本发明涉及显示器件领域，尤其涉及一种显示面板及其阵列基板行驱动电路的过流保护电路。
背景技术：
阵列基板行驱动(GateDriveronArray)技术，简称GOA技术，其是直接将栅极驱动电路制作在阵列基板上，以代替由外接硅芯片制作的驱动芯片。由于GOA电路可直接制作于面板周围，简化了制程工艺，而且还可降低产品成本，提高液晶面板的集成度，使面板趋向于更加薄型化。此外，WOA(WireOnArray)布板设计是直接在阵列基板上走线，以替代柔性电路板(FlexiblePrintedCircuit，FPC)连接扫描线与数据线上的数据信号，该布板方式可显著减轻面板的重量并降低成本。当WOA走线中的栅极线驱动信号(CKV)短路或者出现其它异常状况时，可能因为电流过大而导致面板损坏，从而需增加CKV的保护电路。
技术实现要素：
为了解决现有技术的不足，本发明提出了一种显示面板及其GOA电路的过流保护电路。
本发明提出的具体技术方案为：提供一种阵列基板行驱动电路的过流保护电路，包括放大电路、负载电路、比较器、控制器以及开关电路：所述放大电路的输入端连接高电压输入端，所述高电压输入端用于接收所述阵列基板行驱动电路的控制信号源的高电压信号，所述放大电路用于放大所述高电压信号，所述放大电路的输出端通过负载电路接地；所述比较器连接于所述放大电路的输出端及所述控制器之间，所述比较器用于在比较所述放大电路的输出端的电压值大于阈值电压的电压值后输出第一高电平信号至所述控制器；所述控制器还连接所述开关电路，所述控制器用于在接收到所述第一高电平信号后输出第二高电平信号至所述开关电路；所述开关电路还分别连接所述放大电路、所述高电压输入端、低电压输入端及电压输出端，所述低电压输入端用于接收所述阵列基板行驱动电路的控制信号源的低电压信号，所述开关电路用于在接收到所述第二高电平信号后连通所述低电压输入端及所述电压输出端，从而使所述电压输出端输出所述低电压信号。
进一步地，所述比较器还用于在比较所述放大电路的输出端的电压值小于所述阈值电压的电压值后输出第一低电平信号至所述控制器，所述控制器用于在接收到所述第一低电平信号后输出第二低电平信号至所述开关电路而使所述开关电路连通所述高电压输入端及所述电压输出端，从而使所述电压输出端输出所述高电压信号。
进一步地，所述放大电路的输出端的电压值为V＝I*R，其中I为所述高电压信号经所述放大电路放大后的电流值，R为所述负载电路的阻值。
进一步地，所述比较器的正相输入端分别与所述放大电路的输出端和所述负载电路连接，所述比较器的反相输入端用于接收所述阈值电压，所述比较器的输出端连接所述控制器。
进一步地，所述放大电路包括
电压放大器，与所述放大电路的输入端连接，用于接收并放大所述高电压信号；
电压-电流转换器，连接于所述电压放大器与所述放大电路的输出端之间，用于将放大后的高电压信号转换为电流信号。
进一步地，所述负载电路包括第一负载电路和第二负载电路，所述第一负载电路包括第一电阻，所述放大电路的输出端经所述第一电阻接地；所述第二负载电路包括第二电阻以及晶体管，所述晶体管的栅极用于接收显示模式信号，所述晶体管的源极接地，所述第二电阻连接于所述放大电路的输出端与所述晶体管的漏极之间。
进一步地，所述显示模式信号为二维显示模式下的信号，所述晶体管处于截止状态，所述负载电路的阻值R为所述第一电阻的阻值。
进一步地，所述显示模式信号为三维显示模式下的信号，所述晶体管处于导通状态，所述负载电路的阻值R为所述第一电阻与所述第二电阻并联后的阻值。
进一步地，所述开关电路包括第一晶体管、第二晶体管，所述第一晶体管的栅极连接于所述电压放大器与所述电压-电流转换器之间，所述第一晶体管的源极与所述电压输出端连接，所述第一晶体管的漏极与所述高电压输入端连接，所述第二晶体管的栅极与所述控制器连接，所述第二晶体管的源极与所述低电压输入端连接，所述第二晶体管的漏极与所述电压输出端连接。
本发明还提供了一种显示面板，所述显示面板包括如上所述的过流保护电路。
本发明提出的显示面板及其GOA电路的过流保护电路，通过将GOA电路的控制信号源的电压信号转换成电流信号并对其进行放大，然后根据显示模式选择不同的负载电阻，再将放大后的电流信号与负载电阻的乘积和阈值电压进行比较，若放大后的电流信号与负载电阻的乘积大于阈值电压，则控制器控制开关电路输出低电平信号使得GOA电路处于过流保护状态，从而避免电流过大而烧毁显示面板，而且通过将电流信号进行放大后再进行比较，减小了侦测难度、提高了精确度、降低了误操作概率。同时，通过不同的负载电路来实现对二维显示模式和三维显示模式进行过流保护，改善了保护效果。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明GOA电路的过流保护电路结构图；
图2为本发明GOA电路的过流保护电路具体电路结构图。
具体实施方式
以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中，相同的标号将始终被用于表示相同的元件。
参照图1，本实施例提供的GOA电路过流保护电路包括放大电路10、负载电路20、比较器30、控制器40以及开关电路50。所述放大电路10的输入端连接高电压输入端VGH，高电压输入端VGH用于接收GOA电路的控制信号源的高电压信号，放大电路10用于接收并放大所述高电压信号的电流值，放大电路10的输出端通过负载电路20接地。比较器30连接于放大电路10的输出端及所述控制器40之间，具体的，比较器30的正相输入端与放大电路10的输出端连接，比较器30的反相输入端与阈值电压源Vth连接，比较器30的输出端与控制器40连接，开关电路50分别与放大电路10、控制器40连接，开关电路50还连接高电压输入端VGH、低电压输入端VGL以及电压输出端Vout。
