有机发光二极管显示器的制造方法与工艺

本发明的实施方式涉及有机发光二极管（OLED）显示器。

背景技术：
有机发光二极管显示器具有自发射特性，与液晶显示器（LCD）的不同之处在于，其不需要单独的光源并且具有相对较薄的厚度和较轻的重量。此外，有机发光二极管显示器展示出高质量特性，诸如功耗低、亮度高和响应时间短。有机发光二极管（OLED）显示器可包括包含多个像素的像素单元、用于向像素单元提供栅极信号的栅极驱动器、用于向像素单元提供数据信号的数据驱动器和照明测试电路，照明测试电路在进行照明测试以确认像素的照明时使用。这里，照明测试电路可包括多个薄膜晶体管，以通过从外部提供的相应的测试控制信号对数据线提供照明测试信号。包含在照明测试电路中的薄膜晶体管和向薄膜晶体管提供测试控制信号和照明测试信号的线路会暴露于从外部流入的静电放电（ESD），因而它们在制造有机发光二极管（OLED）显示器的过程中或者在制造有机发光二极管（OLED）显示器完成后会容易受到ESD的损害。如果照明测试电路的薄膜晶体管以及向薄膜晶体管提供测试控制信号和照明测试信号的线路被ESD损坏，则不能有效地执行照明测试，并且会产生有机发光二极管（OLED）显示器的驱动缺陷。以上在

背景技术：
部分公开的信息仅用于增强对所描述的技术的背景的理解，因而可包含本国本领域技术人员公知的、不形成现有技术的信息。

技术实现要素：
本发明的各方面提供抑制因ESD导致的缺陷的有机发光二极管（OLED）显示器。根据本发明的实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器，包括：像素单元，包括多个像素，所述多个像素位于栅极线和数据线的交叉区域并且位于面板的中央区域；栅极驱动器，被配置为向所述栅极线提供栅极信号，所述栅极驱动器位于所述面板的一侧；照明测试电路，耦接至第一输入线和第二输入线，所述第一输入线被配置为传送照明测试信号，所述第二输入线被配置为传送测试控制信号，所述照明测试电路位于所述面板的另一侧，并且被配置为根据所述测试控制信号将所述照明测试信号提供到所述数据线；第一电源线，被配置为向所述栅极驱动器提供栅极高电平电压，所述第一电源线位于所述栅极驱动器与所述照明测试电路的周边；以及第二电源线，被配置为向所述栅极驱动器提供栅极低电平电压，所述第二电源线位于所述栅极驱动器和所述照明测试电路的周边；其中，所述第二输入线通过电阻器耦接至所述第一电源线或者所述第二电源线。所述照明测试电路可包括多个晶体管，所述多个晶体管中的每个包括：沟道层；源电极，耦接至所述沟道层并且耦接至所述第一输入线；漏电极，耦接至所述沟道层并且耦接至所述数据线中的一个数据线；以及栅电极，耦接至所述第二输入线。所述沟道层可包括p型半导体材料，以及所述第二输入线可通过所述电阻器耦接至所述第一电源线。所述沟道层可包括n型半导体材料，以及所述第二输入线可通过所述电阻器耦接至所述第二电源线。所述电阻器与所述沟道层可处于同一层。有机发光二极管显示器还可包括：发光控制驱动器，所述发光控制驱动器在所述面板上面对所述栅极驱动器，并且所述像素单元插置于所述发光控制驱动器与所述栅极驱动器之间，所述发光控制驱动器被配置为向与所述栅极线平行的发光控制线提供发光控制信号。所述第一电源线可被配置为将所述栅极高电平电压提供到所述发光控制驱动器，所述第一电源线位于所述发光控制驱动器、所述栅极驱动器和所述照明测试电路的周边，以及所述第二电源线可被配置为将所述栅极低电平电压提供到所述发光控制驱动器，所述第二电源线位于所述发光控制驱动器、所述栅极驱动器和所述照明测试电路的周边。