步地)输出两种电压(V。。H，Vccl)。具体地，电源线驱 动电路125经由连接到每个像素113的电源线PSL来向要被驱动的像素113供应这两种电 压(V。。H，Vccl)，从而控制有机EL元件111的发光和消光。这里，电压V。。l是比电压(Vel+Vj低的值，电压(Vel+Vj是有机EL元件111的阈 值电压V61和有机EL元件111的阴极的电压V。a的和。此外，电压Vccll是等于或高于电压 (Vel+Vca)的值。接着，将描述根据本应用示例的显示设备100的操作(从消光到发光的操作)的 示例。在本应用示例中，为了使得即使驱动晶体管Tr1的阈值电压Vth和迁移率μ随时间 变化，有机EL元件111的发光强度也可以保持不变而不受这些变化的影响，结合了用于改 变阈值电压Vth和迁移率μ的校正操作。图6图示出被施加于像素电路112的电压的波形的示例以及驱动晶体管的Tr1的 栅极电压Vg和源极电压Vs中每一个电压的变化的示例。在图6的部分㈧中，图示出信号 电压Vsig和偏置电压Vtrfs被施加于信号线DTL的状态。在图6的部分⑶中，图示出用于接 通驱动晶体管Tr1的电压Vdd和用于关断驱动晶体管Tr1的电压Vss被施加于写入线WSL的 状态。在图6的部分(C)中，图示出高电压Vcxl^P低电压ν。Λ被施加于电源线PSL的状态。 此外，在图6的部分(D)和部分(E)中，图示出驱动晶体管Tr1的栅极电压Vg和源极电压Vs 响应于这些电压对电源线PSL、信号线DTL和写入线WSL的施加而随时间变化的状态。(Vth校正准备时段)首先，进行Vth校正的准备。具体地，当写入线WSL的电压是V。ff时，信号线DTL的 电压是Vsig，并且电源线PSL的电压是Vccll时(换而言之，当有机EL元件111是发光元件 时)，电源线驱动电路125将电源线PSL的电压从V。。H降低为Vd(T1)。然后，源极电压Vs 变成U,并且有机EL元件111停止发光。接着，信号线驱动电路123将信号线DTL的电压从Vsig转换为V。fs，并且随后，在电源线PSL的电压为V。。H时，写入线驱动电路IM将写入线 WSL的电压从V。ff增大为V。n。然后，栅极电压\下降为V。fs。此时，在电源线驱动电路125 和信号线驱动电路123中，施加于电源线PSL和信号线DTL的电压(ν。Λ，Vofs)被设置为使 得栅源电压Vgs( = Vofs-VccL)大于驱动晶体管Tr1的阈值电压Vth。(第一Vth校正时段)接着，执行Vth的校正。具体地，在信号线DTL的电压是V。fs时，电源线驱动电路125 将电源线PSL的电压从ν。Λ增大为Vcxh(T2)。然后，电流Ids在驱动晶体管Tr1的漏极和源极 之间流动，并且源极电压Vs上升。随后，在信号线驱动电路123将信号线DTL的电压从V。fs 转换为Vsig之前，写入线驱动电路124将写入线WSL的电压从V。n降低为Vrff(T3)。然后，驱 动晶体管Tr1的栅极进入浮动状态，并且Vth的校正停止。(第一Vth校正停止时段)在Vth校被停止的时段中，例如在与被执行了之前的Vth校正的行(像素)不同的 另一行(像素)中，信号线DTL的电压被采样。顺便提及，此时，在被执行了之前的Vth校正 的行(像素)中，源极电压VsKV。fs_Vth低。因此，在Vth校正停止时段期间，在被执行了之 前的Vth校正的行(像素)中，电流Ids在驱动晶体管Tr1的漏极和源极之间流动，源极电压 Vs上升，并且栅极电压Vg由于经由保持电容Cs耦合也上升。(第二Vth校正时段)接着，再次进行Vth校正。具体地，当信号线DTL的电压是V。fs并且可以进行Vth校 正时，写入线驱动电路1 将写入线WSL的电压从V。