参照图2，放大电路10包括电压放大器120以及电压-电流转换器130，电压放大器120与放大电路10的输入端连接，电压-电流转换器130连接于电压放大器120与放大电路10的输出端之间。电压放大器120接收GOA电路的控制信号源的高电压信号并将其放大，电压-电流转换器130接收放大后的高电压信号并将其转换为电流信号发送给负载电路20，这里控制信号源VGH输出的信号为CKV信号，由于CKV信号比较小，所以需要对其进行放大，从而可以减小侦测难度、提高精确度、降低误操作概率；电压放大器120的放大倍数可以根据实际需要来设定，例如，放大倍数为10。
放大电路10的输出端的电压值为V＝I*R，其中，I为经电压-电流转换器130转换后的电流信号的电流值，R为负载电路20的阻值。比较器30的正相输入端与放大电路10的输出端连接，故比较器30正相输入端的电压值等于V，比较器30的反相输入端从阈值电压源Vth接收阈值电压，阈值电压的电压值为Vref1，然后比较器30比较V与Vref1的大小。当V>Vref1即i>Vref1/R，比较器30输出第一高电平信号至控制器40，控制器40在接收到第一高电平信号后输出第二高电平信号至开关电路50，开关电路50连通低电压输入端VGL和电压输出端Vout，从而，电压输出端Vout输出低电压信号，此时，GOA电路处于过流保护状态。当V<Vref1即i<Vref1/R，比较器30输出第一低电平信号至控制器40，控制器40在接收到第一低电平信号后输出第二低电平信号至开关电路50，开关电路50连通高电压输入端VGH和电压输出端Vout，从而，电压输出端Vout输出高电压信号，此时，GOA电路处于正常工作状态。
为了保证GOA电路在二维显示模式和三维显示模式下都能够获得比较好的保护效果，负载电路20包括第一负载电路100以及第二负载电路110。再次参照图2，具体的，第一负载电路100包括第一电阻R1，其阻值为r1，第二负载电路110包括第二电阻R2以及晶体管Q3，R2的阻值为r2，晶体管Q3的栅极连接显示模式信号源Vmode，晶体管Q3的源极接地，第二电阻R2连接于放大电路10的输出端与晶体管Q3的漏极之间，放大电路10的输出端与第一电阻R1连接后接地，其中，显示模式包括二维显示模式和三维显示模式，优选的，晶体管为NMOS管，在其他实施例中也可以采用其他开关电路元件来实现晶体管的功能，例如，三极管。若GOA电路的显示模式为二维显示模式，则显示模式信号源Vmode输出低电平，此时，晶体管Q3的栅极为低电平，其处于截止状态，第二负载电路110不导通，放大电路10的输出端的阻值为第一电阻R1的阻值r1，此时，V＝i*r1，阈值电流为Vref1/r1；若GOA电路的显示模式为三维显示模式，则显示模式信号源Vmode输出高电平，此时，晶体管Q3的栅极为高电平，其处于导通状态，第二负载电路110导通，第一电阻R1与第二电阻R2并联，放大电路10的输出端的阻值为R1与R2并联后的阻值r1*r2/(r1+r2)，此时，V＝i*r1*r2/(r1+r2)，阈值电流为Vref1*(r1+r2)/r1*r2。
开关电路50包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2，第一晶体管Q1的栅极连接于电压放大器120与电压-电流转换器130之间，第一晶体管Q1的源极与电压输出端连接，第一晶体管Q1的漏极与高电压输入端VGH连接，第二晶体管Q2的栅极与控制器40连接，第二晶体管Q2的源极与低电压输入端连接，第二晶体管Q2的漏极与电压输出端Vout连接，优选的，第一晶体管为PMOS管,第二晶体管为NMOS管。其中，第二晶体管Q2栅极接收控制器40的输出信号为第二高电平信号，第二晶体管Q2处于导通状态，而第一晶体管Q1的栅极接收的是经电压放大器120放大后的高电压信号，其大于第一晶体管Q1的开启电压，所以，第一晶体管Q1处于截止状态，低电压输入端VGL和电压输出端Vout连通，电压输出端Vout输出低电压信号，此时，GOA电路处于过流保护状态；第二晶体管Q2栅极接收控制器40的输出信号为第二低电平信号，第二晶体管Q2处于截止状态，此时，第一晶体管Q1的栅极接收的经电压放大器120放大后的高电压信号小于第一晶体管Q1的开启电压，所以，第一晶体管Q1处于导通状态，高电压输入端VGH和电压输出端Vout连通，电压输出端Vout输出高电压信号，此时，GOA电路处于正常工作状态。
本实施例还提供了一种GOA型显示面板，其包括如上所述GOA电路的过流保护电路，通过将GOA电路的控制信号源的电压信号转换成电流信号并对其进行放大，然后根据显示模式选择不同的负载电阻，再将放大后的电流信号与负载电阻的乘积和阈值电压进行比较，若放大后的电流信号与负载电阻的乘积大于阈值电压，则控制器控制开关电路输出低电平信号使得GOA电路处于过流保护状态，从而避免电流过大而烧毁显示面板，而且通过将电流信号进行放大后再进行比较，减小了侦测难度、提高了精确度、降低了误操作概率。同时，通过不同的负载电路来实现对二维显示模式和三维显示模式进行过流保护，改善了保护效果。
以上所述仅是本申请的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。