显示装置及其制造方法与流程

本发明涉及一种显示装置及其制造方法。

背景技术：

近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用了有机el(electroluminescence，电致发光)元件的自发光型的有机el显示装置备受关注。

在有机el显示装置中，设置有覆盖有机el元件的密封膜，以抑制由于水分、氧等的侵入造成的有机el元件的劣化。作为使用该密封膜的密封结构，提出了由有机层和无机层构成的层叠膜构成该密封膜的结构(例如参照专利文献1)。构成密封膜的有机层通过例如喷墨法形成。

此外,在有机el显示装置中,通过使显示区域为平面形状与矩形不同的异形形状,来提高显示装置的设计性。例如,该有机el显示装置的显示区域形成为四角形成为弯曲形状的圆角部的大致矩形。作为制造这样的有机el显示装置的方法,提出了对用于形成有机el元件的成膜用掩模的结构下功夫的方法。

该成膜用掩模具备矩形框状的掩模框架、架设于掩模框架且两端部被固定的多个掩模片以及支承该多个掩模片的多个支承片。掩模片形成为长条形,具有蒸镀用图案开口部,该蒸镀用图案开口部由用于对多倒角用的母基板以像素单位或子像素单位进行蒸镀的多个贯通孔构成。支撑片形成为直线状延伸的细板形,支撑片相对掩模框在与掩模片正交的方向上架设且两端部被固定。而且,在支撑片上设置有遮蔽部,该遮蔽部以使通过在掩模片上形成的蒸镀用图案开口部所蒸镀的区域成为以显示面板为单位局部地省略矩形的角的形状的方式进行遮蔽(例如,参照专利文献2)。此外,在成膜用掩模设置有盖片。该盖片形成为直线状延伸的细板形,并相对掩模框在与掩模片平行的方向上架设并固定两端部。各掩模片之间配备有盖片。这样的成膜用掩模配置在蒸镀装置内,在通过磁力向母基板侧吸引的状态下使用。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2011-175300号公报

专利文献2：日本专利特开2018-026344号公报

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题

在有机el显示装置的制造中,使用上述那样的成膜用掩模的情况下,由于在蒸镀装置内成膜用掩模被磁力吸引到母基板侧,支撑片及覆盖片向母基板侧位移,通过该位移,掩膜片被强力地按压在母基板侧。此时,由于掩膜片在设置有遮蔽部的区域与阻挡壁接触,因此掩膜片相对于该阻挡壁的按压力变强,阻挡壁磨损,在阻挡壁及其周边容易产生异物。当产生这样的异物时,在阻挡壁的对应部位或其显示区域侧设置有用于与有机el元件的电极导通的导电部或各种配线,因此有可能对有机el显示装置的显示品质产生不良影响。

本公开的技术是鉴于这点而完成的,其目的在于,在具有异形形状的显示区域的有机el显示装置中,抑制阻挡壁的对应部位及其显示区域侧产生异物。

用于解决技术问题的技术方案

本公开的技术涉及的显示装置包括：基底基板；tft层,设置于所述基底基板上；发光元件,设置在所述tft层上；以及密封膜,设置成覆盖所述发光元件,所述显示装置设置有：通过所述发光元件的发光进行图像显示的显示区域、位于所述显示区域的周围的边框区域,在所述边框区域设置有包围所述显示区域的阻挡壁,所述密封膜包括设置在所述阻挡壁的内侧的有机层,所述显示区域设置为异形形状，所述异形形状具有外周形状与矩形不同的异形部,在所述边框区域中所述阻挡壁的外侧隔着所述阻挡壁与所述显示区域的异形部相对的位置,设置有具有所述阻挡壁以上的高度的凸部。

有益效果

根据上述的显示装置,在边框区域中阻挡壁的外侧以阻挡壁以上的高度设置有与显示区域的异形部相对的凸部,因此在该显示装置的制造中,即使使用在显示区域中设置有用于形成异形部的遮蔽部的成膜用掩模,该成膜用掩模也优先于阻挡壁与凸部接触。由此,能够防止成膜用掩模与阻挡壁的接触,或者即使与阻挡壁接触,由于成膜用掩模的按压使施加于阻挡壁的负荷分散,因而能够抑制在阻挡壁的对应部位及其显示区域侧产生异物。

附图说明

图1是示出第一实施方式涉及的有机el显示装置的概略构成的俯视图。

图2是由图1的ii包围的显示区域的一部分的俯视图。

图3是示出第一实施方式涉及的构成有机el显示装置的tft层的一部分的等效电路图。

图4为图2的显示区域沿iv－iv线处的剖视图。

图5是示出构成本发明的第一实施方式涉及的有机el显示装置的有机el层的层叠结构的剖视图。

图6是图1中的vi-vi线处的显示面板的边框区域的剖视图。

图7是示出用于第一实施方式的有机el显示装置的制造的成膜用掩模的概略构成的俯视图。

图8是本发明的第一实施方式涉及的有机el显示装置的制造方法的示意流程图。

图9是示出第一实施方式所涉及的有机el显示装置的制造中所使用的母基板的概略构成的俯视图。

图10是示出第一实施方式的有机el显示装置的制造方法中的有机el层形成工序的情况的图。

图11是示出第一实施方式的有机el显示装置的制造方法中的有机el层形成工序中的母基板的一个面板构成区域及与其对应的成膜用掩模的部分的俯视图。

图12是图11的xii-xii线处的显示面板的边框区域的剖视图。

图13是表示第一实施方式的变形例所涉及的有机el显示装置的制造过程中的母基板的一个面板构成区域的主要部分构成的俯视图。

图14是示出构成第二实施方式的有机el显示装置的显示面板的概略结构的俯视图。

图15是示出构成第二实施方式的变形例的有机el显示装置的显示面板的概略结构的俯视图。

图16是与构成第三实施方式涉及的有机el显示装置的显示面板的相当于图6的图。

具体实施方式

以下，将基于附图详细说明例示的实施方式。此外,以下的实施方式中,在某个膜或层等结构要素之上设置或形成有其他膜或层等结构要素的记载,不仅意味着在某个结构要素的正上方存在其他结构要素的情况,也包括在这两个结构要素之间存在除此之外的膜或层等结构要素的情况。

《第一实施方式》

<有机el显示装置的构成>

图1是示出构成该第一实施方式的有机el显示装置1的显示面板2的概略构成的俯视图。图2是示出由图1的ii包围的显示区域d的一部分的俯视图。图3是构成有机el显示装置1的tft层8的一部分的等效电路图。图4是图2的显示区域d的iv－iv线处的剖视图。图5是构成有机el显示装置1的有机el层30的层叠结构的剖视图。

如图1所示,有机el显示装置1具备在俯视时具有与矩形不同的异形形状的外形的显示面板2。该显示面板2为四角具有圆角并成为弯曲形状(r形状)的圆角部2a,且具有在一边的中间部分具有凹形状的凹陷部2b。以下,在本说明书中,有时将矩形以外的形状称为“异形”。该显示面板2具备进行图像显示的显示区域d和位于显示区域d的周围的边框区域f。而且,在边框区域f设置有用于与外部电路连接的端子部t。尽管未图示，端子部t连接有fpc(flexibleprintedcircuit)等的配线基板。

