显示面板及其检测方法、显示装置与流程

本公开的实施例涉及一种显示面板及其检测方法、显示装置。

背景技术：

在显示领域，与液晶显示面板(liquidcrystaldisplay,lcd)相比，有机发光二极管(organiclightemittingdiode，oled)显示面板具有自发光、对比度高、能耗低、视角广、响应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、制造简单等特点，由此，oled显示面板具有广阔的发展前景，且oled显示面板逐渐取代液晶显示面板成为新一代的显示方式。

技术实现要素：

本公开至少一实施例提供一种显示面板，包括子像素和检测电路，

所述子像素包括像素电路和发光元件，所述像素电路连接到所述发光元件且被配置为驱动所述发光元件发光，

所述检测电路包括检测信号端和控制电压端，所述发光元件的第一极连接至所述检测信号端，所述发光元件的第二极连接至所述控制电压端；

所述检测电路被配置为通过所述控制电压端输出可变电压至所述发光元件的第二极，以及在所述发光元件的第二极接收所述可变电压时检测所述发光元件的第一极处的电学参数。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述检测电路包括第一子电路和第二子电路，

所述第一子电路的第一端连接至所述发光元件第一极，所述第一子电路的第二端连接至所述第二子电路，所述第一子电路的控制端被配置为接收开关控制信号，且所述第一子电路被配置为在所述开关控制信号的控制下将所述第二子电路和所述发光元件的第一极之间的连接断开或导通；

所述第二子电路被配置为检测所述电学参数。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述控制电压端还连接至所述第一子电路的控制端，以将所述可变电压传输至所述第一子电路的控制端作为所述开关控制信号。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第一子电路包括开关元件，所述第一子电路的第一端为所述开关元件的输入端，所述第一子电路的第二端为所述开关元件的输出端，所述第一子电路的控制端为所述开关元件的控制端。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板还包括阵列基板和驱动芯片，所述驱动芯片通过柔性电路板绑定在所述阵列基板上，所述阵列基板包括所述子像素，所述驱动芯片包括所述检测电路。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板还包括补偿电路，

所述检测电路被配置为检测所述发光元件的第一极获取的多个电学参数；

所述补偿电路被配置为根据所述多个电学参数，基于初始数据电压计算得到补偿后数据电压，所述补偿后数据电压作为显示数据电压用于所述子像素进行显示操作。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述补偿电路包括计算模块和第一存储子电路，所述计算模块被配置为：

获取用于所述子像素的多个检测数据电压，所述多个检测数据电压与所述多个电学参数一一对应，

根据所述多个电学参数和所述多个检测数据电压，计算所述像素电路的特征参数，以及

根据所述特征参数，基于所述初始数据电压计算得到所述补偿后数据电压，

所述第一存储子电路被配置为存储所述特征参数。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述补偿电路包括计算模块和第一存储子电路，所述计算模块被配置为：

获取用于所述子像素的多个检测数据电压，所述多个检测数据电压与所述多个电学参数一一对应；

根据所述多个电学参数和所述多个检测数据电压，计算所述像素电路的特征参数；

根据所述特征参数，计算得到与所述子像素的所有灰阶等级一一对应的多个基准补偿数据电压；

基于所述多个基准补偿数据电压获取与所述初始数据电压对应的所述补偿后数据电压；

所述第一存储子电路被配置为存储所述多个基准补偿数据电压。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述像素电路包括：驱动子电路、数据写入子电路和第二存储子电路，

所述数据写入子电路被配置为在扫描信号的控制下将接收的显示数据电压写入所述第二存储子电路；

所述第二存储子电路被配置为存储所述显示数据电压并将所述显示数据电压保持在所述驱动子电路的控制端；

所述驱动子电路被配置为在所述显示数据电压的控制下驱动所述发光元件发光。

本公开至少一实施例还提供一种显示面板，包括子像素和检测电路，所述子像素包括像素电路和发光元件，所述像素电路包括驱动晶体管、数据写入晶体管和存储电容，所述检测电路包括第一子电路和第二子电路，所述第一子电路包括开关元件，

所述驱动晶体管的第一极与电源电连接，所述驱动晶体管的第二极与所述发光元件的第一极电连接，所述驱动晶体管的栅极与所述数据写入晶体管的第二极电连接，所述驱动晶体管的栅极还与所述存储电容的第一端电连接，所述数据写入晶体管的第一极被配置为接收显示数据电压，所述数据写入晶体管的栅极被配置为接收扫描信号，所述存储电容的第二端与所述电源电连接；

所述发光元件的第二极被配置接收可变电压；

所述开关元件的输入端连接至所述发光元件第一极，所述开关元件的输出端连接至所述第二子电路，所述开关元件的控制端被配置为接收所述可变电压，所述第二子电路被配置为检测所述电学参数。

