有源矩阵基板、显示装置以及制造方法与流程

本发明涉及一种具有多个薄膜晶体管的有源矩阵基板、显示装置以及有源矩阵基板的制造方法。

背景技术：

显示装置大多具备：具有与多个像素对应的薄膜晶体管的有源矩阵基板。作为如此的显示装置，例如，可举出：液晶显示器、有机el显示器、或者mems(microelectromechanicalsystemdisplay)显示器等。mems显示器是使用了机械式(mechanical)快门的显示装置。

例如，下述专利文献1公开有透射型的mems显示器。该mems显示器中，在具备薄膜晶体管(thinfilmtransistor；以下，也称为tft。)的第一基板，由mems构成的多个快门与像素对应地以矩阵状排列。在第二基板的层积于第一基板侧的遮光膜，设置与像素对应地以矩阵状排列的多个开口部。通过快门移动，从而开闭开口部，从背光源单元向显示面使光透射过或将光隔断。

近年来，作为tft的半导体膜，使用具有高迁移率、并且具有漏电电流较低等的特征的氧化物半导体。具备由氧化物半导体构成的tft的有源矩阵基板利用范围广泛。例如，利用于需要高清晰的液晶显示器、或因电流驱动而薄膜晶体管的负荷大的有机el显示器、以及需要以高速使快门运作进行运作的mems显示器等。

现有技术文献

专利文件

专利文献1:日本特开2013-50720号公报

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题

在具有tft的有源矩阵基板中，可以在tft与基板之间设置透明且具有绝缘性的透光膜。例如，在mems显示器的有源矩阵基板中，可以在由tft控制的快门与设置有快门的基板之间配置透光膜。

在如此的有源矩阵基板的形成工序中，可以在tft的氧化物半导体膜的成膜后，以400℃以上的温度实施一个小时～两个小时左右的高温退火处理。以下，将400℃以上的退火处理称为高温退火处理。通过高温退火，可以使利用了氧化物半导体的tft的晶体管特性稳定。该高温退火的温度成为有源矩阵基板的形成工序中的最高温度。

与此相对，在将非晶硅用作tft的半导体膜的情况下，有源矩阵基板的形成工序中的最高温度最高不过是300℃～330℃(例如，使氮化硅、非晶硅成膜时的温度)左右。另外，使用了氧化物半导体的tft的高温退火的时间例如存在变长为一个小时以上的趋势。因此，在tft使用氧化物半导体的情况下，产生以往的有源矩阵基板的形成中未出现的问题。

例如，本申请发明者们发现：在制造工序中，由于tft的形成时的高温退火处理等，有时在透光膜的端部产生裂缝，该裂缝对透光膜上的层的功能带来影响。如此的课题例如会在液晶显示装置等、在具有在形成于基板上的透光膜上配置薄膜晶体管的构成的显示装置中产生。

因此，本申请公开了一种可以抑制设置于薄膜晶体管与基板之间的膜的端部产生裂缝的有源矩阵基板、显示装置以及制造方法。

解决问题的手段

本发明的一实施方式所涉及的具有多个像素的有源矩阵基板具备：基板；多个薄膜晶体管，它们以矩阵状配置；透光膜，其设置于所述基板与所述薄膜晶体管之间；以及保护层，其覆盖所述透光膜的周缘的端面且该端面不与所述基板平行。所述薄膜晶体管具有：栅极电极、栅极绝缘膜、隔着所述栅极绝缘膜而与所述栅极电极对向的半导体膜、以及与所述半导体膜连接并隔着所述半导体膜而相互对向的漏极电极以及源极电极。所述保护膜配置于所述透光膜与所述半导体膜之间。

发明效果

根据本申请公开的有源矩阵基板或者其制造方法，可以抑制设置于薄膜晶体管与基板之间的膜的端部产生裂缝。

附图说明

图1是表示显示装置的概略构成的立体图。

图2是显示装置的等效电路图。

图3是快门部的立体图。

图4是说明快门部的运作的俯视图。

图5是图4的沿v-v线的剖面图。

图6是说明快门部的运作的俯视图。

图7是图6的沿vii-vii线的剖面图。

图8是第一基板的剖面图。

图9是表示遮光膜的俯视图。

图10a是表示透光膜的周缘部的剖面图。

图10b是表示透光膜的周缘部的变形例的剖面图。

图11是表示第一基板的制造方法的说明图。

图12是表示第一基板的制造方法的说明图。

图13是表示第一基板的制造方法的说明图。

图14是表示第一基板的制造方法的说明图。

图15是表示第一基板的制造方法的说明图。

图16是表示第一基板的制造方法的说明图。

图17是表示第一基板的制造方法的说明图。

图18是表示第一基板的制造方法的说明图。

图19是表示图11～图18所示的制造方法的流程的概略的图。

图20是表示实施方式二的透光膜的周缘部的剖面图。

图21是表示图20所示的显示装置的制造流程的概略的图。

图22是表示实施方式三的透光膜的周缘部的剖面图。

图23是表示图22所示的显示装置的制造流程的概略的图。

图24是表示实施方式四的透光膜的周缘部的剖面图。

具体实施方式

本发明的一实施方式的具有多个像素的有源矩阵基板，具有：基板；多个薄膜晶体管，以矩阵状配置；透光膜，设置于所述基板与所述薄膜晶体管之间；以及保护层，覆盖所述透光膜的周缘的端面且该端面不与所述基板平行。所述薄膜晶体管具有：栅极电极、栅极绝缘膜、隔着所述栅极绝缘膜与所述栅极电极对向的半导体膜、以及连接于所述半导体膜，且隔着所述半导体膜而相互对向的漏极电极以及源极电极。所述保护膜配置于所述透光膜与所述半导体膜之间。

根据所述的构成，透光膜的周缘的端面被保护膜覆盖。另外，保护膜配置于半导体膜与透光膜之间。由此，在被保护膜覆盖的端面的透光膜上形成薄膜晶体管。因此，即使在薄膜晶体管的形成工序中以高温进行退火，也难以在透光膜产生裂缝。进而，可抑制透光膜上的层产生裂缝的影响。

所述透光膜的所述端面以随着远离配置所述像素的区域而距离所述基板的高度变小的方式倾斜。由此，可以使透光膜的端部的阶梯差变缓。其结果，可以缓和因透光膜的端部的阶梯差而产生的向透光膜的上层的部件的影响。

也可以设置连接于所述薄膜晶体管的配线。该情况下，所述配线中的至少一部分，可以构成为在覆盖所述透光膜的所述端面的所述保护膜上被引出。在该构成中，在覆盖透光膜的端面的所述保护膜上配置有配线。因此，配线难以因产生于透光膜的裂缝而断线。

所述透光膜可以包含遮光区域。由此，可以在基板设置遮光层。

所述遮光区域例如可以通过设置于所述透光膜与所述基板之间的遮光膜而形成。在该构成中，可以通过透光膜来缓和因遮光膜产生的阶梯差。因此，使覆盖遮光膜的透光膜的表面平坦化变容易。另外，易于通过透光膜，来确保层积在透光膜上的部件与遮光膜的距离。