ff增大为V。n，从而使得驱动晶体管Tr1 的栅极为V。fs(T4)。此时，当源极电压Vs低于八^-^时(当Vth校正还未被完成时)，电流 Ids在驱动晶体管Tr1的漏极和源极之间流动，直到驱动晶体管Tr1截止为止(直到栅源电压 Vgs变成Vth为止)。随后，在信号线驱动电路123将信号线DTL的电压从切换V。fs为Vsig之 前，写入线驱动电路124将写入线WSL的电压从V。n降低为V。ff (T5)。然后，驱动晶体管Tr1 的栅极进入浮动状态，并且因此，可以保持栅源电压Vgs不变，而不论信号线DTL的电压大小 如何。顺便提及，在该Vth校正时段期间，当保持电容Cs被充电至Vth，并且栅源电压Vgs变 成Vth时，驱动电路120完成Vth校正。然而，当栅源电压Vgs没有达到Vth时，驱动电路120 重复Vth校正和Vth校正停止，直到栅源电压Vgs达到Vth。(写入和μ校正时段)在Vth校正停止时段结束之后，写入和μ校正时段被执行。具体地，在信号线DTL 的电压是Vsig时，写入线驱动电路1 将写入线WSL的电压从V。ff增大为Vm(T6)，并且将晶 体管Tr1的栅极连接到信号线DTL。然后，驱动晶体管Tr1的电压Vg变为信号线DTL的电压 Vsig0此时，有机EL元件111的阳极电压在这一阶段仍然小于有机EL元件111的阈值电压 Vel，并且有机EL元件111截止。因此，电流Ids在有机EL元件111的元件电容(未示出) 之间流动，因此元件电容被充电，并且因此，源极电压Vs上升Δ Vx,并且栅源电压Vgs很快变 成Vsig+Vth_Vx。以这种方式，在写入的同时执行了 μ校正。这里，驱动晶体管Tr1W迁移率 μ越大，则Δνχ越大。因此，通过将栅源电压Vgs降低AVx，可以去除每个像素113的迁移 率μ的变化。(发光时段)
最后，写入线驱动电路124将写入线WSL的电压从V。n降低为V。ff (T8)。然后，驱动 晶体管Tr1的栅极进入浮动状态，电流Ids在驱动晶体管Tr1的漏极和源极之间流动，并且源 极电压Vs上升。结果，等于或高于阈值电压Vel的电压被施加于有机EL元件111，并且有机 EL元件111发出所希望强度的光。在如上所述的本应用示例的显示设备100中，像素电路112经历每个像素113中 的接通-关断控制，并且驱动电流被馈送到每个像素113的有机EL元件111中，使得电穴 和电子重新结合并且因此发生光的发射，并且该光被提取到外部。结果，图像被显示在显示 面板110的显示区域IlOA中。顺便提及，在现有技术中，在有源矩阵系统的显示设备中，通常，如图8中所示，通 过串联连接两个反相器电路210和220来构成扫描电路中的缓冲器电路。然而，在例如如 图9中所示的缓冲器电路200中，当ρ沟道MOS晶体管的阈值电压Vthl变化AVthl时，输出 OUT的电压V-的上升定时偏移Atl。此夕卜，在例如如图10中所示的缓冲器电路200中，当 η沟道MOS晶体管的阈值电压Vth2变化AVth2时，输出OUT的电压V。ut的下降定时偏移At2。 因此，例如，存在这样的问题，当输出OUT的电压V。ut的上升定时和下降定时变化并且迁移 率校正时段ΔΤ变化Atl+At2时，发光时的电流1&例如如图11中所示变化AIds,并且该 变化导致强度的变化。另一方面，在本应用示例中，根据上述实施例的缓冲器电路1被用在写入线驱动 电路124的输出级中。因此，迁移率校正时段可以利用缓冲器电路1的输出电压的脉冲宽 度来定义。这使得可以减少迁移率校正阶段的变化，并且因此，可以减少发光时在有机EL 元件111中流动的电流Ids的变化，并且可以提高强度的均勻性。