本公开至少一实施例还提供一种显示装置，包括根据上述任一项所述的显示面板。

本公开至少一实施例还提供一种应用于根据上述任一项所述的显示面板的检测方法，包括：通过所述可变电压控制所述发光元件的状态，检测所述发光元件的第一极的多个电学参数。

例如，在本公开至少一实施例提供的检测方法中，通过所述可变电压控制所述发光元件的状态，检测所述发光元件的第一极的多个电学参数包括：

通过所述可变电压控制所述发光元件处于截止状态，以检测所述发光元件的第一极获取的所述多个电学参数。

例如，在本公开至少一实施例提供的检测方法中，所述像素电路包括驱动子电路，所述检测方法还包括：

获取用于所述子像素的多个检测数据电压，所述多个检测数据电压与所述多个电学参数一一对应；

根据所述多个电学参数和所述多个检测数据电压，计算得到所述驱动子电路的特征参数。

例如，本公开至少一实施例提供的检测方法还包括：根据所述特征参数，计算得到与所述子像素的所有灰阶等级一一对应的多个基准补偿数据电压。

例如，在本公开至少一实施例提供的检测方法中，根据所述特征参数，得到与所述多个灰阶等级一一对应的多个基准补偿数据电压，包括：

选取多个参考灰阶等级；

基于所述发光元件的电流与亮度的对应关系，计算与所述多个参考灰阶等级一一对应的多个参考发光电流；

根据所述特征参数和所述多个参考发光电流，计算与所述多个参考灰阶等级一一对应的多个参考补偿数据电压，

根据所述多个参考补偿数据电压，计算与所述多个灰阶等级一一对应的多个基准补偿数据电压。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。

图1a示出了本公开一实施例提供的一种显示面板的示意性框图；

图1b示出了本公开一实施例提供的另一种显示面板的示意性框图；

图2a示出了本公开一实施例提供的一种显示面板的电路结构图；

图2b示出了本公开一实施例提供的另一种显示面板的电路结构图；

图3为本公开一实施例提供的一种检测电路的示意性结构图；

图4为本公开一实施例提供的一种显示装置的示意性框图；

图5a为本公开一实施例提供的一种检测方法的流程图；以及

图5b为本公开一实施例提供的另一种检测方法的流程图。

具体实施方式

为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。

在oled显示面板中，作为发光元件的oled的发光亮度与施加到该发光元件上的驱动电流成正比，且该驱动电流可以由施加到像素电路中的驱动晶体管上的数据电压以及系统电压决定。由于制作工艺限制、高迁移率的低温多晶硅材料生长不均匀等原因，oled显示面板中的各个驱动晶体管的阈值电压、载流子迁移率和串联电阻等特征参数不一致，从而造成在相同的数据电压下，流过各个驱动晶体管的驱动电流可能互不相同，导致oled显示面板的发光亮度不均匀，影响显示质量。

本公开至少一个实施例提供一种显示面板、显示装置及显示面板的检测方法，在检测过程中，通过可变电压控制发光元件的状态，以检测发光元件的电学参数，并根据发光元件的电学参数确定驱动晶体管的特征参数，在显示过程中，可以根据驱动晶体管的特征参数补偿各灰阶下的数据电压，提高显示面板的均一性。另一方面，在该显示面板中，像素驱动电路仅增加一条信号检测线以实现检测发光元件的电学参数，降低工艺复杂度，解决高分辨率下像素电路的空间有限的问题。

例如，按照晶体管的特性，晶体管可以分为n型晶体管和p型晶体管，本公开的实施例中，驱动晶体管和数据写入晶体管可以为n型晶体管(例如，n型mos晶体管)，然而本公开的实施例不限于此，驱动晶体管和数据写入晶体管还可以为p型晶体管(例如，p型mos晶体管)，本领域技术人员可以根据实际需要具体设置本公开中的各个晶体管的类型。

需要说明的是，本公开的实施例中采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应晶体管或其他特性相同的开关器件，薄膜晶体管可以包括氧化物薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管或多晶硅薄膜晶体管等。晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的，所以其源极、漏极在物理结构上可以是没有区别的。在本公开的实施例中，为了区分晶体管，除作为控制极的栅极，直接描述了其中一极为第一极，另一极为第二极，所以本公开实施例中全部或部分晶体管的第一极和第二极根据需要是可以互换的。例如，对于n型晶体管，晶体管的第一极可以为源极，第二极可以为漏极；或者，对于p型晶体管，晶体管的第一极为漏极，第二极为源极。对于不同类型的晶体管，其栅极的控制电压的电平也不相同。例如，对于n型晶体管，在控制信号为高电平时，该n型晶体管处于开启状态；而在控制信号为低电平时，n型晶体管处于截止状态。对于p型晶体管时，在控制电压为低电平时，该p型晶体管处于开启状态；而在控制信号为高电平时，p型晶体管处于截止状态。