所述保护膜也可以是，从所述透光膜的所述端面延伸至所述透光膜的上表面，且与所述上表面接触而形成。由此，可以通过保护膜来保护透光膜的上表面。

所述显示装置可以还具备设置于所述透光膜与所述基板之间的遮光膜。该情况下，所述透光膜也可以设置为与所述遮光膜的上表面接触。在该构成中，在透光膜与遮光膜之间未插入其他的膜，因此制造工序变简单。

所述保护膜可以以为覆盖所述透光膜的所述端面以及所述透光膜的上表面的方式形成。可以在所述保护膜与所述透光膜的上表面之间设置透明绝缘膜。所述保护膜的厚度与所述透明绝缘膜的厚度之和也可以小于200nm。由此，可以使透光膜与其他的层的膜的密合性变得良好。

所述透光膜可以由作为涂布型材料的一个的sog膜形成。由此，容易缓和遮光膜的阶梯差。另外，虽然sog膜的材料在高温时容易产生裂缝，但是由于设置有保护膜，因此即使在由sog膜形成透光膜的情况下，也可以有效地抑制裂缝的产生。

所述半导体膜可以通过氧化物半导体而形成。在使用了氧化物半导体的薄膜晶体管的制造工序中，在氧化物半导体膜的成膜后，实施高温退火(例如，以400℃以上的温度进行一个小时～两个小时左右的退火)。通过高温退火可以使利用了氧化物半导体的薄膜晶体管的特性稳定。此处，配置于由氧化物半导体形成的半导体膜与透光膜之间的保护膜，可以抑制由氧化物半导体的高温退火而引起的透光膜的裂缝产生。

具备所述的有源矩阵基板的显示装置也包含于本发明的实施方式。所述显示装置也可以还具备：对向基板，其与所述基板对向配置；以及密封材料，为环状，且粘着所述基板以及所述对向基板的周缘部。该情况下，所述透光膜的所述端面，从与所述基板垂直的方向观看时，可以配置于所述密封材料的内侧。

所述显示装置也可以还具备：快门部，与所述多个像素分别对应地设置于所述基板，且通过由所述薄膜晶体管的驱动来控制的快门体控制透过透光区域的光量。即，所述显示装置可以成为mems显示器。

所述显示装置可以成为有机电致发光显示器、或者液晶显示器。

本发明的一实施方式的制造方法，是有关一种具有以矩阵状配置的多个薄膜晶体管的有源矩阵基板的制造方法。所述制造方法具有：在基板上形成透光膜的工序；在所述透光膜上形成覆盖所述透光膜的周缘的端部的不与所述基板平行的端面的保护膜的工序；以及在已形成所述保护膜的所述透光膜上形成所述薄膜晶体管的工序。形成所述薄膜晶体管的工序具有：形成栅极电极、栅极绝缘膜、隔着所述栅极绝缘膜与所述栅极电极对向的半导体膜、以及在所述栅极绝缘膜上隔着所述半导体膜而相互对向的漏极电极以及源极电极的工序。

在所述制造方法中，形成覆盖透光膜的端面的保护膜，因此在形成薄膜晶体管的工序中，透光膜的端面被保护。因此，即使在薄膜晶体管的半导体的形成时进行高温退火，也难以在透光膜产生裂缝。其结果，也可抑制透光膜的裂缝对上层的膜带来的影响。

所述制造方法也可以包括：在所述保护膜的形成前，对层积于所述基板的膜进行烧制的第一退火工序；和在所述保护膜的形成后对层积于所述基板的膜进行烧制的第二退火工序。该情况下，可以使所述第二退火的处理温度高于所述第一退火工序的处理温度。根据该制造方法，在遮光层的端面被保护膜覆盖的状态下，以比保护膜形成前的退火温度高的温度进行退火。因此，可有效率地抑制由于高温而在遮光层的端面产生裂缝的情况。

第一退火工序例如可以为在所述保护膜的形成前，在层积了用于形成所述透光膜的膜的状态下进行的退火。第二退火工序例如可以为在由所述保护膜覆盖了所述透光膜的状态下进行的退火。另外，所述制造方法包含在形成所述薄膜晶体管的半导体膜的工序中进行的第三退火工序，所述第二退火的处理温度可以以与所述第三退火的处理温度相同或者比它高的温度进行。

所述透光膜的遮光区域可以配置为从与所述基板垂直的方向观看时，至少与所述多个薄膜晶体管重叠。例如，可以将所述遮光膜配置为至少与所述多个薄膜晶体管重叠。

根据所述的构成，从基板侧进入显示装置内的外部光在透光膜的遮光区域被隔断，从而抑制外部光到达薄膜晶体管。因此，可以抑制由于外部光而使薄膜晶体管的阈值特性等劣化。

所述遮光区域优选为配置于从与所述基板垂直的方向观看时，去除所述多个像素中的所述透光区域的全部的区域。

根据所述的构成，透光膜的遮光区域配置于去除透光区域的全部的区域，因此可以更高效地遮断从基板侧入射的光。另外，根据所述的构成，可抑制从基板侧进入显示装置内的外部光被层积于透光膜上的金属膜等反射而向显示视认侧反射。其结果，可以抑制由外部光的反射而引起的对比度的降低。

在显示装置中，快门部例如可以具备：快门体，其可以对应于施加的电压而移动；快门梁，其与所述快门体电连接，并对应于施加的电压而弹性变形，从而可以使该快门体移动；快门梁锚固件，其与所述快门梁电连接，并支撑所述快门梁；驱动梁，其与所述快门梁对向；以及驱动梁锚固件，其与所述驱动梁电连接，并支撑所述驱动梁。所述薄膜晶体管可以例如与所述驱动梁锚固件电连接。

在所述基板的周缘部，可以使所述基板的表面与所述透光膜的所述端面所成的角度小于20度。由此，可以有效率地抑制从基板的表面搭于透光膜上的配线等的断线。

所述显示装置也可以还具有：与所述基板对向配置的对向基板；和粘着所述基板及所述对向基板的周缘部的环状的密封材料。该情况下，在所述基板的周缘部中，所述密封材料可以以不与所述透光膜的倾斜面重叠的方式配置。

所述薄膜晶体管的半导体膜可以通过氧化物半导体构成。包含氧化物半导体的薄膜晶体管容易产生因光而使阈值特性产生偏差等、由光引起的劣化。然而，如所述构成，至少在与薄膜晶体管重叠的区域形成遮光膜，从而可抑制光从基板侧向薄膜晶体管照射。因此，所述构成在薄膜晶体管由氧化物半导体膜形成的情况下适用。