所述栅极信号和所述发光控制信号的高电平电压可被配置为根据所述栅极高电平电压而产生，所述栅极信号和所述发光控制信号的低电平电压可被配置为根据所述栅极低电平电压而产生。有机发光二极管显示器还可包括：数据驱动器，所述数据驱动器在所述面板上面对所述照明测试电路，其中所述像素单元插置于所述数据驱动器与所述照明测试电路之间，所述数据驱动器被配置为向所述数据线提供数据信号。所述栅极驱动器和所述发光控制驱动器可位于所述面板的右侧或者左侧，以及所述照明测试电路和所述数据驱动器可位于所述面板的上侧或者下侧。根据本发明的实施方式，提供了抑制因ESD导致的缺陷的有机发光二极管（OLED）显示器。附图说明图1是有机发光二极管（OLED）显示器的实施例的框图；图2是图1所示的像素的实施例的电路图；图3是图2所示的像素的驱动方法的波形图；图4是设置在图1所示的栅极驱动器中的移位寄存器的实施例的电路图；图5是设置在图1所示的发光控制驱动器中的移位寄存器的实施例的电路图；图6是根据本发明的实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器的俯视图；图7是图6的部分A的视图；图8是根据本发明的另一实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器的俯视图；以及图9是图8的部分B的视图。具体实施方式在下文中，将参照附图详细描述示例性实施方式，以使本领域技术人员能够容易地实现本发明。如本领域技术人员应领会的，所描述的实施方式可以以各种不同的方式修改，均不偏离本发明的精神或范围。为了清楚地描述实施方式，可省略不必理解描述的部件，并且在整个说明书中相同的参考标号指示相同的元件。在整个实施方式中具有相同结构的元件由相同的参考标号指示并且可仅针对一个实施方式进行描述。在其他实施方式中，主要描述与之前描述的实施方式不同的元件。在附图中，部件的尺寸和厚度仅示出为便于解释，因而本发明不必限制为本文所描述并示出的图示。此外，除非明确地相反描述，词语“包括（comprise）”和变型诸如“包括（comprises）”或“包括（comprising）”将被解释为暗指所指的元件的包含物，但不排除一个或多个其他的元件。而且，当元件被称为“耦接”（例如，电耦接或连接）至另一元件时，其可直接耦接至其他元件或没有直接地耦接至其他元件，其中在二者之间插置一个或多个中间元件。像素代表用于显示图像的最小单位，有机发光二极管（OLED）显示器通过多个像素显现图像。现在将参照图1至图7描述根据本发明的实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器。图1是有机发光二极管（OLED）显示器的一个实施例的框图。如图1所示，有机发光二极管（OLED）显示器包括栅极驱动器10、发光控制驱动器20、数据驱动器30和像素单元40。栅极驱动器10生成与从外部源提供的驱动电源和控制信号对应的栅极信号，并将栅极信号顺序提供到栅极线S1至Sn。通过栅极信号选择像素50，从而顺序提供数据信号。发光控制驱动器20向与栅极线S1至Sn平行设置的发光控制线E1至En顺序提供发光控制信号。发光控制信号对应于驱动电源和控制信号。因此，像素50的发光受到发光控制信号的控制。栅极驱动器10和发光控制驱动器20可单独地安装在面板上作为芯片型（chiptype）。可替换地，栅极驱动器10和发光控制驱动器20可与包含在像素单元40中的驱动元件一起形成在面板上。在图1中，栅极驱动器10和发光控制驱动器20被设置为彼此面对，像素单元40插置于二者之间，然而，本发明不限于此。例如，栅极驱动器10和发光控制驱动器20可形成在像素单元40的同一侧，或者可分别形成在像素单元40的两侧。