下面结合附图对本公开的几个实施例进行详细说明，但是本公开并不限于这些具体的实施例。

图1a示出了本公开一实施例提供的一种显示面板的示意性框图，图1b示出了本公开一实施例提供的另一种显示面板的示意性框图，图2a示出了本公开一实施例提供的一种显示面板的电路结构图，图2b示出了本公开一实施例提供的另一种显示面板的电路结构图。

例如，如图1a和图1b所示，显示面板100包括多个子像素101以及包括检测电路103。每个子像素101可以包括像素电路1011和发光元件1012，在每个子像素101中，像素电路1011连接到发光元件1012且被配置为驱动发光元件1012发光。

例如，如图2a和图2b所示，检测电路103可以包括控制电压端ct，发光元件1012的第二极连接至控制电压端ct，检测电路103被配置为通过控制电压端ct输出可变电压vc至发光元件1012的第二极，可变电压vc的电压值可根据需要设定，不固定在某一电位。

例如，如图2a和图2b所示，检测电路103可以包括控制子电路1030，控制子电路1030与控制电压端ct连接，且控制子电路1030被配置为生成可变电压vc，并通过控制电压端ct输出可变电压vc至发光元件1012的第二极，以通过可变电压vc控制发光元件1012的状态。

例如，如图2a和图2b所示，检测电路103还可以包括检测信号端dt，发光元件1012的第一极连接至检测信号端dt，且检测电路103被配置为在发光元件1012的第二极接收可变电压vc时检测发光元件1012的第一极的电学参数。例如，检测电路103被配置为在发光元件1012的第二极接收可变电压vc而处于截止状态时检测发光元件1012的第一极处的电学参数。

例如，发光元件1012的第一极处的电学参数可以包括发光元件1012的第一极处的电流大小。

例如，可变电压vc的不同状态可以包括第一子电压信号和第二子电压信号。第一子电压信号可以为高电平信号，第二子电压信号可以为低电平信号。在检测阶段，控制子电路1030被配置为生成并输出第一子电压信号至发光元件1012的第二极，从而控制发光元件1012截止；而在显示阶段，控制子电路1030被配置为生成并输出第二子电压信号至发光元件1012的第二极，从而控制发光元件1012导通，经由驱动晶体管传输的驱动电流可以流过该发光元件1012，以控制该发光元件1012发光。

例如，发光元件1012可以为发光二极管等。发光二极管可以为有机发光二极管(oled)或量子点发光二极管(qled)等。发光元件1012被配置为在工作时接收发光信号(例如，可以为驱动电流信号)，并发出与该发光信号相对应强度的光。

例如，发光元件1012的第一极可以为阳极，发光元件1012的第二极可以为阴极。或者，在一些实施例中，发光元件1012的第一极可以为阴极，发光元件1012的第二极可以为阳极，根据该配置可相应调整像素电路、可变电压等。

例如，显示面板100可以为有机发光二极管(oled)显示面板，有机发光二极管(oled)显示面板例如可以为有源矩阵驱动oled显示面板。

例如，如图1a、图1b、图2a和图2b所示，显示面板100还包括阵列基板110和驱动芯片111。驱动芯片111通过柔性电路板绑定在阵列基板110上，阵列基板110包括子像素101，即子像素101形成在阵列基板110上。驱动芯片111包括检测电路103，即检测电路103可以集成在驱动芯片111上。由此，该显示面板100可以不依赖外部检测工具，而依靠显示面板100自身即可完成亮度补偿。又例如，检测电路103除了作为驱动芯片111的一部分之外，可以实现为单独的检测芯片，并通过绑定等方式与信号检测线以及公共电压线等电连接。

需要说明的是，图1a和图1b仅示出一个子像素101，但本公开不限于此，显示面板100可以包括多个子像素101，且多个子像素101阵列排布在显示面板100的阵列基板110上。

例如，在检测电路103中，控制子电路1030可以利用硬件电路实现。又例如，控制子电路1030也可以通过现场可编程门阵列(field-programmablegatearray，fpga)、数字信号处理器(digitalsignalprocessing，dsp)等信号处理器实现。控制子电路1030例如可以包括处理器和存储器，处理器执行存储器中存储的软件程序来控制电源电路实现生成并输出可变电压vc的功能。

例如，如图2a所示，检测电路103还可以包括第一子电路1031和第二子电路1032。检测电路103的检测信号端dt包括第一子电路1031的第一端，且第一子电路1031的第一端连接至发光元件1012第一极，第一子电路1031的第二端连接至第二子电路1032，第一子电路1031的控制端被配置为接收开关控制信号vsc，且第一子电路1031被配置为在开关控制信号vsc的控制下将第二子电路1032和发光元件1012的第一极之间的连接断开或导通。第二子电路1012被配置为检测电学参数。