以下，参照附图，详细地说明关于本发明的合适的实施方式。在以下的说明中所参照的各图中，为了方便说明，仅将本发明的实施方式的构成部件中的为了对本发明进行说明所需的主要部件简化并表示。因此，本发明可具备以下的各图未表示的任意的构成部件。另外，以下的各图中的部件的尺寸没有忠实地表示实际的尺寸以及各部件的尺寸比率等。

[实施方式一]

图1是表示本实施方式的显示装置的构成例的立体图。另外，图2是显示装置10的等效电路图。图1所示的显示装置10是透射型的mems显示器。显示装置10具有依照第一基板11、第二基板21以及背光源31的顺序层积的构成。

第一基板11具有：配置有用于显示图像的像素p的显示区域13、与供给对各像素p的光的透射进行控制的信号的源极驱动器12以及栅极驱动器14。第二基板21以覆盖背光源31的背光源面的方式设置。

背光源31为了对各像素p照射背光源光，例如具有红色(r)光源、绿色(g)光源以及蓝色(b)光源。背光源31基于输入的背光源用控制信号而使已定的光源发光。

如图2所示，在第一基板11设置有多条数据线15、和与数据线15交叉地延伸的多条栅极线16。通过数据线15和栅极线16形成像素p。在同数据线15与栅极线16的各交点对向的位置设置有像素p。在各像素p设置有快门部s以及控制快门部s的tft17。tft17连接于数据线15以及栅极线16。

各数据线15连接于源极驱动器12，各栅极线16连接于栅极驱动器14。栅极驱动器14通过对各栅极线16依序输入将栅极线16切换为选择或者非选择的状态的栅极信号，从而扫描栅极线16。源极驱动器12与栅极线16的扫描同步地，对各数据线15输入数据信号。由此，向与选择的栅极线16连接的各像素p的快门部s施加期望的信号电压。

图3是表示一个像素p的快门部s的详细的构成例的立体图。快门部s具备：快门体3、第一电极部4a、第二电极部4b以及快门梁5。

快门体3具有板状的形状。此外，图3中，为了方便图示，以快门体3具有平面形状的方式表示。实际上如后述的图5的剖面图所示，快门体3可以成为在长边方向上具有折痕的形状。与快门体3的长边方向垂直的方向即短边方向是快门体3的驱动方向(移动方向)。快门体3具有沿长边方向延伸的开口3a。开口3a形成为在快门体3的长边方向上具有长边的矩形。

如图4所示，第一电极部4a以及第二电极部4b配置于快门体3的驱动方向两侧。第一电极部4a以及第二电极部4b分别包括两根驱动梁6、和驱动梁锚固件7。两根驱动梁6与快门梁5对向配置。驱动梁锚固件7电连接于两根驱动梁6。另外，驱动梁锚固件7支撑两根驱动梁6。对第一电极部4a以及第二电极部4b如后述，给予已定的电压。

快门体3与快门梁5的一端连接。快门梁5的另一端与固定于第一基板11的快门梁锚固件8连接。快门梁5分别与快门体3的驱动方向上的两端部连接。快门梁5从与快门体3连接的连接位置向外侧延伸，进一步沿着快门体3的驱动方向的端部延伸并与快门梁锚固件8连接。快门梁5具有可挠性。通过相对于第一基板11而固定的快门梁锚固件8、和连接快门梁锚固件8以及快门体3之间的具有可挠性的快门梁5，而使快门体3以相对于第一基板11可动的状态被支撑。另外，快门体3经由快门梁锚固件8以及快门梁5而与设置于第一基板11的配线电连接。

如图3所示，第一基板11具有透光区域a。透光区域a例如具有与快门体3的开口3a对应的矩形形状。透光区域a例如相对于一个快门体3而设置有两个。两个透光区域a以沿快门体3的短边方向排列的方式配置。在快门体3与第一电极部4a之间、以及快门体3与第二电极部4b之间没有电力运作的情况下，快门体3的开口3a成为不与透光区域a重叠的状态。

在本实施方式中，控制快门部s的驱动电路伴随着时间经过而对第一电极部4a和第二电极部4b供给极性不同的电位。此情况下，驱动电路可以进行控制，以使第一电极部4a的电位的极性与第二电极部4b的电位的极性总是不同。另外，控制快门部s的驱动电路相对于快门体3供给正的极性或者负的极性的固定电位。

当将对快门体3供给h(high)电平的电位的情况作为例子进行说明时，在第一电极部4a的驱动梁6的电位为h电平，第二电极部4b的驱动梁6的电位为l(low)电平时，通过静电力，快门体3向l电平的第二电极部4b侧移动。其结果，如图4以及图5所示，快门体3的开口3a与透光区域a重叠，从而成为背光源31的光透过于第一基板11侧的打开状态。

在第一电极部4a的电位为l电平且第二电极部4b的电位为h电平时，快门体3向第一电极部4a侧移动。而且，如图6以及图7所示，快门体3的开口3a以外的部分与第一基板11的透光区域a重叠。该情况下，成为背光源31的光未透过于第一基板11侧的关闭状态。因此，在本实施方式的快门部s中，通过对快门体3、第一电极部4a以及第二电极部4b的电位进行控制，从而可以使快门体3移动，进而可以进行透光区域a的打开状态与关闭状态的切换。此外，在对快门体3供给l电平的电位的情况下，快门体3进行与所述相反的运作。

(第一基板的构成例)

图8是表示第一基板11的构成例的剖面图。

第一基板11具有：在透光性基板100上形成有遮光层200、tft300以及快门部s的构成。此外，虽然在图8中表示一个tft，但实际上，单一的像素p也可以包含多个tft。遮光层200包含遮光膜201、第一透明绝缘膜cap1、第二透明绝缘膜cap2以及透光膜204。在遮光层200上层积有第三透明绝缘膜cap3以及第四透明绝缘膜cap4。tft300包括栅极电极301、半导体膜302、蚀刻阻挡层303、源极电极304以及漏极电极305。

透光性基板100例如可以由玻璃或者树脂形成。从耐热性的观点考虑优选为使用玻璃。

遮光层200设置在透光性基板100上。即，在快门部s以及透光性基板100之间的层配置有遮光层200。另外，遮光层200配置于配置有tft300的层与透光性基板100之间的层。在遮光层200中，遮光膜201的部分成为遮光区域。在该例子中，遮光膜201与透光性基板100接触。

图9是表示从与透光性基板100垂直的方向观看时的情况下的遮光膜201的配置例的图。图9所示的例子中，遮光膜201以覆盖显示区域13中的透光区域a以外的方式形成。由此，可以抑制从显示视认侧进入至显示装置10的外部光进入较遮光膜201接近第二基板21侧。

遮光膜201可以由难以反射光的材料形成。由此，可以抑制从显示视认侧进入至显示装置10的外部光在遮光膜201反射而返回显示视认侧。另外，遮光膜201可以由高电阻的材料形成。由此，可以抑制在遮光膜201与构成tft300等的导电膜之间形成寄生电容。另外，遮光膜201在tft制造制程之前形成，因此作为遮光膜201的材料，优选选择在后置工序的tft制造制程处理中不会影响tft特性并且可承受tft制造制程处理的材料。作为满足如此的条件的遮光膜201的材料，例如，可举出：被着色成暗色的高熔点树脂膜(聚酰亚胺等)、或sog(spinonglass)膜等。另外，遮光膜201例如可以通过含有炭黑而被着色成暗色。