显示区域d设置成仿照显示面板2的外形那样的异形形状,具有四角的圆角部da和设置在一边的凹陷部db。这些圆角部da及凹陷部db是显示区域d的外周形状与矩形不同的形状的异形部的一例。凹陷部db构成例如收纳摄像头等搭载部件的部位。边框区域f沿着显示区域d的外周形状设置为具有多条边的框状。端子部t设置于边框区域f的构成与凹陷部db相对的一边的部分。

在边框区域f中,在构成与设置有端子部t的边相邻的边(图1的左右的各边)的部分,虽未图示,但设置有用于与栅极驱动器等控制电路、有机el元件9(第二电极31)取得导通的导电部、配线。此外，在边框区域f中的显示区域d和端子部t之间设置有多条引绕配线15f。这些多条引绕配线15f中包含低压电源配线。在端子部t上,以规定的图案排列有用于与这些引绕配线15f取得导通的配线端子(15t)。

显示装置2采用有源矩阵驱动方式。如图2所示,显示区域d由多个像素5构成。这些多个像素5被配置为矩阵状。每个像素5构成为例如包括三色的子像素6，三色的子像素6由用于显示红色的子像素6r，用于显示绿色的子像素6g和用于显示蓝色的子像素6b组成。这三种颜色的子像素6r，6g，6b例如以并排的方式排列，并以条状彼此相邻。

如图4所示，显示装置2包括：树脂基板层7、设置在树脂基板层7上的tft(thinfilmtransistor)层8、设置在tft层8上并作为发光元件的有机el元件9以及覆盖有机el元件9的密封膜10。

-树脂基板层-

树脂基板层7由例如聚酰亚胺树脂等形成，具有可挠性。该树脂基板层7是基底基板的一例。

-tft层-

tft层8包括：设置在树脂基板层7上的底涂膜11；设置在底涂膜11上的多个第一tft12、多个第二tft13和多个电容14以及各种显示用配线15；以及平坦化膜16，覆盖在这些第一tft12、第二tft13、电容14以及显示用配线15上。

底涂膜11例如由无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成,该无机绝缘膜由氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氧氮化硅(sioxny；x>y)、氮氧化硅(sinxoy；x>y)(x,y为正数,以下相同)等构成。每个子像素6设置有第一tft12、第二tft13以及电容14。

如图2及图3所示,作为显示用配线15,设置有传输栅极信号的多条栅极配线15g、传输源极信号的多条源极配线15s以及用于向有机el元件9供给电流的多条高压电源配线15hp。多条栅极配线15g在沿着设置有端子部t的边的方向上相互平行地延伸。多条源极配线15s在与栅极配线15g交叉的方向上相互平行地延伸。多条高压电源配线15hp沿着源极配线15s相互平行地延伸。

此外，栅极配线15g、源极配线15s以及高压电源线15hp彼此绝缘，并且作为整体形成格子状以划分各子像素6。各栅极配线15g与边框区域f中的栅极驱动器连接，由栅极驱动器依次驱动(施加信号)。各源极配线15s及高压电源线15hp作为引绕配线15f将边框区域f从显示区域d引出到端子部t。各高压电源配线15hp经由设置在端子部t的配线端子15t与高压电源(elvdd)电连接。

第一tft12和第二tft13是活动元件的一例，例如采用顶栅结构。具体地，如图4所示，第一tft12和第二tft13包括：呈岛状设置在底涂膜11上的半导体层17、覆盖半导体层17地设置的栅极绝缘膜18以及隔着栅极绝缘膜18与半导体层17的一部分(沟道区域)重叠的栅极19、覆盖栅极19地设置的层间绝缘膜20、以及设置在层间绝缘膜20上的源极21和漏极22。

栅极19由与多个栅极配线15g相同的材料形成在同一层。层间绝缘膜20由第一层间绝缘膜23和第二层间绝缘膜24的层叠膜构成。这些第一层间绝缘膜23以及第二层间绝缘膜24和绝缘膜18，分别由例如氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氧氮化硅(sioxny；x>y)、氮氧化硅(sinxoy；x>y)等形成的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜分别构成。

源极21和漏极22彼此分离，且经由形成在栅极绝缘膜18以及层间绝缘膜20上的接触孔25，在夹着半导体层17的与栅极电极19重叠的区域(沟道区域)的位置与不同的部分(源极区域、漏极区域)分别连接。源极21由与多条源极配线15s相同的材料形成在同一层。

在第一tft12中，栅极19与相应的栅极配线15g一体设置，源极21与相应的源配线15s一体设置，漏极22与第二tft13的栅极19和电容14电连接。在第二tft13中，源极21与高压电源配线15hp电连接，漏极22与有机el元件9(第一电极29)电连接。

电容14连接到对应的第一tft12和高压电源线15hp。该电容14包括设置在栅极绝缘膜18上的下部导电层26、覆盖下部导电层26的第一层间绝缘膜23、隔着第一层间绝缘膜23重叠在下部导电层26上的上部导电层27。下部导电层26由与栅极19相同的材料形成在同一层。上导电层27经由形成在第二层间绝缘膜24上的接触孔28与高压电源线15hp连接。

平坦化膜16在显示区域d中覆盖除第二tft12的漏极22的一部分以外的部分，从而使tft层8的表面平坦化，使得tft层8的表面不反映源配线15s、高压电源线15hp、第一tft12和第二tft13的表面形状。该平坦化膜16例如由感光性聚酰亚胺树脂等有机材料形成。

-有机el元件-

有机el元件9设置在平坦化膜16上，构成显示区域d。该有机el元件9是发光元件的一例，采用顶发光型的结构。具体地，有机el元件9包括设置在平坦化膜16的表面上的多个第一电极29、设置在各第一电极29上的作为功能层的有机el层30以及隔着有机el层30与第一电极29重叠的第二电极31。

第一电极29设置在各子像素6并呈矩阵状配置，并经由形成在平坦化膜16中的接触孔32连接到对应的子像素6中的第二tft13的漏极22上。这些第一电极29是像素电极的一例。优选地，第一电极29具有向有机el层30注入空穴(孔)的功能，由功函数的大材料形成以提高对有机el层30的空穴注入效率。

在此，作为第一电极29的材料可以例举例如：银(ag)、铝(al)、钒(v)、钴(co)、镍(ni)、钨(w)、金(au)、钙(ca)、钛(ti)、钇(y)、钠(na)、钌(ru)、锰(mn)、铟(in)、镁(mg)、锂(li)、镱(yb)等金属材料。

此外，第一电极29的材料例如也可以为镁(mg)与铜(cu)的合金、镁(mg)与银(ag)的合金、钠(na)与钾(k)的合金、砹(at)与氧化砹(ato2)的合金、锂(li)与铝(al)的合金、锂(li)与钙(ca)与铝(al)的合金等。

此外，第一电极29的材料例如也可以为氧化锡(sno)、氧化锌(zno)、铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)那样的导电性氧化物等。此外，第一电极29也可以通过层叠多个由上述材料构成的层来形成。另外，作为功函数大的材料，例如可例举铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)等。