例如，第一子电路1031包括开关元件，第一子电路1031的第一端为开关元件的输入端，第一子电路1031的第二端为开关元件的输出端，第一子电路1031的控制端为开关元件的控制端。

图3为本公开一实施例提供的一种检测电路的示意性结构图。

例如，在一些示例中，开关元件可以包括cmos传输门(transmissiongate)或其他可传输模拟信号的电路。例如，如图3所示，cmos传输门可以由一个p型晶体管m3(例如，p沟道增强型金氧半场效晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor,mosfet))、一个n型晶体管m4(例如，n沟道增强型mosfe)和一个反相器iv构成，p型晶体管m3和n型晶体管m4并联设置。开关元件的输入端包括p型晶体管m3的第一极和n型晶体管m4的第一极，也就是说，检测电路103的检测信号端dt包括p型晶体管的m3第一极和n型晶体管m4的第一极；开关元件的输出端包括p型晶体管m3的第二极和n型晶体管m4的第二极；开关元件的控制端包括反相器iv的输入端和n型晶体管m4的栅极。p型晶体管m3的第一极和n型晶体管m4的第一极电连接，且均连接至发光元件1012第一极；p型晶体管m3的第二极和n型晶体管m4的第二极也电连接，且均电连接至第二子电路1032；n型晶体管m4的栅极被配置为接收开关控制信号vsc，p型晶体管m3的栅极与反相器iv的输出端电连接，反相器iv的输入端被配置为接收开关控制信号vsc。

又例如，在另一些示例中，开关元件可以包括一个薄膜晶体管，开关元件的输入端为薄膜晶体管的第一极，开关元件的输出端为薄膜晶体管的第二极，开关元件的控制端为薄膜晶体管的栅极。

需要说明的是，本公开对第一子电路1031的具体结构不作限制，只要其能实现在开关控制信号vsc的控制下将第二子电路1032和发光元件1012的第一极之间的连接断开或导通的功能即可。

例如，如图2b所示，控制电压端ct还连接至第一子电路1031的控制端，以将可变电压vc传输至第一子电路1031的控制端作为开关控制信号vsc。此时，第一子电路1031在第一子电压信号的控制下导通，且第一子电路1031在第二子电压信号的控制下断开。

需要说明的是，控制子电路1030还被配置为生成开关控制信号vsc并输出该开关控制信号vsc至第一子电路1031的控制端。在此种情况下，开关控制信号vsc也可以为可变信号，且包括第一子开关信号和第二子开关信号，在检测阶段，控制子电路1030被配置为生成并输出第一子开关信号至第一子电路1031的控制端，从而控制第一子电路1031导通；而在显示阶段，控制子电路1030被配置为生成并输出第二子开关信号至第一子电路1031的控制端，从而控制第一子电路1031断开。例如，在一些示例中，第一子开关信号为高电平信号，第二子开关信号为低电平信号，但本公开不限于此，第一子开关信号和第二子开关信号的具体数值和类型可以根据第一子电路1031的具体电路结构设置。

例如，第二子电路1032可以利用硬件电路实现。第二子电路1032例如可以采用晶体管、电阻、电容和放大器等元件构成。又例如，第二子电路1032还可以包括处理器和存储器，存储器可以存储有适用于处理器执行的计算机程序，计算机程序可以被处理器执行控制、运算等操作以实现检测发光元件1012的电学参数的功能。本领域的技术人员应当理解，在实践中，还可以使用微处理器或者dps来实现根据本公开实施例提供的第二子电路1032中的一些或者全部功能。

例如，如图1b所示，在一些实施例中，显示面板100还可以包括补偿电路104。检测电路103被配置为检测发光元件1012的第一极获取的多个电学参数。补偿电路104被配置为根据多个电学参数，基于初始数据电压计算得到补偿后数据电压。补偿后数据电压作为显示数据电压作用于子像素101以进行显示操作，即显示数据电压可以包括补偿后数据电压。

需要说明的是，这里“初始数据电压”指代在没有执行本公开实施例提供的数据补偿处理之前，例如视频等应用希望显示面板100的子像素101所应呈现的亮度所对应的数据电压。例如，在显示画面时，补偿后数据电压作为显示数据电压被施加至子像素的像素电路，以驱动发光元件发光。

例如，补偿电路104可以与一数据驱动器(例如数据驱动电路或数据驱动芯片)连接，且补偿后数据电压可以被传输至数据驱动器，并经由数据驱动器传输至子像素101的像素电路1011。