而且，可根据像素单元40的像素50的结构省略发光控制驱动器20。数据驱动器30生成与外部源提供的数据和控制信号对应的数据信号，并将数据信号提供到数据线D1至Dm。提供到数据线D1至Dm的数据信号被提供到由栅极信号选择的像素50（即，当栅极信号被提供到像素50时）。因此，像素50对与数据信号对应的电压进行存储或充电。像素单元40包括多个像素50，多个像素50位于栅极线S1至Sn、发光控制线E1至En和数据线D1至Dm的交叉区域处。像素单元40可从外部源接收高电位像素功率的第一电源ELVDD和低电位像素功率的第二电源ELVSS。第一电源ELVDD和第二电源ELVSS被传送至每个像素50。而且，可根据像素50的结构为像素单元40提供初始化电源Vinit或者参考电压Vref。因此，像素50发出的光具有与从第一电源ELVDD流至第二电源ELVSS的驱动电流对应的亮度（该驱动电流与数据信号对应），从而显示图像。图2是图1所示的像素50的一个实施例的电路图。为了方便起见，图2示出了位于第i（i为自然数）行第j（j为自然数）列的像素，并且该像素被配置为进行初始化和阈值电压补偿。然而，本发明不限于此，本发明可包括不同结构的像素。如图2所示，像素50包括包含多个晶体管T1至T6的像素电路单元52、存储电容器Cst和有机发光二极管（OLED），有机发光二极管（OLED）用于接收来自像素电路单元52的驱动电流。当前一栅极信号SSi-1被提供到前一栅极线Si-1时，像素电路单元52使存储在存储电容器Cst中的电压初始化，并且当从当前栅极线Si提供当前栅极信号SSi时，像素电路单元52对与数据信号Vdata对应的电压和第一晶体管T1的阈值电压进行充电。这样，无论第一晶体管T1的阈值电压如何，与数据信号Vdata对应的驱动电流均被提供到有机发光二极管（OLED）。在这种情况下，虽然图1没有示出，但是每个像素50可耦接至前一栅极线Si-1和当前的栅极线Si，并且可将第一行的像素50耦接至第一栅极线S1的前一行的栅极线（例如，虚拟栅极线），以使第一行的像素50初始化。此外，在像素单元50中，还可包括向每个像素50提供初始化电源Vinit的初始化电源线。在图2中，像素电路单元52耦接至当前栅极线Si、前一栅极线Si-1、发光控制线Ei、数据线Dj、第一电源ELVDD、初始化电源Vinit和有机发光二极管（OLED），并且像素电路单元52包括第一至第六晶体管T1至T6和存储电容器Cst。第一晶体管T1可耦接在第一电源ELVDD与有机发光二极管（OLED）之间，以根据施加到第一晶体管T1的栅电极的电压来控制驱动电流。具体地，第一晶体管T1的第一电极（例如，源电极）可通过第六晶体管T6耦接至第一电源ELVDD，T1的第二电极（例如，漏电极）可通过第五晶体管T5耦接至有机发光二极管（OLED）。而且，第一晶体管T1的栅电极可耦接至第一节点N1。这里，第一晶体管T1根据第一节点N1的电压（即，存储电容器Cst所充电的电压）控制提供到有机发光二极管（OLED）的驱动电流。第二晶体管T2可耦接在数据线Dj与存储电容器Cst之间，并且当从当前栅极线Si提供当前栅极信号SSi时，第二晶体管T2可导通，使得数据信号在像素50内被传送。在图2中，第二晶体管T2的第一电极耦接至数据线Dj，第二晶体管T2的第二电极通过第一晶体管T1和第三晶体管T3耦接至存储电容器Cst。此外，第二晶体管T2的栅电极耦接至当前栅极线Si。这里，当从当前栅极线Si提供当前栅极信号SSi时，第二晶体管T2导通，使得数据线Dj提供的数据信号Vdata通过第一和第三晶体管T1和T3被传送至存储电容器Cst。第三晶体管T3可耦接至第一晶体管T1的栅电极和第一晶体管T1...