相邻的子像素6的第一电极29彼此由设置在第二平坦化膜16上的边缘罩33划分。边缘罩33形成为格子状并且覆盖各第一电极29的周端部。此处，作为边缘罩33的材料可以例举例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机材料，以及聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂、酚醛清漆树脂等有机材料。

在边缘罩33的中央部分,一体地设有凸状的感光间隔物42。在有机el显示装置1的制造过程中,该感光间隔物42起到对作为蒸镀膜等成膜时使用的成膜用掩模的卡止作用。使用灰色调掩模、半色调掩模使边缘罩33中与该感光间隔物33a对应的部分比其他部分厚,由此形成感光间隔物42。

有机el层30设置在每个子像素6上。如图5所示，该有机el层30具有空穴注入层34、空穴传输层35、发光层36、电子传输层37和电子注入层38依次层叠在第一电极29上的结构。这些空穴注入层34、空穴传输层35、发光层36、电子传输层37和电子注入层38通过使用成膜用掩膜70形成的薄膜图案，并通过例如真空蒸镀法形成的蒸镀膜。

空穴注入层34也称为阳极缓冲层，其使第一电极29与有机el层30之间的能级接近，具有改善空穴从第一电极29被注入到有机el层30的效率的功能。作为空穴注入层34的材料，例如可例举三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物等。

电子输送层35具有使电子高效地迁移至发光层36的功能。在此，作为空穴传输层35的材料，例如可例举聚苯胺衍生物、芳族叔胺化合物、苯乙胺衍生物、聚乙烯咔唑、聚-p-苯乙炔、聚硅烷、三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳胺衍生物、胺取代的查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物、氢化非晶硅、氢化非晶碳化硅、硫化锌、硒化锌等。

当通过第一电极29和第二电极31施加电压时，发光层36具有使从第一电极29注入的空穴和从第二电极31注入的电子重组来发光的功能。在各个子像素6中，发光层36由根据有机el器件9的发光颜色(例如，红色、绿色或蓝色)而不同的材料形成。

作为发光层36的材料例如可列举金属羟基喹啉化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯乙烯衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并恶唑衍生物、恶二唑衍生物、恶唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯胺衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物、芘酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、罗丹明衍生物、吖啶衍生物、吩恶嗪酮、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对苯撑乙烯、聚硅烷等。

电子输送层37具有使电子高效地迁移至发光层36的功能。作为电子传输层37的材料，例如可例举噁二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、二苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物、金属羟基喹啉化合物等有机化合物。

电子注入层38也称为阴极缓冲层，其使第二电极31与有机el层30之间的能级接近，具有改善从第二电极31向有机el层30注入空穴的效率的功能。作为电子注入层38的材料，例如可举出氟化锂(lif)、氟化镁(mgf2)、氟化钙(caf2)、氟化锶(srf2)、氟化钡(baf2)那样的无机碱化合物、氧化铝(al2o3)、氧化锶(sro)等。

如图4所示，第二电极31共通设置在多个第一电极29上(即，在多个子像素6上共通)，并覆盖有机el层30。该第二电极31与低压电源配线电连接，并通过设置在端子部t的配线端子15t经由该低压电源配线15t与低电压电源(elvss)导通。第二电极31具有将电子注入到有机el层30中的功能，并且优选地由具有功函数小的材料形成，以便提高将电子到有机el层30中的注入效率。

作为第二电极31的材料，例如可例举银(ag)、铝(al)、钒(v)、钴(co)、镍(ni)、钨(w)、金(au)、钙(ca)、钛(ti)、钇(y)、钠(na)、钌(ru)、锰(mn)、铟(in)、镁(mg)、锂(li)、镱(yb)等。

此外，第一电极31的材料例如也可以为镁(mg)与铜(cu)的合金、镁(mg)与银(ag)的合金、钠(na)与钾(k)的合金、砹(at)与氧化砹(ato2)的合金、锂(li)与铝(al)的合金、锂(li)与钙(ca)与铝(al)的合金等。

此外，第二电极31例如也可以由氧化锡(sno)、氧化锌(zno)、铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)等导电性氧化物形成。此外，第一电极31也可以通过层叠多个由上述材料构成的层来形成。另外，作为功函数小的材料，例如可例举镁(mg)、锂(li)、氟化锂(lif)、镁(mg)与铜(cu)的合金、镁(mg)和银(ag)的合金、钠(na)与钾(k)的合金、锂(li)与钙(ca)与铝(al)的合金、氟化锂(lif)与钙(ca)与铝(al)的合金等。

-密封膜-

密封膜10具有保护有机el层9免受水分、氧的功能。如图4所示，该密封膜10包括覆盖第二电极9的第一无机层39、设置在第一无机层39上的有机层40和覆盖有机层40的第二无机层41。

第一无机膜39以及第二无机层41由例如氧化硅(sio2)、氧化铝(al2o3)、如四氮化三硅(si3n4)那样的氮化硅(sinx(x为正数))、碳氮化硅(sicn)等的无机材料构成。有机膜40由例如丙烯酸树脂、环氧树脂、硅树脂、聚脲树脂、聚对二甲苯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等的有机材料构成。

第一无机层39、有机层40和第二无机层41设置在整个显示区域d上，且也设置在边框区域f上。这些第一无机层39、有机层40以及第二无机层41的各周端部均位于边框区域f中。第一无机层39以及第二无机层41的各周端部位于边框区域f的外侧部分,有机层40的周端部位于比这些第一无机层39和第二无机层41的两周端缘更靠显示区域d侧的位置。

-边框区域的结构-

在边框区域f中,如图6所示那样,在平坦化膜16上设置有感光间隔物42的基础上,在有机el显示装置1的制造过程中,还设置有用于阻挡形成有机层40的有机材料涂布时向边框区域f的外侧扩散的阻挡结构44。阻挡结构44具备以包围显示区域d的方式设置的第一阻挡壁45以及第二阻挡壁46。第一阻挡壁45和第二阻挡壁46在平坦化膜16的外周遍及全周地形成为仿照显示区域d的外周形状的框状,相互形成为相似形,在边框区域f的宽度方向上相互隔开间隔配置。

第一阻挡壁45设置在显示区域d侧,配置在第二阻挡壁46的内侧。该第一阻挡壁45仅由在层间绝缘膜20上与平坦化膜16同一层由同一材料形成的一层构成。该第一阻挡壁45与构成密封膜10的有机层40的周端部重叠,限制有机层40的形成区域。有机层40全部设置在第一阻挡壁45的内侧。

另一方面,第二阻挡壁46配置在第一阻挡壁45的外侧,并以包围第一阻挡壁45的方式设置。第二阻挡壁46具有在层间绝缘膜20上依次层叠第一壁层47和第二壁层48而成的结构。第一壁层47与平坦化膜16在同一层由同一材料形成,成为与第一阻挡壁45的高度h1相同的高度h1。第二壁层48与边缘罩33在同一层由同一材料形成,且设为与感光间隔物42的高度h0相同的高度。如此,由于第二阻挡壁46由第一壁层47和第二壁层48这两层来构成,因此第二阻挡壁46的高度h2比仅由相当于第一壁层47的一层来构成的第一阻挡壁45的高度h1高,被设为与感光间隔物42的高度h0相同的程度。在此,光间隔物42的高度h0、第一阻挡壁45的高度h1、第二阻挡壁46的高度h2,是指其分别从层间绝缘膜20的表面到位于与层间绝缘膜20相反侧的表面的距离。