例如，如图2a和图2b所示，在一些示例中，补偿电路104包括计算模块1041和第一存储子电路1042。计算模块1041被配置为：获取用于子像素101的多个检测数据电压，多个检测数据电压与多个电学参数一一对应，根据多个电学参数和多个检测数据电压，计算得到像素电路1011的特征参数，以及根据该特征参数，基于初始数据电压计算得到补偿后数据电压。第一存储子电路1042被配置为存储特征参数。

例如，在另一些示例中，补偿电路104包括计算模块1041和第一存储子电路1042。计算模块1041被配置为：获取用于子像素101的多个检测数据电压，多个检测数据电压与多个电学参数一一对应；根据多个电学参数和多个检测数据电压，计算像素电路1011的特征参数；根据该特征参数，计算得到与子像素101的多个或所有灰阶等级一一对应的多个基准补偿数据电压；基于多个基准补偿数据电压获取与初始数据电压对应的补偿后数据电压。第一存储子电路1042被配置为存储多个基准补偿数据电压。

例如，可以建立多个灰阶等级和多个基准补偿数据电压的查找表，在显示阶段，可以根据某一子像素需要显示的亮度对应的灰阶等级，在该查找表中查询与该灰阶等级对应的基准补偿数据电压以作为补偿后数据电压。需要说明的是，在显示面板的使用过程中，当像素电路1011的特征参数发生改变时，则需要相应地更新该查找表。

例如，在执行根据该特征参数，计算得到与子像素101的所有灰阶等级一一对应的多个基准补偿数据电压的操作时，计算模块1041被配置为：选取多个参考灰阶等级；基于发光元件的电流与亮度的对应关系，计算与多个参考灰阶等级一一对应的多个参考发光电流；根据特征参数和多个参考发光电流，计算与多个参考灰阶等级一一对应的多个参考补偿数据电压；对多个参考补偿数据电压进行分压，以生成与显示面板的多个灰阶等级一一对应的多个基准补偿数据电压。例如，多个基准补偿数据电压可以包括该多个参考补偿数据电压。

例如，可以通过插值的方式根据多个参考补偿数据电压得到多个基准补偿数据电压。根据多个基准补偿数据电压，可以对显示面板的子像素的伽马(gamma)曲线进行调整。

例如，显示面板100的多个灰阶等级可以包括256个灰阶等级(0-255灰阶)，即每个子像素可以采用8位数据表示。多个参考灰阶等级可以从显示面板100的多个灰阶等级(例如，256个灰阶等级)中选择而得到。多个参考灰阶等级的数量的范围可以为20～30。例如，在低灰阶下，相邻两个参考灰阶等级之间的间隔小，在高灰阶下，相邻两个参考灰阶等级之间的间隔大，多个参考灰阶等级的数量可以根据实际情况具体选择。本公开对多个参考灰阶等级的数量和具体数值不作限制。

需要说明的是，在本公开的实施例中，从0灰阶到255灰阶，灰阶等级逐渐增大。

例如，数据驱动器可以生成并输出多个检测数据电压至计算模块1041。

例如，多个检测数据电压可以由系统预先设定并由数据驱动器生成，或者，多个检测数据电压也可以由数据驱动器随机生成。

例如，第一存储子电路1042可以包括各种形式的计算机可读存储介质，例如易失性存储器和/或非易失性存储器。易失性存储器例如可以包括随机存取存储器(ram)和/或高速缓冲存储器(cache)等。非易失性存储器例如可以包括只读存储器(rom)、硬盘、可擦除可编程只读存储器(eprom)、便携式紧致盘只读存储器(cd-rom)、usb存储器、闪存等。

例如，计算模块1041可以通过fpga、dsp等信号处理器实现。例如，计算模块1041可以包括处理器，第一存储子电路1042还可以存储有适用于由处理器执行的计算机程序，计算机程序可以被处理器执行以实现计算模块1041的一些或全部功能。

例如，像素电路1011可以为基本的2t1c型像素电路，由此可以使显示面板100的开口率高、制备工艺简单。如图2a和图2b所示，像素电路1011可以包括驱动子电路1013、数据写入子电路1014和第二存储子电路1015。数据写入子电路1014被配置为在扫描信号的控制下将接收的显示数据电压写入第二存储子电路1015；第二存储子电路1015被配置为存储显示数据电压并将显示数据电压保持在驱动子电路1013的控制端；驱动子电路1013被配置为在显示数据电压的控制下驱动发光元件1012发光。

例如，如图2a和图2b所示，在一些实施例中，驱动子电路1013可以包括驱动晶体管m1，数据写入子电路1014可以包括数据写入晶体管m2，第二存储子电路1015可以包括存储电容cst。驱动晶体管m1的第一极与电源vdd电连接，驱动晶体管m1的第二极与发光元件1012的第一极电连接，驱动晶体管m1的栅极与数据写入晶体管m2的第二极电连接，驱动晶体管m1的栅极还与存储电容cst的第一端电连接。数据写入晶体管m2的第一极与数据线d电连接以接收显示数据电压，数据写入晶体管m2的栅极与栅线s电连接以接收扫描信号。存储电容cst的第二端与电源vdd电连接。