透光膜204是在透光性基板100与快门部s之间，以覆盖遮光膜201的方式设置的绝缘膜。另外，透光膜204与遮光膜201相同地，设置于透光性基板100与配置有tft300的层之间的层。从与透光性基板100垂直的方向观看时，透光膜204被填充于未设置有遮光膜201的区域，由此将由遮光膜201产生的阶梯差消除。再者，透光膜204覆盖包含遮光膜201的显示区域13的整体，从而使覆盖遮光膜201的膜的表面平坦化。遮光膜201的膜厚例如可以设为0.5μm～1.5μm。透光膜204的膜厚例如可以设为1μm～3μm左右。另外，可以使透光膜204的膜厚成为比遮光膜201的膜厚厚0.5μm以上。

透光膜204例如可以通过涂布型材料形成。涂布型材料是可以以液体的状态涂布形成的材料。涂布型材料在包含于涂布液的状态下，在应该形成膜的面涂开，利用热处理等变硬从而成膜。例如，将在溶剂中溶解了涂布型材料的溶液滴下至应该形成的面，并使该面旋转，从而可以将涂布型材料涂布于面。该情况下，涂布涂布型材料，以使面的凹凸缓和。如果利用热处理等使涂布的溶液的溶剂蒸发，则会形成表面平坦的膜。

作为用于透光膜204的涂布型材料，例如，可以使用透明的高熔点树脂膜(聚酰亚胺等)、或sog膜。sog膜例如可以成为由将硅化合物溶解于有机溶剂的溶液形成的以二氧化硅作为主成分的膜。作为sog膜的材料，例如，可以使用以硅烷醇：si(oh)4为主成分的无机sog、以包含烷基的硅烷醇：rxsi(oh)4-x(r：烷基)为主成分的有机sog、或者使用了硅、金属的醇化物的溶胶凝胶材料。作为无机sog的例子，可举出氢倍半硅氧烷(hsq)系的材料。作为有机sog的例子，可举出甲基倍半硅氧烷(msq)系的材料。作为溶胶凝胶材料的例子，可举出包括teos(氮氧化硅膜)的材料。通过涂布如此的材料并进行烧制，从而可以形成sog膜。sog膜的材料并不限制于所述例子。作为基于涂布的成膜的方法，例如，可举出旋涂法、狭缝涂层法等。此外，透光膜204也可以具有感光性。

通过利用涂布型材料形成透光膜204，从而可以容易使由遮光膜201的图案而产生的凹凸变平坦。因此，例如，在tft300的制造工序的图案化时，可以消除抗蚀剂等液体残留，从而可以获得优异的图案化精度。如此一来，透光膜204可以成为平坦膜。

另外，通过利用涂布型材料形成透光膜204，从而容易确保透光膜204的厚度(形成有遮光膜201的部分的厚度)。例如，可以使透光膜204的厚度变厚至0.5μm～3μm左右。例如，在遮光膜201使用电阻低的材料的情况下，可以通过透光膜204来充分地确保遮光膜201与构成tft300的导电膜的间隔。由此，可以抑制在遮光膜201与tft300的电极或者配线之间产生的寄生电容。

这样，在本实施方式中，在透光性基板100与快门部s之间，设置覆盖遮光膜201的透光膜204。在透光膜204上形成用于控制快门部s的tft300以及配线。通过形成透光膜204，从而可以抑制因由遮光膜201产生的阶梯差、或寄生电容等而使tft300的特性变差的情况。

在图8所示的例子中，在遮光膜201的上表面设置有第一透明绝缘膜cap1。以覆盖遮光膜201以及第一透明绝缘膜cap1的方式设置第二透明绝缘膜cap2。在第二透明绝缘膜cap2上设置有透光膜204。即，在遮光膜201与透光膜204之间设置有第一透明绝缘膜cap1以及第二透明绝缘膜cap2。制造工序中，可以在由第一透明绝缘膜cap1覆盖遮光膜201的状态下进行高温退火(以下，将400℃以上的退火称为高温退火。)。此时，第一透明绝缘膜cpa1会抑制遮光膜201的暗色材料通过高温退火而透明化。另外，第一透明绝缘膜cap1可以提高对遮光膜201进行图案化时的遮光膜201与抗蚀剂材料的润湿性以及密合性。并且，以覆盖遮光膜201的上表面以及侧面的方式设置第二透明绝缘膜cap2。该第二透明绝缘膜cap2与透光膜204的密合性提高。

在显示区域13中，以覆盖透光膜204的方式设置第三透明绝缘膜cap3。通过第三透明绝缘膜cap3，可以提高对透光膜204进行图案化时的透光膜204与抗蚀剂材料的润湿性以及密合性。在第三透明绝缘膜cap3上设置有第四透明绝缘膜cap4。第四透明绝缘膜cap4如后述，覆盖第三透明绝缘膜cap3的上表面以及透光膜204的端面。

在第四透明绝缘膜cap4上形成有栅极电极301以及配线111。栅极电极301以及配线111由第一导电膜m1形成。第一导电膜m1形成于在与透光性基板100垂直的方向上与遮光膜201重叠的区域。以覆盖栅极电极301以及配线111的方式形成栅极绝缘膜101。通过设置第四透明绝缘膜cap4，可以提高透光膜204与第一导电膜m1或者栅极绝缘膜101的固定性。

第一～第四透明绝缘膜cap1～cap4的材料并不特别限制，但例如可以为无机绝缘膜。另外，第一～第四透明绝缘膜cap1～cap4可以使用可通过cvd而成膜的材料。

第三透明绝缘膜cap3的厚度与第四透明绝缘膜的厚度之和例如可以小于200nm。由此，可以使透光膜204与第三透明绝缘膜cap3的密合性良好。作为一个例子，可以使第三透明绝缘膜cap3的厚度为100nm左右，第四透明绝缘膜cap4为50nm左右。此外，第三透明绝缘膜cap3以及第四透明绝缘膜的厚度并不限制于特定的值。

在隔着栅极绝缘膜101而与栅极电极301对向的位置形成有半导体膜302。半导体膜302可以由氧化物半导体形成。氧化物半导体具有高迁移率、并且具备漏电电流低等的特征。半导体膜302例如也可以包括in、ga以及zn中的至少1种金属元素。作为氧化物半导体的一个例子，半导体膜302例如包括in-ga-zn-o系的半导体。此处，in-ga-zn-o系的半导体是in(铟)、ga(镓)、zn(锌)的三元氧化物，in、ga以及zn的比率(组成比)并不特别限制，例如包括in：ga：zn＝2：2：1、in：ga：zn＝1：1：1、in：ga：zn＝1：1：2等。半导体膜302可由包含如此的in-ga-zn-o系的半导体的氧化物半导体膜而形成。此外，有时将具有包括in-ga-zn-o系的半导体的活性层的沟道蚀刻型的tft称为「ce-ingazno-tft」。in-ga-zn-o系的半导体也可以是非晶体，也可以是晶体。作为晶体in-ga-zn-o系的半导体，优选c轴与层面大致垂直地配向的晶体in-ga-zn-o系的半导体。