这些第一阻挡壁45和第二阻挡壁46处于与各种引绕配线15f交叉等而部分地重合的位置关系。具体而言,例如与显示区域d内的源极配线15s电连接的引绕配线15f,在边框区域f中构成设置有端子部t的一边的部分与第一阻挡壁45及第二阻挡壁46交叉。此外,未图示的低压电源配线也与第一阻挡壁45和第二阻挡壁46中的至少一方的阻挡壁局部重叠。

而且,在边框区域f以包围阻挡结构44的方式设置有凸部50。该凸部50与第一阻挡壁45及第二阻挡壁46同样地形成为仿照显示区域d的外周形状的框状,形成为与这些第一阻挡壁45及第二阻挡壁46相似的形状,在第二阻挡壁46的外侧隔开间隔地配置。该凸部50遍及边框区域f的整周而设置。

这样的凸部50的形成位置还包括隔着第一阻挡壁45和第二阻挡壁46与显示区域d的各圆角部da和凹陷部db相对的位置。在凸部50中与显示区域d的各圆角部da相对的位置形成的部分形成为沿着对应的该圆角部da的外缘的形状。此外,凸部50中的形成在显示区域d的与凹陷部db对置的位置的部分形成为沿着该凹陷部db的外缘的形状。

凸部50具有在层间绝缘膜20上依次层叠有第一凸层51和第二凸层52的结构。第一凸层51使用灰色调掩模在与平坦化膜16同一层中用同一材料形成,比平坦化膜16、第一阻挡壁45及第二阻挡壁46的第一壁层47厚。第二凸层52由与边缘罩33相同的材料形成在同一层。这样,通过将第一凸部51形成得相对较厚,凸部50的高度h3高于感光间隔物42的高度h0、第一阻挡壁45的高度h1以及第二阻挡壁46的高度h2。在此,凸部50的高度h3是指与感光间隔物42的高度h0、第一阻挡壁45的高度h1以及第二阻挡壁46的高度h2相同且从层间绝缘膜20的表面到位于与层间绝缘膜20相反侧的表面的距离。该凸部50在有机el显示装置1的制造过程中,起到作为与形成蒸镀膜时使用的成膜用掩模70优先接触的间隔件的作用。

有机层40被第一阻挡壁45阻挡而不设置在第一阻挡壁45的外侧。这样的有机层40覆盖包含有机el元件9的各种元件、栅极驱动器等控制电路,在这些各种元件、电路的形成部位存在异物的情况下,覆盖该异物以作为防止在密封膜10产生缺陷的缓冲层发挥功能。第一无机层39和第二无机层41分别覆盖第一阻挡壁45、第二阻挡壁46和凸部50。这些第一无机层39和第二无机层41的周端部彼此之间在第一阻挡壁45的外侧相互连接。有机层40被第一无机层39和第二无机层41包裹，并且被封入在两无机层39、41之间。

上述有机el显示装置1是以如下方式构成，即，在各子像素6中，将栅极信号经由栅极配线15g输入至第一tft12使第一tft12成为接通状态，并将对应于源极信号的规定的电压经由源极配线15s写入至第二tft13的栅极19及电容14，来自基于第二tft13的栅极电压对应的高压电源配线15hp的电流被供给至有机el元件9，由此，有机el层30(发光层36)发光，从而进行图像显示。另外，在有机el显示装置1中，即使第一tft12成为截止状态，由于第二tft13的栅极电压通过电容14被保持，因此，有机el层30的发光也被每个子像素6维持，直到输入下一帧的栅极信号。

这样的有机el显示装置1,利用所谓的多倒角的方法来制造，具体方法如下:使用母基板60，该母基板60内置有构成显示面板2的树脂基板层11的面板构成区域61,对该母基板60，在各面板构成区域61分别制作tft层8、有机el元件9和密封膜10后,将母基板60分割为显示面板单位,从而得到多块构成该显示装置1的显示面板2。在有机el显示装置1的制造过程中,为了形成有机el层30,使用成膜用掩模70进行真空蒸镀。以下,对成膜用掩模70和使用其的有机el显示装置1的制造方法进行说明。

<成膜用掩膜的构成>

图7是示出成膜用掩模70的概略构成的俯视图。另外,在图7中,为了方便起见,省略多个掩模片72中配置于中间的一部分的掩模片72以及形成于掩模片72的多个贯通孔76的一部分。成膜用掩模70是能够以子像素单位进行图案化的被称为fmm(finemetalmask:高精度金属掩模)的掩模,用于对构成有机el层30的各层的蒸镀膜进行成膜。

如图7所示,该成膜用掩模70包括:矩形框状的掩模框架71；从构成掩模框架71的一侧的边的部分向构成其相对侧的边的部分架设的多个掩模片72；遮蔽相邻的掩模片72之间的多个盖片73；以及支承多个掩模片72的多个支承片74。在此,支撑片74为支撑部件的一例。

多个掩模片72分别形成为长条形状,在与其相对于掩模框架71的架设方向(图7中的左右方向)正交的方向(图7中的上下方向)上相互隔开间隙地配置。掩模片72是片状的掩模部件,在被施加了张力的状态下,其相对于掩模框架71,长度方向上的两端侧的部分通过使用激光照射的焊接等而被固定并拉伸。

在掩模片72上，多个贯通孔76对应蒸镀用图案开口部75于盖片73与支撑片74的格子之间形成的每个开口设置，蒸镀用图案开口部75形成在子像素单位中。多个贯通孔76是使蒸镀材料的粒子通过的孔,不遍布在蒸镀用图案开口部75内地设置。这样的蒸镀用图案开口部75的构成对于在将掩模片72在掩模框架71上拉伸的状态下容易获得蒸镀膜的形成位置的精度是有效的。

多个盖片73分别形成为直线状延伸的细板形,在与掩模片72相同的方向上架设于掩模框架71,在与相对于掩模框架71的架设方向正交的方向上相互隔开间隔地配置在与掩模片72的间隙对应的位置。盖片73的两端侧的部分通过嵌入到设于掩模框架71的未图示的凹部等被固定。相邻的盖片73彼此的间隔设定为与显示面板2的显示区域d的横向宽度w1相当的距离。

多个支撑片74分别形成为在直线上延伸的细板形,在与掩模片72正交的方向上架设于掩模框架71,在与相对于掩模框架71的架设方向正交的方向上相互隔开间隔地配置。支撑片74的两端侧的部分通过嵌入设置于掩模框架71的未图示的凹部等被固定。相邻的支撑片74彼此的间隔设定为与显示面板2的显示区域d的纵宽w2相当的距离。

在这些支撑片74上设有遮蔽部77,该遮蔽部77局部地遮蔽位于掩模片72的开口部75的多个贯通孔76。作为在遮蔽部77的对应部位局部地省略母基板60相对于面板构成区域61的蒸镀区域的形状，遮蔽部77是用于形成显示面板2的显示区域d的圆角部da、凹陷部db之类的异形部的掩模构成要素,与支撑片74形成为一体。