例如，像素电路1011的特征参数可以包括驱动晶体管m1的阈值电压vth和工艺常数β。例如，工艺常数β表示驱动晶体管m1的自身特性，由于制造工艺限制，各个驱动晶体管的工艺常数β不相同。驱动晶体管m1的工艺常数β可以表示为：

β＝μncox(w/l)

其中，μn为驱动晶体管m1的电子迁移率，cox为驱动晶体管m1的栅极单位电容量，w为驱动晶体管m1的沟道宽，l为驱动晶体管m1的沟道长。

同样地，各个子像素的驱动晶体管m1的阈值电压vth可能不相同。而且，随着使用时间的增长，驱动晶体管m1的阈值电压vth和工艺常数β都存在漂移的问题，而且不同子像素的驱动晶体管m1的阈值电压vth和工艺常数β的漂移量不同。

例如，电源vdd可以为直流供电电源。电源vdd例如可以为高电压源以输出恒定的正电压。

值得注意的是，本公开实施例仅以像素电路1011采用2t1c结构为例进行说明，但是本公开实施例的像素电路1011不限于2t1c结构。例如，根据需要该像素电路1011还可以包括传输晶体管、发光控制晶体管、复位晶体管、内部补偿晶体管等。本公开的实施例对像素电路的具体结构不作限制。

例如，上述开关元件中的晶体管(例如，p型晶体管和n型晶体管)、驱动晶体管m1和数据写入晶体管m2可以采用低温多晶硅工艺制备，以使得晶体管的迁移速率较高，从而可以将晶体管做的更小，提高显示面板的开口率。

需要说明的是，在显示面板的使用过程中，也可以通过检测电路103检测发光元件1012的电学参数，并根据发光元件1012的电学参数确定像素电路中的驱动晶体管的特征参数，然后根据驱动晶体管的特征参数补偿各灰阶下的数据电压，从而避免驱动晶体管的老化对显示面板的发光亮度的影响。

例如，如图2a和图2b所示，发光元件1012的第一极和检测电路103的检测信号端dt之间通过一条信号检测线1016连接，发光元件1012的第一极和检测电路103的检测信号端dt之间存在第一走线电阻rtg，即信号检测线1016上的线阻。电源vdd也通过信号线连接至子像素101的像素电路1011，因此，电源vdd和子像素101的像素电路1011之间存在第二走线电阻rds。在显示面板100中，每个子像素101对应的第一走线电阻rtg和第二走线电阻rds不相同，但是，与每个子像素101对应的第一走线电阻rtg和第二走线电阻rds均为固定值且可预先测量。

例如，在显示面板100出厂前，可以对显示面板100执行亮度检测操作，以得到像素电路1011的特征参数。

本公开一实施例还提供一种显示面板。例如，如图2b所示，显示面板100包括子像素和检测电路103。子像素包括像素电路1011和发光元件1012。像素电路1011包括驱动晶体管m1、数据写入晶体管m2和存储电容cst，检测电路103包括第一子电路1031和第二子电路1032，第一子电路1031包括开关元件。

例如，驱动晶体管m1的第一极与电源vdd电连接，驱动晶体管m1的第二极与发光元件1012的第一极电连接，驱动晶体管m1的栅极与数据写入晶体管m2的第二极电连接，驱动晶体管m1的栅极还与存储电容cst的第一端电连接，数据写入晶体管m2的第一极被配置为接收显示数据电压，数据写入晶体管m2的栅极被配置为接收扫描信号，例如，数据写入晶体管m2的第一极与数据线d电连接以接收显示数据电压，数据写入晶体管m2的栅极与栅线s电连接以接收扫描信号。存储电容cst的第二端与电源vdd电连接。发光元件1012的第二极被配置接收可变电压vc。开关元件的输入端连接至发光元件1012第一极，开关元件的输出端连接至第二子电路1032，开关元件的控制端被配置为接收可变电压vc。第二子电路1032被配置为检测发光元件1012的第一极处的电学参数。

例如，如图2b所示，在一些实施例中，显示面板100还可以包括补偿电路104。补偿电路104被配置为根据检测电路103检测得到的发光元件1012的第一极处的多个电学参数，基于初始数据电压计算得到补偿后数据电压。

需要说明的是，关于本实施例提供的显示面板中的子像素、检测电路103和补偿电路104等的相关说明可以参考上述关于图2a和图2b所示的显示面板的相关说明，重复之处不再赘述。