另外，半导体层302也可以包含其他的氧化物半导体，以取代in-ga-zn-o系的半导体。具体而言，半导体层302例如也可以包括zn-o系的半导体(zno)、in-zn-o系的半导体(izo(注册商标))、zn-ti(钛)-o系的半导体(zto)、cd(镉)-ge(锗)-o系的半导体、cd-pb(铅)-o系的半导体、cdo(氧化镉)-mg(镁)-zn-o系的半导体、in-sn(锡)-zn-o系的半导体(例如，in2o3-sno2-zno)、in-ga(镓)-sn-o系的半导体等。

以覆盖半导体膜302的方式设置蚀刻阻挡层303。在蚀刻阻挡层303的与半导体膜302重叠的区域的一部分设置有两个接触孔ch2。在半导体膜302上的与接触孔ch2对应的位置设置有源极电极304以及漏极电极305。源极电极304以及漏极电极305分别经由两个接触孔ch2而与半导体膜302连接。即，在半导体膜302上，以在与层积方向垂直的方向上相互对向的方式配置源极电极304以及漏极电极305。

源极电极304和漏极电极305由第二导电膜m2形成。另外，第二导电膜m2除了构成tft300的源极电极304和漏极电极305之外，还构成配线112等。

源极电极304与漏极电极305被钝化膜102覆盖。钝化膜102进一步被平坦膜103以及钝化膜104覆盖。

在钝化膜102、平坦膜103以及钝化膜104形成有到达漏极电极305的接触孔ch3。在钝化膜104上形成有配线113。配线113的一部分113a以覆盖接触孔ch3的表面的方式设置，并与漏极电极305电连接。配线113由第三导电膜m3形成。配线113与快门部s的第一电极部4a、第二电极部4b、快门体3等连接。此外，配线113的一部分113a也可以与设置于钝化膜104的表面的透明导电膜114电连接。配线113被钝化膜105覆盖。

在钝化膜105上设置有快门部s。快门部s的构成如所述。此外，快门体3具有透光性基板100侧的快门本体3b与金属膜3c层积的构成。

(透光膜的端部附近的构成例)

图10a是表示透光膜204的端部附近的构成例的剖面图。在图10a所示的例子中，第一基板11与第二基板21在显示区域13的周缘部通过密封材料sl而粘着。两基板11、21之间构成的空间被密封材料sl密封。透光膜204的端面204b位于显示区域13的外侧。在透光性基板100的周缘部存在有透光膜204的周缘的端面204b。透光膜204的周缘，是从与透光性基板100垂直的方向观看时的情况下的对透光膜204的外周进行划分的部分。密封材料sl配置于比透光膜204接近外周侧，以使不与透光膜204的端面204b接触。即，透光膜204的端面204b位于比密封材料sl接近内侧(显示区域13侧)。密封材料sl设置于从与透光性基板100垂直的方向观看时不与遮光层200重叠的位置。当从与透光性基板100垂直的方向观看时，密封材料sl配置为包围遮光层200的环状。

透光膜204的端面204b不与透光性基板100的表面平行。在图10a所示的例子中，透光膜204的端面204b成为相对于透光性基板100的表面具有角度的斜面。

以覆盖透光膜204的端面204b的方式设置第四透明绝缘膜cap4。第四透明绝缘膜cap4与透光膜204的端面204b接触。另外，第四透明绝缘膜cap4以覆盖透光膜204的端面204b以及上表面204a的方式从透光膜204的端面204b上朝上表面204a上延伸而形成。第四透明绝缘膜cap4设置于比密封材料sl靠内侧。此外，第四透明绝缘膜cap4是覆盖透光膜的端面的保护膜的一个例子。第四透明绝缘膜cap4也可以形成为向密封材料sl的外侧延伸。例如，在图10b所示的例子中，密封材料sl也设置于从与透光性基板100垂直的方向观看时与第四透明绝缘膜cap4重叠的位置。即，第四透明绝缘膜cap4形成为从密封材料sl的内侧向外侧延伸。

在覆盖位于第一基板11的周缘部的透光膜204的端面204b的第四透明绝缘膜cap4的一部分上形成有第一导电膜m1。即，在第一基板11(有源矩阵基板)中，在显示区域13的外侧的周缘部，在覆盖透光膜204的端面204b的第四透明绝缘膜cap4上的层引出配线。形成该配线的第一导电膜m1是与形成于显示区域13的tft300连接的配线的一部分。例如，tft300的栅极电极301或者其他的配线111与透光膜204的端面204b上的第一导电膜m1连接。具体而言，与多条数据线15或者栅极线16(图2)连接的引出配线在透光膜204的端面204b上通过而朝显示区域13外被引出。如此一来，与显示区域13中的tft300连接的配线中的至少一部分通过跨越遮光层200的端面引出配线，朝显示区域13以及密封材料sl的外侧被引出。在引出配线与遮光层200的端面(图10a的例子中，透光膜204的端面204b)之间设置有第四透明导电膜cap4。此外，在遮光层200的端面上穿过的引出配线并不限制于第一导电膜m1，也可以使第二导电膜m2或者第三导电膜m3的配线在遮光层200的端面上穿过。

透光膜204在显示区域13的外周缘部中，随着远离显示区域13而膜厚逐渐变薄。显示区域13的外周缘部的透光膜204的表面即端面204b相对于透光性基板100而构成斜面。透光膜204的端面204b以随着远离配置有像素的显示区域13而距离透光性基板100的高度变小的方式，相对于透光性基板100的表面倾斜。

透光膜204的端面204b与透光性基板100所成的角θ的大小优选小于20度。例如，角θ的大小可以成为3～10度。

透光膜204的厚度例如为1μm以上，因此在透光膜204的图案的外周缘部，由于透光膜204而形成的阶梯差变大。此处，在透光膜204的外周缘部，将透光膜204的端面204b形成为相对于透光性基板100的斜面，从而可以使该斜面与透光性基板100所成的角θ小于20度。由此，从透光性基板100的表面搭载于透光膜204上的配线等(图10中，由第一导电膜m1构成的配线)难以断线。此外，除了由第一导电膜m1构成的配线之外，在将后述的由第二导电膜m2、第三导电膜m3构成的配线引出的情况下，也同样可以抑制断线。