在多个支撑片74中两端以外的支撑片74,在该支撑片74的宽度方向的一侧的侧部(图7所示的例子中为左侧部分),在长度方向隔开间隔地设有多个第一遮蔽部78,该第一遮蔽部78以描画显示区域d中的端子部t侧的圆角部da的外缘那样的外形突出。此外,在该支撑片74的宽度方向的另一侧的侧部(图7所示的例子中右侧部分),以描画显示区域d的凹陷部db两侧的圆角部da的外缘那样的外形突出的第一遮蔽部78、以描画显示区域d的凹陷部db的外缘那样的外形突出的第二遮蔽部79在长度方向上隔开间隔地交替配置分别设有多个。

在多个支撑片74中的位于一端的支撑片74中,仅在该支撑片74的宽度方向上的面向掩模框架71的开口内侧的一侧的侧部,在长度方向隔开间隔地设有多个第一遮蔽部78,该第一遮蔽部78以描画显示区域d的端子部t侧的圆角部da的外缘那样的外形突出。此外,在位于另一端的支撑片74上,仅在该支撑片74的宽度方向上的面向掩模框架71的开口内侧的侧部,以描画显示区域d的凹陷部db两侧的圆角部da的外缘那样的外形突出的第一遮蔽部78、以描画显示区域d的凹陷部db的外缘那样的外形突出的第二遮蔽部79在长度方向上隔开间隔地交替配置分别设有多个。

上述的多个盖片73、多个支撑片74以及掩模片72从设置于真空蒸镀装置80时的蒸镀源85侧起依次固定于掩模框架71。为了抑制成膜处理时产生挠曲、形变,掩模框架71、掩模片72、盖片73和支撑片74均由热膨胀率低的金属材料形成。作为这样的金属材料,可以列举殷瓦钢、不锈钢、镍(ni)、钴(co)、镍(ni)和钴(co)的合金等,其中优选殷瓦钢。

<有机el显示装置的制造方法>

图8是有机el显示装置1的制造方法的概略流程图。图9是在有机el显示装置1的制造中使用的母基板60的俯视图。图10是示出有机el显示装置1的制造方法中有机el层形成工序s23的情况的图。图11是表示有机el层形成工序s23中的母基板60中的一个面板构成区域61和与其对应的成膜用掩模70的部分的俯视图。图12是图10的xii-xii线处显示面板2的边框区域f的剖视图。

如图8所示,有机el显示装置1的制造方法包括tft层形成工序s01、有机el元件形成工序s02、密封膜形成工序s03、柔性化工序s04、分割工序s05、安装工序s6。

该有机el显示装置1的制造中采用多倒角方法,使用图9所示的母基板60实施所述各工序。母基板60是成为树脂基板层7的基板,其内置有多个构成显示面板2的面板构成区域61。多个面板构成区域61例如配置为矩阵状。各个面板构成区域61包括构成显示区域d的部分61d、构成包含端子部t的边框区域f的部分61f。这样的母基板60在形成于玻璃基板上的状态下用于有机el显示装置1的制造。在有机el显示装置1的制造中,如图9中作为构成显示区域d的部分61d所示,显示区域d设置为外周形状与矩形不同的、具有四角的圆角部da及凹陷部db的异形形状。

-tft层形成工序-

tft层形成工序s01包括底涂膜形成工序s11、半导体层形成工序s12、栅极绝缘膜形成工序s13、栅极电极形成工序s14、层间绝缘膜形成工序s15、源极漏极形成工序s16和平坦化膜形成工序s17。

在底涂膜形成工序s01中,利用例如等离子体cvd(chemicalvapordeposition:化学气相沉积)法,在形成于玻璃基板上的母基板60的表面成膜氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氧氮化硅(sioxny；x>y)、氮氧化硅(sinxoy；x>y)等无机绝缘膜,形成底涂膜11。

接下来进行的半导体层形成工序s12中,在形成有底涂膜11的母基板60上,通过例如cvd法形成半导体膜,对该半导体膜根据需要实施结晶化处理和低电阻化处理,之后,通过光刻(抗蚀剂涂布、预烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理、蚀刻处理和抗蚀剂剥离处理)对该半导体膜进行图案化,形成半导体层17。

接下来进行的栅极绝缘膜形成工序s13中,在形成有半导体层17的母基板60上,以单层或者层叠的方式成膜氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氧氮化硅(sioxny；x>y)、氮氧化硅(sinxoy；x>y)等无机绝缘膜,形成栅极绝缘膜18。

在接下来进行的栅极形成工序s14中,在形成有栅极绝缘膜18的母基板60上,例如通过溅射法依次使钛膜、铝膜以及钛膜成膜以形成层叠导电膜之后,通过光刻对该层叠导电膜进行图案化,形成栅极19。此时,从形成栅极19的层叠导电膜开始还一并形成栅极配线15g及各种引绕配线15f等。

接下来进行的层间绝缘膜形成工序s15中,在形成有栅极19的母基板60上,通过例如cvd法,形成氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氧氮化硅(sioxny；x>y)、氮氧化硅(sinxoy；x>y)等的无机绝缘膜,形成第一层间绝缘膜23。

接着,例如通过溅射法在第一层间绝缘膜24上依次使钛膜、铝膜以及钛膜成膜以形成层叠导电膜之后,通过光刻对该层叠导电膜进行图案化,以形成电容14的上部导电层27。

然后,在形成有上部导电层27的第一层间绝缘膜23上,通过例如cvd法成膜氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氧氮化硅(sioxny；x>y)、氮氧化硅(sinxoy；x>y)等的无机绝缘膜以形成第二层间绝缘膜24。

以此方式,形成层叠有第一层间绝缘膜23及第二层间绝缘膜24的层间绝缘膜20。然后,通过光刻法将该层间绝缘膜20图案化以形成接触孔25。此时,接触孔25也形成于栅极绝缘膜18。

在接下来进行的源极漏极形成工序s16中,在形成有层间绝缘膜20的母基板60上,例如通过溅射法依次成膜钛膜、铝膜和钛膜以形成层叠导电膜之后,通过光刻对该层叠导电膜进行图案化,形成源极21和漏极22。此时,从形成源极21和漏极22的层叠导电膜开始还一并形成源极配线15s和高压电源配线15hp等。

在接下来进行的平坦化膜形成工序s17中,在形成有源极21和漏极22的母基板60上,通过例如旋涂法等公知的涂布法涂布感光性聚酰亚胺树脂等感光性树脂材料。然后,对该感光性树脂材料的涂布膜进行预烘烤处理、曝光处理、显影处理以及后烘烤处理,将该涂布膜图案化以形成平坦化膜16。此时,从形成平坦化膜16的涂布膜开始一并形成第一阻挡壁45、第二阻挡壁46的第一壁层47和凸部50的第一凸层51。在此时的涂布膜的图案化中,在曝光处理时使用灰色调掩模,以在该涂布膜中的凸部的第一凸层51的形成区域与平坦化膜16、第一阻挡壁45及第二阻挡壁46的第一壁层47的形成区域间的曝光量不同的方式进行调整,使凸部50的第一凸层51形成为比平坦化膜16、第一阻挡壁45及第二阻挡壁46的第一壁层47更厚。另外,在此,也可以使用半色调掩模来代替灰色调掩模。

