一种像素电路及其驱动方法、显示装置制造方法
【专利摘要】本发明实施例提供一种像素电路及其驱动方法、显示装置，涉及显示【技术领域】，可以有效地补偿TFT的阈值电压漂移，提升显示效果。该像素电路中的第一晶体管的栅极连接第一控制信号端，其第一极连接数据信号端；第二晶体管的栅极连接第一晶体管的第二极，其第一极连接第三晶体管的第二极，其第二极连接发光器件的第一端；第三晶体管的栅极连接第二控制信号端，其第一极连接第一电源信号端；存储电容的一端连接第二晶体管的栅极，其另一端连接第二晶体管的第二极；发光器件形成的寄生电容的一端连接发光器件的第一端，其另一端连接发光器件的第二端；发光器件的第二端还连接第二电源信号端。本发明实施例用于制造显示面板。
【专利说明】一种像素电路及其驱动方法、显示装置
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种像素电路及其驱动方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]目前,AMOLED (Active Matrix/Organic Light Emitting Diode,有源矩阵有机发光二极体面板)使用 TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶体管)驱动 OLED (Organic LightEmitting Diode,有机发光二极管)发光。
[0003]现有技术中，AMOLED像素电路通常采用2T1C电路，该2T1C电路包括两个TFT和一个电容。在该2T1C电路中，流经OLED的电流Imd通过如下公式计算:
【权利要求】
1.一种像素电路，其特征在于，包括: 第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容以及发光器件； 所述第一晶体管的栅极连接第一控制信号端，其第一极连接数据信号端； 所述第二晶体管的栅极连接所述第一晶体管的第二极，其第一极连接所述第三晶体管的第二极，其第二极连接所述发光器件的第一端； 所述第三晶体管的栅极连接第二控制信号端，其第一极连接第一电源信号端； 所述存储电容的一端连接所述第二晶体管的栅极，其另一端连接所述第二晶体管的第二极； 所述发光器件形成的寄生电容的一端连接所述发光器件的第一端，其另一端连接所述发光器件的第二端； 所述发光器件的第二端还连接第二电源信号端。
2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管均为N型晶体管； 所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管的第一极均为漏级，第二极均为源级，所述发光器件的 第一端为所述发光器件的阳极，所述发光器件的第二端为所述发光器件的阴极。
3.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述晶体管包括耗尽型TFT或增强型TFT。
4.根据权利要求1或3所述的像素电路，其特征在于，所述发光器件为有机发光二极管。
5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至4中任一所述像素电路。
6.一种用于驱动如权利要求1至4任一所述像素电路的像素电路驱动方法，其特征在于，包括: 第一阶段:导通第一晶体管和第三晶体管；第一电源信号端输入第一电压，数据信号端输入重置信号，导通第二晶体管，并控制发光器件处于关闭状态，使得所述存储电容的电压大于所述第二晶体管的阈值电压； 第二阶段:保持所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管导通，发光器件处于关闭状态，第一电源信号端输入第二电压，直到所述第二晶体管关闭，所述存储电容的电压等于所述第二晶体管的阈值电压； 第三阶段:保持所述第一晶体管导通；关闭所述第三晶体管，所述数据信号端输入数据信号，使得所述第二晶体管导通，并通过所述存储电容和所述发光器件形成的寄生电容的分压作用向所述发光器件的第一端写入数据； 第四阶段:关闭所述第一晶体管，导通所述第三晶体管，通过所述第二晶体管和所述第三晶体管的电流驱动所述发光器件发光。
7.根据权利要求6所述的像素电路驱动方法，其特征在于，对应所述第一阶段的控制时序包括:所述第一控制信号端和所述第二控制信号端均输入高电平，所述第一电源信号端输入低电平，所述数据信号端输入低电平的所述重置信号； 对应所述第二阶段的控制时序包括:所述第一控制信号端、所述第二控制信号端以及所述第一电源信号端均输入高电平，所述数据信号端输入低电平的所述重置信号；对应所述第三阶段的控制时序包括:所述第一控制信号端和所述第一电源信号端均输入高电平，所述第二控制信号端输入低电平，所述数据信号端输入高电平的所述数据信号; 对应所述第四阶段的控制时序包括:所述第一电源信号端和所述第二控制信号端均输入高电平，所述第一控制信号端和所述数据信号端均输入低电平。
8.根据权利要求6或7所述的像素电路驱动方法，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管均为N型晶体管。
9.根据权利要求6或7所述的像素电路驱动方法，其特征在于，所述晶体管包括耗尽型TFT或增强型TFT。
10.根据 权利要求6或7所述的像素电路驱动方法，其特征在于，所述发光器件为有机发光二极管。
【文档编号】G09G3/32GK103943067SQ201410126737
【公开日】2014年7月23日 申请日期:2014年3月31日 优先权日:2014年3月31日
【发明者】段立业, 吴仲远, 王俪蓉, 曹昆 申请人:京东方科技集团股份有限公司