关于这一点，已经使用实施例和应用示例描述了本发明，但是本发明不限于该实 施例等并且可被不同地修改。例如，在该应用示例中，根据上述实施例的缓冲器电路1被用在写入线驱动电路 124的输出级中。然而，该缓冲器电路1可以用在电源线驱动电路125的输出级中而不是写 入线驱动电路124的输出级中，或者可以用在电源线驱动电路125的输出级和写入线驱动 电路124的输出级中。此外，在上述实施例等中，Vth校正操作之前的晶体管Ti^2的栅极电压只要低于 Vdd+Vthl，就都是可接受的，而Vth校正操作之前的晶体管Tr21的栅极电压只要高于Vss+Vth2， 就都是可接受的。因此，当设置Vth校正操作之前的晶体管Ti^2的栅极电压时，可以使用除 了高压线Lm和Lh2以外的电压线。并且，当设置Vth校正操作之前的晶体管Tr21的栅极电 压时，可以使用除了低压线k以外的电压线。本申请包含与2009年12月25日在日本专利局提交的日本在先专利申请JP 2009-295551有关的主题，该申请的全部内容通过引用结合于此。本领域技术人员应当理解，根据设计要求和其它因素可以进行各种修改、组合、子 组合和更改，只要它们在所附权利要求及其等同物的范围内即可。
1权利要求
1.一种驱动电路，包括输入侧反相器电路和输出侧反相器电路，所述输入侧反相器电路和所述输出侧反相器 电路相互串联连接并且被插在高压线和低压线之间， 其中，所述输出侧反相器电路包括双栅第一导电型第一晶体管，所述双栅第一导电型第一晶体管的漏极连接到所述高压 线侧并且其源极连接到所述输出侧反相器电路的输出侧，双栅第二导电型第二晶体管，所述双栅第二导电型第二晶体管的漏极连接到所述高压 线侧并且其源极连接到所述输出侧反相器电路的输出侧，以及第三晶体管，所述第三晶体管的漏极连接到所述低压线侧并且其源极连接到所述输出 侧反相器电路的输出侧。
2.—种显示设备，包括显示部件，所述显示部件包括按行布置的多个扫描线、按列布置的多个信号线和按行 和列布置的多个像素；以及驱动部件，所述驱动部件驱动所述像素中的每一个像素，其中，所述驱动部件包括多个驱动电路，所述多个驱动电路中的每一个针对所述扫描 线中的每一个扫描线而设置，所述驱动电路中的每一个驱动电路包括输入侧反相器电路和输出侧反相器电路，所述 输入侧反相器电路和所述输出侧反相器电路相互串联连接并且被插在高压线和低压线之 间，并且所述输出侧反相器电路包括双栅第一导电型第一晶体管，所述双栅第一导电型第一晶体管的漏极连接到所述高压 线侧并且其源极连接到所述输出侧反相器电路的输出侧，双栅第二导电型第二晶体管，所述双栅第二导电型第二晶体管的漏极连接到所述高压 线侧并且其源极连接到所述输出侧反相器电路的输出侧，以及第三晶体管，所述第三晶体管的漏极连接到所述低压线侧并且其源极连接到所述输出 侧反相器电路的输出侧。
全文摘要
本发明公开了一种驱动电路和显示设备。该驱动电路包括相互串联连接并且被插在高压线和低压线之间的输入侧反相器电路和输出侧反相器电路。输出侧反相器电路包括双栅第一导电型第一晶体管，其漏极连接到高压线侧并且其源极连接到输出侧反相器电路的输出侧。输出侧反相器电路还包括双栅第二导电型第二晶体管，其漏极连接到高压线侧并且其源极连接到输出侧反相器电路的输出侧。输出侧反相器电路还包括第三晶体管，其漏极连接到低压线侧并其源极连接到输出侧反相器电路的输出侧。
文档编号G09G3/32GK102110415SQ201010620620
公开日2011年6月29日 申请日期2010年12月20日 优先权日2009年12月25日
发明者富田昌嗣, 尾本启介 申请人:索尼公司