这样,在tft层形成工序s01中,在母基板80上形成tft层8。

-有机el元件形成工序-

有机el元件形成工序s02包括第一电极形成工序s21、边缘罩形成工序s22、有机el层形成工序s23以及第二电极形成工序s24。此外,有机el元件形成工序s02是发光元件形成工序的一例。

在第一电极形成工序s21中,在形成有tft层8的母基板60上,例如通过溅射法依次成膜铟锡氧化物(ito)膜、银合金膜以及铟锡氧化物(ito)膜,形成层叠导电膜。然后,通过光刻法将该层叠导电膜图案化,形成第一电极29。

在接下来进行的边缘罩形成工序s22中,在形成有第一电极29的母基板60上,通过例如旋涂法等公知的涂布法涂布感光性聚酰亚胺树脂等感光性树脂材料。然后,对该感光性树脂材料的涂布膜进行预烘烤处理、曝光处理、显影处理以及后烘烤处理,将该涂布膜图案化以形成边缘罩33。此时,从形成边缘罩33的涂布膜开始一并形成感光间隔物42、第二阻挡壁46的第二壁层48、凸部50的第二凸层52。在此时的涂布膜的图案化中,曝光处理下使用灰色调掩模,以使曝光量在该涂布膜的边缘罩33的形成区域中形成感光间隔物42的部分以及不形成感光间隔物42的部分不同的方式进行调整,从而在边缘罩33也形成感光间隔物42。另外,在此,也可以使用半色调掩模来代替灰色调掩模。

这样,在形成第二阻挡壁46的同时，对于显示区域d的各圆角部da和凹陷部db,以沿着这些各圆角部da以及凹陷部db的外缘的形状岛状地形成比第二阻挡壁46高的凸部50。该凸部50在边框区域f中的第二阻挡壁46的外侧隔着第一阻挡壁45和第二阻挡壁46分别形成在与各圆角部da和补缝部db对置的位置。该凸部50的形成位置是在使用成膜用掩模70进行有机el层30各层的成膜时与支撑片74的遮蔽部77相对的位置。

接下来进行的有机el层形成工序s23中,在形成有边缘罩33的母基板60上,使用上述fmm的成膜用掩模70,通过例如真空蒸镀法,依次成膜空穴注入层34、空穴传输层35、发光层36、电子传输层37及电子注入层38,在各个第一电极29上形成有机el层17。

具体而言,构成有机el层30的各层使用图10所示的真空蒸镀装置80成膜。真空蒸镀装置80包括成膜腔81、设置于成膜腔81的内部的基板支架82、上述构成的成膜用掩模70、磁力部84以及蒸镀源85。

成膜腔81具有与未图示的真空泵连接的排气口86,通过未图示的泵等压力调整机构的工作,经由排气口86对内部进行抽真空,能够通过设置于排气口86的闸阀87将内部空间维持在减压状态。

基板支架82配置在成膜室81的上侧。该基板支架82将形成有边缘罩33的带玻璃基板的母基板60作为被处理基板,并以使该母基板60的被成膜面(形成有边缘罩33的面)面向下方的姿势通过静电卡盘等保持。

成膜用掩模70在被基板支架82保持的母基板60的下方,以与母基板60的被成膜面相对的方式配置,设置为掩模片82面对母基板60的姿势。磁力部84由电磁铁等产生磁力的部件构成,配置成隔着保持在基板支架82上的母基板60与成膜用掩模70相对。

该磁力部84通过磁力的作用将成膜用掩模70的掩模片72吸引,防止掩模片72的翘曲,并且使掩模片72接近保持于基板支架82的母基板60的被成膜面并成为隔开一定距离的位置关系,或者成为相互接触的位置关系。这有助于提高掩模片72与母基板60的被成膜面的距离的均匀性或密合性,有助于降低蒸镀时导致膜模糊或图案的不均匀，即所谓的阴影现象。

蒸镀源85设置在成膜腔室81的下侧。该蒸镀源85构成将蒸镀材料收纳于内部的容器,具有面向上方的多个放出口86。然后,蒸镀源85内置有加热器,利用加热器的加热使收容的蒸镀材料气化(蒸发或升华),将气化的蒸镀材料从各放出口86向上方放出。

在上述构成的真空蒸镀装置80中,在基板支架82保持母基板60的状态下,成膜腔81的内部被抽真空,并且成膜用掩模70的掩模片72通过磁力部84的作用成为与母基板60相对的规定的位置关系,从蒸镀源85向母基板60放出蒸镀材料,由此,通过成膜用掩模70中的各掩模板72的蒸镀用图案开口部75上具有的多个贯通孔76的蒸镀材料蒸镀于母基板60的被成膜面,在母基板60的各面板构成区域61的表面上与成膜用掩模70的各贯通孔76对应的地方成膜构成有机el层30的任一层(蒸镀膜)。

如此使用真空蒸镀装置80成膜有机el层30的各层时,如图11所示,构成成膜用掩模70的支撑片74的遮蔽部77与构成母基板60的各面板构成区域61的边框区域f的部分相对地配置。在该状态下,由于支撑片74通过磁力被吸引向母基板60侧,因而在遮蔽部77处以强力地将掩模片72压向母基板60的方式使其位移。在以往的有机el显示装置的制造中,由于这样位移的掩模片与阻挡壁接触,因而阻挡壁因与掩模片的接触而磨损,会有在阻挡壁的对应部位及其周边产生异物的担忧。然而,如图12所示,在该第一实施方式所涉及的有机el显示装置1的制造中,由于掩模片72优先与设于第二阻挡壁46的外周的凸部50接触,因此防止第一阻挡壁45和第二阻挡壁46与该遮蔽部77接触。由此,能够抑制在第一阻挡壁45和第二阻挡壁46的对应部位及其显示区域d侧产生异物。

接下来进行的第二电极形成工序s24中,在形成有有机el层30的母基板60上,使用能够以显示面板单位进行图案化的被称为cmm(commonmetalmask:通用金属氧化物半导体)的成膜用掩模,通过例如真空蒸镀法使银合金膜成膜,从而形成第二电极31。

这样,在有机el元件形成工序s02中,在tft层8上形成有机el元件9。

-密封膜形成工序-

在密封膜形成工序s03中,在形成有有机el元件9的母基板60上使用cmm的成膜用掩模,通过例如cvd法以单层或层叠的方式成膜氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氧氮化硅(sioxny；x>y)、氮氧化硅(sinxoy；x>y)等无机绝缘膜,从而形成第一无机层39。

接着,在形成有第一无机层39的母基板60上,例如通过喷墨法涂布丙烯酸树脂等有机材料形成有机层40。此时,所涂布的有机材料向边框区域f的外侧的扩散被第一阻挡壁45阻挡,在第一阻挡壁45的内侧形成有机层40。

然后,在形成有有机层40的母基板60上使用cmm的成膜用掩模,通过例如cvd法以单层或层叠的方式成膜氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氧氮化硅(sioxny；x>y)、氮氧化硅(sinxoy；x>y)等的无机绝缘膜,形成第二无机层41。