另外，透光膜204的端面204b被第四透明绝缘膜cap4覆盖而受到保护。由此，在制造工序中，可以抑制透光膜204产生裂缝。

特别是如透光膜204的材料使用有机和无机混合(例如，sog等)般涂布型材料的情况下，由于高温而更容易产生裂缝。发明者们发现：例如当使透光膜204的膜厚变厚、或使退火温度变高时，在退火时，在透光膜204的端部附近容易产生裂缝。由于该裂缝，使越过透光膜204的端部的阶梯差的导电体膜即金属配线断线的风险变高。因此，通过利用第四透明绝缘膜cap4来覆盖透光膜204的端面204b，从而可以抑制裂缝产生。

(制造方法)

图11～图18是表示第一基板11的制造工序的一个例子的图。图19是表示图11～图18所示的制造工序的流程的概要的图。首先，如图11所示，准备透光性基板100。在透光性基板100上，使用旋涂法而将用以形成遮光膜201的sog膜成膜(图19的s1)。除了旋涂法之外，也可以使用狭缝涂层法使sog膜成膜。在200℃～350℃的环境中对sog膜进行一个小时左右烧制(图19的s2)。

接着，以覆盖遮光膜201的方式在透光性基板100上使用pecvd法而将用于形成第一透明绝缘膜cap1的sio2膜成膜(图19的s3)。成膜时的温度例如可以设为200℃～350℃。sio2膜的厚度例如可以设为50nm～200nm。

相对于sog膜以及sio2膜在氮气环境下进行高温退火处理(图19的s4)。进行退火处理的温度例如可以设为400℃～500℃。退火时间例如为一个小时～两个小时左右。此外，除了在氮气环境下进行退火之外，例如也可以在大气中(cda)进行退火。通过预先对用以形成遮光膜201的sog膜进行退火处理，从而在后面的tft制造的进行高温退火的工序中，可抑制在遮光膜201产生裂缝。sog膜被sio2膜覆盖，因此可以防止炭黑等暗色材料由于退火被氧化而透明化。

其后，通过光刻，对sog膜以及sio2膜进行图案化(图19的s5)。由此，如图11所示，形成遮光膜201、和遮光膜201的上表面的第一透明绝缘膜cap1。具体而言，使用cf4气体以及o2气体进行干式蚀刻，从而可以形成遮光膜201以及第一透明绝缘膜cap1。

接下来，以覆盖第一透明绝缘膜cap1以及遮光膜201的方式在透光性基板100上使用pecvd法使sio2膜成膜，从而形成第二透明绝缘膜cap2(图19的s6)。成膜时的温度例如可以设为200℃～350℃。sio2膜的厚度例如可以设为50nm～200nm。

接下来，使用旋涂法，将用于形成透光膜204的sog膜在第二透明绝缘膜cap2上成膜(图19的s7)。此外，除了旋涂法之外，也可以使用狭缝涂层法使sog膜成膜。sog膜的膜厚例如可以设为0.5μm～3μm左右。而且，在200℃～350℃的环境中进行约一个小时左右烧制(图19的s8)。

接下来，以覆盖sog膜的方式使用pecvd法而将用以形成第三透明绝缘膜cap3的sio2膜成膜(图19的s9)。成膜时的温度例如可以设为200℃～350℃。sio2膜的厚度例如可以设为50nm～200nm。

其后，通过光刻，对sog膜以及sio2膜进行图案化(图19的s10)。由此，如图11所示，形成透光膜204和透光膜204的上表面的第三透明绝缘膜cap3。通过该图案化，将sog膜的周缘部去除，在第一基板11的周缘部形成透光膜204的端面。具体而言，使用cf4气体以及o2气体进行干式蚀刻，从而可以形成第三透明绝缘膜cap3。

在形成该透光膜204的sog膜的图案化中，将显示区域13的周缘部的透光膜去除。此时，通过实施使用了灰色调掩模的图案化、或未使用掩模的图案化，从而可以在透光膜204的端部形成图10a、图10b以及图11所示的锥形形状。如此一来，使透光膜204的端面204b形成为相对于透光性基板100而具有角度的斜面。此外，透光膜204例如也可以由具有感光性的材料形成。通过由具有感光性的材料形成透光膜204，从而可以减少制造工序。

接下来，参照图12，以覆盖透光膜204以及第三透明绝缘膜cap3的方式使sio2膜成膜(图19的s11)。sio2膜以残留于从与透光性基板100垂直的方向观看时与透光膜204重叠的区域的方式被图案化。由此，形成与透光膜204的端面204b以及第三透明绝缘膜cap3的上表面接触的第四透明绝缘膜cap4。

在形成了第四透明绝缘膜cap4的状态下，在氮气环境下进行高温退火处理(图19的s12)。进行退火处理的温度例如为400℃～500℃。退火时间例如为一个小时～两个小时左右。此外，除了在氮气环境下进行退火之外，例如也可以在大气中(cda)进行退火。通过预先进行退火处理，从而在后面的tft制造的进行高温退火的工序中，抑制在透光膜204产生裂缝。

针对至此为止说明的退火处理的温度，相比第四透明绝缘膜cap4的形成前的退火(图19的s8)的温度，可以使形成后的退火(图19的s12)的温度变高。由此，可以难以在透光膜204产生裂缝。另外，所述的第四透明绝缘膜cap4的形成后的退火的温度可以与后面的制造tft300的工序的处理温度(cvd的成膜温度、退火温度)相等或者比它高。通过预先以tft形成工序的温度以上的温度进行退火，从而可以抑制高温退火时的裂缝产生。另外，在所述的第四透明绝缘膜cap4的形成后，透光膜204的端面204b被第四透明绝缘膜cap4覆盖。因此，即使在高温下进行退火，也难以产生裂缝。

tft工序中最高温度至少为400℃以上。该情况下，通过使第四透明绝缘膜cap4的形成后的退火(图19的s12)的温度成为400℃以上，可以抑制tft工序中透光膜204产生裂缝。

接下来，参照图13，在第四透明绝缘膜cap4上通过溅射法将用于形成第一导电膜m1的金属膜成膜。金属膜可以成为例如包含铝(al)、钨(w)、钼(mo)、钽(ta)、铬(cr)、钛(ti)、铜(cu)或者它们中的至少两个的合金中的任意一个的单层膜或者层积膜。对金属膜进行图案化而形成第一导电膜m1。对于第一导电膜而言，第一导电膜m1的厚度例如可以设为50nm～500nm左右。

如图13所示，第一导电膜m1构成跨越栅极电极301、配线111以及透光膜204的端面204b而朝显示区域外被引出的配线等。

如图14所示，以覆盖第一导电膜m1以及第四透明绝缘膜cap4的方式形成栅极绝缘膜101。栅极绝缘膜101例如可以通过使用pecvd法而使sinx膜成膜来形成。另外，栅极绝缘膜101也可以是包括氧的硅系无机膜(sio2膜等)、sio2膜以及sinx膜的层积膜。栅极绝缘膜101的厚度例如可以设为100nm～500nm。