本公开一实施例还提供一种显示装置。图4为本公开一实施例提供的一种显示装置的示意性框图。例如，如图4所示，显示装置200可以包括显示面板201，显示面板201用于显示图像。显示面板201可以为根据上述任一实施例所述的显示面板100。

例如，显示面板201可以为矩形面板、圆形面板、椭圆形面板或多边形面板等。另外，显示面板201不仅可以为平面面板，也可以为曲面面板，甚至球面面板。又例如，显示面板201还可以具备触控功能，即显示面板201可以为触控显示面板。

例如，如图4所示，显示装置200还可以包括栅极驱动器202。如图2a和图2b所示，栅极驱动器202被配置为通过栅线s与例如一行中的子像素的数据写入电路1014电连接，以用于为该一行中的子像素的数据写入电路1014提供扫描信号，以在一帧显示时间段内控制数据写入电路1014的开启或截止。

例如，如图4所示，显示装置200还可以包括数据驱动器203。如图2a和图2b所示，数据驱动器203被配置为通过数据线d与例如一列中的子像素的数据写入电路1014电连接，以用于向该一列中的子像素的数据写入电路1014提供显示数据电压。

例如，栅极驱动器202和数据驱动器203可以集成在显示面板200的驱动芯片上。又例如，栅极驱动器202和数据驱动器203可以分别由各自的专用集成电路芯片实现。再例如，栅极驱动器202和数据驱动器203还可以集成在显示面板200的阵列基板上。本公开的实施例对此不作限制。

例如，显示装置200可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

需要说明的是，对于显示装置200的其它组成部分(例如控制装置、图像数据编码/解码装置、时钟电路等)均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本公开的实施例的限制。

本公开的实施例还提供一种的检测方法，该检测方法可以应用于根据上述任一实施例所述的显示面板100。图5a为本公开一实施例提供的一种检测方法的流程图；图5b为本公开一实施例提供的一种检测方法的流程图。

例如，如图5a和图5b所示，本公开实施例提供的检测方法可以包括以下步骤：

s10：通过可变电压控制发光元件的状态，检测发光元件的第一极的多个电学参数。

例如，步骤s10可以包括：通过可变电压控制所述发光元件处于截止状态，以检测发光元件的第一极获取的多个电学参数。

需要说明的是，步骤s10可以由上述显示面板100中的检测电路103实现，步骤s10的具体操作过程可以参考上述关于检测电路103的相关描述，在此不再赘述。

例如，如图5a所示，检测方法还包括：

s20：获取用于子像素的多个检测数据电压，多个检测数据电压与多个电学参数一一对应；

s30：根据多个电学参数和多个检测数据电压，计算得到像素电路的特征参数。

例如，显示面板的像素电路包括驱动子电路，驱动子电路包括驱动晶体管。像素电路的特征参数包括驱动晶体管的阈值电压vth和工艺常数β。

例如，上述步骤s10、步骤s20和步骤s30均在检测阶段执行。

例如，如图5b所示，在一些实施例中，检测方法还包括：

s40：根据特征参数，计算得到与子像素的所有灰阶等级一一对应的多个基准补偿数据电压。

例如，步骤s40可以包括：

s401：选取多个参考灰阶等级；

s402：基于发光元件的电流与亮度的对应关系，计算与多个参考灰阶等级一一对应的多个参考发光电流；

s403：根据特征参数和多个参考发光电流，计算与多个参考灰阶等级一一对应的多个参考补偿数据电压，

s404：根据多个参考补偿数据电压，计算与多个灰阶等级一一对应的多个基准补偿数据电压。

例如，多个参考灰阶等级可以为从子像素的所有灰阶等级中选取的一部分灰阶等级。子像素的所有灰阶等级的数量可以为256(即0-255灰阶)，多个参考灰阶等级的数量可以为20、25或30等。

例如，多个参考灰阶等级与多个检测数据电压一一对应。

需要说明的是，步骤s20、步骤s30和步骤s40可以由上述显示面板100中的补偿电路104执行，步骤s20、步骤s30和步骤s40的具体操作过程可以参考上述关于补偿电路104的相关描述，在此不再赘述。

例如，上述步骤s40也在检测阶段执行。

例如，在一些实施例中，显示面板包括m行n列子像素，即显示面板的分辨率为m*n。以图2b所示的显示面板为例，在检测阶段，首先，显示面板100的检测电路103可以生成并输出第一子电压信号至发光元件1012的第二极，以控制发光元件1012处于截止状态，例如反向截止状态。第一子电压信号例如可以与电源vdd输出的电源电压相同。此时，没有电流流过发光元件1012，因此发光元件1012不发光。第一子电压信号同时可以控制检测电路103的第一子电路1031导通。然后，栅线s将扫描信号传输至数据写入晶体管m2，以控制数据写入晶体管m2导通，数据线d上的多个检测数据电压中的第n个检测数据电压vdn可以被传输至存储电容cst的第一端，以对存储电容cst进行充电。充电结束时，驱动晶体管m1的栅极电压vg为vdn，由于驱动晶体管m1的源极电压vs为v1-vrds，由此，驱动晶体管m1的栅源电压vgs变为vdn-(v1-vrds)，其中，v1为电源vdd输出的电源电压，vrds为第二走线电阻rds上的压降且固定不变。此时，驱动晶体管m1处于饱和状态，流过驱动晶体管m1的驱动电流in表示为：