这样,在密封膜形成工序s03中,形成层叠有第一无机层39、有机层40以及第二无机层41的密封膜10。

-柔性化工序-

在柔性化工序s03中,在形成有密封膜10的母基板60的表面粘贴保护片(未图示)后,通过从玻璃基板侧向该母基板60的下表面照射激光,从母基板的下表面剥离玻璃基板,进而在剥离了玻璃基板的母基板60的下表面粘贴保护片(未图示)。

-分割工序-

在分割工序s04中,通过激光的照射将剥离了玻璃基板的母基板60分割成显示面板单位。此时,分割母基板60时的分割线dl是各个面板构成区域61与其外侧区域的边界,是相当于各面板构成区域61的外缘的部位(参照图9)。通过这样分割母基板60,得到多个显示面板2。

-安装工序-

在安装工序s05中,对将母基板60分割得到的显示面板2进行向端子部t的fpc的连接等。

如上所述，能够制造有机el显示装置1。

根据该第一实施方式的有机el显示装置1,在边框区域f中第二阻挡壁46的外侧将显示区域d的与各圆角部da及凹陷部db相对的凸部50设置得比第一阻挡壁45及第二阻挡壁46高,因而在该有机el显示装置1的制造中,即使使用设置有遮蔽部77的成膜用掩模70,遮蔽部77用于在显示区域中形成各圆角部da以及凹陷部db，在该成膜用掩模70的设置有遮蔽部77的区域中,掩模片72比第二阻挡壁46优先地与凸部50接触。由此,能够防止成膜用掩模50的掩模片72与第一阻挡壁45以及第二阻挡壁46接触,因此能够抑制在这两个阻挡壁45、46的对应部位及其显示区域d侧产生异物。其结果,能够防止由从第一阻挡壁45及第二阻挡壁46产生的异物引起有机el显示装置1的显示品质下降。

《第一实施方式的变形例》

图1是表示第一实施方式的变形例所涉及的有机el显示装置的制造过程中的母基板601的一个面板构61成区域的主要部分构成的俯视图。

在上述第一实施方式涉及的有机el显示装置1的制造方法中,在母基板60的各面板构成区域61的内侧，即分割线dl的内侧形成凸部50,在该变形例的有机el显示装置1的制造方法中,如图13所示,在母基板60中各面板构成区域61的外侧，即分割线dl的外侧形成该凸部50。

凸部50在母基板60的各面板构成区域61的外周遍及整周地设置为框状。母基板60的各面板构成区域61的外周是在分割工序s04中成为端材的部分,完全不设有引绕配线15f等与显示面板2相关的构成要素。在利用这种制造方法制造的有机el显示装置1中,由于凸部50在分割工序s04中与显示面板2分离,因而不残留在产品上。

然而,当制造有机el显示装置1时的有机el层形成工序s23中成膜用掩模70的掩模片72与第一阻挡壁45、第二阻挡壁46接触时,与该掩模片72接触的阻挡壁有可能受损。这种情况下,由于第一阻挡壁45以及第二阻挡壁46与引绕配线15f交叉,因此,会有水分等会从这些阻挡壁45、46的损伤部分顺着引绕配线15f渗入显示区域d的担忧。具体而言,当在引绕配线15f的侧端部形成有悬伸形状等时,形成于引绕配线15f上的密封膜10的第一无机层39无法完全覆盖引绕配线1f的侧端部,会有在该侧端部产生小的空隙的担忧。若从阻挡壁45、46的损伤部分渗入其内部的水分到达该阻挡壁45、46与引绕配线15f的交叉部分,则可经由在引绕配线15f侧端部产生的空隙渗入显示区域。

根据该变形例的有机el显示装置1的制造方法,可以得到与所述第一实施方式相同的效果的基础上,由于在母基板60中未形成有引绕配线15f等的分割线dl的外侧形成凸部50,即使在有机el层形成工序s23中凸部50在成膜用掩模70的掩模片72与设有遮蔽部77的区域接触时损伤,由于该凸部50与引绕配线15f不交叉,因此,水分等也不会经由凸部50的损伤部分渗入显示区域d。

《第二实施方式》

图14示出构成该第二实施方式的有机el显示装置1的显示面板2的概略构成的俯视图。

在上述第一实施方式的有机el显示装置1中,凸部50在边框区域f中的第二阻挡壁46的外侧遍及整周地设为框状,但在该第二实施方式的有机el显示装置1中,如图14所示,凸部50在边框区域f中第二阻挡壁46的外侧且在与显示区域d的各圆角部da及凹陷部db相对的位置分别设置为岛状。这些多个凸部50相互分离,即使在边框区域f中也不与引绕配线15f交叉。

根据该第二实施方式的有机el显示装置1,能够得到与所述第一实施方式相同的效果的基础上,与所述第一实施方式的变形例相同,即使在有机el层形成工序s23中凸部50在成膜用掩模70的掩模片72与设置有遮蔽部77的区域接触时损伤,由于该凸部50不与引绕配线15f交叉,因此,也不会有水分等经由凸部50的损伤部分渗入显示区域d的担忧。

《第二实施方式的变形例》

图15是表示构成该变形例涉及的有机el显示装置1的显示面板2的概略构成的俯视图。

在上述第二实施方式涉及的有机el显示装置1中,凸部50在边框区域f中第二阻挡壁46的外侧且在与各圆角部da及凹陷部db相对的位置设置成相互分离的岛状,但多个凸部50中的相邻的凸部50也可以连续地设置。例如,如图15所示,凸部50可以分别在与显示区域d的端子部t侧的两个圆角部da相对的地方分离成岛状地设置,另一方面，也可以在与显示区域d的凹陷部db及位于其两侧的两个圆角部da这两者相对的地方连续设置。

《第三实施方式》

图16构成第三实施方式涉及的有机el显示装置的显示面板2的相当于图6的图。

在上述第一实施方式的有机el显示装置1中,通过层叠在平坦化膜16的同一层由同一材料形成的第一凸层51、在边缘罩33的同一层由同一材料形成的第二凸层52以形成凸部50,但在该第三实施方式的有机el显示装置1中,如图16所示,凸部50在这些第一凸层51以及第二凸层52的基础上,还具备设置于第一凸层51的下层的第三凸层53。

该第三凸层53与栅极19或源极21在同一层由同一材料形成。当在栅极19的同一层上用同一材料形成该第三凸层53时,在所述有机el显示装置1的制造方法中的栅极形成工序s14中,只要从形成栅极19的层叠导电膜开始与栅极配线15g等一并形成第三凸层53即可。此外,在源极21的同一层以同一材料形成该第三凸层53的情况下,在所述有机el显示装置1的制造方法中的源极漏极形成工序s16中,只要从形成源极21和漏极22的层叠导电膜开始与源极配线15s等一并形成第三凸层53即可。

根据该第三实施方式涉及的有机el显示装置1,由于凸部50形成为层叠有第一凸层51、第二凸层52及第三凸层53的结构,因此,随着第三凸层53的设置，凸部50的高度h3高于第一阻挡壁45及第二阻挡壁的高度h1、h2,在该有机el显示装置1的制造中,即使在有机el层形成工序s23中使用的成膜用掩模70的掩模片72在设置有遮蔽部77的区域被按压向母基板60侧并位移,也能够使该掩模片72与凸部50可靠地接触,能够适当地防止该遮蔽部77与第二阻挡壁46接触。