使用溅射法在栅极绝缘膜101上将用于形成半导体膜302的氧化物半导体膜成膜。对氧化物半导体膜进行图案化而在与tft300对应的区域即与栅极电极301对向的区域形成半导体膜302。

相对于半导体膜302，在氮气环境下进行高温退火处理(图19的s13)。由此，可以使氧化物半导体的晶体管特性稳定。进行退火处理的温度例如为400℃～500℃。退火时间例如为一个小时～两个小时左右。此外，除了在氮气环境下进行退火之外，例如也可以在大气中(cda)进行退火。

如图15所示，以覆盖栅极绝缘膜101以及半导体膜302的方式使用pecvd法而使sio2膜成膜，从而形成蚀刻阻挡层303。蚀刻阻挡层303的厚度例如为100nm～500nm。在蚀刻阻挡层303形成有两个接触孔ch2。如图15所示，通过这些接触孔ch2，源极电极304以及漏极电极305到达半导体膜302。

源极电极304以及漏极电极305通过设置在蚀刻阻挡层303上的第二导电膜m2而形成。第二导电膜m2例如可以成为由铝(al)、钨(w)、钼(mo)、钽(ta)、铬(cr)、钛(ti)、铜(cu)或者它们至少两个的合金中的任意一个构成的单层膜或者层积膜。第二导电膜m2通过利用光刻对由溅射法而成膜的金属膜进行图案化而形成。通过第二导电膜m2，例如可以形成源极电极304、漏极电极305、配线112、信号线(未图示)等。第二导电膜m2的厚度例如可以设为50nm～500nm。

以覆盖第二导电膜m2以及蚀刻阻挡层303的方式使用pecvd法而使sio2膜成膜，从而形成钝化膜102。钝化膜102的厚度例如可以设为100nm～500nm。

如图16所示，以覆盖钝化膜102的方式使用旋转法使感光性树脂膜成膜，从而形成平坦膜103。平坦膜103的厚度例如可以设为0.5μm～3μm。

以覆盖平坦膜103的方式使用pecvd法而使sinx膜成膜，从而形成钝化膜104。钝化膜104的厚度例如为100nm～500nm。对钝化膜104、平坦膜103以及钝化膜102进行蚀刻，从而形成从钝化膜104的表面到达漏极电极305的接触孔ch3。

例如，使用溅射法在钝化膜104的表面且接触孔ch3的附近形成透明导电膜114。

另外，在钝化膜104上形成有用于配线113a、113的第三导电膜m3。第三导电膜m3例如可以通过包含铝(al)、钨(w)、钼(mo)、钽(ta)、铬(cr)、钛(ti)、铜(cu)或者它们中的至少两个的合金中的任意一个的单层膜或者层积膜而形成。第三导电膜m3通过溅射法而形成金属膜并通过光刻进行图案化从而形成。第三导电膜m3形成未与透光区域a重叠的区域的配线113、113a。

如图16所示，以覆盖配线113以及透明导电膜114等的方式在钝化膜104上使用pecvd法而使sinx膜成膜，从而形成钝化膜105。钝化膜105的厚度例如为100nm～500nm。而且，对钝化膜105进行蚀刻，形成从钝化膜105的表面到达透明导电膜114的接触孔ch4。

接下来，如图17所示，例如使用旋涂法而至少在包括透光区域a的区域涂布抗蚀剂r。

接下来，使用pecvd法，以覆盖抗蚀剂r的方式使非晶硅(a-si)层成膜。此时，以覆盖抗蚀剂r的表面和侧面双方的方式进行成膜。进行成膜的a-si层的厚度例如为200nm～500nm。而且，通过使用光刻对a-si层进行图案化，从而形成第一电极部4a、第二电极部4b、快门梁5(图17中未图示)以及快门本体3b。此外，第一电极部4a以及第二电极部4b由形成于抗蚀剂r的侧面的部分构成。

接着，在快门本体3b的上层设置金属膜3c。由此，形成快门体3。金属膜3c例如可以通过包含铝(al)、钨(w)、钼(mo)、钽(ta)、铬(cr)、钛(ti)、铜(cu)或者它们中的至少两个的合金中的任意一个的金属膜而形成。金属膜3c通过溅射法而成膜。

如图18所示，使用旋转法，使抗蚀剂r剥离。由此，快门体3以从钝化膜105隔开间隔而浮起的状态配置。此外，快门体3经由快门梁5(未图示)而被快门梁锚固件8(未图示)支撑。

通过以上的工序，制成第一基板11。在图19所示的例子中，涂布遮光膜201用的sog膜(s1)，例如以低于400℃的温度进行退火(s2)。其后，将用于形成第一透明绝缘膜cap1的sio2膜成膜(s3)。在由sio2膜覆盖sog膜的状态下，例如以400℃以上的温度进行高温退火(s4)。其后，对sog膜以及sio2膜双层进行图案化(s5)，并在其上将用于形成第二透明绝缘膜cap2的sio2膜成膜(s6)。

另外，涂布透光膜204用的sog膜(s7)，以低于400℃的温度进行退火(s8)。该s8的退火是第四透明绝缘膜cap4(保护膜)形成前进行的第一退火工序的一个例子。在sog膜上将用于形成第三透明绝缘膜cap3的sio2膜成膜(s9)后，对sog膜以及sio2膜进行图案化(s10)。由此，形成透光膜204。

以覆盖透光膜204的端面204b的方式形成第四透明绝缘膜cap4(s11)，进行退火(s12)。s12的退火以400℃以上的温度进行。该s12的退火是在第四透明绝缘膜cap4(保护膜)形成后进行的第二退火工序的一个例子。其后，在tft300的形成工序中，在由氧化物半导体形成的半导体膜的成膜后，再次以400℃以上的温度进行退火(s13)。该s13的退火是在tft300的形成中进行的第三退火工序的一个例子。这样，在400℃以上的高温退火前，由第四透明绝缘膜cap4覆盖透光膜204的端面204b，从而可以有效地抑制端面204b附近的裂缝的产生。由此，难以产生搭载于透光膜204的端部的导电体膜的断线。其结果，线缺陷的产生减少。进而，成品率上升，生产成本减少。

[实施方式二]

图20是表示实施方式二的显示装置的透光膜204的端部附近的构成例的图。图20所示的例子中，在遮光膜201的上表面没有第一透明绝缘膜cap1。另外，在透光膜204的上表面204a没有第三透明绝缘膜cap3。即，在遮光膜201与第二透明绝缘膜cap2之间未设置有第一透明绝缘膜cap1。另外，在第四透明绝缘膜cap4与透光膜204之间未设置有第三透明绝缘膜cap3。由此，第四透明绝缘膜cap4以与透光膜204的端面204b以及上表面204a接触的方式设置。第四透明绝缘膜cap4形成为从透光膜204的端面204b朝上表面204a延伸。

在图20所示的例子中，第四透明绝缘膜cap4与透光膜204的端面204b以及上表面204a接触，从而保护它们。因此，通过第四透明绝缘膜cap4，可以保护透光膜204的端面204b以及上表面204a双方。