其中，驱动晶体管m1的工艺常数β可以表示为：

从而，流过驱动晶体管m1的驱动电流in可以表示为：

例如，驱动电流in可通过信号检测线1016由检测电路103检测，发光元件的第一极的电学参数可以包括该驱动电流in。对于分辨率为m*n的显示面板，可检测到显示面板上的所有子像素的驱动电流，所有子像素的驱动电流可以形成电流矩阵imn。位于第m行第n列的子像素对应的驱动电流表示为imn，由此，电流矩阵imn可以表示如下：

例如，根据发光元件的电流特征，可以得到显示面板亮度均匀时的目标电流矩阵imn0。例如，目标电流矩阵imn0可以表示为：

例如，目标电流矩阵imn0可以通过实验的方式得到，且目标电流矩阵imn0可以作为亮度补偿的依据。例如，在一些示例中，可以不考虑发光元件的工艺不均匀，直接利用发光元件的电流与亮度的对应公式，基于设定的显示亮度通过电流与亮度的对应公式计算得到电流矩阵imn0，例如，若显示面板上的所有发光元件的设定的显示亮度均相同，则该目标电流矩阵imn0中的所有电流也均相同，需要说明的是，在该示例中，基于该目标电流矩阵imn0，显示面板上至少部分发光元件发出的亮度可能各不相同，且与设定的显示亮度不同。又例如，在另一些示例中，由于工艺限制，显示面板上的各个发光元件的特性各不相同，因此，在相同的电流下，各个发光元件的亮度仍然各不相同，目标电流矩阵imn0可以为补偿由于各发光元件的特性的不同而造成的亮度差异之后得到的电流矩阵，从而在该目标电流矩阵imn0中，各个电流可能各不相同，也可能至少部分不相同。

在本公开中，可以使得流过发光元件的电流矩阵imn中的各电流与目标电流矩阵imn0中的各电流分别对应且相同，从而可以是显示面板的显示均一度不会受到驱动晶体管的特性不均匀的影响，提高显示面板的均一性。

例如，根据上述驱动电流in的计算公式(1)，可以得到第n个检测数据电压vdn的计算公式：

对于每个子像素，电源电压v1和第二走线电阻rds上的压降vrds均已知值且固定不变。

当检测方法为图5a所示的实施例时，根据上述公式(2)，通过两个检测数据电压和与其对应的两个驱动电流(即，检测电路检测得到的两个电学参数)即可得到子像素的驱动晶体管的阈值电压vth和工艺常数β。当检测方法为图5b所示的实施例时，当得到驱动晶体管的阈值电压vth和工艺常数β后，基于选择的多个参考灰阶等级，从多个目标电流矩阵imn0(例如，多个目标电流矩阵imn0与多个参考灰阶等级一一对应，即可以根据一个参考灰阶等级得到一个目标电流矩阵imn0)中获取与多个参考灰阶等级一一对应的多个参考发光电流，然后，根据多个参考发光电流，利用上述公式(2)即可计算得到与多个参考灰阶等级一一对应的多个参考补偿数据电压。最后，根据多个参考补偿数据电压，通过例如插值算法即可计算得到与多个灰阶等级一一对应的多个基准补偿数据电压。

例如，在一些实施例中，显示面板的一个子像素的发光元件被配置为显示与第s灰阶等级对应的亮度。s为正整数，且s大于等于0且小于显示面板的多个灰阶等级的总数，当显示面板的多个灰阶等级可以包括256个灰阶等级时，0≤s≤255。由此，对于该子像素，在显示阶段，在一些示例中，当检测方法为图5a所示的实施例时，显示面板被配置为：基于与第s灰阶等级对应的第s个初始数据电压，从目标电流矩阵中获取与第s灰阶等级对应的第s个参考发光电流；根据像素电路的特征参数和第s个参考发光电流，计算得到补偿后数据电压；基于补偿后数据电压，驱动发光元件发光。

在另一些示例中，当检测方法为图5b所示的实施例时，显示面板被配置为：从多个基准补偿数据电压中选择与第s灰阶等级对应的基准补偿数据电压作为补偿后数据电压；基于补偿后数据电压，驱动发光元件发光。

对于本公开，还有以下几点需要说明：

(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

(2)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

以上所述仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。