《其他实施方式》

在上述第一实施方式中,凸部50的高度h3高于第二阻挡壁46的高度h2,但并不限于此。凸部50的高度h3与第二阻挡壁46的高度可以相同。总之,凸部的高度h3只要为第二阻挡壁46的高度h2以上的高度即可。

盖片73和支撑片74由磁力被吸引向母基板60侧时,将掩模片72强力地压向母基板60侧,但这些盖片73和支撑片74被配置在比第二阻挡壁46更靠凸部50侧的一方,因此凸部50比第二阻挡壁46更先与掩模片72接触。在凸部50的高度h3与第二阻挡壁46的高度h2相同的情况下,第二阻挡壁46上也可以按压掩模片72,但此时掩模片72已经与凸部50接触,因此掩模片72的按压力被凸部50分散。因此,即使伴随着掩模片72的按压在母基板60与掩模片72的接触部分产生异物,也优先在凸部50一方产生。由此,在该情况中也能够抑制在第一阻挡壁45和第二阻挡壁46的对应部位及其显示区域d侧产生异物。

如上所述，作为本公开的技术的示例，对优选实施方式及其变形例进行了说明。但是，本发明的技术不限于此，也可以适用于适当地进行了变更、置换、附加、省略等的实施方式。此外，也可以将上述实施方式及变形例中说明的各构成要素组合为新的实施方式。此外，在附图和详细描述中记载的构成要素中，可以包括解决问题所不必要的构成要素。因此，不应立即通过在附图或详细说明中记载这些非必要的构成要素来认定这些非必要的构成要素是必需的。

例如,在上述第一实施方式中,第一阻挡壁45与平坦化膜16在同一层由同一材料形成,但本发明的应用范围不限于此。第一阻挡壁45既可以与边缘罩33在同一层由同一材料形成(即,也可以仅由相当于第二阻挡壁46的第二壁层48的一层来形成),也可以采用层叠有相同于第二阻挡壁46的第一壁层47和第二壁层48的结构。

此外,在所述第一实施方式中,凸部50由与平坦化膜16在同一层上由同一材料形成的第一凸层51、与边缘罩33在同一层上由同一材料形成的第二凸层52层叠而成,在所述第三实施方式中,凸部50在这些第一凸层51以及第二凸层52的基础上,还具备与栅极19或者源极21在同一层上由同一材料形成的第三凸层53,但本发明的技术的应用范围不限于此。例如,在感光间隔物42形成为独立于边缘罩33的层的情况下,凸部50也可以包括第四凸层，第四凸层在该感光间隔物42的同一层由同一材料形成。此外,第一阻挡壁45和第二阻挡壁46也可以具备在不比凸部50高的前提下与这样的第四凸层相当的层。总之,只要凸部50设置得比构成阻挡结构44的阻挡壁45、46高即可,这些凸部50以及阻挡壁45、46既可以是单层结构,也可以是层叠结构,可以采用各种结构。

此外，在上述第一实施方式中，尽管有机el层30分别设置在各子像素6上，但本发明的技术的应用范围不限于此。有机el层30可以共同设置在多个子像素6上。在这种情况下，所述有机el显示装置1可以具备滤色器等来进行各子像素6的色调显示。

此外，在上述第一实施方式中，尽管例示了使用树脂基板层7作为基板的有机el显示装置1，但是本发明的技术的适用范围不限于此。作为基板，也可以使用由玻璃、石英等无机材料、聚对苯二甲酸乙二酯等塑料、氧化铝等陶瓷构成的基板。此外，基板也可以是在铝、铁等金属基板的一个方面用硅胶、有机绝缘材料等涂覆的基板，或者通过阳极氧化等方法在金属基板的表面实施了绝缘化处理的基板等。

此外，在上述第一实施方式中，尽管第一tft12和第二tft13采用顶栅结构，但是本公开的技术的应用范围不限于此。第一tft12和第二tft13也可以采用底栅结构。

此外，在上述第一实施方式中，例示了将第一电极29设为阳极、将第二电极31设为阴极的有机el显示装置1，但是本发明的技术的适用范围不限于此。本发明的技术能够适用于例如使有机el层30的层叠结构反转，将第一电极29作为阴极、将第二电极31作为阳极的有机el显示装置1。

此外，在上述第一实施方式中，例示了具有空穴注入层34、空穴传输层35、发光层36、电子传输层37以及电子注入层38的五层层叠结构的有机el层30，但是本公开的技术的应用范围不限于此。有机el层30也可以采用例如空穴注入层兼空穴传输层、发光层以及电子传输层兼电子注入层的三层层叠结构。

此外，在上述第一至第三实施方式中，尽管例示了作为显示装置的有机el显示装置1，但是本发明的技术的适用范围不限于此。本发明的技术可适用于具有多个由电流驱动的发光元件的显示装置，例如，具有qled(quantum-dotlightemittingdiode)的显示装置，该qled是使用量子点含有层的发光元件。

工业上的实用性

如以上说明，本公开的技术对于具有异形形状的显示区域的显示装置是有用的。

附图标记说明

d…显示区域

da…显示区域的圆角部(异形部)

db…显示区域的凹口部(异形部)

f…边框区域

t…端子部

h0…感光间隔物的高度

h1…第一阻挡壁的高度

h2…第二阻挡壁的高度

h3…凸部的高度

1…有机el显示装置

2…显示面板

2a…显示面板的圆角部

2b…显示面板的凹陷部

5…像素

6…子像素

6r…红色的子像素

6g…绿色的子像素

6b…蓝色的子像素

7…树脂基板层(基底基板)

8…tft层

9…有机el元件

10…密封膜

11…底涂膜

12…第一tft

13…第二tft

14…电容

15…显示用配线

15g…栅极配线；

15s…源极配线；

15hp…高压电源配线

16…平坦化膜

17…半导体层

18…栅极绝缘膜

19…栅极

20…层间绝缘膜

21…源极

22…漏极

23…第一层间绝缘膜

24…第二层间绝缘膜

25…接触孔

26…下部导电层

27…上部导电层

28…接触孔

29…第一电极(像素电极)

30…有机el层

31…第二电极

32…接触孔

33…边缘罩

34…空穴注入层

35…空穴传输层

36…发光层；

37…电子传输层

38…电子注入层

39…第一无机层

40…有机层

41…第二无机层

42…感光间隔物

44…阻挡结构

45…第一阻挡壁

46…第二阻挡壁

47…第一壁层

48…第二壁层

50…凸部

51…第一凸层

52…第二凸层

60…母基板

61…面板构成区域

61d…构成显示区域的部分

61f…构成边框区域的部分

70…成膜用掩模

71…掩模框架

72…屏蔽片

73…盖片

74…支撑片(支撑部件)

75…蒸镀用图案开口部

76…贯通孔

77…遮蔽部

78…第一遮蔽部

79…第二遮蔽部

80…真空蒸镀装置

81…成膜腔

82…基板支架

84…磁力部

85…蒸镀源

86…排气口

87…闸阀。