图21是表示图20所示的构成的显示装置的制造工序的流程的概要的图。在图20中，对与图19相同的工序标注相同的编号。图21所示的流程成为在图19所示的流程中没有第一透明绝缘膜cap1的成膜(s3)以及其后的高温退火(s4)、以及第三透明绝缘膜cap3的成膜(s9)工序的流程。如此一来，在本实施方式中，在遮光膜201与第二透明绝缘膜cap2之间以及第四透明绝缘膜cap4与透光膜204之间未插入其他的膜，因此不需要与其对应的成膜工序。其结果，制造工序变简单，容易减少成本。

[实施方式三]

图22是表示实施方式三的显示装置的透光膜204的端部附近的构成例的图。图22所示的构成成为在图20所示的构成中没有第二透明绝缘膜cap2的构成。即，在透光膜204与遮光膜201之间未设置有第二透明绝缘膜cap2。因此，透光膜204以与遮光膜201的上表面201a以及透光性基板100接触的方式设置。

图23是表示图22所示的构成的显示装置的制造工序的流程的概要的图。图23中，对与图19相同的工序标注相同的编号。图23所示的流程成为图19所示的流程中省略了第一透明绝缘膜cap1的成膜(s3)以及其后的高温退火(s4)、第二透明绝缘膜cap2的成膜(s6)、以及第三透明绝缘膜cap3的成膜(s9)的工序的流程。如此一来，在本实施方式中，没有在遮光膜201与透光膜204之间以及透光膜204与第四透明绝缘膜cap4之间插入其他的膜，因此不需要与其对应的成膜工序。其结果，制造工序变简单。

[实施方式四]

图24是表示实施方式四的显示装置的透光膜204的端部附近的构成例的图。所述的图20所示的例子中，成为未设置第一透明绝缘膜cap1以及第三透明绝缘膜cap3的构成，但也可以成为未设置它们中的至少一方的构成。图24所示的构成成为没有图10a所示的构成的第一透明绝缘膜cap1的构成。即，在遮光膜201与第二透明绝缘膜cap2之间未设置有第一透明绝缘膜cap1。因此，第二透明绝缘膜cap2以与遮光膜201的上表面201a接触的方式设置。第二透明绝缘膜cap2覆盖基板100的表面、遮光膜201的端面以及上表面201a。

在图24所示的构成的情况下，制造工序的流程成为图19所示的流程中没有第一透明绝缘膜cap1的成膜(s3)以及其后的高温退火(s4)的工序的流程(省略图示)。在本实施方式中，在遮光膜201与第二透明绝缘膜cap2之间未插入其他的膜，因此不需要与其对应的成膜工序。其结果，制造工序变简单。

(变形例)

以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限制于所述实施方式。例如，所述实施方式中，遮光膜201以覆盖显示区域13中的透光区域a以外的方式形成。例如，遮光膜201可以配置为从与基板100垂直的方向观看时至少与tft300重叠。由此，可以抑制tft300因从显示装置10的视认侧进入的外部光而被曝光。另外，除了tft300之外，也可以以与数据线15以及栅极线16均重叠的方式配置遮光膜201。

在所述实施方式中，设置有覆盖遮光膜201的透光膜204。与此相对，透光膜204也可以设置于与遮光膜201相同的层。例如，也可以仅在从与透明基板100垂直的方向观看时未设置有遮光膜201的区域设置透光膜204。另外，在所述实施方式中，透光膜204的端面成为遮光层200的端面，但也可以构成为使遮光膜201的端面成为遮光层的端面。

在本实施方式中，第一透明绝缘膜cap1、第二透明绝缘膜cap2、第三透明绝缘膜cap3以及第四透明绝缘膜cap4分别可以为包含氧的硅系无机膜(sio2膜)，可以为包含氮的氮化硅膜(sinx膜)，也可以为包含氮以及氧的硅系无机膜(sion膜)或者它们的层积膜。另外，针对第一透明绝缘膜cap1、第二透明绝缘膜cap2、第三透明绝缘膜cap3以及第四透明绝缘膜cap4的各自的形成方法，对使用pecvd法进行了说明，但也可以使用溅射法来形成。

在所述实施方式中，对tft300的半导体膜302由包含铟(in)、镓(ga)、锌(zn)以及氧(o)的化合物(in-ga-zn-o)形成进行了说明，但本发明并不限制于此。tft300的半导体层也可以由包含铟(in)、锡(tin)、锌(zn)以及氧(o)的化合物(in-tin-zn-o)、或者包含铟(in)、铝(al)、锌(zn)以及氧(o)的化合物(in-al-zn-o)等来形成。

在所述实施方式中，作为tft的半导体膜的一个例子，使用氧化物半导体。具备由氧化物半导体构成的tft的有源矩阵基板例如可以应用于需要高清晰的液晶显示器、因电流驱动而tft的负荷大的有机el显示器、以及需要以高速使快门进行运作的mems显示器等。

在有机电致发光显示器(以下，称为有机el显示器)也可以应用基于本发明的显示装置的构成以及制造方法。特别是，在底部发射型的有机el显示器中，为了防止从显示视认侧侵入显示装置内的外部光被栅极电极等导电膜反射，而在导电膜的显示视认侧形成遮光层较有效。可以利用所述的实施方式所说明的方法来形成该遮光层。例如，可以将遮光膜配置以使从与基板垂直的方向观看时同与各像素对应的tft重叠。并且，除了tft之外，也可以以还与连接于tft的栅极线以及栅极电极重叠的方式配置遮光膜。

也可以在液晶显示器中应用基于本发明的显示装置的构成以及制造方法。例如，在穿过液晶显示器可以看见处于液晶显示器的背侧的物体的透视型的液晶显示器也可以应用基于本发明的显示装置的构成以及制造方法。因为在透视型的液晶显示器中，为了防止从显示视认侧侵入显示装置内的外部光在栅极电极等导电膜反射而在导电膜的显示视认侧形成遮光层较有效。因此，可以通过所述的实施方式所说明的方法来形成该遮光层。例如，可以将遮光膜配置为从与基板垂直的方向观看时同与各像素对应的tft重叠。并且，除了tft之外，也可以以还与连接于tft的栅极线以及栅极电极重叠的方式配置遮光膜。另外，在透视型以外的液晶显示器也可以应用基于本发明的显示装置的制造方法。

以上，所述的实施方式仅只是用于实施本发明的例示。因此，本发明不限制于所述的实施方式，在不脱离其主旨的范围内可以将所述的实施方式适当地变形而实施。

工业上的利用可能性

本发明可以用于例如显示装置。

符号说明

a透光区域

p像素

s快门(快门部)

100透光性基板

200遮光层

201遮光膜

204透光膜

300薄膜晶体管

303半导体膜

cap1第一透明绝缘膜

cap2第二透明绝缘膜

cap3第三透明绝缘膜

cap4第四透明绝缘膜(保护膜的一个例子)